技术总结
本实用新型公开的一种SiC MOSFET驱动电路系统，包括供电电源模块PM1，供电电源模块PM1依次连接有自举供电电路、上桥臂高速隔离驱动芯片U1、上桥臂SiC MOSFET驱动电路及上桥臂SiC MOSFET开关管S1，供电电源模块PM1还依次连接有下桥臂高速隔离驱动芯片U2、下桥臂SiC MOSFET驱动电路及下桥臂SiC MOSFET开关管S2，S1和S2的中点桥臂连接负载，S1漏极连接半桥母线DC_BUS+，S2源极连接半桥母线DC_BUS‑；还包括有逻辑门电平转化电路UT1，UT1分别与U1和U2连接。
技术研发人员：王建渊;林文博
受保护的技术使用者：西安理工大学
技术研发日：2018.07.19
技术公布日：2019.06.18