一种射频功率放大器的制作方法

本实用新型涉及射频电路技术领域，具体涉及一种射频功率放大器。

背景技术：

射频功率放大器RF PA是各种无线发射机的重要组成部分。射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率。要保证射频功率放大器的稳定性能，其散热性能相当重要。为了实现射频功率放大器的良好散热性能，采用如申请号为201721263536.8的“一种射频功率放大器”结构，其在功率放大器模块下方设置散热风扇，但是，采用散热风扇其存在一下问题，散热风扇需要驱动结构，将增加整个射频功率放大器的功耗；且采用风冷结构，其增大射频功率放大器的体积。

技术实现要素：

本实用新型为了解决上述技术问题提供一种射频功率放大器。

本实用新型通过下述技术方案实现：

一种射频功率放大器，包括壳体、均设置在壳体内的功率放大器模块和散热结构，所述壳体包括上壳体和下壳体，所述散热结构包括设置在上壳体上的第一水冷室、设置在第一水冷室下方的第一真空腔设置在第一真空腔周边的第二真空腔，所述第一水冷室的底部设置有第一凹圈，所述第二真空腔的顶部置于第一凹圈内；所述下壳体上设置有用于固定功率放大器模块的第二凹槽和置于第二凹槽外的第三凹槽，所述散热结构还包括设置在下壳体的第二水冷室，所述第二水冷室均位于第二凹槽和第三凹槽的下方，所述第二真空腔的下端卡设在第三凹槽内，所述第二真空腔、第一真空腔内均填充有相变材料。本方案采用水冷和相变散热两种方式对功率放大器模块进行散热，整个结构不需要驱动，节约功耗；且不需要设置风扇的排热空间，可减小整个射频功率放大器的体积。第一真空腔、第二真空腔、第二水冷室对射频功率放大器进行包围，实现全方位快速散热，散热效果好。

作为优选，所述功率放大器模块与第一真空腔之间设置有第一弹簧。第一弹簧的设置即可减缓功率放大器模块与第一真空腔之间的碰撞，提高设备结构的稳定性，且两者之间设置弹簧，还可加速热量的传递，提高散热效果。

进一步的，所述功率放大器模块的底部和第一真空腔顶部对应位置均设置有用于卡设第一弹簧的卡槽。采用卡槽结构实现第一弹簧的固定，即可避免弹簧移动；采用卡槽结构，结构接单，不需要连接设置，便于设备的拆装设置。

作为优选，所述第二凹槽与功率放大器模块之间设置有第二弹簧。第二凹槽卡固功率放大器模块，受振动时，功率放大器模块极易上下颠簸，利用第二弹簧减小颠簸过程中的撞击力，提高设备结构的稳定性。

进一步的，所述第二凹槽的顶部和功率放大器模块的底部对应位置均设置有用于卡设第二弹簧的卡槽。采用卡槽结构实现第二弹簧的固定，即可避免弹簧移动；采用卡槽结构，结构接单，不需要连接设置，便于设备的拆装设置。

本实用新型与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本实用新型采用水冷和相变散热两种方式对功率放大器模块进行散热，整个结构不需要驱动，节约功耗；且不需要设置风扇的排热空间，可减小整个射频功率放大器的体积。

2、本实用新型的第一真空腔、第二真空腔、第二水冷室对射频功率放大器进行包围，实现全方位快速散热，散热效果好。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明，本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型，并不作为对本实用新型的限定。

实施例1

如图1所示的一种射频功率放大器，包括壳体1、均设置在壳体内的功率放大器模块2和散热结构，所述壳体1包括上壳体和下壳体，所述散热结构包括设置在上壳体上的第一水冷室11、设置在第一水冷室11下方的第一真空腔12设置在第一真空腔12周边的第二真空腔13，所述第一水冷室11的底部设置有第一凹圈，所述第二真空腔13的顶部置于第一凹圈内；所述下壳体上设置有用于固定功率放大器模块2的第二凹槽和置于第二凹槽外的第三凹槽，所述散热结构还包括设置在下壳体的第二水冷室21，所述第二水冷室21均位于第二凹槽和第三凹槽的下方，所述第二真空腔13的下端卡设在第三凹槽内，所述第二真空腔13、第一真空腔12内均填充有相变材料。射频功率放大器的壳体采用上下壳体结构，便于拆装；且采用第二凹槽、第三凹槽对功率放大器模块2、第二真空腔13进行固定，封闭处构成阶梯状，可增强结构的稳定性。第二凹槽、第三凹槽成同圆心设置。

实施例2

本实施例在上述实施例的基础上做了优化，即功率放大器模块2与第一真空腔12之间设置有第一弹簧31。且在功率放大器模块2的底部和第一真空腔12顶部对应位置均设置卡槽，第一弹簧31的两端分别卡设在卡槽内。

第二凹槽与功率放大器模块2之间设置有第二弹簧32。所述第二凹槽的顶部和功率放大器模块2的底部对应位置均设置有用于卡设第二弹簧32的卡槽。

可在第一真空腔12的底部设置凸起，且在顶部设置相变材料引流结构，相变材料引流结构可设置为棱锥结构，譬如，三棱锥和四棱锥。

需要说明的是，本方案中提及的方位词，譬如上、下、顶部、底部等均指正常使用使的状态。

以上所述的具体实施方式，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施方式而已，并不用于限定本实用新型的保护范围，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。