多层基板以及电子设备的制作方法

技术领域

本实用新型涉及具备线圈的多层基板。

背景技术：

作为现有的多层基板，例如已知专利文献1记载的线圈内置基板。该线圈内置基板具备基体、第1导体图案以及第2导体图案。基体层叠第1磁性体层以及第2磁性体层而构成。第1导体图案设于第1磁性体层上，具有约1周份的长度。第2导体图案设于第2磁性体层上，具有约1周份的长度。但第2导体图案的直径小于第1导体图案的直径。由此，第1导体图案以及第2导体图案在从层叠方向观察时呈漩涡状。第1导体图案的端部和第2导体图案的端部由过孔导体连接，由此第1导体图案以及第2导体图案构成线圈。

然而在专利文献1记载的线圈内置基板中，有时希望提高线圈的自谐振频率。在这样的情况下，需要减低在第1导体图案与第2导体图案之间产生的静电容。并且，由于线圈的卷绕数越多，则在线圈产生的静电容越大，因此静电容的减低的必要性变高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2013-115242号公报

技术实现要素：

实用新型要解决的课题

为此，本实用新型的目的在于，提供能减低在线圈产生的静电容的多层基板。

用于解决课题的手段

本实用新型的1个方式所涉及的多层基板，具备：多个绝缘体层在层叠方向上层叠而构成、且具有挠性的坯体；和设于所述坯体的线圈，所述线圈在从所述层叠方向观察时形成旋转多于2周的漩涡状，并且形成一边从外周侧接近内周侧旋转一边向该层叠方向的一方侧推进的螺旋状，将所述线圈中在最外周侧旋转的部分定义为第1线圈部，将从该第1线圈部观察向内周侧位于第n圈的部分定义为第n+1线圈部，将第n线圈部与第n+1线圈部之间的间隙定义为第n间隙，其中n是自然数，在从所述层叠方向观察时，所述第1间隙的宽度大于剩余的间隙的宽度。

本实用新型的另1个方式所涉及的电子设备，具备多层基板，其中，该多层基板具备：多个绝缘体层在层叠方向上层叠而构成、且具有挠性的坯体；和设于所述坯体的线圈，所述线圈在从所述层叠方向观察时形成旋转多于2周的漩涡状，并且形成一边从外周侧接近内周侧旋转一边向该层叠方向的一方侧推进的螺旋状，将所述线圈中在最外周侧旋转的部分定义为第1线圈部，将从该第1线圈部观察向内周侧位于第n圈的部分定义为第n+1线圈部，将第n线圈部与第n+1线圈部之间的间隙定义为第n间隙，其中n是自然数，在从所述层叠方向观察时，所述第1间隙的宽度大于剩余的间隙的宽度。

实用新型的效果

根据本实用新型，能减低在线圈产生的静电容。

附图说明

图1是本实用新型的1个实施方式所涉及的多层基板10a的分解立体图。

图2是图1的A-A的截面结构图。

图3是从上侧观察多层基板10a的线圈L的图。

图4是加工多层基板10a时的说明图。

图5是从前侧观察利用多层基板10a的电子设备200的图。

图6是多层基板10a的制造时的截面结构图。

图7是多层基板10a制造时的截面结构图。

图8是多层基板10a的制造时的截面结构图。

图9是第1变形例所涉及的多层基板10b的分解立体图。

图10是图9的A-A的截面结构图。

图11是第2变形例所涉及的多层基板10c的截面结构图。

图12是从上侧观察多层基板10c的线圈L的图。

图13是第3变形例所涉及的多层基板10d的分解立体图。

图14是图13的A-A的截面结构图。

图15是第3变形例所涉及的多层基板10d的分解图。

图16是第4变形例所涉及的多层基板10e的截面结构图。

图17是第5变形例所涉及的多层基板10f的截面结构图。

图18是第6变形例所涉及的多层基板10g的截面结构图。

具体实施方式

(实施方式)

<多层基板的构成>

以下参考附图来说明本实用新型的1个实施方式所涉及的多层基板的构成。图1是本实用新型的1个实施方式所涉及的多层基板10a的分解立体图。图2是图1的A-A中的截面结构图。但在图1中省略连接器100a、100b，在图2中记载连接器100a、100b。图3是从上侧观察多层基板10a的线圈L的图。以下将多层基板10a的层叠方向定义为上下方向。另外，将多层基板10a的长边方向定义为左右方向，将多层基板10a的短边方向定义为前后方向。上下方向、左右方向以及前后方向相互正交。

多层基板10a例如是在便携电话等电子设备内为了将2个高频电路连接而用的柔性基板。多层基板10a如图1以及图2所示那样具备电介质坯体12、信号线路20、连接导体24、26、连接器100a、100b、过孔导体v11以及线圈L。

电介质坯体12如图1所示那样，在从上侧观察时，是在左右方向上延伸的有挠性的板状构件。电介质坯体12的前后方向的宽度均匀。电介质坯体12如图1所示那样，是从上侧向下侧按照保护层19-1、电介质薄片18-1～18-4以及保护层19-2的顺序将它们层叠而构成的层叠体。以下将电介质坯体12的上侧的主面称作表面，将电介质坯体12的下侧的主面称作背面。

电介质薄片18-1～18-4如图1所示那样，在从上侧观察时，在左右方向上延伸，形成与电介质坯体12相同形状。电介质薄片18-1～18-4是由聚酰亚胺或液晶聚合物等有挠性的热塑性树脂构成的绝缘体层。以下，将电介质薄片18-1～18-4的上侧的主面称作表面，将电介质薄片18-1～18-4的下侧的主面称作背面。

保护层19-1是覆盖电介质薄片18-1的表面的大致整面的绝缘体层。保护层19-2是覆盖电介质薄片18-4的背面的大致整面的绝缘体层。但在保护层19-2的左端近旁设有未设保护层19-2的部分即开口Op1，在保护层19-2的右端近旁设有未设保护层19-2的部分即开口Op2。保护层19-1、19-2例如由抗蚀剂材等挠性树脂构成。

线圈L设于电介质坯体12，在从上侧观察时，形成旋转多于2周(本实施方式中为3周和5/8周)的漩涡状，并且形成一边旋转成从外周侧向内周侧靠近一边从上侧向下侧推进的螺旋状。也将这样的螺旋结构称作锥体结构。

线圈L包含线圈部22-1～22-4以及过孔导体v1～v3。线圈部22-1(第1线圈部)是设于电介质薄片18-1的表面的左端近旁的导体层，是在线圈L中绕最外周侧1周的部分。线圈部22-2(第2线圈部)是设于电介质薄片18-2的表面的左端近旁的导体层，从线圈部22-1观察，是第1圈位于内周侧的部分。线圈部22-3(第3线圈部)是设于电介质薄片18-3的表面的左端近旁的导体层，从线圈部22-1观察，是第2圈位于内周侧的部分。线圈部22-4(第4线圈部)是设于电介质薄片18-4的背面的左端近旁的导体层，从线圈部22-1观察，是第3圈位于内周侧的部分。另外，线圈L包含4个线圈部22-1～22-4，但也可以包含例如n+1(n是自然数)个线圈部22-1～22-n+1。在该情况下，线圈部22-n+1(第n+1线圈部)是从线圈部22-1观察第n圈位于内周侧的部分。

线圈部22-1～22-3具有大致1周份的长度，形成长方形的一部分被切去的形状。在本实施方式中，线圈部22-1～22-3的后侧的边的左端被切去。线圈部22-4具有大致5/8周份的长度。以下，将线圈部22-1～22-4的逆时针方向的上游侧的端部称作上游端，将线圈部22-1～22-4的逆时针方向的下游侧的端部称作下游端。

线圈部22-1的前后方向以及左右方向的长度分别长于线圈部22-2的前后方向以及左右方向的长度。线圈部22-2的前后方向以及左右方向的长度分别长于线圈部22-3的前后方向以及左右方向的长度。线圈部22-3的前后方向以及左右方向的长度分别长于线圈部22-4的前后方向以及左右方向的长度。另外，线圈部22-1～22-4的线宽相等且遍及全长均匀。因此，线圈部22-1的全长最长，按照线圈部22-2、22-3的顺序全长变短，线圈部22-4的全长最短。

进而如图1以及图3所示那样，线圈部22-1的下游端和线圈部22-2的上游端在从上侧观察时重叠。线圈部22-2的下游端和线圈部22-3的上游端在从上侧观察时重叠。线圈部22-3的下游端和线圈部22-4的上游端在从上侧观察时重叠。

过孔导体v1在上下方向上贯通电介质薄片18-1，将线圈部22-1的下游端和线圈部22-2的上游端连接。过孔导体v2在上下方向上贯通电介质薄片18-2，将线圈部22-2的下游端和线圈部22-3的上游端连接。过孔导体v3在上下方向上贯通电介质薄片18-3、18-4，将线圈部22-3的下游端和线圈部22-4的上游端连接。

另外，如图2所示那样，线圈部22-1与线圈部22-2的上下方向的间隔d1等于线圈部22-2与线圈部22-3的上下方向的间隔d2。线圈部22-3与线圈部22-4的上下方向的间隔d3大于间隔d1、d2。

然而线圈L如以下说明的那样具有减低在线圈L产生的静电容的结构。以下，将线圈部22-1与线圈部22-2之间的间隙称作间隙Sp-1。将线圈部22-2与线圈部22-3之间的间隙称作间隙Sp-2。将线圈部22-3与线圈部22-4之间的间隙称作间隙Sp-3。另外，线圈L包含4个线圈部22-1～22-4，但也可以包含例如n+1(n是自然数)个线圈部22-1～22-n+1。在该情况下，将线圈部22-n(第n线圈部)与线圈部22-n+1(第n+1线圈部)之间的间隙称作间隙Sp-n(第n间隙)。

间隙Sp-1的宽度w1如图3所示那样，在从上侧观察时大于剩余的间隙Sp-2、Sp-3的宽度w2、w3。进而，宽度w2在从上侧看时大于宽度w3。若将它们一般化，则在从上侧观察时，间隙Sp-m(第m间隙：m为2以上n以下的整数)的宽度wm大于间隙Sp-m+1(第m+1间隙)的宽度wm+1。如此，在线圈L中，随着从内周侧向外周侧靠近，间隙变大。但间隙Sp-1～Sp-4分别遍布全长都有均匀的宽度。

连接导体24是设于电介质薄片18-1的表面的导体层，从线圈部22-1的上游端向左侧延伸。连接导体26是设于电介质薄片18-4的背面的导体层，沿着电介质薄片18-4的左侧的边延伸。连接导体24的左端和连接导体26的后端在从上侧观察时重叠。进而，连接导体26的前端在从上侧观察时与开口Op1重叠。由此，连接导体26的前端露出到电介质坯体12的外部，作为外部电极发挥功能。另外，优选在连接导体26从电介质坯体12露出的部分实施Ni/Au镀覆。

过孔导体v11在上下方向上贯通电介质薄片18-1～18-4，将连接导体24的左端和连接导体26的后端连接。

信号线路20是设于电介质薄片18-4的背面的导体层，从线圈部22-4的下游端向右侧延伸。信号线路20的右端在从上侧观察时与开口Op2重叠。由此信号线路20的右端露出到电介质坯体12的外部，作为外部电极发挥功能。另外，优选在信号线路20从电介质坯体12露出的部分实施Ni/Au镀覆。

以上那样的信号线路20、线圈部22-1～22-4、连接导体24、26由以银或铜为主成分的相对电阻小的金属材料制作。在此，所谓信号线路20形成在电介质薄片18-4的表面，是指在电介质薄片18-4的背面图案形成通过镀覆形成的金属箔从而形成信号线路20；或者是指在电介质薄片18-4的背面图案形成粘贴的金属箔来形成信号线路20。另外，由于在信号线路20的表面实施平滑化，信号线路20中与电介质薄片18-4相接的面的表面粗糙度大于信号线路20中不与电介质薄片18-4相接的面的表面粗糙度。关于线圈部22-1～22-4以及连接导体24、26，也与信号线路20同样。

过孔导体v1～v3、v11通过对形成于电介质薄片18-1～18-4的过孔填充以银、锡或铜等为主成分的导电性膏并固化来形成。其中，过孔导体v1～v3、v11也可以通过对形成于电介质薄片18-1～18-4的过孔实施金属镀覆来形成。

连接器100a、100b分别通过焊料101a、101b安装在开口Op1、Op2上。更详细地，连接器100a、100b分别在上侧的面具有未图示的外部电极。连接器100a、100b的外部电极分别经由焊料101a、101b与连接导体26的前端以及信号线路20的右端连接。

多层基板10a如以下说明那样使用。图4是加工多层基板10a时的说明图。图5是从前侧观察使用多层基板10a的电子设备200的图。

多层基板10a以在左右方向的中央近旁(即未设线圈L的部分)被折弯的状态使用。为此，对多层基板10a从上侧以及下侧用工具T1、T2进行加压，在2处折弯。工具T1具有相对位于下侧的面S1和相对位于上侧的面S2。面S1、S2是面向下侧的面。工具T2具有相对位于下侧的面S3和相对位于上侧的面S4。面S3、S4是面向上侧的面。面S1与面S2的上下方向的距离和面S3与面S4的上下方向的距离大致相等。

另外，在工具T1、T2内置加热器等加热单元。并且，由面S1和面S3从上下夹住多层基板10a，由面S2和面S4从上下夹住多层基板10a。由此，多层基板10a在比左右方向的中央稍靠左侧，表面被内折(谷折)成90°，并且在比左右方向的中央稍靠右侧，表面被外折(峰折)成90°。之后，将工具T1、T2从多层基板10a拆下，将多层基板10a冷却，由此能制作具有塑性变形的部分的多层基板10a。以上那样折弯的多层基板10a在这样的折弯加工后也保持挠性，如以下说明的那样，能容易地安装在电路基板202a、202b。

电子设备200如图5所示那样具备多层基板10a、电路基板202a、202b以及插座204a、204b。

在电路基板202a例如设置包含天线的发送电路或接收电路。在电路基板202b例如设置供电电路。电路基板202a以及电路基板202b从左侧向右侧按照该顺序排列。电路基板202b的上侧的主面比电路基板202a的上侧的主面位置得更靠上侧。

插座204a、204b分别设于电路基板202a、202b的上侧的主面上。因此插座204b比插座204a位置得更靠上侧。为此使用图4那样折弯的多层基板10a。即，在插座204a、204b分别连接连接器100a、100b。由此多层基板10a连接电路基板202a、202b间。

<多层基板的制造方法>

以下参考附图来说明多层基板10a的制造方法。图6～图8是多层基板10a的制造时的截面结构图。以下以制作一个多层基板10a的情况为例进行说明，但实际上，通过将大片的电介质薄片层叠以及切割，能同时制作多个多层基板10a。

首先准备在一方的主面的整面形成铜箔的由热塑性树脂构成的电介质薄片18-1～18-4。具体地，在电介质薄片18-1～18-3的表面粘贴铜箔。在电介质薄片18-4的背面粘贴铜箔。进而，在电介质薄片18-1～18-4的铜箔的表面实施例如用于防锈的镀锌，并进行平滑化。电介质薄片18-1～18-4是液晶聚合物。

接下来，通过对形成于电介质薄片18-1的表面上的铜箔进行图案形成，如图1所示那样，将线圈部22-1以及连接导体24形成在电介质薄片18-1的表面上。具体地，在电介质薄片18-1的表面的铜箔上印刷与图1所示的线圈部22-1以及连接导体24相同形状的抗蚀剂。然后对铜箔实施蚀刻处理，由此除去未被抗蚀剂覆盖的部分的铜箔。之后，喷上清洗液(抗蚀剂除去液)来除去抗蚀剂。由此，图1所示那样的线圈部22-1以及连接导体24通过光刻工序形成在电介质薄片18-1的表面上。

接下来，如图1所示那样，将线圈部22-2形成在电介质薄片18-2的表面上。另外，如图1所示那样，将线圈部22-3形成在电介质薄片18-3的表面上。另外，如图1所示那样，将信号线路20、线圈部22-4以及连接导体26形成在电介质薄片18-4的背面上。另外，信号线路20、线圈部22-2～22-4以及连接导体26的形成工序由于与线圈部22-1以及连接导体24的形成工序相同，因此省略说明。

接下来，在电介质薄片18-1～18-4的形成过孔导体v1～v3、v11的位置照射激光束来形成贯通孔。然后在贯通孔填充导电性膏。

接下来如图6所示那样，将电介质薄片18-1～18-4从上侧到下侧按照该顺序层叠，如图7所示那样实施压接处理以及加热处理。通过对电介质薄片18-1～18-4实施加热处理以及加压处理，电介质薄片18-1～18-4软化并且贯通孔内的导电性膏固化。由此电介质薄片18-1～18-4接合并且形成过孔导体v1～v3、v11。

接下来如图8所示那样，用丝网印刷涂布树脂(抗蚀剂)膏，由此在电介质薄片18-1的表面上以及电介质薄片18-4的背面上形成保护层19-1、19-2。

最后在开口Op1、Op2上用焊料101a、101b安装连接器100a、100b。

另外，在所述制造方法中，电介质坯体12包含电介质薄片18-1～18-4，线圈L包含线圈部22-1～22-4。其中电介质坯体12包含k(k是3以上的整数)层的电介质薄片18-1～18-k(第1绝缘体层到第k绝缘体层)，线圈L包含k个线圈部22-1～22-k(第1线圈部到第k线圈部)即可。在该情况下，将线圈部22-1(第1线圈部：1是k以下的自然数)形成在电介质薄片18-1(第1线圈部)。进而在电介质薄片18-1形成过孔导体。之后，将电介质薄片18-1～18-k从上侧向下侧按照该顺序层叠，实施压接处理以及加热处理。

<效果>

根据以上那样构成的多层基板10a，能减低在线圈L产生的静电容。若加大线圈部22-1～22-4的间隙Sp-1～Sp-3，则由于线圈部22-1～22-4远离，因此在线圈L产生的静电容减少。为此如以下那样定义静电容的减少量。

减少量ΔC1：间隙Sp-1的宽度w1增加单位长度时，在线圈部22-1与线圈部22-2之间产生的静电容的减少量

减少量ΔC2：间隙Sp-2的宽度w2增加单位长度时，在线圈部22-2与线圈部22-3之间产生的静电容的减少量

减少量ΔC3：间隙Sp-3的宽度w3增加单位长度时，在线圈部22-3与线圈部22-4之间产生的静电容的减少量

在多层基板10a中，线圈部22-1与线圈部22-2并行的长度长于线圈部22-2与线圈部22-3并行的长度以及线圈部22-3与线圈部22-4并行的长度。因而减少量ΔC1大于减少量ΔC2、ΔC3。即，加大间隙Sp-1的宽度w1与加大间隙Sp-2、Sp-3的宽度w2、w3相比，在减低在线圈L产生的静电容上更有效果。通过以上，在多层基板10a中，在从上侧观察时，通过使间隙Sp-1的宽度w1大于剩余的间隙Sp-2、Sp-3的宽度w2、w3，能有效果地减低在线圈L产生的静电容。然后，通过在线圈L产生的静电容变小，能提高线圈L的自谐振频率。

另外，在多层基板10a中，能减低在线圈L产生的静电容并抑制线圈L的大型化。更详细地，为了减低在线圈L产生的静电容，例如加大宽度w1～w3的全部即可。但在该情况下，线圈L会大型化。为此，使能最有效率减低在线圈L产生的静电容的间隙Sp-1的宽度w1大于剩余的间隙Sp-2、Sp-3的宽度w2、w3。由此能在多层基板10a中减低在线圈L产生的静电容并抑制线圈L的大型化。

另外，在多层基板10a中，出于以下的理由，能进一步减低在线圈L产生的静电容并抑制线圈L的大型化。更详细地，在多层基板10a中，线圈部22-2与线圈部22-3并行的长度长于线圈部22-3与线圈部22-4并行的长度。因而减少量ΔC2大于减少量ΔC3。即，加大间隙Sp-2的宽度w2与加大间隙Sp-3的宽度w3相比，在减低在线圈L产生的静电容上更有效果的。为此使间隙Sp-2的宽度w2大于间隙Sp-3的宽度w3。由此能在多层基板10a中减低在线圈L产生的静电容并抑制线圈L的大型化。

另外，多层基板10a在未设线圈L的部分折弯来使用。由此抑制了因折弯多层基板10a而线圈部22-1～22-4的位置关系发生变动。其结果抑制了线圈L的特性的变动。

另外，在多层基板10a中，出于以下的理由而抑制了线圈L的特性的变动。通过折弯多层基板10a，在未设线圈L的部分折弯来使用。但折弯多层基板10a所引起的电介质坯体12的变形有时会到达线圈L近旁。

但由于间隙Sp-1在间隙中位于最外周侧，因此位于最靠近折弯多层基板10a的位置。因此，由于多层基板10a折弯，间隙Sp-1的宽度wl与间隙Sp-2、Sp-3的宽度w2、w3相比更易于变动。为此在线圈部22-1与线圈部22-2之间产生的静电容与在线圈部22-2与线圈部22-3之间产生的静电容以及在线圈部22-3与线圈部22-4之间产生的静电容相比更易于变动。

在此，在线圈部22-1与线圈部22-2之间产生的静电容与宽度w1成反比。为此，宽度w1大的情况下宽度w1变动单位长度时的静电容的变动量小于宽度w1小的情况下宽度w1变动单位长度时的静电容的变动量。为此，间隙Sp-1的宽度w1大于剩余的间隙Sp-2、Sp-3的宽度w2、w3。由此抑制了在线圈部22-1与线圈部22-2之间产生的静电容的变动。其结果抑制了线圈L的特性的变动。

另外，在多层基板10a以及其制造方法中设置线圈部22-1～22-4不同的电介质薄片18-1～18-4。由此抑制了在线圈部22-1～22-4间产生短路。

(第1变形例)

以下参考附图来说明第1变形例所涉及的多层基板的构成。图9是第1变形例所涉及的多层基板10b的分解立体图。图10是图9的A-A中的截面结构图。但在图9中省略连接器100a、100b，在图10中记载连接器100a、100b。

多层基板10b在线圈L的结构上与多层基板10a相异。更详细地，在多层基板10a中，线圈L形成一边旋转成从外周侧向内周侧接近一边从上侧向下侧推进的螺旋状。另一方面，在多层基板10b中，线圈L形成一边旋转成从外周侧向内周侧接近一边从下侧向上侧推进的螺旋状。以下以相关的相异点为中心来说明多层基板10b。

线圈L包含线圈部22-1～22-4以及过孔导体v1～v3。多层基板10b的线圈部22-1～22-4的形状与多层基板10a的线圈部22-1～22-4的形状相同。其中，多层基板10b的设置线圈部22-1～22-4的位置与多层基板10a的设置线圈部22-1～22-4的位置不同。具体地，线圈部22-1是设于电介质薄片18-4的背面的左端近旁的导体层。线圈部22-2是设于电介质薄片18-3的表面的左端近旁的导体层。线圈部22-3是设于电介质薄片18-2的表面的左端近旁的导体层。线圈部22-4是设于电介质薄片18-1的表面的左端近旁的导体层。

过孔导体v1在上下方向上贯通电介质薄片18-3、18-4，将线圈部22-1的下游端和线圈部22-2的上游端连接。过孔导体v2在上下方向上贯通电介质薄片18-2，将线圈部22-2的下游端和线圈部22-3的上游端连接。过孔导体v3在上下方向上贯通电介质薄片18-1，将线圈部22-3的下游端和线圈部22-4的上游端连接。

另外，如图10所示那样，线圈部22-1与线圈部22-2的上下方向的间隔d1大于线圈部22-1以外的线圈部22-2～22-4中的在上下方向上相邻的2个线圈部的上下方向的间隔。在本实施方式中，线圈部22-3与线圈部22-4的上下方向的间隔d3等于线圈部22-2与线圈部22-3的上下方向的间隔d2。线圈部22-1与线圈部22-2的上下方向的间隔d1大于间隔d2、d3。如此，多层基板10b中的间隔d1～d3的大小关系与多层基板10a中的间隔d1～d3的大小关系不同。

根据多层基板10b，能起到与多层基板10a相同的作用效果。

进而根据多层基板10b，能更有效果地减低在线圈L产生的静电容。若加大线圈部22-1～22-4的上下方向的间隔d1～d3，在线圈L产生的静电容就会减少。为此如以下那样定义静电容的减少量。

减少量ΔC11：间隔d1增加单位长度时，在线圈部22-1与线圈部22-2之间产生的静电容的减少量

减少量ΔC12：间隔d2增加单位长度时，在线圈部22-2与线圈部22-3之间产生的静电容的减少量

减少量ΔC13：间隔d3增加单位长度时，在线圈部22-3与线圈部22-4之间产生的静电容的减少量

在多层基板10b中，线圈部22-1与线圈部22-2并行的长度长于线圈部22-2与线圈部22-3并行的长度以及线圈部22-3与线圈部22-4并行的长度。因而减少量ΔC11大于减少量ΔC12、ΔC13。即，加大间隔d1与加大间隔d2、d3相比，在减低在线圈L产生的静电容上更有效果。通过以上，在多层基板10b中，在从上侧观察时，通过使间隔d1大于剩余的间隔d2、d3，能有效果地减低在线圈L产生的静电容。然后，通过在线圈L产生的静电容变小，能提高线圈L的自谐振频率。

另外，在多层基板10b中，能减低在线圈L产生的静电容并抑制多层基板10b变厚。更详细地，为了减低在线圈L产生的静电容，例如加大间隔d1～d3的全部即可。但在该情况下，多层基板10b会变厚。为此，使能最有效率地减低在线圈L产生的静电容的间隔d1大于剩余的间隔d2、d3。由此能在多层基板10b中减低在线圈L产生的静电容并抑制多层基板10b变厚。

另外，优选在多层基板10b中间隔d1大于间隔d2且间隔d2大于间隔d3。在该情况下，出于以下的理由，能进一步减低在线圈L产生的静电容并抑制多层基板10b变厚。更详细地，在多层基板10b中，线圈部22-2与线圈部22-3并行的长度长于线圈部22-3与线圈部22-4并行的长度。因而减少量ΔC12大于减少量ΔC13。即，加大间隔d2与加大间隔d3相比，在减低在线圈L产生的静电容上更有效果。为此使间隔d2大于间隔d3。由此能在多层基板10b中减低在线圈L产生的静电容并抑制多层基板10b变厚。

另外，线圈L包含4个线圈部22-1～22-4，但也可以包含例如n+1(n是自然数)个线圈部22-1～22-n+1。在该情况下，将线圈部22-n与线圈部22-n+1的上下方向的间隔称作间隔dn。

说明中优选间隔d1大于间隔d2以后的间隔且间隔d2大于间隔d3。若将它们一般化，则在从上侧观察时，间隔dm(m是2以上n以下的整数)是间隔dm+1以上。如此在线圈L中，优选随着从内周侧接近外周侧，相邻的线圈部的上下方向的间隔变大。

(第2变形例)

以下参考附图来说明第2变形例所涉及的多层基板的构成。图11是第2变形例所涉及的多层基板10c的截面结构图。图12是从上侧观察多层基板10c的线圈L的图。

多层基板10c在线圈部22-1～22-4的线宽上与多层基板10a相异。更详细地，在多层基板10a中，线圈部22-1～22-4的线宽W1～W4彼此相等。另一方面，在多层基板10c中，线圈部22-1的线宽W1细于线圈部22-2～22-4的线宽W2～W4。在本实施方式中，线宽W1细于线宽W2，线宽W2细于线宽W3，线宽W3细于线宽W4。

另外，线圈L包含4个线圈部22-1～22-4，但也可以包含例如n+1(n是自然数)个线圈部22-1～22-n+1。在该情况下，将线圈部22-n的线宽称作线宽Wn。

线宽W1如图11以及图12所示那样细于剩余的线宽W2～W4。进而线宽W2细于线宽W3。若将它们一般化，则从上侧观察时，线宽Wm(m是2以上n以下的整数)细于线宽Wm+1。如此在线圈L中，随着从内周侧向外周侧接近，线圈部的线宽变细。

根据多层基板10c，能起到与多层基板10a相同的作用效果。

进而根据多层基板10c，能更有效果地减低在线圈L产生的静电容。首先，若缩小线圈部22-1～22-4的线宽W1～W4则线圈部22-1～22-4彼此的对置面积减少，因此在线圈L产生的静电容减少。为此如以下那样定义静电容的减少量。

减少量ΔC21：在线宽W1减少单位长度时，在线圈部22-1与线圈部22-2之间产生的静电容的减少量

减少量ΔC22：在线宽W2减少单位长度时，在线圈部22-2与线圈部22-3之间产生的静电容的减少量

减少量ΔC23：在线宽W3减少单位长度时，在线圈部22-3与线圈部22-4之间产生的静电容的减少量

在多层基板10c中，线圈部22-1与线圈部22-2并行的长度长于线圈部22-2与线圈部22-3并行的长度以及线圈部22-3与线圈部22-4并行的长度。因而减少量ΔC21大于减少量ΔC22、ΔC23。即，缩小线宽W1与缩小线宽W2、W3相比，在减低在线圈L产生的静电容上更有效果。通过以上，在多层基板10c中，在从上侧观察时，通过使线宽W1细于剩余的线宽W2、W3，能有效果地减低在线圈L产生的静电容。然后，通过在线圈L产生的静电容变小，能提高线圈L的自谐振频率。

另外，在多层基板10c中，能减低在线圈L产生的静电容并抑制线圈L的直流电阻值的增大。更详细地，为了减低在线圈L产生的静电容，例如缩小线宽W1～W4的全部即可。但在在该情况下，线圈L的直流电阻值会增大。为此，使能最有效率减低在线圈L产生的静电容的线宽W1细于剩余的线宽W2～W4。由此能在多层基板10c中减低在线圈L产生的静电容并抑制线圈L的直流电阻值的增大。

另外，在多层基板10c中，出于以下的理由，能进一步减低在线圈L产生的静电容并抑制线圈L的直流电阻值的增大。更详细地，在多层基板10c中，线圈部22-2与线圈部22-3并行的长度长于线圈部22-3与线圈部22-4并行的长度。因而减少量ΔC22大于减少量ΔC23。即，缩小线宽W2与缩小线宽W3相比，在减低在线圈L产生的静电容上更有效果。为此使线宽W2细于线宽W3。由此能在多层基板10c中减低在线圈L产生的静电容并抑制线圈L的直流电阻值的增大。

(第3变形例)

<多层基板的结构>

以下参考附图来说明第3变形例所涉及的多层基板的构成。图13是第3变形例所涉及的多层基板10d的分解立体图。图14是图13的A-A中的截面结构图。图15是第3变形例所涉及的多层基板10d的分解图。以下将多层基板10d的层叠方向定义为上下方向。另外，将多层基板10d的长边方向定义为左右方向，将多层基板10d的短边方向定义为前后方向。上下方向、左右方向以及前后方向相互正交。

多层基板10d如图13以及图14所示那样，具备电介质坯体12、连接导体25、27、29、过孔导体v21、v22以及线圈L。

电介质坯体12如图13所示那样，是从上侧观察时，在左右方向上延伸的长方形状的有挠性的板状构件。电介质坯体12如图13所示那样，是电介质薄片18-1～18-7从上侧向下侧按照该顺序层叠而构成的层叠体。以下将电介质坯体12的上侧的主面称作表面，将电介质坯体12的下侧的主面称作背面。

电介质薄片18-1、18-4、18-7在如图13所示那样从上侧观察时，形成与电介质坯体12相同的形状。电介质薄片18-2形成比电介质薄片18-1小的长方形状，在从上侧观察时，收在电介质薄片18-1的外缘内。另外，电介质薄片18-3形成比电介质薄片18-2小的长方形状，在从上侧观察时，收在电介质薄片18-2的外缘内。电介质薄片18-5、18-6的外缘在从上侧观察时形成与电介质坯体12的外缘相同形状。其中在电介质薄片18-5设有从上侧观察时与电介质薄片18-3一致的形状的开口Op3。在电介质薄片18-6设有从上侧观察时与电介质薄片18-2一致的形状的开口Op4。电介质薄片18-1～18-7是由聚酰亚胺或液晶聚合物等有挠性的热塑性树脂构成的绝缘体层。以下，将电介质薄片18-1～18-7的上侧的主面称作表面，将电介质薄片18-1～18-7的下侧的主面称作背面。

线圈L是设于电介质坯体12的电介质薄片18-4(第1绝缘体层)的表面上的导体层，在从上侧观察时，形成旋转2周以上(在本实施方式中，3周又5/8周)的漩涡状，并且如图14所示那样，形成一边旋转成从外周侧向内周侧一边从上侧向下侧推进的螺旋状。

线圈L包含线圈部22-1～22-4。线圈部22-1(第1线圈部)是线圈L中绕最外周侧1周的部分。线圈部22-2(第2线圈部)是从线圈部22-1观察位于第1圈的内周侧的部分。线圈部22-3(第3线圈部)是从线圈部22-1观察位于第2圈的内周侧的部分。线圈部22-4(第4线圈部)是从线圈部22-1观察位于第3圈的内周侧的部分。

线圈部22-1～22-3具有大致1周份的长度，形成切去长方形的一部分的形状。在本实施方式中，线圈部22-1～22-3的后侧的边的左端被切去。线圈部22-4具有大致5/8周份的长度。以下，将线圈部22-1～22-4的逆时针方向的上游侧的端部称作上游端，将线圈部22-1～22-4的逆时针方向的下游侧的端部称作下游端。

线圈部22-1的前后方向以及左右方向的长度分别长于线圈部22-2的前后方向以及左右方向的长度。线圈部22-2的前后方向以及左右方向的长度分别长于线圈部22-3的前后方向以及左右方向的长度。线圈部22-3的前后方向以及左右方向的长度分别长于线圈部22-4的前后方向以及左右方向的长度。另外，线圈部22-1～22-4的线宽彼此相等且遍及全长均匀。

进而如图13所示那样，线圈部22-1的下游端和线圈部22-2的上游端连接。线圈部22-2的下游端和线圈部22-3的上游端连接。线圈部22-3的下游端和线圈部22-4的上游端连接。

另外，从上侧观察多层基板10d的线圈L时的形状，与从上侧观察多层基板10a的线圈L时的形状(参考图3)相同。因此省略对线圈部22-1～22-4的线宽W1～W4以及线圈部22-1～22-4之间的间隙Sp-1～Sp-3的说明。

连接导体25是设于电介质薄片18-4的表面的导体层，在从线圈部22-1的上游端向左侧延伸后向前侧延伸。连接导体27是设于电介质薄片18-7的背面的导体层，在电介质薄片18-7的左侧的边的中央近旁在左右方向上延伸。连接导体25的前端和连接导体27的右端在从上侧观察时重叠。

过孔导体v21在上下方向上贯通电介质薄片18-4～18-7，将连接导体25的前端和连接导体27的右端连接。

连接导体29是设于电介质薄片18-7的背面的导体层，从电介质薄片18-7的中央向右侧延伸。连接导体29的左端在从上侧观察时与线圈部22-4的下游端重叠。

过孔导体v22在上下方向上贯通电介质薄片18-4、18-7，将线圈部22-4的下游端和连接导体29的左端连接。

于是在多层基板10d中，线圈L设于电介质薄片18-4的表面。为此线圈L在电介质坯体12的层叠、压接前的状态下形成平面状。其中线圈L如图14所示那样，形成一边旋转成从外周侧向内周侧接近一边从上侧向下侧推进的螺旋状。以下对于用于让线圈L形成螺旋状的技术进行详细说明。

首先如图15所示那样，在线圈L中，将最内周侧的部分称作区域A1，将与区域A1的外周侧相邻的部分称作区域A2，将与区域A2的外周侧相邻的部分称作区域A3。在区域A1包含线圈部22-3、22-4。在区域A2包含线圈部22-2。区域A1与区域A2的边界位于线圈部22-2与线圈部22-3之间。在区域A3包含线圈部22-1。区域A2与区域A3的边界位于线圈部22-1与线圈部22-2之间。即，区域A1是线圈L中相对位于内周侧的部分，区域A3是线圈L中相对位于外周侧的部分。

电介质薄片18-2相对于电介质薄片18-4(第1绝缘体层)层叠在上侧，与区域A1、A2重叠且不与区域A3重叠。电介质薄片18-3相对于电介质薄片18-4(第1绝缘体层)层叠在上侧，与区域A1重叠且不与区域A2、A3重叠。由此，电介质薄片18-2、18-3(第2绝缘体层)与区域A1、A2重叠且不与区域A3重叠。

电介质薄片18-6相对于电介质薄片18-4(第1绝缘体层)层叠在下侧，与区域A3重叠且不与区域A1、A2重叠。由此开口Op4与区域A2的外周侧的外缘一致。电介质薄片18-5相对于电介质薄片18-4(第1绝缘体层)层叠在下侧，与区域A3重叠且不与区域A1、A2重叠。由此开口Op3与区域A1的外缘一致。另外，电介质薄片18-5、18-6(第3绝缘体层)不与区域A1重叠且与区域A2、A3重叠。

若以上那样的电介质薄片18-1～18-7被层叠、压接，则如图14所示那样，线圈部22-3、22-4被电介质薄片18-2、18-3推到下侧，移动到下侧。进而，线圈部22-2被电介质薄片18-2推到下侧，并被电介质薄片18-5推到上侧。进而，线圈部22-1被电介质薄片18-6推到上侧，移动到上侧。其结果，如图14所示那样，线圈部22-1～22-4从上侧向下侧按照该顺序排列。另外，在本实施方式中，线圈部22-3和线圈部22-4在上下方向上存在于实质相同的位置。通过电介质薄片18-1～18-7具有以上那样的结构，线圈L形成螺旋状。

<多层基板的制造方法>

以下参考附图来说明多层基板10d的制造方法。以下以制作一个多层基板10d的情况为例进行说明，但实际上通过将大片的电介质薄片层叠以及切割来同时制作多个多层基板10d。

首先准备电介质薄片18-2、18-3、18-5、18-6。具体地，通过对大片的电介质薄片进行冲裁加工来得到具有图13所示的形状的电介质薄片18-2、18-3、18-5、18-6。

接下来，准备在一方的主面的整面形成铜箔的由热塑性树脂构成的电介质薄片18-4、18-7。具体地，在电介质薄片18-4的表面粘贴铜箔。在电介质薄片18-7的背面粘贴铜箔。进而在电介质薄片18-4、18-7的铜箔的表面实施例如用于防锈的镀锌，并进行平滑化。电介质薄片18-1～18-7是液晶聚合物。

接下来，通过对形成于电介质薄片18-4的表面上的铜箔进行图案形成，来如图13所示那样将线圈部22-1～22-4(线圈L)以及连接导体25形成在电介质薄片18-4的表面上。具体地，在电介质薄片18-4的表面的铜箔上印刷与图13所示的线圈部22-1～22-4以及连接导体25相同形状的抗蚀剂。然后对铜箔实施蚀刻处理，由此除去未被抗蚀剂覆盖的部分的铜箔。之后，喷上清洗液(抗蚀剂除去液)来除去抗蚀剂。由此，图13所示那样的线圈部22-1～22-4以及连接导体25通过光刻工序形成在电介质薄片18-4的表面上。

接下来如图13所示那样，将连接导体27、29形成在电介质薄片18-7的背面上。另外，由于连接导体27、29的形成工序与线圈部22-1～22-4以及连接导体25的形成工序相同，因此省略说明。

接下来，通过在电介质薄片18-4～18-7的形成过孔导体v21、v22的位置照射激光束来形成贯通孔。然后在贯通孔填充导电性膏。

接下来如图13所示那样，将电介质薄片18-1～18-7从上侧向下侧按照该顺序层叠，实施压接处理以及加热处理。在层叠时，将电介质薄片18-2、18-3、18-5、18-6如以下那样配置。将电介质薄片18-3层叠在电介质薄片18-4的上侧，使得电介质薄片18-3与区域A1重叠且不与区域A2、A3重叠。进而，将电介质薄片18-2层叠在电介质薄片18-3的上侧，使得电介质薄片18-2与区域A1、A2重叠且不与区域A3重叠。将电介质薄片18-5层叠在电介质薄片18-4的下侧，使得电介质薄片18-5与区域A2、A3重叠且不与区域A1重叠。将电介质薄片18-6层叠在电介质薄片18-5的下侧，使得电介质薄片18-6与区域A3重叠且不与区域A1、A2重叠。

之后，通过一边加热电介质薄片18-1～18-7一边从上下方向对电介质薄片18-1～18-7进行加压，电介质薄片18-1～18-7软化并且贯通孔内的导电性膏固化。进而，成平面状的线圈L变形而形成螺旋状。由此电介质薄片18-1～18-7接合，并且形成过孔导体v21、v22。通过以上的工序而多层基板10d完成。

<效果>

根据多层基板10d，能起到与多层基板10a相同的作用效果。

另外，在多层基板10d中，线圈L并非通过多个导体层用过孔导体连接而构成的，而是通过形成于同一电介质薄片18-4的1个导体层构成的。由此能减低线圈L的直流电阻值并能减低在线圈L发生断线的可能性。

另外，在多层基板10d中，电介质薄片18-1～18-7用相同材料的液晶聚合物制作。由此，在电介质薄片18-1～18-7的层叠、压接时，电介质薄片18-1～18-7更牢固地熔接。其结果，抑制了在多层基板10d发生层间剥离。

另外，在多层基板10d中，如以下说明的那样，抑制了在电介质坯体12的表面产生凹凸。更详细地，在如图14的放大图所示那样不存在电介质薄片18-1的情况下，电介质薄片18-2的表面和电介质薄片18-4的表面构成电介质坯体12的表面。在该情况下，电介质薄片18-4钻到电介质薄片18-2的下侧，在电介质薄片18-2与电介质薄片18-4的边界形成凹陷。

为此在多层基板10d中，电介质薄片18-1(第4绝缘体层)层叠在电介质薄片18-2～18-4的上侧，覆盖电介质薄片18-2、18-4的整面。由此，形成于电介质薄片18-2与电介质薄片18-4的边界的凹陷被电介质薄片18-1覆盖。其结果抑制了在电介质坯体12的表面产生凹凸。

另外，在多层基板10d中，电介质薄片18-7层叠在电介质薄片18-4～18-6的下侧，覆盖电介质薄片18-4～18-6的整面。由此，形成于电介质薄片18-4与电介质薄片18-5的边界的凹陷以及形成于电介质薄片18-5与电介质薄片18-6的边界的凹陷被电介质薄片18-7覆盖。其结果抑制了在电介质坯体12的背面产生凹凸。

另外，在多层基板10d中，区域A1与区域A2的边界位于线圈部22-2与线圈部22-3之间。由此电介质薄片18-3的外缘位于线圈部22-2与线圈部22-3之间。因此线圈部22-3被电介质薄片18-3覆盖，线圈部22-2未被电介质薄片18-3覆盖。其结果，在线圈部22-2与线圈部22-3之间存在电介质薄片18-3，它们更确实地分离。另外，关于线圈部22-3和线圈部22-4同样能这么说。

另外，在多层基板10d以及其制造方法中，也可以设置电介质薄片18-5、18-6，不设电介质薄片18-2、18-3。另外，也可以设置电介质薄片18-2、18-3，不设电介质薄片18-5、18-6。即，设置电介质薄片18-2、18-3或电介质薄片18-5、18-6的至少任意一方即可。

另外，在多层基板10d以及其制造方法中，也可以交换电介质薄片18-1～18-3的层叠顺序。同样地。也可以交换电介质薄片18-5～18-7的层叠顺序。

(第4变形例)

以下参考附图来说明第4变形例所涉及的多层基板的构成。图16是第4变形例所涉及的多层基板10e的截面结构图。

多层基板10e在电介质薄片18-2、18-3的材料上与多层基板10d相异。更详细地，在多层基板10d中，电介质薄片18-1～18-7全都用相同材料(液晶聚合物)制作。另一方面，在多层基板10e中，电介质薄片18-1、18-4～18-7用液晶聚合物制作，电介质薄片18-2、18-3用PTFE(氟系树脂)制作。由此电介质薄片18-2、18-3(第2绝缘体层)的相对介电常数低于电介质薄片18-1、18-4～18-7的相对介电常数。

根据多层基板10e，能起到与多层基板10d相同的作用效果。

另外，根据多层基板10e，由于存在于线圈L的内周侧的电介质薄片18-2、18-3的相对介电常数较低，因此减低了在线圈L产生的静电容。

(第5变形例)

以下参考附图来说明第5变形例所涉及的多层基板的构成。图17是第5变形例所涉及的多层基板10f的截面结构图。

多层基板10f在取代电介质薄片18-2、18-3而设置磁性体薄片18′-2、18′-3这点上与多层基板10e相异。磁性体薄片18′-2、18′-3例如是以分散了铁氧体粒子的液晶聚合物为材料的薄片。由此，磁性体薄片18′-2、18′-3(第2绝缘体层)的相对导磁率高于电介质薄片18-1、18-4～18-7的相对导磁率。

根据多层基板10f，能起到与多层基板10d相同的作用效果。

另外，根据多层基板10f，由于存在于线圈L的内周侧的磁性体薄片18′-2、18′-3的相对导磁率较高，因此线圈L的电感值变大。

另外，也可以取代磁性体薄片18′-2、18′-3而设置由铁氧体等构成的磁性体的铁芯。铁芯没有挠性。

(第6变形例)

以下参考附图来说明第6变形例所涉及的多层基板的构成。图18是第6变形例所涉及的多层基板10g的截面结构图。

多层基板10g在线圈部22-4的位置上与多层基板10a相异。更详细地，在多层基板10a中，线圈部22-4设于电介质薄片18-4的背面。另一方面，在多层基板10g中，线圈部22-4设于电介质薄片18-4的表面。由此间隔d1～d3相等。

根据多层基板10g，能起到与多层基板10a相同的作用效果。

(其他实施方式)

本实用新型所涉及的多层基板以及其制造方法并不限于所述多层基板10a～10g以及其制造方法，能在其主旨的范围内变更。

另外，可以任意组合多层基板10a～10g的各构成。

另外，间隙Sp-2、Sp-3的宽度w2、w3可以彼此相等。同样地，线圈部22-2～22-4的线宽W2～W4可以彼此相等。

另外，在多层基板10a～10g中，间隙Sp-1～Sp-3的宽度w1～w3彼此相等。在该情况下，线圈部22-1的线宽W1细于线圈部22-2～22-4的线宽W2～W4，或者线圈部22-1与线圈部22-2的上下方向的间隔d1大于线圈部22-2与线圈部22-3的上下方向的间隔d2以及线圈部22-3与线圈部22-4的上下方向的间隔d3即可。

另外，多层基板10a～10g通过热压接将电介质薄片或磁性体薄片一体化，但也可以通过粘结剂贴合电介质薄片或磁性体薄片。但优选通过热压接将电介质薄片或磁性体薄片一体化。这是因为，若使用粘结剂，在电介质薄片或磁性体薄片之间就会存在与这些薄片不同材料的粘结剂。其结果，粘结剂可能会给线圈L的特性带来不良影响。

另外，线圈部22-1可以是不足1周的长度。其中线圈部22-1要满足的条件如以下那样。

(1)是旋转线圈L的最外周的部分

(2)线圈部22-1的全长长于线圈部22-2的全长

对线圈L包含线圈部22-1～22-n+1的情况下的线圈部22-1～22-n+1的边界进行说明。线圈部22-1是旋转线圈L的最外周侧的部分。线圈部22-m(m是2以上n以下的整数)具有1周份的长度。线圈部22-n+1是旋转线圈L的最内周侧的部分，具有1周以下的长度。

另外，虽然线圈L的外缘成四角形状，但也可以是圆形。

另外，在多层基板10a～10c、10g中，可以不安装连接器100a、100b。在该情况下，多层基板10a～10c、10g的端部和电路基板通过焊料等连接。另外，也可以仅在多层基板10a～10c、10g的一方的端部安装连接器100a或连接器100b。

另外，虽然连接器100a、100b安装在多层基板10a～10c、10g的背面，但也可以安装在多层基板10a～10c、10g的表面。另外，也可以让连接器100a安装在多层基板10a～10c、10g的表面，连接器100b安装在多层基板10a～10c、10g的背面。

另外，也可以在多层基板10a～10g中设置线圈L以外的电路元件(例如电容器等)。另外，既可以形成信号线路20被2个接地导体从上下夹着的带状线结构，也可以形成信号线路20与1个接地导体对置的微带状线结构。

另外，多层基板10a～10g也可以用作天线前端模块等RF电路基板中的多层基板。

另外，信号线路20也可以不是传输高频信号的信号线路，而是例如电力的提供中所用的电源线、保持在接地电位的接地线等。

产业上的利用可能性

如以上那样，本实用新型在多层基板中有用，特别在能减低在线圈产生的静电容这点上出色。

标号的说明

10a～10g 多层基板

1 2电介质坯体

18′-2、18′-3 磁性体薄片

18-1～18-7 电介质薄片

20 信号线路

22-1～22-4 线圈部

24～27、29 连接导体

L 线圈