1.一种频率源的封装工艺，其特征在于，包括：
将放大器芯片、功分器芯片、分频器芯片共晶焊接并立体金丝键合至下层基板上；
将所述下层基板底部与腔体烧结，并将环路滤波器烧结到所述下层基板上；
将至少两个焊球高度相同且彼此分散地焊接至所述下层基板上；
将输入电源和输入绝缘子与所述腔体侧面镀金孔进行烧结，并焊接至所述下层基板；
将锁相环芯片、压控振荡器、温补晶振、和电阻电容器件回流焊到上层基板，再将滤波器芯片粘接且金丝键合至所述上层基板；
将所述上层基板对齐放置于所述下层基板的焊球上，并将所述焊球与所述上层基板焊接相连；
将三线控制输入及rf输出与镀金孔烧结，并焊接至所述上层基板；
对所述下层基板和所述上层基板进行对位堆叠使所述上层基板和所述下层基板电气互连。
2.根据权利要求1所述的频率源的封装工艺，其特征在于，所述放大器芯片、功分器芯片、分频器芯片采用金锡ausn合金焊料共晶。
3.根据权利要求1所述的频率源的封装工艺，其特征在于，所述下层基板底部与腔体采用snagcu合金焊料片烧结。
4.根据权利要求1所述的频率源的封装工艺，其特征在于，所述焊球为bga焊球，所述焊球规格为直径0.5毫米；所述立体金丝键合采用的金丝规格为25μm。
5.根据权利要求1所述的频率源的封装工艺，其特征在于，所述滤波器芯片通过导电胶粘接至所述上层基板。
6.根据权利要求1所述的频率源的封装工艺，其特征在于，所述焊球通过snpb焊膏与所述下层基板焊接，所述环路滤波器采用snpb焊料片烧结到所述下层基板上；所述输入电源和输入绝缘子与所述腔体侧面镀金孔采用snpb焊膏烧结；所述锁相环芯片、压控振荡器、温补晶振、和电阻电容器件通过snpb焊膏回流焊到上层基板上；所述三线控制输入及rf输出与镀金孔采用snpb焊膏烧结。
7.根据权利要求1所述的频率源的封装工艺，其特征在于，所述焊球与所述上层基板采用138℃低温snbi焊料焊接相连。
8.根据权利要求1所述的频率源的封装工艺，其特征在于，采用bga植球工艺对所述下层基板和所述上层基板进行对位堆叠。
9.根据权利要求1所述的频率源的封装工艺，其特征在于，还包括：
采用激光封焊工艺对所述腔体封盖。
10.一种频率源，其特征在于，包括：
腔体；
下层基板，烧结于所述腔体底部，放大器芯片、功分器芯片、分频器芯片共晶且金丝键合至所述下层基板；环路滤波器焊接至所述下层基板；
至少两个焊球，所述至少两个焊球高度相同且彼此分散地焊接至所述下层基板上；
上层基板，与所述下层基板边缘对齐放置在所述腔体中，并通过焊接至所述至少两个焊球与所述下层基板电气连接；锁相环芯片、压控振荡器、温补晶振、及电阻电容器件焊接至所述上层基板；滤波器芯片通过粘接至所述上层基板，并与所述上层基板金丝键合；
所述腔体侧面开设有镀金孔；输入电源与输入绝缘子各自与对应镀金孔烧结并焊接至所述下层基板；三线控制输入及rf输出各自与对应镀金孔烧结，并焊接至所述上层基板。