驱动电路及激光器装置的制作方法

本申请涉及激光器技术领域，特别是涉及一种驱动电路及激光器装置。

背景技术：

随着半导体激光器应用领域迅速扩展，在许多方面正在逐步取代hene激光器，已广泛地应用于光纤通讯、集成光学、激光印刷、激光束扫描、光盘存储技术、激光测距、激光雷达、泵浦固体激光器、脉冲多普勒成像、3d图像系统、光纤测温传感器等等领域。在该众多领域中，特别是在激光探测和目标识别领域中，目标的识别能力、定距精度、抗干扰和低功耗等性能，都取决于半导体激光器发射的激光脉冲质量，而半导体激光器发射的光脉冲是由半导体激光器驱动电路产生的电脉冲直接调制得到的，即激光脉冲质量的好坏决定因素在于脉冲电源的质量。因此，半导体激光器驱动电路研究是激光探测和目标识别技术中的关键技术。目前市场上的窄脉冲电流驱动，脉宽大多在几百纳秒，而少有的十几纳秒的电流驱动，则需要提供高达100v～200v高压。

技术实现要素：

本申请提供一种驱动电路及激光器装置，以解决现有技术中激光器的电流驱动脉冲宽度大的问题。

为解决上述技术问题，本申请提出一种驱动电路，包括稳压电路，用于接收第一电压信号，并对第一电压信号进行稳压处理，输出第二电压信号。振荡信号发生电路，连接稳压电路，用于接收第二电压信号，并产生第一脉冲信号。脉宽调制电路，连接振荡信号发生电路，用于对第一脉冲信号进行脉宽调制，并输出第二脉冲信号。功率放大电路，连接脉宽调制电路，用于对第二脉冲信号进行功率放大，并输出第三脉冲信号。充放电电路，包括：晶体管，晶体管的控制端输入第三脉冲信号。第一电容，第一电容的第一端输入第三电压信号，第一电容的第二端接地。其中，在晶体管截止时，第一电容进行充电，在晶体管导通时，第一电容放电以驱动激光器。

其中，晶体管为雪崩三极管。

在雪崩三极管截止时，第一电容进行充电，在雪崩三极管导通时，第一电容放电并使雪崩三极管处于雪崩击穿状态，以驱动激光器。

其中，第三电压信号大于雪崩三极管的一次击穿电压小于雪崩三极管的二次击穿电压。

其中，第三电压信号的电压范围为50v-80v。

其中，稳压电路包括：稳压芯片。第一电阻,第一电阻的第一端接地，第一电阻的第二端连接稳压芯片的电压调节引脚。第二电阻，第二电阻的第一端连接第一电阻的第二端，第二电阻的第二端连接稳压芯片的电压输出引脚。其中，所述稳压芯片的电压输入引脚用于输入所述第一电压信号，所述稳压芯片的电压输出引脚用于输出所述第二电压信号。

其中，振荡信号发生电路包括：振荡信号发生芯片。振荡信号发生芯片的供电引脚连接稳压电路，以输入第二电压信号，振荡信号发生芯片的触发引脚连接振荡信号发生芯片的阈值引脚，振荡信号发生芯片的供电引脚连接振荡信号发生芯片的复位引脚。第三电阻的第一端连接振荡信号发生芯片的供电引脚，第三电阻的第二端连接振荡信号发生芯片的放电引脚。第一可变电阻，第一可变电阻的第一端连接第三电阻的第二端。第四电阻，第四电阻的第一端连接第一可变电阻的第二端。第一二极管，第一二极管的正极连接第三电阻的第二端,第一二极管的负极连接振荡信号发生芯片的阈值引脚。第二二极管，第二二极管的负极连接第四电阻的第二端，第二二极管的正极连接第一二极管的负极。第二电容，第二电容的第一端连接第二二极管的正极，第二电容的第二端接地。第三电容，第三电容的第一端连接振荡信号发生芯片的控制引脚,第三电容的第二端接地。

其中，脉宽调制电路包括：脉宽调制芯片。脉冲调制集芯片的第一负触发输入引脚、第二负触发输入引脚以及接地引脚均接地。脉宽调制芯片的正触发输入引脚连接振荡信号发生电路。所述脉宽调制芯片的输入引脚连接所述稳压电路。第五电阻，第五电阻的第一端连接稳压电路。第二可变电阻，第二可变电阻的第一端连接第五电阻的第二端，第二可变电阻的第二端连接脉宽调制芯片的外接电容引脚。第四电容,第四电容的第一端连接第二可变电阻的第二端，第四电容的第二端连接脉宽调制芯片的外接电阻/电容引脚。第六电阻，第六电阻的第一端连接脉宽调制芯片的正脉冲输出引脚。

其中，脉宽调制电路输出的第二脉冲信号的脉宽为：tw＝krc，其中，k为常数，r是第五电阻和第二可变电阻的总阻值，c是第四电容的容值。

其中，功率放大电路包括：功率放大芯片。功率放大芯片的驱动信号输入引脚连接脉宽调制电路，功率放大芯片的第一公共接地引脚和第二公共接地引脚接地。第七电阻,第七电阻的第一端连接功率放大芯片的芯片内部p-mosfet功率开关的漏极引出引脚。第八电阻，第八电阻的第一端连接功率放大芯片的芯片内部n-mosfet功率开关的漏极引出引脚，第八电阻的第二端连接第七电阻的第二端。第九电阻,第九电阻的第一端连接第八电阻的第二端，第九电阻的第二端接地。

其中，充放电电路还包括：第十电阻,第十电阻的第一端输入第四电压信号，第十电阻的第二端连接第一电容的第一端。第十一电阻，第十一电阻的第一端连接第十电阻的第二端，第十一电阻的第二端连接激光器。

为解决上述技术问题，本申请提出一种激光器装置，激光器装置包括上述的驱动电路，以及激光器，驱动电路为激光器提供驱动信号。

区别于现有技术，本申请提供的驱动电路，一方面能够通过脉宽调制电路对第一脉冲信号进行脉宽调制，以减小激光器的驱动信号的脉宽。另一方面，能够利用经脉宽调制、功率放大后的脉冲信号，即第三脉冲信号控制充放电电路的晶体管的开闭，进而在晶体管截止时，第一电容进行充电，在晶体管导通时，第一电容放电以驱动激光器。

附图说明

为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请提供的驱动电路一实施例的结构示意图；

图2是本申请提供的驱动电路一实施例的电路结构示意图；

图3(a)为晶体管击穿前，电流流经第十一电阻两端的电压信号的示意图，间接反映流经激光器的电流情况；

图3(b)为晶体管在雪崩击穿后，流经第十一电阻两端的电压信号的示意图，间接反映流经激光器的电流情况；

图4是本申请提供的激光器装置一实施例的结构示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本申请的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对发明所提供的驱动电路及激光器装置进一步详细描述。

请一并参阅图1和图2，图1是本申请提供的驱动电路一实施例的结构示意图。图2是本申请提供的驱动电路一实施例的电路结构示意图。如图1所示，驱动电路100包括稳压电路110、振荡信号发生电路120、脉宽调制电路130、功率放大电路140以及充放电电路150。

具体地，稳压电路110可以用于接收第一电压信号，并对第一电压信号进行稳压处理，并输出第二电压信号。其中，第一电压信号例如可以是+12v直流电源信号，在此不做具体限制。振荡信号发生电路120，可以连接稳压电路110，用于接收第二电压信号，并产生第一脉冲信号。脉宽调制电路130，可以连接振荡信号发生电路120，并用于对第一脉冲信号进行脉宽调制，并输出第二脉冲信号。功率放大电路140，可以连接脉宽调制电路130，并用于对第二脉冲信号进行功率放大，并输出第三脉冲信号。充放电电路150，包括晶体管q1和第一电容c1。晶体管q1的控制端输入第三脉冲信号，第一电容c1的第一端输入第三电压信号，第一电容c1的第二端接地。其中，在晶体管q1截止时，第一电容c1进行充电，在晶体管q1导通时，第一电容c1放电以驱动激光器ld。

激光器ld例如为半导体激光器ld等，在此不做具体限制。

以半导体激光器ld为例，半导体激光器ld的正极连接第一电容c1的正极，半导体激光器ld的负极连接晶体管q1的集电极。具体地，当晶体管q1截止时，第一电容c1接收第三电压信号进行充电，当晶体管q1导通时，第一电容c1放电以驱动激光器ld。

在本实施例中，晶体管q1例如可以是雪崩三极管，其中，在雪崩三极管截止时，第一电容c1进行充电，在雪崩三极管导通时，第一电容c1放电并使雪崩三极管处于雪崩击穿状态，以驱动激光器ld。

雪崩击穿是因载流子碰撞电离而引起的，当反向电压很大时，载流子以很高的速度在电场作用下运动，在行进的过程中，被撞出来的电子在强电场的作用下又以同样的方式去撞击其他原子。按照这样方式碰撞下去，载流子就会迅速“增殖”，因此能在瞬时间，释放出大电流。当第三脉冲信号使晶体管q1导通时，若第三电压信号大于雪崩三极管的一次击穿电压小于雪崩三极管的二次击穿电压，例如第三电压信号的电压范围为50v-80v，则雪崩三极管处于雪崩击穿状态，第一电容c1快速放电以形成瞬时大电流，进而驱动激光器ld。

本实施例提供的驱动电路100，一方面能够通过脉宽调制电路130对第一脉冲信号进行脉宽调制，以减小激光器ld的驱动信号的脉宽。另一方面，能够利用经脉宽调制、功率放大后的脉冲信号，即第三脉冲信号控制充放电电路150的晶体管q1的开闭，进而在晶体管q1截止时，第一电容c1进行充电，在晶体管q1导通时，第一电容c1放电以驱动激光器ld。

另外，传统的窄脉冲大电流驱动电路一般以多个晶体管q1并联的方式输出脉冲驱动电流，这种输出方式很难控制多个晶体管q1的一致性，进而可能导致输出的脉冲驱动电流不稳定。与此不同的是，本实施例提供的驱动电路100可以只包括一个晶体管q1，因此避免控制多个晶体管q1输出电流的一致性的问题，进而保证驱动电路100利用雪崩三极管的雪崩击穿特性产生的驱动电流的稳定性。

如图2所示，稳压电路110具体可以包括：稳压芯片u1、第一电阻r1以及第二电阻r2。稳压芯片u1的电压输入引脚in1接收第一电压信号。第一电阻r1的第一端接地，第一电阻r1的第二端连接稳压芯片u1的电压调节引脚adj。第二电阻r2的第一端连接第一电阻r1的第二端，第二电阻r2的第二端连接稳压芯片u1的电压输出引脚out1。

其中，稳压芯片u1例如可以是lm317型号的芯片。

若稳压芯片为lm317型号的芯片,稳压电路的电压输出引脚out1的输出电压为：

其中，vin1为电压输入引脚in1输入的电压值，iajd为电压调节引脚adj的电流值。

在本实施例中，稳压芯片u1通过两个外接电阻即第一电阻r1和第二电阻r2，来设置稳压芯片u1的输出电压，进而对第一电压信号进行稳压处理并输出第二电压信号。

振荡信号发生电路120包括：振荡信号发生芯片u2、第三电阻r3、第一可变电阻w1、第四电阻r4、第一二极管d1、第二二极管d2、第二电容c2以及第三电容c3。当然，第一可变电阻w1和第四电阻r4也可以根据实际情况替换为一个阻值较大的可变电阻。

其中，振荡信号发生芯片u2的供电引脚vcc1连接稳压电路110，以输入第二电压信号，具体可连接至稳压芯片u1的电压输出引脚out1，用于接收第二电压信号。振荡信号发生芯片u2的触发引脚trig连接振荡信号发生芯片u2的阈值引脚thres，振荡信号发生芯片u2的供电引脚vcc1连接振荡信号发生芯片u2的复位引脚reset。第三电阻r3的第一端连接振荡信号发生芯片u2的供电引脚vcc1，第三电阻r3的第二端连接振荡信号发生芯片u2的放电引脚disch。第一可变电阻w1的第一端连接第三电阻r3的第二端。第四电阻r4的第一端连接第一可变电阻w1的第二端。第一二极管d1的正极连接第三电阻r3的第二端,第一二极管d1的负极连接振荡信号发生芯片u2的阈值引脚thres。第二二极管d2的负极连接第四电阻r4的第二端，第二二极管d2的正极连接第一二极管d1的负极。第二电容c2的第一端连接第二二极管d2的正极，第二电容c2的第二端接地。第三电容c3的第一端连接振荡信号发生芯片u2的控制引脚cont,第三电容c3的第二端接地。

另外，振荡信号发生芯片u2的接地引脚gnd1直接接地。

振荡信号发生电路120的工作原理：第二电压信号通过第三电阻r3和第一二极管d1给第二电容c2充电，当充电至第二电容c2的电压大于2/3vcc1时，输出电压翻转，电容通过第二二极管d2、第四电阻r4以及第一可变电阻w1放电至小于1/3vcc1，之后第一电容c1重新充电，输出电压再次翻转。通过这种方式，振荡信号发生电路120即可产生第一脉冲信号。

在本实施例中，通过在第一可变电阻w1和第四电阻r4并联一个二极管，也即第一二极管d1，该第一二极管d1在给第一电容c1充电时导通，短路第一可变电阻w1、第四电阻r4、第二二极管d2所组成的线路，使得第二电压信号仅通过第三电阻r3为第一电容c1充电。而在第一电容c1放电时，第一二极管d1截止以达到减小充电时间降低空占比的效果。另外，通过调节第一可变电阻w1，即可根据实际需求灵活调整输出的第一脉冲信号的频率。

可选地，振荡信号发生芯片u2为ne555型号的芯片。

具体地，ne555芯片的6脚称为阈值端，是上比较器的输入端，对于6脚来说，大于2/3vcc1是高电平，小于2/3vcc1是低电平。2脚触发端，是下比较器的输入端，对于2脚来说，大于1/3vcc1是高电平，小于1/3vcc1是低电平。3脚是输出端，有0或1两种状态，具体由输入端所加的电平决定。7脚为放电端，是内部放电管的输出端口，有悬空和接地两种状态，由输入端的状态决定。4脚是复位端，加上低电平时可时输出端为低电平。5脚是控制电压端，可用它改变上下触发电平值。8脚是电源端，1脚是接地端。

若振荡信号发生芯片u2为ne555型号的芯片时，振荡信号发生电路120中的第三电阻r3、第一可变电阻w1、第四电阻r4、第一二极管d1、第二二极管d2、第二电容c2以及第三电容c3的参数值采用ne555芯片通用值即可，此处不再详述。

脉宽调制电路130可以包括脉宽调制芯片u3、第五电阻r5、第二可变电阻w2、第四电容c4以及第六电阻r6。其中，脉宽调制芯片u3的第一负触发输入引脚a1、第二负触发输入引脚a2以及接地引脚cnd2均接地。脉宽调制芯片u3的正触发输入引脚b连接振荡信号发生电路120，具体可连接振荡信号发生芯片u2的输出引脚out2，用于接收第一脉冲信号。脉宽调制芯片u3的输入引脚vcc2连接稳压电路110,具体可连接稳压芯片u1的电压输出引脚out1，以接收第二电压信号为脉宽调制电路130供电。第五电阻r5的第一端连接稳压电路110，具体可连接稳压芯片u1的电压输出引脚out1，以接收第二电压信号。第二可变电阻w2的第一端连接第五电阻r5的第二端，第二可变电阻w2的第二端连接脉宽调制芯片u3的外接电容引脚c_ext。第四电容c4的第一端连接第二可变电阻w2的第二端，第四电容c4的第二端连接脉宽调制芯片u3的外接电阻/电容引脚r_ext/c_ext。第六电阻r6的第一端连接脉宽调制芯片u3的正脉冲输出引脚q。

另外，负触发输出端≠q、空脚nc1、空脚nc2、空脚nc3、空脚nc4、接地引脚gnd2均悬空设置。

可选地，脉宽调制芯片u3为sn74121型号的芯片。

脉宽调制电路130输出的第二脉冲信号的脉宽为：

tw＝krc

其中，k为常数，k是第四电容c4的函数，当第四电容c4的容值小于500pf后k值明显增大，当第四电容c4的容值大于1000pf后，k＝0.7基本不变。r是第五电阻r5和第二可变电阻w2的总阻值，c是第四电容c4的容值。当然，也可以根据实际情况将第五电阻r5和第二可变电阻w2替换为一个较大的可变电阻。

脉宽调制电路130的工作原理：当脉宽调制芯片u3的第一负触发输入引脚a1、第二负触发输入引脚a2为低电平时，正触发输入引脚b遇到脉冲上升沿时，正脉冲输出引脚q输出与第二脉冲信号同相的脉冲信号，脉宽为tw。

在本实施例中，脉宽调制电路130调整第一脉冲信号的脉宽，一方面能够为减小最终提供给激光器ld的脉冲信号的脉宽。另一方面，窄脉宽的脉冲信号能够保护晶体管q1在还未被击穿时，不至于被烧坏，也即起到保护电路的作用。

功率放大电路140包括：功率放大芯片u4、第七电阻r7、第八电阻r8以及第九电阻r9。可选地，功率放大芯片u4可以为el7104型号的芯片。

功率放大芯片u4的驱动信号输入引脚in2连接脉宽调制电路130，具体可连接第六电阻r6的第二端，用于接收脉宽调制电路130输出的第二脉冲信号。功率放大芯片u4的电源电压输入引脚v+1和v+2接收第一电压信号。

功率放大芯片u4的第一公共接地引脚gnd3和第二公共接地引脚gnd4接地。第七电阻r7的第一端连接功率放大芯片u4的芯片内部p-mosfet功率开关的漏极引出引脚p-out。第八电阻r8的第一端连接功率放大芯片u4的芯片内部p-mosfet功率开关的漏极引出引脚n-out，第八电阻r8的第二端连接第七电阻r7的第二端。第九电阻r9的第一端连接第八电阻r8的第二端，第九电阻r9的第二端接地。

另外，功率放大电路的空脚nc5悬空设置。

功率放大电路140的工作原理为，当功率放大芯片u4的驱动信号输入引脚in2接收到脉宽调制电路130输出的第二脉冲信号时，若该第二脉冲信号输出的是高电平，芯片内部p-mosfet功率开关的漏极引出引脚p-out输出高电平信号。当该第二脉冲信号输出的是低电平时，芯片内部n-mosfet功率开关的漏极引出引脚n-out输出低电平信号。在输出高电平信号时，第一电压信号在第二脉冲信号的基础上，增大功率放大电路140输出的第三脉冲信号对应的脉冲电流。通过上述方式，增大充放电电路150的雪崩三极管的驱动电流，使得开关上升时间变快，减小振荡。

可选地，在本申请第一实施例充放电电路150的电路结构的基础上，充放电电路150还可以包括：第十电阻r10和第十一电阻r11。

其中，第十电阻r10的第一端输入第四电压信号，第十电阻r10的第二端连接第一电容c1的第一端。在本实施例中，第十电阻r10作为保护电阻，能够起到保护电路的作用。第十一电阻r11的第一端连接第十电阻r10的第二端，第十一电阻r11的第二端连接激光器ld。其中，第十一电阻r11在本实施例中可作为采样电阻，将流经激光器ld的电流信号转化为电压信号，通过示波器反映第十一电阻r11两端的电压情况，进而间接反应流经激光器ld的电流情况。

以半导体激光器ld为例，第十一电阻r11的第二端连接半导体激光器ld的正极，晶体管q1的集电极连接半导体激光器ld的负极。当晶体管q1截止时，第一电容c1接收第三电压信号进行充电，当晶体管q1导通时，第一电容c1放电，并通过第十一电阻r11驱动激光器ld。

若晶体管q1为雪崩三级管，当雪崩三极管截止时，第一电容c1进行充电，在雪崩三极管导通时，第一电容c1放电并使雪崩三极管处于雪崩击穿状态，通过第十一电阻r11以驱动激光器ld，通过这种方式，提供给激光器ld的脉冲驱动具有窄脉冲、大电流的特性。

充放电电路150的工作原理：功率放大电路140输出的第三脉冲信号能够快速推动雪崩三极管进入雪崩状态，同时又不会形成过大的基极持续输入电流而造成雪崩三极管损坏。

当第三脉冲信号使雪崩三极管导通时，在雪崩三极管的集电极和发射极之间强电场的作用下，雪崩三极管内部产生强烈正反馈导致负阻效应，雪崩三极管迅速进入导通状态，第一电容c1通过雪崩三极管和第十一电阻r11迅速放电。第一电容c1两端电压很快降低，当第一电容c1的放电电流不足以维持雪崩效应时，由于基极输入触发脉冲信号结束以后，基极重新处于反偏，雪崩三极管进入饱和状态。当输入触发脉冲信号结束后，基极重新处于反偏状态，雪崩三极管进入截止状态，第一电容c1接收第三电压信号或第四电压信号以进行充电，为下一次触发作准备。

请同时参阅图3(a)和图3(b)，其中，图3(a)为晶体管击穿前，电流流经第十一电阻两端的电压信号的示意图，间接反映流经激光器的电流情况。图3(b)为晶体管在雪崩击穿后，流经第十一电阻两端的电压信号的示意图，间接反映流经激光器的电流情况。

如图3(a)和图3(b)所示，在本次试验中，可以看到晶体管q1在雪崩击穿后，电流上升速度特别快，电流值也很大。此次应用的晶体管q1为s9013型号的晶体管，击穿瞬间电压在51v～53v范围内，随着电压增大，电流增加，目前所测，当脉宽10ns，频率4k时，脉冲电流最大可以达到50a。

另外，传统的窄脉冲大电流驱动电路一般以多个晶体管q1并联的方式输出脉冲驱动电流，这种输出方式很难控制多个晶体管q1的一致性，进而可能导致输出的脉冲驱动电流不稳定。与此不同的是，本实施例提供的驱动电路100可以只包括一个晶体管q1，如图3(b)所示，利用晶体管q1的雪崩击穿特性产生的脉冲驱动电流只有一个波峰，能够保证驱动电路100输出的脉冲驱动电流的稳定性。

因此，在本申请提供的驱动电路100为激光器ld提供窄脉宽的驱动脉冲的基础上，利用晶体管q1的雪崩击穿特性，能够进一步减小脉冲驱动的脉宽，以及增大脉冲驱动的电流。实验表明，本申请驱动电路100利用晶体管q1的雪崩击穿特性，驱动激光器ld的驱动信号的脉宽调制范围可缩小至8ns-18ns,相对其他窄脉宽电流驱动电路，输出的电流脉冲更小。

另外，驱动电路100的第三电压信号或者第四电压信号能够提供50v-80v的电压信号，相对同等脉宽电流驱动，电压算是比较小的(一般窄脉冲大电流驱动，晶体管q1的供电电压需达到100v～200v)。

基于上述驱动电路100，本申请还提出一种激光器装置1000。请参阅图4，图4是本申请提供的激光器装置一实施例的结构示意图。如图4所示，激光器装置1000可以包括上述的驱动电路100以及激光器200，其中驱动电路100为激光器200提供驱动信号。

综上，本申请提供的驱动电路100，一方面能够通过脉宽调制电路130对第一脉冲信号进行脉宽调制，以减小激光器ld的驱动信号的脉宽。另一方面，能够利用经脉宽调制、功率放大后的脉冲信号，即第三脉冲信号控制充放电电路150的晶体管q1的开闭，进而在晶体管q1截止时，第一电容c1进行充电，在晶体管q1导通时，第一电容c1放电以驱动激光器ld。

可以理解的是，此处所描述的具体仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“”意味着，结合描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的，也不是与其它互斥的独立的或备选的。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的可以与其它相结合。

以上仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。