技术总结
本公开中所描述的示例涉及具有基于约瑟夫森相位的力矩的存储器单元。在一个示例中，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括第一电感器和被耦合到第一电感器以形成回路的磁性约瑟夫森结(MJJ)。MJJ可以包括在非磁性层上方形成的自由磁性层、以及在非磁性层下方的固定磁性层。存储器单元的第一状态对应于自由磁性层的与固定磁性层的磁化平行的第一磁化，并且存储器单元的第二状态对应于自由磁性层的与固定磁性层的磁化反平行的第二磁化。存储器单元被配置为：基于MJJ是处于零状态还是处于π状态，从第一状态切换到第二状态。从第一状态切换到第二状态。从第一状态切换到第二状态。
技术研发人员：O
受保护的技术使用者：微软技术许可有限责任公司
技术研发日：2019.06.25
技术公布日：2021/4/23