PTC加热芯体及加热设备的制作方法

文档序号:17484216发布日期:2019-04-20 06:38阅读:499来源:国知局
PTC加热芯体及加热设备的制作方法

本发明涉及一种ptc加热芯体,并且涉及一种包括该ptc加热芯体的加热设备。



背景技术:

ptc(positivetemperaturecoefficient,即,正温度系数)加热芯体可以作为多种电加热设备的热源,例如空调、取暖器,ptc加热芯体利用ptc芯片加电后自热升温而发热。目前高压ptc加热芯体的实现方式有很多种,其中一种为外部套铝合金套管的结构形式,内部结构组成为“绝缘层+电极片+ptc芯片+电极片+绝缘层”。

例如,中国实用新型专利cn203933981u公开了一种绝缘型ptc加热器,该绝缘型ptc加热器包括上电极片、下电极片、长方体状的ptc陶瓷、铝管和绝缘纸。ptc陶瓷的上部和下部分别设置ptc陶瓷表面电极,ptc陶瓷2的上端面电极和下端面电极分别通过硅胶粘结上电极片和下电极片,上电极片的宽度大于ptc陶瓷表面电极的宽度小于等于ptc陶瓷的宽度,下电极片的宽度大于ptc陶瓷表面电极的宽度小于等于ptc陶瓷的宽度。ptc陶瓷2上粘结上电极片和下电极片时,ptc陶瓷与上电极片、下电极片组合的外部包裹绝缘纸,并通过绝缘纸4设置在铝管内,ptc陶瓷表面电极未完全覆盖在ptc陶瓷的上部或下部,ptc陶瓷表面电极是设置在ptc陶瓷上部的中部和下部的中部,在ptc陶瓷上,ptc陶瓷表面电极的两侧留有一定的余量,即两侧的余量分别是电极留边宽度。

在现有技术中两个电极为相互平行的平板状,绝缘层通常采用绝缘纸或者氧化铝陶瓷片,或者二者同时使用。

使用绝缘纸,为了保证可靠的绝缘性能,通常会在电极片上包裹不止一层,通常为2.5层及以上,影响导热效果;使用氧化铝陶瓷片,热传导效率通常越薄效果越好,厚度因绝缘要求存在瓶颈;而二者同时使用,也无法很好地实现绝缘要求和导热效果的平衡。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种ptc加热芯体。该ptc加热芯体可以很好地同时满足导热以及绝缘的要求。

本发明提供一种ptc加热芯体,具有长度方向、宽度方向和厚度方向,包括:多个ptc芯片,沿着所述长度方向布置;第一电极片,位于所述多个ptc芯片在所述厚度方向上的第一侧;以及第二电极片,位于所述多个ptc芯片在所述厚度方向上的第二侧;其中,在相邻两个ptc芯片之间在所述长度方向上的区域,所述第一电极片具有朝向所述第二电极片凸起的第一拱形部,所述第二电极片具有朝向所述第一电极片凸起的第二拱形部,所述第一拱形部和所述第二拱形部在所述宽度方向上彼此错开。

在一个实施方式中,所述ptc加热芯体还包括多个第一绝缘层和多个第二绝缘层,每个ptc芯片对应所述多个第一绝缘层中的一个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层中的一个第二绝缘层,所述一个第一绝缘层相对于所述ptc芯片位于所述第一电极片的相同侧并且所述第一电极片介于所述一个第一绝缘层与所述ptc芯片之间,所述一个第二绝缘层相对于所述ptc芯片位于所述第二电极片的相同侧并且所述第二电极片介于所述一个第二绝缘层与所述ptc芯片之间。

在一个实施方式中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层外套设有铝管。

在一个实施方式中,所述第一电极片和所述第二电极片分别形成有第一切口和第二切口,所述第一切口和所述第二切口在所述厚度方向上分别对应避让所述第二拱形部和所述第一拱形部。

在一个实施方式中,所述第一拱形部和所述第二拱形部在所述长度方向上的设置位置相同,并且形状和尺寸相同。

在一个实施方式中,所述ptc芯片包括芯片本体和电极镀层,所述芯片本体在所述厚度方向上的两个表面上设置有所述电极镀层。

在一个实施方式中,所述电极镀层在垂直于所述厚度方向的厚向截面上的面积比所述芯片本体在所述厚向截面上的面积小。

在一个实施方式中,所述第一拱形部和所述第二拱形部中的每个拱形部在垂直于所述宽度方向的宽向截面上为梯形形状。

在一个实施方式中,所述第一拱形部和所述第二拱形部中的每个拱形部在垂直于所述宽度方向的宽向截面上为等腰梯形形状。

在一个实施方式中,所述第一拱形部和所述第二拱形部中的每个拱形部距离外层的所述铝管之间的爬电距离为giso1,所述ptc芯片的厚度为tptc,单根铝管加热条的绝缘性能要求为uiso(vac),其中,giso1≥uiso(vac)/tptc。

在一个实施方式中,所述第一电极片和所述第二电极片分别形成有第一切口和第二切口,所述第一切口和所述第二切口在所述厚度方向上分别对应避让所述第二拱形部和所述第一拱形部;所述ptc芯片包括芯片本体和电极镀层,所述芯片本体在所述厚度方向上的两个表面上设置有所述电极镀层,并且,所述电极镀层在垂直于所述厚度方向的厚向截面上的面积比所述芯片本体在所述厚向截面上的面积小;并且所述第一拱形部和所述第二拱形部中的每个拱形部在垂直于所述宽度方向的宽向截面上为梯形形状。

在一个实施方式中,所述ptc芯片的厚度为tptc,所述第一电极片和所述第二电极片中的每个电极片的厚度为tetrd,所述第一拱形部和所述第二拱形部在宽度方向上的错开距离为giso2,所述ptc芯片的侧边与所述第一拱形部和所述第二拱形部中的每个拱形部中开始凸起的部位之间在所述长度方向上的距离为ggap1,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每个绝缘层在宽度方向上与外层的所述铝管的内边缘之间的宽度间距为galtrd,所述第一电极片和所述第二电极片中的每个电极片的宽度为wtrd,所述第一切口和所述第二切口中的每个切口在宽度方向上的切口深度为gtrd2,所述第一切口的端边与所述第二拱形部的相对的斜边之间的垂直距离以及所述第二切口的端边与所述第一拱形部的相对的斜边之间的垂直距离为ggap2,所述第一切口和所述第二切口中的每个切口的两个端边在所述长度方向上的端边距离为gtrd1,所述电极镀层的侧边与所述芯片本体的侧边之间的边距包括在所述长度方向上的长向边距wptctrd1以及在宽度方向上的宽向边距wptctrd2,所述第一拱形部的外顶边与所述第二拱形部的内顶边之间的距离为g2etrd,所述第一拱形部和所述第二拱形部中的每个拱形部的梯形角为θetrd,其中,tptc≥2mm;tetrd≥0.7mm;1.2*tptc≥giso2>tptc;ggap1≥tptc;galtrd≥1mm;gtrd2=(wtrd+giso2)/2;ggap2≥tptc;gtrd1≥tetrd*2.5;wptctrd1=wptctrd2≥1mm;g2etrd≤0.5mm;并且θetrd≥90°。

本发明又提供一种ptc加热芯体,具有长度方向、宽度方向和厚度方向,其特征在于,包括:多个ptc芯片,沿着所述长度方向布置;第一电极片,位于所述多个ptc芯片在所述厚度方向上的第一侧;以及第二电极片,位于所述多个ptc芯片在所述厚度方向上的第二侧;其中,在相邻两个ptc芯片之间在所述长度方向上的区域,所述第一电极片和所述第二电极片中的一个电极片具有朝向另一电极片凸起的拱形部。

本发明还提供一种加热设备,包括上述ptc加热芯体。

本发明通过改进电极片的设计,将电极片由将原来的长条平板状修改为错开、带有凸起弯折的形状,从而可以为电极片和外部绝缘层提供更多的空气间隙,从而增加爬电距离。多个ptc芯片可以均匀分布,提高换热效率。此外,通过一片ptc芯片对应一对绝缘层,当绝缘层使用陶瓷片时,可以减小陶瓷片的尺寸,可以有效降低同等工艺条件下陶瓷片液压碎裂的几率。根据本发明的ptc加热芯体可以在保证绝缘性能的前提下,大幅提高热传导效率。

附图说明

包括附图是为提供对本发明进一步的理解,它们被收录并构成本申请的一部分,附图示出了本发明的实施方式,并与本说明书一起起到解释本发明原理的作用。附图中:

图1为ptc加热设备的前视图。

图2为ptc加热设备的俯视图。

图3为ptc加热设备的侧视图。

图4为沿着图3中线a-a截取的截面图。

图5为图4中箭头b所指示的区域的放大截面图。

图6为沿着图5中的线c-c截取并且上下倒置的截面图。

图7是沿着图5中的线e-e截取的截面图。

具体实施方式

下面结合具体实施方式和附图对本发明作进一步说明,在以下的描述中阐述了更多的细节以便于充分理解本发明,但是本发明显然能够以多种不同于此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下根据实际应用情况作类似推广、演绎,因此不应以此具体实施方式的内容限制本发明的保护范围。

例如,在说明书中随后记载的第一特征在第二特征上方或者上面形成,可以包括第一和第二特征通过直接联系的方式形成的实施方式,也可包括在第一和第二特征之间形成附加特征的实施方式,从而第一和第二特征之间可以不直接联系。另外,这些公开内容中可能会在不同的示例中重复附图标记和/或字母。该重复是为了简要和清楚,其本身不表示要讨论的各实施方式和/或结构间的关系。进一步地,当第一元件是用与第二元件相连或结合的方式描述的,该说明包括第一和第二元件直接相连或彼此结合的实施方式,也包括采用一个或多个其他介入元件加入使第一和第二元件间接地相连或彼此结合。

如本发明所示,除非上下文明确提示例外情形,“一”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数,也可包括复数。一般说来,术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素,而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列,方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。

为了方便描述,此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到,这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。例如,如果翻转附图中的器件,则被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件的方向将改为在所述其他元件或特征的“上方”。因而,示例性的词语“下方”和“下面”能够包含上和下两个方向。器件也可能具有其他朝向(旋转90度或处于其他方向),因此应相应地解释此处使用的空间关系描述词。此外,还将理解,当一层被称为在两层“之间”时,它可以是所述两层之间仅有的层,或者也可以存在一个或多个介于其间的层。

附图是依照等比例的原则按照产品的实际尺寸比例来绘制的。需要注意的是,不同实施方式下的变换方式可以进行适当组合。

参见图1、图2和图3,分别示出了加热设备100的示例构造的前视图、仰视图和左视图。将图1中的左右方向定义为长度方向d1,上下方向定义为厚度方向d2,垂直于纸面的方向定义为宽度方向d3,方向定义仅为了方便描述,不对方位进行限制,下文将会将单个ptc加热芯体1在长度方向d1上的尺寸称为ptc加热芯体1的长度,将ptc加热芯体1在宽度方向d3上的尺寸称为ptc加热芯体1的宽度,将ptc加热芯体1在厚度方向d2上的尺寸称为ptc加热芯体1的厚度。也可以说,ptc加热芯体1具有长度方向d1、宽度方向d3和厚度方向d2。

图4是沿着图3的线a-a截取的截面图。需要注意的是,图1、图2、图3和图4都仅示出了沿着长度方向d1延伸的单个ptc加热芯体1。ptc加热芯体1可以作为加热设备100的热源。加热设备100可以包括多个ptc加热芯体1,例如,可以沿着厚度方向d2布置多个图1所示的ptc加热芯体1,又或者可以沿着宽度方向d3布置多个ptc加热芯体1。ptc加热芯体1可以呈矩阵分布。

参见图4,ptc加热芯体1包括多个ptc芯片11,多个ptc芯片11沿着长度方向d1布置。ptc芯片11是工作部件,ptc加热芯体1的热量来源;图5是图4中箭头b所指示的区域的放大截面图,更加详细地示出了ptc加热芯体1的示例构造。参见图5,ptc加热芯体1还包括第一电极片12和第二电极片13,第一电极片12位于多个ptc芯片11(图5中仅示出一个ptc芯片)在厚度方向d2上的第一侧(图5中的上侧),而第二电极片13位于多个ptc芯片11在厚度方向d2上的第二侧(图5中的下侧)。电极片12、13为ptc芯片11提供工作电源,并负责将ptc芯片11的工作热量传递到外部,可以采用铝合金、铜合金材质。结合图4和图5,在相邻两个ptc芯片11之间在长度方向d1上的区域,第一电极片12和第二电极片13分别形成有第一拱形部121和第二拱形部131。具体地,第一电极片12具有朝向第二电极片13凸起的第一拱形部121,第二电极片13具有朝向第一电极片12凸起的第二拱形部131,第一拱形部121和第二拱形部131在宽度方向d3上彼此错开。

后面将会描述的铝管16到电极片12、13的安全绝缘距离即爬电距离,一般需要满足一定条件。例如,gisol≥uiso(vac)/tptc,其中,gisol为爬电距离,tptc为ptc芯片的厚度为,uiso(vac)为单根铝管加热条的绝缘性能要求,vac指的是交流(ac)电压,例如,uiso(vac)可以选为在测试时间为60s,泄露电流为0.5ma的测试条件下的绝缘交流电压。后面将会描述,关于拱形部121、131与铝管16之间的爬电距离可以依据上述要求设定。在现有技术中,电极片为平板,则爬电距离值仅约为绝缘层的厚度。而本发明的爬电距离约为绝缘层的厚度与拱形部部的深度(也即拱形部在厚度方向d2上的尺寸)之和。通过第一电极片12和第二电极片13分别形成有第一拱形部121和第二拱形部131,增加了爬电距离。由于拱形部的设置可以显著增加同类ptc加热芯体的爬电距离,所以即使将绝缘层的厚度缩小,爬电距离也远大于现有技术,安全性仍优于现有技术,从而为绝缘层厚度缩减创造条件。两个电极片12、13分别通电源的正负极,两个拱形部在宽度方向d3上互相错位的设计,从而可以使得两者在厚度方向都上即使产生重叠,也不发生短路。此外,拱形部在厚度上与ptc芯片之间有重叠,这能对ptc芯片构成定位,现有的ptc芯片有陶瓷假片做间隔/定位,而根据本发明的ptc芯片中的电极片带拱形部设计,因而可以免去现有技术中另设的定位隔板,可在满足设计的情况下减小ptc芯片的尺寸以及陶瓷假片的数量,因此可以使得ptc加热芯体及总成重量减少很多,从而提升总成效率。

在另一实施方式中,第一电极片12和第二电极片13中可以仅一个电极片具有朝向另一电极片凸起的拱形部,这样可以增加该一个电极片的爬电距离,并且也可以免去定位隔板。

图示实施方式中,ptc加热芯体1还包括多个第一绝缘层14和多个第二绝缘层15。绝缘层14、15可以是为电极片12、13和后述的铝管16提供安全绝缘性能的片状零件,同时可以将热量传递到外部空间,可以采用聚酰亚胺、高分子导热硅胶垫、陶瓷绝热垫等材料。每个ptc芯片11对应多个第一绝缘层中的一个第一绝缘层14和多个第二绝缘层中的一个第二绝缘层15,一个第一绝缘层14相对于ptc芯片11位于第一电极片12的相同侧(也即,图5中的上侧)并且第一电极片12介于该一个第一绝缘层14与ptc芯片11之间,该一个第二绝缘层15相对于ptc芯片11位于第二电极片13的相同侧(也即,图5中的下侧)并且第二电极片13介于该一个第二绝缘层15与ptc芯片11之间,也即是,图5中,ptc芯片11上侧依次是第一电极片12和对应的该一个第一绝缘层14,ptc芯片11下侧依次是第二电极片13和对应的该一个第二绝缘层15。对于单根铝管加热条,需要将ptc芯片、电极片以及绝缘层装配好之后,放进铝套管进行液压成型,而本实施例中,一片ptc芯片对应一对绝缘层,绝缘层可以采用陶瓷片,这样可以有效地降低同等工艺条件下陶瓷片液压碎裂的几率。在长度方向上相邻的绝缘层之间可以设置有绝缘层接头间隙14a,当使用聚酰亚胺、高分子导热硅胶垫等软质导热片时可能不存在该接头间隙,而例如,当使用陶瓷绝缘等硬质导热片时可能会存在该接头间隙14a。

参见图6和图7,图6是沿着图5中的线c-c截取并且上下倒置的截面图,图7是沿着图5中的线e-e截取的截面图,注意图6中示出了相邻两个ptc芯片11,而图5中仅示出了位于左侧的一个ptc芯片11。图6和图7更加细致地示出了两个电极片(第一电极片12和第二电极片13)的两个拱形部(第一拱形部121和第二拱形部131)在宽度方向d3上错开。第一电极片12和第二电极片13分别形成有第一切口(图中未示出)和第二切口132,第一切口和第二切口132在厚度方向d2上分别对应避让第二拱形部131和第一拱形部121。结合图5和图6,仅示出了第二切口132,而未示出第一切口,下面仅针对第二切口132进行描述,第二切口的作用和位置类似于第二切口132。第二切口132设置于第二电极片13,在图5中,位于第一电极片12的第一拱形部121下方,也即,第二切口132在厚度方向d2上对应第一拱形部121,从而对第一拱形部121形成避位作用,第二电极片13在对应于第一电极片12的第一拱形部121下方的区域处没有设置第二切口132,则该处的第二电极片13可能会与第一电极片12的第一拱形部121(第一拱形部121实质上是朝向第二电极片13突出)在结构上形成干涉或者与第一拱形部121的顶部之间的距离太近而彼此电力干涉。同理,未示出的第一切口设置于第一电极片12,在图5中位于第二电极片13的第二拱形部131上方,从而避让第二拱形部131。第一切口和第二切口132可以通过剖切形成,例如,以第二切口132作为示例,可以先将第二电极片13进行弯折形成第二拱形部131,然后再宽度方向d3上进行剖切从而形成第二切口132,又或者,先对第二电极片13进行剖切形成第二切口132的前身,再对第二电极片13进行弯折,从而形成第二拱形部131,并且第二切口132的前身由于弯折作用而在长度方向d1上的尺寸收缩从而形成图5和图6中的第二切口132。

继续参见图5、图6和图7,第一拱形部121和第二拱形部131虽然在宽度方向d3上错开,但是在长度方向d1上的设置位置相同,并且形状和尺寸相同,在图示实施方式中,第一拱形部121和第二拱形部131中的每个拱形部在图5所示的截面(也可以说是,垂直于宽度方向d3的宽向截面)上为梯形形状,梯形形状的顶边为平直边,因而,爬电距离相同。进一步地,图5所示的实施方式中,第一拱形部121和第二拱形部131中为等腰梯形形状。由于第一拱形部121和第二拱形部131除了在宽度方向d3上错开之外,在图5中上下基本对称,所以可以增加部件的互换性,也即,第一电极片12和第二电极片13之间可以互换,因此可以减少制造成本。

参见图3、图5和图7,ptc加热芯体1中,第一绝缘层14和第二绝缘层15外套设有铝管16。图示实施方式中,参见图3,铝管16在该视图中(也可以说,垂直于长度方向d1的长向截面上)为六边形,在厚度方向d2上的两侧(即图3中的上下两侧)具有沿着宽度方向d3(即图3中的左右方向)延伸的平直边。此外,加热设备100中,ptc加热芯体1的铝管16外分布有散热翅片101,以便将ptc加热芯体1所产生的热量迅速地向周边的气体或者液体扩散。铝管16为绝缘层14、15,电极片12、13以及ptc芯片11等提供结构支持,同时将热量传递到外部空气及散热翅片101,可以采用铝合金材质。

参见图5和图6,ptc芯片11包括芯片本体111和电极镀层112,芯片本体111在厚度方向d2上的两个表面上设置有电极镀层112。例如,电极镀层112可以喷涂或印刷在芯片本体111的外部,其可以是导电的金属电极,可以分别接触电极片12、13。参见图6,电极镀层112在该截面(也可以说,垂直于厚度方向d2的厚向截面)上的面积比芯片本体111在该截面上的面积小。

参见图3,各个层之间可以通过使用胶粘剂17而将相邻层粘接在一起,例如图中的ptc芯片11与电极片12、13之间。

注意,铝管16可以与外部直接接触,人体可以触及而感受热量,电极片12、13,ptc芯片11都是带高压电的工作部件,而绝缘层14、15分别介于铝管16与电极片12、13之间,从而为铝管16与电极片12、13提供安全有效的电气隔离间距,以保证用户的安全。

接下来描述根据本发明的ptc加热芯体1中的一些优选尺寸,尺寸标注参见图3、图5和图6。

参见图5,第一拱形部121和第二拱形部131中的每个拱形部(图5中,第二拱形部131的顶边)距离外层的铝管16(下方铝管16)之间的爬电距离为giso1,ptc芯片11的厚度(包括芯片本体111和上下的电极镀层112)为tptc,单根铝管加热条的绝缘性能要求为uiso(vac),其中,giso1≥uiso(vac)/tptc。vac指的是交流(ac)电压,例如uiso(vac)可以选为在测试时间为60s,泄露电流为0.5ma的测试条件下的绝缘交流电压。该条尺寸要求可以满足绝缘要求,由测试条件和结构尺寸决定。

如上面所定义的,ptc芯片11的厚度为tptc。

此外,参见图5,第一电极片12和第二电极片13中的每个电极片的厚度为tetrd。

参见图6,第一拱形部121和第二拱形部131在宽度方向d3上的错开距离为giso2。

参见图5,ptc芯片11的侧边(图5中的右侧边)与第一拱形部121和第二拱形部131中的每个拱形部中开始凸起的部位(图5中,对于第一拱形部121而言,为第一拱形部121的左斜边的最上方部位)之间在长度方向d1上的距离为ggap1。

参见图3和图6,第一绝缘层14和第二绝缘层15中的每个绝缘层在宽度方向d3上与外层的铝管16的内边缘之间的宽度间距为galtrd。

参见图6,第一电极片12和第二电极片13中的每个电极片的宽度为wtrd。

参见图6,第一切口和第二切口132中的每个切口在宽度方向d3上的切口深度为gtrd2。

参见图5,第一切口和第二切口132中的每个切口的端边(图5中,对于第二切口132,为左端边)与第一拱形部121和第二拱形部131中的相应拱形部的斜边(图5中,对于第一拱形部121,为左斜边)之间的垂直距离(或者可以说,切口的端边与该侧边到拱形部的斜边上的投影之间的距离)为ggap2,也可以说,第一切口的端边与第二拱形部131的相对的斜边之间的垂直距离以及第二切口132的端边与第一拱形部121的相对的斜边之间的垂直距离为ggap2。

参见图6,第一切口和第二切口132中的每个切口的两个端边在长度方向d1上的端边距离为gtrd1。

参见图6,电极镀层112的侧边与芯片本体111的侧边之间的边距包括在长度方向d1上的长向边距wptctrd1以及在宽度方向d3上的宽向边距wptctrd2,其中,芯片本体111的宽度为wptc,电极镀层112的宽度为wptctrd,其中,wptctrd2=(wptc-wptctrd)/2。

参见图5,第一拱形部121的外顶边(图5中,顶边的下表面)与第二拱形部131的内顶边(图5中,顶边的下表面)之间的距离为g2etrd。内顶边和外顶边是相对于该梯形形状而言的,由于梯形的顶边具有厚度,外侧边为外顶边,内侧边为内顶边。g2etrd也可以称作电极片平面差,两片电极片配合之后拱形部平面的差别尺寸,g2etrd设计值为0,而实际工艺控制可以满足下述要求,也即g2etrd≤0.5mm。

参见图5,第一拱形部121和第二拱形部131中的每个拱形部的梯形角为θetrd,梯形角θetrd是拱形部的顶边和斜边构成的夹角。

优选地,则可以满足以下尺寸要求:

(1)tptc≥2mm;

(2)tetrd≥0.7mm;

(3)1.2*tptc≥giso2>tptc;

(4)ggap1≥tptc;

(5)galtrd≥1mm;

(6)gtrd2=(wtrd+giso2)/2;

(7)ggap2≥tptc;

(8)gtrd1≥tetrd*2.5;

(9)g2etrd≤0.5mm;

(10)wptctrd1=wptctrd2≥1mm;

(11)θetrd≥90°。

其中,尺寸要求(1)和(2)由材料结构特性、电气特性决定,(3)、(4)、(5)、(6)、(7)、(9)、(10)以及(11)由工艺设计、结构尺寸要求决定,而尺寸要求(8)由测试条件和结构尺寸决定。以上所有尺寸组合设计的效果就是在最小边界下实现绝缘、耐压设计的最优化。

参见图5,第一绝缘层14和第二绝缘层15中的每个绝缘层的厚度为tiso,绝缘层厚度tiso的尺寸选择与其所使用的材料有关。当绝缘层使用聚酰亚胺时,根据绝缘强度要求,可以裹1片n层,n≥1;当绝缘层使用高分子导热硅胶垫时,通常为1片1层;当绝缘层使用陶瓷导热绝缘垫时,通常为n片1层,n≥1。

以上所述,仅为本发明中的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内,可理解想到的变换或替换,都应涵盖在本发明的包含范围之内,因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

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