1.一种声学滤波器，包括：
一压电层；
一声学谐振器结构，其整体设置在所述压电层上，所述声学谐振器结构包括平面交叉指状谐振器指的布置；和
一集总电容结构，其整体设置在所述压电层上并且电耦合所述声学谐振器结构，所述集总电容结构包括平面交叉指状电容指的布置，所述交叉指状电容指的至少一个中的每个具有一边缘，所述边缘完全是连续的。
2.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所有所述交叉指状电容指中的每个具有一边缘，所述边缘完全是连续的。
3.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述至少一个交叉指状电容指中的每个的完全连续的边缘具有一个或多个波动。
4.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述至少一个交叉指状电容指中的每个的完全连续的边缘多个波动。
5.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述至少一个交叉指状电容指中的每个包括多个交叉指状电容子指。
6.根据权利要求5所述的声学谐振器，其特征在于，所述多个交叉指状电容子指的方向与所述至少一个交叉指状电容指的方向正交。
7.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述至少一个交叉指状电容指中的每个的长/宽比小于2。
8.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述至少一个交叉指状电容指中的每个的长/宽比小于1。
9.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，沿所述至少一个交叉指状电容指中的每个的长度的连续边缘的有限部分不与沿所述交叉指状谐振器指的长度的边缘的任何有限部分平行。
10.根据权利要求9所述的声学谐振器，其特征在于，所述交叉指状电容指和交叉指状谐振器指的方向彼此平行。
11.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述交叉指状电容指和交叉指状谐振器指的方向彼此平行。
12.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述交叉指状电容指和交叉指状谐振器指的方向彼此倾斜。
13.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述交叉指状电容指和交叉指状谐振器指的方向彼此正交。
14.根据权利要求1所述的声学谐振器，还包括：
一金属化信号平面，其整体设置在所述压电层上；和
一金属化接地平面，其整体设置在所述压电层上，
其中所述声学谐振器结构和所述电容谐振器结构中的每一个电耦合在所述信号平面和所述接地平面之间。
15.根据权利要求14所述的声学谐振器，其特征在于，所述集总电容结构至少部分嵌套在所述信号平面和所述接地平面中的至少一个内。
16.根据权利要求14所述的声学谐振器，其特征在于，所述集总电容结构完全嵌套在所述信号平面和所述接地平面中的至少一个内。
17.根据权利要求1所述的声学谐振器，还包括：
一金属化输入信号平面部分，其整体布置在所述压电层上；和
一金属化输出信号平面部分，其整体设置在所述压电层上，其中所述声学谐振器结构和所述电容谐振器结构中的每一个电耦合在所述输入信号平面部分和所述输出信号平面部分之间。
18.根据权利要求17所述的声学谐振器，其特征在于，所述集总电容结构至少部分嵌套在所述输入信号平面部分和所述输出信号平面部分中的至少一个内。
19.根据权利要求17所述的声学谐振器，其特征在于，所述集总电容结构完全嵌套在所述输入信号平面部分和所述输出信号平面部分中的至少一个内。
20.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述压电层是压电基片。
21.根据权利要求1所述的声学谐振器，还包括一非压电基片，其中所述压电层是整体设置在所述压电基片上。
22.根据权利要求21所述的声学谐振器，其特征在于，所述压电层是一薄膜压电体。
23.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述集总电容结构并联电耦合至所述声学谐振器结构。