1.一种半导体装置，其中，具备：
常关断晶体管，具有第1电极、第2电极、以及第1控制电极；
常开启晶体管，具有电连接于所述第2电极的第3电极、第4电极、以及第2控制电极；
第1元件，具有电连接于所述第1控制电极的第1端部和电连接于所述第1电极的第2端部，所述第1元件包含第1电容成分；以及
第2元件，具有电连接于所述第1控制电极及所述第1端部的第3端部、以及第4端部，所述第2元件包含第2电容成分，
在将所述常关断晶体管的阈值电压设为vth、将所述常关断晶体管的最大栅极额定电压设为vg＿max、将所述第4端部的电压设为vg＿on、将所述第1电容成分设为ca、将所述第2电容成分设为cb时，
vth＜(cb/(ca+cb))vg＿on＜vg＿max。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1元件是具有第1阳极和第1阴极并包含第1结电容的第1齐纳二极管，
所述第1端部是所述第1阴极，所述第2端部是所述第1阳极，所述第1电容成分是所述第1结电容。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1元件是具有第5端部和第6端部并包含第1电容的第1电容器，
所述第1端部是所述第5端部，所述第2端部是所述第6端部，所述第1电容成分是所述第1电容。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
还具备第1齐纳二极管，该第1齐纳二极管具有电连接于所述第1端部的第1阴极和电连接于所述第2端部的第1阳极，所述第1齐纳二极管与所述第1电容器并联连接。
5.根据权利要求2或4所述的半导体装置，其中，
在将所述第1齐纳二极管的第1击穿电压设为vz(d1)时，
vz(d1)＜vg＿max。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第2元件是具有第2阳极和第2阴极并包含第2结电容的第2齐纳二极管，
所述第3端部是所述第2阳极，所述第4端部是所述第2阴极，所述第2电容成分是所述第2结电容。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第2元件是具有第7端部和第8端部并包含第2电容的第2电容器，
所述第3端部是所述第7端部，所述第4端部是所述第8端部，所述第2电容成分是所述第2电容。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
还具备第2齐纳二极管，该第2齐纳二极管具有电连接于所述第3端部的第2阳极和电连接于所述第4端部的第2阴极，所述第2齐纳二极管与所述第2电容器并联连接。
9.根据权利要求6或8所述的半导体装置，其中，
在将所述第2齐纳二极管的第2击穿电压设为vz(d2)时，
vz(d2)＜vg＿on－vth。