1.一种基于氮化镓工艺集成电路的输出级电路，包括自举单元和图腾柱式输出单元，图腾柱式输出单元设有两个串联的n型氮化镓场效应晶体管m3和m4构成的图腾柱式结构，氮化镓场效应晶体管m4的漏极连接电源vdd，氮化镓场效应晶体管m4的源极连接氮化镓场效应晶体管m3的漏极并作为输出级的输出端out，氮化镓场效应晶体管m3的源极接地，氮化镓场效应晶体管m3的栅极连接控制信号in3，自举单元用于抬升图腾柱式输出单元中氮化镓场效应晶体管m4的驱动电压，氮化镓场效应晶体管m4的栅极连接自举单元的输出；
其特征在于：自举单元采用双支路结构，包括氮化镓场效应晶体管m1和m2，氮化镓阻性器件r1和r2，氮化镓工艺电容即自举电容c1和氮化镓二极管d1；氮化镓场效应晶体管m1的漏极连接氮化镓阻性器件r1的一端和氮化镓工艺电容c1的一端，氮化镓阻性器件r1的另一端连接电源vdd，氮化镓场效应晶体管m1的栅极连接控制信号in1，氮化镓场效应晶体管m1的源极接地，氮化镓场效应晶体管m2的源极接地，氮化镓场效应晶体管m2的栅极连接控制信号in2,氮化镓场效应晶体管m2的漏极连接氮化镓阻性器件r2的一端并作为自举单元的输出端连接图腾柱式输出单元中氮化镓场效应晶体管m4的栅极，氮化镓阻性器件r2的另一端连接氮化镓工艺电容c1的另一端和氮化镓二极管d1的负极，氮化镓二极管d1的正极连接电源vdd。
2.根据权利要求1所述的氮化镓工艺集成电路的输出级电路，其特征在于：所述氮化镓场效应晶体管m1、m2、m3和m4均为增强型氮化镓场效应晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的氮化镓工艺集成电路的输出级电路，其特征在于：所述控制信号in1、in2和in3均为来自前级的输出信号，为同相位信号且与自举单元的输出信号相位差180度。
4.根据权利要求1所述的氮化镓工艺集成电路的输出级电路，其特征在于：所述氮化镓阻性器件r1和r2包括氮化镓电阻、二极管连接方式的耗尽型或增强型氮化镓场效应晶体管、栅极固定电压偏置的耗尽型或增强型氮化镓场效应晶体管以及氮化镓工艺下的其它材料电阻包括金属膜电阻和多晶硅电阻。
5.一种氮化镓工艺集成电路的输出级电路的级联应用，其特征在于：将一个以上的氮化镓工艺集成电路的输出级电路级联，两个相邻的输出级电路之间设置级间耦合的加速管，加速管的栅极与前一级输出级电路中自举单元的输出端连接，加速管的漏极与后一级输出级电路中氮化镓二极管的负极连接，加速管的源极与后一级输出级电路中自举单元的输出端连接。
6.根据权利要求5所述的氮化镓工艺集成电路的输出级电路的级联应用，其特征在于：所述加速管采用氮化镓器件，包括耗尽型氮化镓场效应晶体管或增强型场效应晶体管。
7.根据权利要求5或6所述的氮化镓工艺集成电路的输出级电路的级联应用，其特征在于：所述级联电路中，加速管的尺寸逐级增加。
8.根据权利要求5所述的氮化镓工艺集成电路的输出级电路的级联应用，其特征在于：所述级联电路中，每一级输出级电路中的氮化镓工艺电容c1的值逐级增加。
9.根据权利要求5所述的氮化镓工艺集成电路的输出级电路的级联应用，其特征在于：所述级联电路中，每一级输出级电路中的图腾柱式输出单元中的增强型氮化镓场效应晶体管尺寸逐级增加。