显示装置及其制造方法与流程

本发明是关于显示装置及其制造方法。

背景技术：

近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机el(electroluminescence)元件的自发光型的有机el显示装置受到瞩目。

在有机el显示装置中，在进行图像显示的显示区域的周围设置有边框区域，在该边框区域上设置端子部，端子部向从显示区域引出的源极配线、栅极配线、电源配线等多个显示用配线分别输入信号。各个显示用配线的引出端部位于端子部上，且端子部上排列有通过这些引出端部而构成的多个端子。该端子部上安装有用于与外部电路连接的配线基板等的安装部件。

在显示用配线中，从防止在与该显示用配线接触的层之间发生特性变化并谋求低电阻化的观点出发，优选采用层叠结构，所述层叠结构是以如下方式而层叠的结构：用由耐腐蚀性及稳定性优秀的金属材料构成的第一导电层及第三导电层夹持由电阻相对低的金属材料构成的第二导电层。例如，第一导电层和第三导电层是钛层，而第二导电层是铝层。

另外，显示用配线不仅限于显示区域，在边框区域中也被有机平坦化膜所覆盖。显示用配线的端子和配线基板的导通是通过在该有机平坦化膜上形成的开口来进行的。为了防止构成显示用配线的铝层的腐蚀等，有机平坦化膜在端子部中也覆盖各端子的周边部分，以保护端子的周端面(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2012-119330号公报

技术实现要素：

本发明所要解决的课题

在有机el显示装置中，如上所述，由于显示用配线的端子的周边部分被有机平坦化膜覆盖，因此安装配线基板时，相对厚的有机平坦化膜成为障碍，难以进行显示用配线的端子与配线基板的导通，存在安装工序困难的问题。

本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于，在具有层叠了第一导电层、第二导电层和第三导电层的结构的配线中，使得在保护第二导电层的同时，可以容易地进行安装部件和该配线之间的导通的安装工序。

用于解决课题的技术方案

本公开的技术涉及的显示装置具备基底基板、设置在所述基底基板上的配线、以覆盖所述配线的方式而设置的平坦化膜、设置在所述平坦化膜上的发光元件；所述配线具有从所述基底基板侧依次层叠第一导电层、第二导电层和第三导电层后的层叠结构，其特征在于，所述配线通过所述第二导电层以比所述第一导电层和所述第三导电层以更窄的宽度而形成，从而具有周端面中的与所述第二导电层对应的部分向所述配线的内部凹陷的凹部，并且包含周端面从所述平坦化膜露出；所述配线中从所述平坦化膜露出的部分中的所述凹部设有覆盖所述第二导电层的周端面的树脂覆盖件；所述树脂覆盖件的厚度小于所述配线的厚度。在此，“树脂覆盖件的厚度”和“配线的厚度”的意思是指构成所述配线的第一导电层、第二导电层和第三导电层的层叠方向上的厚度。

另外，本公开的技术涉及的显示装置的制造方法包括配线形成工序，其在基底基板上形成配线，所述配线具有第一导电层、第二导电层和第三导电层依次层叠后的层叠结构，并且设置有凹部，所述凹部通过周端面中与所述第二导电层对应的部分朝所述配线的内部凹陷；树脂覆盖件形成工序，其在所述配线中形成覆盖所述第二导电层的周端面的树脂覆盖件；所述树脂覆盖件形成工序包括：成膜工序，其通过蒸镀法成膜覆盖所述配线的树脂膜；灰化工序，其通过对用所述成膜工序成膜后的树脂膜进行灰化，将所述树脂覆盖件形成为与所述配线相比厚度变小。

有益效果

根据本公开的技术涉及的显示装置，将配线设为层叠结构，层叠结构依次层叠第一导电层、第二导电层和第三导电层，与第二导电层对应的部分具有向该配线的内部凹陷的凹部，因为在该凹部上相比配线更薄地设置了覆盖第二导电层的周端面的树脂覆盖件，所以在配线中利用树脂覆盖件保护第二导电层的同时，能够容易地进行安装部件和该配线的导通的安装工序。

另外，根据本公开的技术涉及的显示装置的制造方法，通过在成膜覆盖配线的有机树脂膜之后，对该有机树脂膜进行灰化，从而在设置于配线的周端面的凹部内将覆盖第二导电层的端面的树脂覆盖件形成为相比配线厚度变小，因此能够实现这样的结构：在配线中利用树脂覆盖件保护第二导电层的同时，容易地进行安装部件和该配线取得导通的安装工序。并且，能够防止在有机树脂膜上在该凹部内产生间隙，提高保护树脂覆盖件中的第二导电层的作用的可靠性。

附图说明

图1是表示本发明第一实施方式涉及的有机el显示装置的概略结构的平面图。

图2是图1的有机el显示装置的显示区域中的用ii包围的部分的平面图。

图3是构成第一实施方式涉及的有机el显示装置的tft层的一部分的等效电路图。

图4是图2的有机el显示装置的显示区域中的iv-iv线的剖面图。

图5是表示构成第一实施方式涉及的有机el显示装置的有机el层的构成的剖面图。

图6是包含图1的有机el显示装置的vi-vi线中的端子部的边框区域的剖面图。

图7是表示图1的有机el显示装置的vii-vii线中的端子部的主要部分的剖面图。

图8是表示第一实施方式涉及的有机el显示装置的制造方法的流程图。

图9是表示通过第一实施方式涉及的有机el显示装置的制造方法中的树脂覆盖件形成工序而形成有有机树脂膜的主要部分的样子的剖面图。

图10是表示通过第一实施方式涉及的有机el显示装置的制造方法中的树脂覆盖件形成工序进行灰化时的主要部分的样子的剖面图。

图11是第二实施方式涉及的有机el显示装置的与图7对应的图。

图12是第三实施方式涉及的有机el显示装置的与图6对应的图。

图13是第四实施方式涉及的有机el显示装置的与图1对应的图。

图14是图13的有机el显示装置的xiv-xiv线中的包含端子部的边框区域的剖面图。

图15是表示图14的有机el显示装置的xv-xv线中的弯折部的主要部分的剖面图。

图16是第五实施方式涉及的有机el显示装置的与图6对应的图。

图17是表示图16的有机el显示装置的xvii-xvii线中的主要部分的剖面图。

具体实施方式

以下，基于附图详细说明示例性的实施方式。

《第一实施方式》

在该第一实施方式中，说明有机el显示装置及其制造方法，将其作为本公开的技术涉及的显示装置及其制造方法的一例。

<有机el显示装置的构成>

关于第一实施方式涉及的有机el显示装置1，参照图1～图7的同时进行说明。图1是表示有机el显示装置1的概略结构的平面图。图2是图1的有机el显示装置1的显示区域2中的用ii包围的部分的平面图。图3是构成第一实施方式涉及的有机el显示装置的tft层8的一部分的等效电路图。图4是图2的有机el显示装置1的显示区域2中的iv-iv线的剖面图。图5是表示构成第一实施方式涉及的有机el显示装置1的有机el层的构成的剖面图。图6是包含图1的有机el显示装置1的vi-vi线中的端子部4的边框区域3的剖面图。图7是表示图1的有机el显示装置1的vii-vii线中的端子部4的主要部分的剖面图。

如图1所示，有机el显示装置1包括设置为矩形的进行图像显示的显示区域2和设置在显示区域2的周围的矩形框状的边框区域3。并且，在构成边框区域3的一个边的部分中，设置有用于与外部电路连接的端子部4。尽管未示出，但是fpc(flexibleprintedcircuit)的一端连接到该端子部4。fpc是安装在有机el显示装置1的安装部件的一例。

进一步地，在边框区域3中，在构成与设置了端子部4的边相邻的边(图1中左右两侧的两边)的部分中，栅极驱动器电路gdm被单片化地设置在基板(后述的树脂基板层7)上。另外，在边框区域3中的显示区域2与端子部4之间设置有多个边框配线15f。各个边框配线15f在端子部4处构成与fpc连接的配线端子15t。在端子部4中，这些多个配线端子15t以规定的图案被排列。

有机el显示装置1采用有源矩阵驱动方式。在显示区域2中，多个图2所示的像素5被配置成矩阵状。例如，各像素5构成为包括由进行红色的灰度显示的子像素6r、进行绿色的灰度显示的子像素6g以及进行蓝色的灰度显示的子像素6b构成的3色的子像素6。该三种颜色的子像素6r、6g、6b例如以并排布置的方式排列并以条状彼此相邻。

如图4所示，有机el显示装置1具备作为基底基板的树脂基板层7、设置在树脂基板层7上的tft(thinfilmtransistor)层8、设置在tft层8上的作为发光元件的多个有机el元件9、以及覆盖这些多个有机el元件9的密封膜10。

树脂基板层7是树脂制的基板的一例，例如由聚酰亚胺树脂等形成，具有可弯曲性。

tft层8具备设置在树脂基板层7上的底涂膜11、设置在底涂膜11上的多个第一tft12、多个第二tft13和多个电容器14以及各种显示用配线15、和以覆盖这些多个第一tft12、多个第二tft13、多个电容器14以及显示用配线15的方式而设置的平坦化膜16。

底涂膜11例如由由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等构成的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。第一tft12、第二tft13以及电容器14被设置在各子像素6中。

如图2和图3所示，作为显示用配线15，其上设置有传输栅极信号的多条多条栅极配线15g、传输源极信号的多条源极配线15s、和用于向有机el元件9供给电流的多条电源配线15p。多条栅极配线15g相互平行地延伸。多条源极配线15s在与栅极配线15g交叉的方向上相互平行地延伸。多条高压电源配线15p沿着源极配线15s相互平行地延伸。这些栅极配线15g、源极配线15s以及高压电源配线15p相互绝缘，整体形成为格子状，以划分各子像素6。

各源极配线15s及各电源配线15p作为边框配线15f，从显示区域2被引出到端子部4。各栅极配线15g与栅极驱动器电路gdm连接。栅极驱动器电路gdm与边框配线15f连接，通过经由该边框配线15f接收驱动信号，从而依次驱动栅极配线15g。

第一tft12和第二tft13是有源元件的一例，例如采用顶栅型的结构。具体地，如图4所示，第一tft12和第二tft13具备在底涂膜11上以岛状设置的半导体层17、覆盖半导体层17的栅极绝缘膜18、隔着栅极绝缘膜18与半导体层17的一部分(沟道区域)重叠的栅极电极19、覆盖栅极电极19的层间绝缘膜20、和设置在层间绝缘膜20上的源极电极21及漏极电极22。

栅极电极19与栅极配线15g在同一层上通过同一材料形成为一体。即，栅极配线15g设置在栅极绝缘膜18上。层间绝缘膜20在树脂基板层7上设置在平坦化膜16的下层，且通过第一层间绝缘膜23和第二层间绝缘膜24的层叠膜而构成。这些第一层间绝缘膜23、第二层间绝缘膜24和栅极绝缘膜18例如通过氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜而分别构成。

源极电极21和漏极电极22相互隔开，经由形成在栅极绝缘膜18和层间绝缘膜20上的接触孔25分别连接到半导体层17的不同部分(源极区域、漏极区域)。在显示区域2中，这些源极电极21和漏极电极22与源极配线15s在同一层通过同一材料形成为一体。此外，在显示区域2中，电源配线15p也与源极配线15s在同一层通过同一材料形成为一体。

即，源极配线15s和电源配线15p在显示区域2中位于层间绝缘膜20的上层，并且被平坦化膜16覆盖。显示区域2中的源极配线15s、电源配线15p、源极电极21以及漏极电极22虽然未图示，但是具有与构成边框配线15f的后述的配线上层部15b相同的层叠结构(ti层/al层/ti层)。

第一tft12的栅极电极19连接到划分对应子像素6的栅极配线15g。第一tft12的源极电极21连接到划分对应子像素6的源极配线15s。第一tft12的漏极电极22与第二tft13的栅极电极19连接。第二tft13的源极电极21连接到划分对应子像素6的电源配线15p。

电容器14连接到划分对应子像素6的第一tft12及划分对应子像素6的电源配线15p。该电容器14具备设置在栅极绝缘膜18上的下部导电层26、覆盖下部导电层26的第一层间绝缘膜23、和隔着第一层间绝缘膜23重叠在下部导电层26上的上部导电层27。下部导电层26与栅极电极19在同一层通过相同材料而形成。上部导电层27经由形成在第二层间绝缘膜24上的接触孔28与电源配线15p连接。

平坦化膜16在显示区域2中，通过覆盖第二tft13的漏极电极22的一部分以外的部分，以不显露源极配线15s、电源配线15p、第一tft12和第二tft12的表面形状的方式对tft层8的表面进行平坦化。该平坦化膜16例如由丙烯树脂等的无色透明的有机树脂材料形成。

在平坦化膜16上，在各子像素6上设置有有机el元件9。该有机el元件9采用顶发射型的结构。具体地，有机el元件9具备设置在平坦化膜16的表面的第一电极29、设置在第一电极29上的作为功能层的有机el层30、隔着有机el层30与第一电极29重叠的第二电极31。

第一电极29设置在每个有机el元件9上且配置成矩阵状，并且经由形成在平坦化膜16上的接触孔32连接到对应的子像素6中的第二tft13的漏极电极22。该第一电极29具有向有机el层30注入空穴(hole)的功能，为了提高针对有机el层30的空穴注入效率，优选由功函数大的材料而形成。

作为第一电极29的材料，例如可以列举银(ag)、铝(al)、钒(v)、钴(co)、镍(ni)、钨(w)、金(au)、钙(ca)、钛(ti)、钇(y)、钠(na)、钌(ru)、锰(mn)、铟(in)、镁(mg)、锂(li)、镱(yb)、氟化锂(lif)等的金属材料。

另外，第一电极29的材料例如可以是镁(mg)和铜(cu)、镁(mg)和银(ag)、钠(na)和钾(k)、砹(at)和氧化砹(ato2)、锂(li)和铝(al)、锂(li)和钙(ca)和铝(al)、氟化锂(lif)和钙(ca)和铝(al)等的合金。

另外，第一电极29的材料可以是导电氧化物等，例如氧化锡(sno)、氧化锌(zno)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)等。另外，第一电极29也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成也没有关系。另外，作为功函数大的材料，例如可以列举铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)。

相邻的子像素6的第一电极29之间通过边缘罩33来划分。边缘罩33形成为格子状，覆盖各第一电极29的周缘部。作为边缘罩33的材料，例如可以列举氧化硅、氮化硅、环氧树脂等的无机化合物、以及聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛树脂等的有机树脂材料。

有机el层30设置在每一有机el元件9上。该有机el层30具有由如图5所示的空穴注入层34、空穴传输层35、发光层36、电子传输层37以及电子注入层38在第一电极29上按该顺序层叠后的结构。

空穴注入层34也被称为阳极缓冲层，具有使第一电极29和有机el层30的能量水平接近，并改善从第一电极29向有机el层30注入空穴的效率的功能。作为空穴注入层34的材料，例如，可以列举三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物等。

空穴传输层35具有提高从第一电极29向有机el层30的空穴的传输效率的功能。作为空穴传输层35的材料，例如，可以列举卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基、聚硅烷、三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代的烯烃衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、非晶态氢氧化硅、非晶态碳化硅氢氧化物、硫化锌、硒化锌等。

当通过第一电极29和第二电极31施加电压时，发光层36具有使从第一电极29注入的空穴和从第二电极31注入的电子重组而发光的功能。在各个子像素6中，发光层36根据有机el元件9的发光颜色(例如红色、绿色或蓝色)，由不同的材料形成。

作为发光层36的材料，例如，可以列举金属类化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、紫苏酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、非诺沙酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。

电子传输层37具有将电子有效地移动到发光层36的功能。作为电子传输层37的材料，例如，作为有机化合物，可以列举恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、硅杂环戊二烯衍生物、金属含氧化合物等。

电子注入层38也称为阴极缓冲层，具有使第二电极31和有机el层30的能量水平接近，提高从第二电极31向有机el层30的电子注入效率的功能。作为电子注入层38的材料，例如，可以列举诸如氟化锂(lif)、氟化镁(mgf2)、氟化钙(caf2)、氟化锶(srf2)、氟化钡(baf2)的无机碱性化合物、氧化铝(al2o3)、氧化锶(sro)等。

第二电极31相对于多个有机el元件9共用地(也就是说，与多个子像素6通用)设置，并且覆盖有机el层30。该第二电极31虽然未图示，但与边框配线15f连接，通过该边框配线15f，在设置于端子部4的配线端子15t处进行与外部电路的导通。第二电极31具有向有机el层30注入电子的功能，为了提高向有机el层30注入电子的效率，优选由功函数小的材料形成。

作为第二电极31的材料，例如，可以列举银(ag)、铝(al)、钒(v)、钴(co)、镍(ni)、钨(w)、金(au)、钙(ca)、钛(ti)、钇(y)、钠(na)、钌(ru)、锰(mn)、铟(in)、镁(mg)、锂(li)、镱(yb)、氟化锂(lif)等。

另外，例如，第二电极31的材料可以是镁(mg)和铜(cu)的合金、镁(mg)和银(ag)的合金、钠(na)和钾(k)的合金、砹(at)和氧化砹(ato2)的合金、锂(li)和铝(al)的合金、锂(li)和钙(ca)和铝(al)的合金、氟化锂(lif)和钙(ca)和铝(al)的合金等。

另外，例如，第二电极31的材料也可以是氧化锡(sno)、氧化锌(zno)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)等的导电性氧化物。另外，第二电极31也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。另外，作为功函数小的材料，例如，可以列举镁(mg)、锂(li)、氟化锂(lif)、镁(mg)和铜(cu)的合金、镁(mg)和银(ag)的合金、钠(na)和铜(cu)的合金、镁(mg)和银(ag)的合金、ナトウ系列(na)和钾(k)的合金，锂(li)和铝(al)的合金，锂(li)和钙(ca)和铝(al)的合金，氟化锂(lif)和钙(ca)和铝(al)的合金等。

密封膜10具有保护有机el元件9不受水分和氧气等侵害等的功能。如图4和图6所示，该密封膜10具备覆盖第二电极31的第一无机层39、设置在第一无机层39上的有机层40、覆盖有机层42的第二无机层41。

第一无机层39和第二无机层41例如由诸如氧化硅(sio2)、氧化铝(al2o3)、碳氮化硅(si3n4)等的无机材料形成。有机层40例如由丙烯酸、环氧树脂、硅树脂、聚尿素、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺等有机树脂材料形成。

这些第一无机层39、有机层40以及第二无机层41设置在整个显示区域2上，并且还设置在边框区域3中。第一无机层39、有机层40以及第二无机层41的每个边缘均定位在边框区域3。如图6所示，有机层40的周向端部边缘在边框区域3中，被定位于相比第一无机层39和第二无机层41的周向端部边缘更靠近显示区域2侧。

另外，边框区域3中多个坝墙42被设置为包围显示区域2的框状，以在有机el显示装置1的制造过程中，筑坝阻止成为有机层40的有机树脂材料的扩散。

这些各坝墙42具有第一壁层43和第二壁层44层叠后的结构，或者仅由第二壁层44构成。第一壁层43与平坦化膜16在同一层由同一材料形成。第二壁层44与边缘罩33在同一层由同一材料形成。在图6所示的例子中，最外周的坝墙42具有第一壁层43和第二壁层44层叠后的结构。在该坝墙42和平坦化膜16之间，也就是说，在平坦化膜16的外周，形成有狭缝16s，该狭缝16s使层间绝缘膜20从由与平坦化膜16相同的膜形成的层露出。

第一无机层39和第二无机层41覆盖所有的坝墙42。这些第一无机层39以及第二无机层41的外围边缘之间在覆盖至少最外周的坝墙42的部分及其外侧相互接合。即，有机层40被第一无机层39和第二无机层41包围，并且封装在第一无机层39和第二无机层41之间。

另外，在边框区域3中，与显示区域2中的源极配线15s电连接的多个边框配线15f、也就是说构成各源极配线15s的边框配线15f，从显示区域2经由平坦化膜16和坝墙42的下层被引到端子部4。这些各边框配线15f在与狭缝16s交叉的方向上延伸，横穿该狭缝16s而形成。

如图6所示，该些各边框配线15f具备设置在层间绝缘膜20的下层的配线下层部15a和设置在层间绝缘膜20的上层的配线上层部15b。

配线下层部15a在栅极绝缘膜18上与栅极电极19位于同一层由同一材料形成，构成边框配线15f中从显示区域2向端子部4延伸的部分整体。即，配线下层部15a在边框区域3中的显示区域2和端子部4之间，穿过栅极绝缘膜18和层间绝缘膜20之间被引出。因此，边框配线15f的大部分通过层间绝缘膜20隔离水分和氧气等而被保护。

另一方面，配线上层部15b与源极电极21和漏极电极22在同一层由同一材料形成，位于端子部4。配线上层部15b经由形成在层间绝缘膜20的接触孔46连接到配线下层部15a中位于端子部4的引出端部。并且，配线上层部15b横跨包括周端面在内的其整体，从平坦化膜16露出，在端子部4中构成配线端子15t。

如图7所示，该配线端子15t(配线上层部15b)具有层叠结构，该层叠结构通过第一导电层47、第二导电层48以及第三导电层49从树脂基板层7侧开始依次层叠在层间绝缘膜20上而形成。第一导电层47和第三导电层49分别由钛(ti)形成。第二导电层48由铝(al)形成。在这样的三层结构的配线端子15t中，第二导电层48以比第一导电层47和第三导电层49窄的宽度较细地形成。由此，配线端子15t具有凹部50，该凹部50在周端面中与第二导电层48对应的部分向配线端子15t的内部凹陷。

并且，在配线端子15t的凹部50中，设置有覆盖第二导电层48的周端面的树脂覆盖件51。树脂覆盖件51对应相邻的每个配线端子15t而分离。该树脂覆盖件51的厚度t1小于配线端子15t(源极配线15s)的厚度t2，树脂覆盖件51的最表面位于配线端子15t的侧面。具体地，在该第一实施方式中，树脂覆盖件51仅形成在凹部50内，具有将面对配线端子15t的侧面的面朝凹部50内弯曲的形状。

这样的树脂覆盖件51例如由丙烯酸、聚尿素、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺等的有机树脂材料形成。第二导电层48通过这样的树脂覆盖件51被保护。并且，配线端子15t不被平坦化膜16等的其他层所覆盖，而被开放地设置。安装于端子部4的fpc，在作为配线端子15t的配线上层部15b处，对显示用配线15进行导通。

在上述构成的有机el显示装置1中，在各子像素6中，通过经由栅极配线15g向第一tft12输入栅极信号，从而使第一tft12处于导通状态，通过经由源极配线15s向第二tft13的栅极电极19和电容器14写入与源极信号对应的规定电压，并且与第二tft13的栅极电压对应的电流从电源配线15p提供给有机el元件9，从而有机el层30的发光层36发光，进行图像显示。另外，在有机el显示装置1中，即使第一tft12处于断开状态，第二tft13的栅极电压也由电容器14保持，所以对于每个子像素6维持有机el层30(发光层36)的发光，直到输入下一帧的栅极信号为止。

<有机el显示装置的制造方法>

关于有机el显示装置1的制造方法，在参照图8至图10的同时进行说明。图8是表示有机el显示装置1的制造方法的流程图。图9是表示通过有机el显示装置1的制造方法中的树脂覆盖件形成工序s17而形成的有机树脂膜100的主要部分的样子的剖面图。图10是表示通过有机el显示装置1的制造方法中的树脂覆盖件形成工序s17进行灰化时的主要部分的样子的剖面图。

如图8所示，有机el显示装置1的制造方法包括tft层形成工序s01、有机el元件形成工序s02、密封膜形成工序s03和安装工序s04。

tft层形成工序s01包括底涂膜形成工序s11、半导体层形成工序s12、栅极绝缘膜形成工序s13、栅极电极形成工序s14、层间绝缘膜形成工序s15、源极漏极电极形成工序s16、树脂覆盖件形成工序s17和平坦化膜形成工序s18。在此，底涂膜形成工序s11、栅极绝缘膜s13以及层间绝缘膜形成工序s15相当于无机膜形成工序。另外，栅极电极形成工序s11和源极漏极电极形成工序s16相当于形成各种显示用配线15(栅极配线15g、源极配线15s、电源配线15p)的配线形成工序。

首先，在底涂膜形成工序s11中，通过例如cvd(chemicalvapordeposition)法，在形成于玻璃基板上的树脂基板层7的表面上以单层或层叠的方式成膜氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等的无机绝缘膜，形成底涂膜11。

接下来，在半导体层形成工序s12中，在形成了底涂膜11的基板上，例如通过cvd法成膜半导体膜，根据需要对该半导体膜实施结晶化处理或低电阻化处理后，通过进行光刻处理(涂胶、预烘烤、曝光、显影、后烘烤、蚀刻以及抗蚀剂剥离)，对该半导体膜进行图案化，形成半导体层17。

接下来，在栅极绝缘膜形成工序s13中，在形成了半导体层17的基板上，例如通过cvd法，以单层或层叠的方式成膜氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等的无机绝缘膜，形成栅极绝缘膜18。

接下来，在栅极电极形成工序s14中，在形成了栅极绝缘膜18的基板上，例如通过溅射法，依次成膜钛膜、铝膜和钛膜而形成层叠导电膜之后，通过对该层叠导电膜进行光刻处理，对该层叠导电膜进行图案化，形成栅极电极19。此时，从形成栅极电极19的层叠导电膜中，将栅极配线15g和构成源极配线15s及电源配线15p的边框配线15f的配线下层部15a一并形成。

接下来，在层间绝缘膜形成工序s15中，首先，在形成了栅极电极19等的基板上，通过cvd法，成膜氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等的无机绝缘膜，形成第一层间绝缘膜23。接下来，在第一层间绝缘膜23上，例如通过cvd法，成膜氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等的无机绝缘膜，形成第二层间绝缘膜24。

这样，第一层间绝缘膜23和第二层间绝缘膜24层叠后的层间绝缘膜20被形成。并且，通过对该层间绝缘膜20进行光刻处理，对该层间绝缘膜20进行图案化，形成接触孔25。此时，接触孔25也形成在栅极绝缘膜18上。

接下来，在源极漏极电极形成工序s16中，首先，在形成了层间绝缘膜20的基板上，例如通过溅射法，依次成膜作为第一导电膜的钛膜、作为第二导电膜的铝膜以及作为第三导电膜的钛膜，进行层叠导电膜。并且，通过对该层叠导电膜进行光刻处理，对该层叠导电膜进行图案化，从而分别从下层的钛膜形成第一导电层47、从上层的钛膜形成第三导电层49，并且从铝膜形成第二导电层48，形成源极电极21和漏极电极22。

此时，从形成源极电极21和漏极电极22的层叠导电膜中，与显示区域2的源极配线15s及电源配线15p一并形成在端子部4中构成配线端子15t的配线上层部15b。这里的光刻处理中的蚀刻例如是将磷酸、醋酸和硝酸的混合液作为蚀刻液而使用的湿法蚀刻。在该湿法蚀刻中，由于铝膜比钛膜更容易被蚀刻液蚀刻，所以显示区域2中的源极配线15s、电源配线15p、源极电极21、漏极电极22以及端子部4的配线上层部15b(以下称为“配线上层部15b等”)中，产生使第二导电层48(铝层)比第一导电层47和第三导电层49(均为钛层)变细的侧移，形成凹部50。

接下来，在树脂覆盖件形成工序s17中，首先，在形成了源极电极21和漏极电极22的基板上，例如通过真空蒸镀法，将丙烯酸酯等的有机树脂膜100成膜为100nm～300nm左右的厚度。如图9所示，在通过真空蒸镀法进行的有机树脂膜100的成膜中，有机树脂膜100的材料进入配线上层部15b等的凹部50内，在该凹部50内也适当地形成有机树脂膜100。由此，能够防止在有机树脂膜100上在该凹部50内产生间隙。

接下来，通过例如利用等离子体p对该有机树脂膜100进行灰化而部分地除去，在构成显示用配线15的配线端子15t的配线上层部15b的凹部50上形成树脂覆盖件51。在该灰化中，例如使用氧气等离子体作为等离子体p。在此，如图10所示，有机树脂膜100随着灰化的进行而从表面101侧逐渐地被除去并后退，最终其大部分被等离子体p除去。但是，由于平坦化膜16的一部分残留在配线上层部15b等的凹部50内，所以树脂覆盖件51对应相邻的每个配线上层部15b而分开形成。

接下来，在平坦化膜形成工序s18中，首先，通过例如旋涂法等公知的涂布法，成膜由丙烯酸树脂等构成的感光性的有机树脂膜。并且，通过对该有机树脂膜进行预烘烤、曝光、显影和后烘烤，且对该有机树脂膜进行图案化，形成平坦化膜16。此时，从形成平坦化膜16的有机树脂膜中，一并形成构成坝墙42的第一壁层43。另外，构成配线端子15t的配线上层部15b处于从平坦化膜16露出的状态。

这样，在tft层形成工序s01中，在树脂基板层7上形成tft层8。

接下来进行的有机el元件形成工序s02包括第一电极形成工序s21、边缘罩形成工序s22、有机el层形成工序s23和第二电极形成工序s24。

在第一电极形成工序s21中，例如通过溅射法在形成了tft层8的基板上依次成膜ito(indiumtinoxide)膜、银合金膜(mgag膜)以及ito膜，形成层叠导电膜后，通过对该层叠导电膜进行光刻处理，对该层叠导电膜进行图案化，形成多个第一电极29。

接下来，在边缘罩形成工序s22中，在多个第一电极29上例如涂敷了感光性丙烯酸树脂之后，对该涂敷膜进行预烘烤、曝光、显影和后烘烤，通过对该涂敷膜进行图案化，形成边缘罩33。

在接下来进行的有机el层形成工序s23中，在形成了边缘罩33的基板上，使用fmm(finemetalmask)的成膜用掩模，例如通过真空蒸镀法，依次成膜空穴注入层34、空穴传输层35、发光层36、电子传输层37和电子注入层38，在各个第一电极29上形成有机el层30。

在接下来进行的第二电极形成工序工序s24中，在形成了有机el层30的基板上，使用cmm(commonmetalmask)的成膜用掩模，例如通过真空蒸镀法成膜银合金膜(mgag膜)，形成第二电极31。

这样，在有机el元件形成工序工序s02中，在tft层8上形成有机el元件9。

接下来，在密封膜形成工序s03中，首先，在形成了有机el元件9的基板上，使用成膜用掩模，例如通过cvd法，以单层或层叠的方式成膜氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等的无机绝缘膜，形成第一无机层39。

接下来，在形成了第一无机层39的基板上，例如通过喷墨法成膜丙烯酸酯等的有机树脂材料，形成有机层40。

并且，在形成了有机层40的基板上，使用成膜用掩模，例如通过cvd法，以单层或层叠的方式成膜氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等的无机绝缘膜，形成第二无机层41。

这样，在密封膜形成工序s03中，形成第一无机层39、有机层40和第二无机层41层叠后的密封膜10。

而后，在安装工序s04中，在形成了密封膜10的基板的端子部4上，使用acf(anisotropicconductivefilm)、acp(anisotropicconductivepaste)等的导电材料连接fpc，将fpc与配线端子15t进行导通来安装。

如上所述，可以制造有机el显示装置1。

根据该第一实施方式涉及的有机el显示装置1，使显示用配线15的配线端子15t成为第一导电层47、第二导电层48以及第三导电层49被层叠的、具有凹部50的结构，该凹部50的与第二导电层48对应的部分向该配线15的内部凹陷，由于在该凹部50上设置覆盖第二导电层48的周端面的树脂覆盖件51，所以配线端子15t的第二导电层48受到树脂覆盖件51的保护。因此，配线端子15t的周端面变为也可以不被膜厚相对厚的平坦化膜16所覆盖。

并且，由于该树脂覆盖件51的厚度t1比构成配线端子15t的配线上层部15b的厚度t2小，所以能够在保护第二导电层48的同时，使配线端子15t与该周端面一起从平坦化膜16露出而开放地设置。由此，在该配线端子15t的周围确保了用于取得导通的空间，因此容易取得配线端子15t和fpc之间的导通，能够容易地进行安装工序s04。此外，由于即使用于将fpc压接在端子部4的力较弱，也可以安装，所以如该第一实施方式涉及的有机el显示装置1那样，在基底基板上采用具有可弯曲性的树脂基板层7的情况下，特别有效。

另外，根据第一实施方式的有机el显示装置1的制造方法，在成膜覆盖配线端子15t的有机树脂膜100之后，通过对有机树脂膜100进行灰化而部分地除去，从而在设置于配线端子15t的周端面的凹部50内，以相比配线端子15t厚度变小的方式形成覆盖第二导电层48的端面的树脂覆盖件51，所以在配线端子15t中，在利用树脂覆盖件51保护第二导电层48的同时，可以实现容易地进行安装工序的结构，该安装工序取得fpc和配线端子15t之间的导通。并且，根据该有机el显示装置1的制造方法，由于通过真空蒸镀法成膜有机树脂膜100，所以形成有机树脂膜100的材料进入设置在配线端子15t的周端面的凹部50内，在该凹部50内也适当地形成有机树脂膜100。由此，可以防止在有机树脂膜100上在该凹部50内产生间隙，提高保护树脂覆盖件51中的第二导电层48的作用的可靠性。

《第二实施方式》

第二实施方式涉及的有机el显示装置1的树脂覆盖件51的结构与上述第一实施方式不同。另外，在以下实施方式中，关于有机el显示装置1及其制造方法，仅说明与第一实施方式不同的结构和步骤，相同的构成部分参考基于图1～图10的上述第一实施方式的说明，并且省略其详细说明。

图11是第二实施方式涉及的有机el显示装置1的与图7对应的图。在上述第一实施方式涉及的有机el显示装置1中，树脂覆盖件51仅设置在凹部50内，对应相邻的每个配线端子15t而分离，但在该第二实施方式涉及的有机el显示装置1中，如图11所示，树脂覆盖件51在相邻的配线端子15t之间共用地设置，覆盖层间绝缘膜20中的相邻的配线端子15t之间的部分。在该第二实施方式中，树脂覆盖件51的厚度t1也小于配线端子15t的厚度t2。

这样的树脂覆盖件51在有机el显示装置1的制造方法中的树脂覆盖件形成工序s18中，通过进行等离子灰化，直到使形成在边框区域3的有机树脂膜100相比配线端子15t变薄为止(例如，有机树脂膜100的表面101成为图10所示的位置200为止)，使配线端子15t的上表面，即第三导电层49的上表面从有机树脂膜100(树脂覆盖件51)露出而形成。

与上述第一实施方式相同，根据第二实施方式涉及的有机el显示装置1也，也可以容易地进行安装工序s40，该安装工序s40在显示用配线15的配线端子15t中，保护第二导电层48的同时，取得配线端子15t和fpc之间的导通。

《第三实施方式》

图12是第三实施方式涉及的有机el显示装置1的与图6对应的图。该第三实施方式涉及的有机el显示装置1中，构成边框配线15f的配线下层部15a和配线上层部15b的连接部位中的结构与上述第一实施方式不同。如图12所示，在该有机el显示装置1中，在边框配线15f中的配线上层部15b中，连接到配线下层部15a的部分被绝缘层60覆盖。

该绝缘层60与平坦化膜16在同一层由同一材料形成，部分地覆盖设置在配线端子15t的凹部50的树脂覆盖件51。在有机el显示装置1的制造方法中的平坦化膜形成工序s18中，这样的绝缘层70在由有机树脂膜形成平坦化膜16时，与平坦化膜16一并被形成。

根据第三实施方式涉及的有机el显示装置1，在边框配线15f中的配线上层部15b中，通过绝缘层60覆盖连接到配线下层部15a的部分，因此可以防止水分和氧气通过用于连接这些配线下层部15a和配线上层部15b的接触孔46，侵入装置1内。其他方面，可以获得与上述第一实施方式涉及的有机el显示装置1相同的效果。

《第四实施方式》

图13是第四实施方式涉及的有机el显示装置1的与图1对应的图。图14是包含图13的有机el显示装置1的xiv-xiv线中的端子部4的边框区域3的剖面图。图15是表示图14的有机el显示装置1的xv-xv线中的弯折部70的主要部分的剖面图。该第四实施方式涉及的有机el显示装置1中，边框区域3中的显示区域2和端子部4之间的结构与上述第一实施方式不同。如图13和图14所示，在该有机el显示装置1中，在边框区域3中的显示区域2和端子部4之间，相比其他部分更容易弯折的弯折部70沿着端子部4从边框区域3的一端到另一端而设置。

在该弯折部70中，在设置在树脂基板层7上的无机层、即层间绝缘膜20、栅极绝缘膜18以及底涂膜11上形成直线状的狭缝71。狭缝71沿着端子部4在边框区域3中的显示区域2和端子部4之间延伸，并且贯穿层间绝缘膜20、栅极绝缘膜18以及底涂膜11，以使树脂基板层7的表面露出的方式而形成。

构成边框配线15f的配线下层部15a由于设置有狭缝71，从而被分割为显示区域2侧和端子部4侧。另外，在弯折部70中，设置有填埋狭缝71的内部的同时，覆盖层间绝缘膜20的开口周缘部的填埋膜72。该填埋膜72与平坦化膜16在同一层由同一材料形成。填埋膜72的层间绝缘膜20上的高度h3小于平坦化膜16的高度h4。

边框区域3中设置有配线连接层73，该配线连接层73夹着狭缝71，连接显示区域2侧的配线下层部15a和端子部4侧的配线下层部15a。配线连接层73形成为从边框平坦化膜72的显示区域2侧到端子部4侧，在填埋膜72上延伸，横断狭缝71，且在填埋膜72上从平坦化膜16露出。该配线连接层73经由形成在层间绝缘膜20上的接触孔74分别与显示区域2侧的配线下层部15a和端子部4侧的配线下层部15a连接。

配线连接层73与第一电极29在同一层由同一材料形成。配线连接层73与构成配线端子15t的配线上层部15b相同，如图15所示，具有第一导电层75、第二导电层76和第三导电层77依次层叠后的层叠结构，由于第二导电层76比第一导电层75和第三导电层77以更窄的宽度较细地形成，周端面中具有与第二导电层76对应的部分向配线连接层73的内部凹陷的凹部78。

并且，配线连接层73的凹部78上与配线上层部15b同样地设置有覆盖第二导电层48的周端面的树脂覆盖件79。树脂覆盖件79例如由丙烯酸酯、聚尿素、聚对二甲苯、聚酰亚胺等的有机树脂材料形成，以与设置在配线端子15t的凹部50上的树脂覆盖件51相同的方式仅设置在凹部50内。该树脂覆盖件79的厚度t3小于配线连接层73的厚度t4，树脂覆盖件79的最表面位于配线连接层73的侧面。

该第四实施方式涉及的有机el显示装置1的制造方法包括在上述第一实施方式中说明的tft层形成工序s01中的狭缝形成工序。狭缝形成工序例如在层间绝缘膜形成工序s15和源极漏极电极形成工序s16之间进行。在狭缝形成工序中，对层间绝缘膜20、栅极绝缘膜18以及底涂膜11进行光刻处理，形成狭缝71。这样的狭缝71的形成也可以与在层间绝缘膜20上形成接触孔25、74一并进行。

另外，在平坦化膜形成工序s18中，如上所述，通过公知的涂布法成膜感光性的有机树脂膜，通过对该有机树脂膜进行图案化而形成平坦化膜16，并且以填埋狭缝71的方式形成填埋膜72。之后，通过灰化，从表面侧部分地除去填埋膜72，使填埋膜72的层间绝缘膜20上的高度h1小于平坦化膜16的高度h2。

另外，在第一电极形成工序s21中，如上所述，通过溅射法依次成膜ito膜、银合金膜和ito膜，形成层叠导电膜，通过用光刻处理对该层叠导电膜进行图案化，形成多个第一电极29并且，以在填埋膜72上横断狭缝71的方式形成多个配线连接层73。通过此时的光刻处理中的蚀刻，各配线连接层73中产生第二导电层48(agmg层)比第一导电层47和第三导电层49(均为ito层)变细的侧移，形成凹部50。

此外，该第四实施方式涉及的有机el显示装置1的制造方法包括在第一实施例中说明的有机el元件形成过程s02中的树脂覆盖件形成工序。树脂覆盖件形成工序在第一电极形成工序s21和边缘盖形成工序s22之间进行。在该树脂覆盖件形成工序中，通过与在上述第一实施方式中说明的tft层形成工序s01中包含的树脂覆盖件形成工序s17相同的方法，在配线连接层73的凹部78上形成树脂覆盖件79，该配线连接层73在填埋膜72上从平坦化膜16露出。

在该第四实施方式涉及的有机el显示装置1的制造方法中，也可以在配线连接层73的凹部78形成树脂覆盖件79时，也一并在配线上层部15b的凹部50上形成树脂覆盖件51。即，在第四实施方式涉及的有机el显示装置1的制造方法中，也可以不执行包括在上述第一实施方式所说明的tft层形成工序s01中的树脂覆盖件形成工序s17。

如上所述，可以制造具备弯折部70的有机el显示装置1。

根据该第四实施方式的有机el显示装置1，在弯折部70中，可以将边框区域3折弯成最大180°左右的角度。另外，由于在从平坦化膜16露出的配线连接层73的周端面上形成的凹部78上设置有覆盖第二导电层76的周端面的树脂覆盖件79，所以可以利用树脂覆盖件79保护配线连接层73的第二导电层76。关于其他方面，可以获得与上述第一实施方式同样的效果。

《第五实施方式》

图16是第五实施方式涉及的有机el显示装置1的与图6对应的图。图17是表示图16的有机el显示装置1的xvii-xvii线中的主要部分的剖面图。该第五实施方式涉及的有机el显示装置1中，构成各源极配线15s的边框配线15f的结构与上述第一实施方式不同。在该有机el显示装置1中，如图16所示，构成各源极配线15s的边框配线15f与源极电极21和漏极电极22在同一层由同一材料形成，显示区域2的源极配线15s在层间绝缘膜20上直接被引出到端子部4。

构成各源极配线15s的边框配线15f在平坦化膜16和坝墙42之间的狭缝16s的内部以及坝墙42的外侧，从该平坦化膜16露出。如图17所示，各个源极配线15s遍及整个凹部50，该凹部50通过在周端面中与第二导电层48对应的部分朝配线端子15t的内部凹陷。并且，各源极配线15s的凹部50上设置有覆盖第二导电层48的周端面的树脂覆盖件51。

如上所述，如果显示区域2的源极配线15s在层间绝缘膜20上直接被引出到端子部4，则在有机el显示装置1的制造过程中，水分有可能通过形成在边框配线15f的周端面的凹部50，沿着源极配线15s浸入装置1内。而且，为了显示画面的高精细化，构成源极配线15s的边框配线15f的根数与其他显示用配线15相比相差较大，因此水分容易沿着多条源极配线15s，较多地浸入装置1内，从而对有机el显示装置1的可靠性造成很大的不利影响。

因此，在上述第一实施方式的有机el显示装置1中，构成各源极配线15s的边框配线15f与栅极配线15g和栅极电极19在同一层由同一材料形成，采用从显示区域2经由层间绝缘膜20的下层被引出到端子部4的结构。通过这样的边框配线15f的结构，虽然有机el显示装置1的可靠性提高，但由于源极配线15s的电阻增加，因此产生由源极配线15s传输的数据信号的钝化等的影响。

与此相对，根据该第五实施方式的有机el显示装置1，构成各源极配线15s的边框配线15f在层间绝缘膜20上被直接引出至端子部4，因此可以减少由源极配线15s传输的源极信号的钝化等。并且，由于在包括边框配线15f在内的各源极配线15s的周端面上形成的凹部50上设置有树脂覆盖件51，所以能够防止水分通过凹部50内，沿着源极配线15s进入显示区域2。由此，能够抑制有机el元件9的劣化，提高有机el显示装置1的可靠性。

如上所述，作为本公开的技术的示例，说明了优选的实施方式。但是，本公开的技术不限于此，也可以适用于适当地进行了变更、置换、附加、省略等的实施方式。另外，也可以将上述实施方式中说明的各构成要素组合为新的实施方式。另外，在附图和详细说明中所记载的构成要素中，也可以包括解决问题所不必要的构成要素。因此，不应以那些不必要的构成要素被记载在附图和详细说明中，立即认定那些不必要的构成要素是必需的。

例如，对于上述第一～第五实施方式，也可以采用如下的结构。

在上述第一～第五实施方式中，关于构成显示用配线15的配线端子15t的配线上层部15b，设置为第一导电层47及第三导电层49由钛(ti)形成，但是本公开的技术的适用范围不限于此。例如，第一导电层47和第三导电层49也可以代替钛(ti)，通过氮化钛(tin)、氧化钛(tio)、以其他钛(ti)为主要成分的合金而形成，除了钛(ti)之外，还通过钼(mo)、铬(cr)、铌(nb)、钽(ta)、钨(w)及它们的合金而形成等，也可以包括从这些金属元素中选择的至少一个元素来形成。

另外，在上述第一～第五实施方式中，关于构成显示用配线15的配线端子15t的配线上层部15b，设置为第二导电层48由铝(al)形成，但是本公开的技术的适用范围不限于此。例如，第二导电层48也可以代替铝(al)，通过铜(cu)、银(ag)、以它们为主要成分的合金而形成等，也可以包含从铝(al)、铜(cu)和银(ag)中所选择的至少一种元素而形成。

另外，在上述第一～第5实施方式中，关于构成显示用配线15的配线端子15t的配线上层部15b，例示了由第一导电层47、第二导电层48及第3导电层49构成的三层结构，但不限于此。该配线上层部15b可以设置为包括第一导电层47、第二导电层48和第三导电层49的四层以上的层叠结构。

另外，在上述第一～第5实施方式中，设置为在各子像素6上分别形成有机el层30，但是本公开的技术的适用范围不限于此。有机el层30也可以共用地设置在多个子像素6上。在这种情况下，有机el显示装置1可以具备彩色滤光片等，来进行各子像素6的色调表现。

另外，在上述第一～第五实施方式中，例示了在基底基板上使用树脂基板层7的有机el显示装置1，但是本公开的技术的适用范围不限于此。作为基底基板，也可以使用由玻璃、石英等的无机材料、聚对苯二甲酸乙二酯等的塑料、氧化铝等的陶瓷构成的基板。另外，基底基板也可以是用硅胶、有机绝缘材料等对铝、铁等的金属基板的一个表面进行涂覆后的基板，或者通过阳极氧化等的方法在金属基板的表面实施了绝缘化处理后的基板等。

構造另外，在上述第一～第五实施方式中，关于第一tft12及第二tft13，采用顶栅型的结构，但是本公开的技术的适用范围不限于此。第一tft12和第二tft13也可以采用底栅型的结构。

另外，在上述第一～第五实施方式中，例示了空穴注入层34、空穴传输层35、发光层36、电子传输层37以及电子注入层38的五层层叠结构的有机el层30，但是本公开的技术的适用范围不限于此。例如，有机el层30也可以采用空穴注入层兼空穴传输层、发光层和电子传输层兼电子注入层的三层层叠结构。

另外，在上述第一～第五实施方式中，例示了将第一电极29设为阳极、将第二电极31设为阴极的有机el显示装置1，但本公开的技术的适用范围不限于此。例如，本公开的技术也可以适用于使有机el层30的层叠结构反转、使第一电极29为阴极、使第二电极31为阳极的有机el显示装置。

另外，在上述第一～第五实施方式中，作为显示装置例示了有机el显示装置1，但不限于此。本公开的技术可以适用于具备由电流驱动的多个发光元件的显示装置，例如具备qled(quantum-dotlightemittingdiode)的显示装置，该qled是使用了量子点包含层的发光元件。

产业上的可利用性

如上所述，本公开的技术对于显示装置及其制造方法是有用的。

附图标记说明

gdm栅极驱动器电路

p等离子体

1有机el显示装置

2显示区域

3边框区域

4端子部

5像素

6，6r，6g，6b子像素

7树脂基板层(基底基板)

8tft层

9有机el元件(发光元件)

10密封膜

11底涂膜

12第一tft

13第二tft

14电容器

15显示用配线

15a配线下层部

15b配线上层部

15g栅极配线

15s源极配线

15p电源配线

15f边框配线

15t配线端子

16平坦化膜

17半导体层

18栅极绝缘膜

19栅极电极

20层间绝缘膜

21源极电极

22漏极电极

23第一层间绝缘膜

24第二层间绝缘膜

25接触孔

26下部导电层

27上部导电层

28接触孔

29第一电极

30有机el层

31第二电极

32接触孔

33边缘罩

34空穴注入层

35空穴传输层

36发光层

37电子传输层

38电子注入层

39第一无机层

40有机层

41第二无机层

42坝墙

43第一壁层

44第二壁层

46接触孔

47第一导电层

48第二导电层

49第三导电层

50凹部

51树脂覆盖件

60绝缘层

70弯折部

71狭缝

72边框平坦化膜

73配线连接层

74接触孔

75第一导电层

76第二导电层

77第三导电层

78凹部

79树脂覆盖件

100有机树脂膜