包含阶梯结构的微电子装置及相关的存储器装置、电子系统及方法与流程

在各个实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更具体来说，本公开涉及微电子装置，及相关的电子系统及形成微电子装置的方法。

背景技术：

1、微电子产业的持续目标是增大存储器装置(例如非易失性存储器装置(例如，nand快闪存储器装置))的存储器密度(例如，每存储器裸片的存储器单元的数目)。增大非易失性存储器装置中的存储器密度的一个方式是利用垂直存储器阵列(还被称为“三维(3d)存储器阵列”)架构。常规垂直存储器阵列包含延伸穿过导电结构(例如，字线)的阶层中的开口的垂直存储器串及在垂直存储器串及导电结构的每一结处的电介质材料。与具有晶体管的常规平坦(例如，二维)布置的结构相比，此配置允许通过在裸片上向上地(例如，纵向地、垂直地)构建阵列而将更大数目个切换装置(例如，晶体管)定位于裸片区域(即，消耗的作用表面的长度及宽度)的单元中。

2、常规垂直存储器阵列包含导电结构与存取线(例如，字线)之间的电连接，使得可唯一地选定垂直存储器阵列中的存储器单元以用于写入、读取或擦除操作。形成此电连接的一个方法包含在导电结构的阶层的边缘(例如，水平端)处形成所谓的至少一个“楼梯(staircase)”(或“阶梯”)结构。楼梯结构包含提供导电结构的接触区的个别“阶状部”，可将导电接触结构定位于所述接触区上以提供对导电结构的电接取。

3、随着垂直存储器阵列技术进步，已通过形成垂直存储器阵列以包含导电结构的额外阶层及因此额外楼梯结构及/或与其相关联的个别楼梯结构中的额外阶状部而提供额外存储器密度。然而，增加堆叠结构的导电结构的阶层的数量(及因此楼梯结构的数量及/或个别楼梯结构中的阶状部的数量)而不非所要地增加堆叠结构的总宽度(例如，横向占用面积)可导致非所要复杂及拥塞路由路径以将导电结构电连接到存储器装置的额外组件(例如，串驱动器)。增大存储器密度的其它方法可包含减小垂直存储器阵列的横向占用面积(面积)。然而，减小垂直存储器阵列的横向占用面积受用来将导电结构电连接到存储器装置的额外组件(例如，串驱动器)的复杂且拥塞的布线路径阻碍。

技术实现思路

1、在一些实施例中，一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成阶层的导电结构及绝缘结构的垂直交替序列，所述堆叠结构经划分成通过狭槽结构而彼此分离的块结构；楼梯结构，其在所述堆叠结构内，所述楼梯结构具有包括所述阶层的水平边缘的阶状部；导电接触结构，其与所述楼梯结构的所述阶状部接触；支撑柱结构，其延伸穿过所述堆叠结构；及额外狭槽结构，其在所述块结构中的一者内部分地延伸穿过所述堆叠结构，所述额外狭槽结构中的一者在水平邻近的支撑柱结构之间延伸且与所述水平邻近的支撑柱结构中的额外者相比更靠近所述水平邻近的支撑柱结构中的一者而定位。

2、在其它实施例中，一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成阶层的交替的导电结构及绝缘结构；楼梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述阶层的水平端的阶状部；狭槽结构，其垂直延伸穿过所述堆叠结构且在第一水平方向上延伸；额外狭槽结构，其在第二水平方向上彼此邻近的狭槽结构之间沿所述第一水平方向延伸；及支撑柱结构，其垂直延伸穿过所述堆叠结构且经布置成行，所述支撑柱结构的所述行中的一者与所述额外狭槽结构中的一者至少部分地相交。

3、在又其它实施例中，一种存储器装置包括：堆叠结构，其包括布置成阶层的导电结构及绝缘结构的垂直交替序列，所述堆叠结构经划分成通过狭槽结构而彼此分离的块结构；存储器单元串，其垂直延伸穿过所述堆叠结构；额外狭槽结构，其在块结构的水平边界内且大体上平行于所述狭槽结构延伸，所述额外狭槽结构将所述块结构划分成子块结构，所述子块结构中的一或多者具有不同于其它子块结构中的一或多者的宽度；及支撑柱结构，其以行布置于所述子块结构中的每一者内。

4、在额外实施例中，一种电子系统包括：输入装置；输出装置；处理器装置，其可操作地耦合到所述输入装置及所述输出装置；及存储器装置，其可操作地耦合到所述处理器装置且包括至少一个微电子装置结构。所述至少一个微电子装置结构包括：楼梯结构，其在堆叠结构内且包括布置成阶层的导电结构及绝缘结构的垂直交替序列；支撑柱结构，其延伸穿过所述堆叠结构，所述支撑柱结构经布置成行、水平定位于第一狭槽结构之间；及第二狭槽结构，其至少部分地垂直延伸到所述堆叠结构中且至少部分地延伸到所述支撑柱结构行中的一者的支撑柱结构中。

技术特征：

1.一种微电子装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括水平邻近于所述楼梯结构的顶区，额外支撑柱结构经定位于所述顶区内。

3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中所述顶区内的所述额外支撑柱结构电耦合到导电接触件。

4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述支撑柱结构经布置成三行，支撑柱结构的每一行大体上平行于所述狭槽结构延伸。

5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中所述支撑柱结构的中心行与所述额外狭槽结构中的一者相交。

6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述导电接触结构与所述额外狭槽结构的水平邻近的额外狭槽结构大体上等距地水平隔开。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电接触结构中的每一者的中心经定位于水平邻近的支撑柱结构的水平边界内。

8.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述额外狭槽结构中的一者包括分段的额外狭槽结构。

9.一种微电子装置，其包括：

10.根据权利要求9所述的微电子装置，其中所述额外狭槽结构部分地垂直延伸到所述堆叠结构中。

11.根据权利要求9所述的微电子装置，其中所述额外狭槽结构中的一者经定位于支撑柱结构的水平邻近行之间，与另一行相比，所述额外狭槽结构中的所述一者更靠近所述支撑柱结构的所述行中的一者。

12.根据权利要求9所述的微电子装置，其中水平邻近的额外狭槽结构之间的距离小于所述狭槽结构中的一者与所述额外狭槽结构中的最近者之间的距离。

13.根据权利要求9所述的微电子装置，其中与所述额外狭槽结构中的所述一者至少部分地相交的所述支撑柱结构行的所述支撑柱结构各自个别地与导电接触件电连通。

14.根据权利要求9所述的微电子装置，其进一步包括与所述楼梯结构的所述阶状部电连通的导电接触结构，所述导电接触结构在所述第一水平方向上从所述支撑柱结构水平偏移。

15.根据权利要求14所述的微电子装置，其中所述导电接触结构包括在所述第二水平方向上彼此水平邻近且定位于水平邻近的狭槽结构之间的四个导电接触结构。

16.根据权利要求9到15中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括延伸穿过所述堆叠结构的存储器串。

17.一种存储器装置，其包括：

18.根据权利要求17所述的存储器装置，其中水平邻近于所述狭槽结构的子块结构具有比通过至少一个子块结构而与所述狭槽结构水平隔开的子块结构更大的宽度。

19.根据权利要求17所述的存储器装置，其中所述子块结构中的第一子块结构的支撑柱结构比通过所述额外狭槽结构的第一额外狭槽结构与所述第一子块结构隔开的所述子块结构中的第二子块结构的支撑柱结构更靠近所述第一额外狭槽结构而定位。

20.根据权利要求17到19中任一权利要求所述的存储器装置，其中所述额外狭槽结构部分地垂直延伸穿过所述堆叠结构。

21.一种电子系统，其包括：

22.根据权利要求21所述的电子系统，其进一步包括与所述支撑柱结构中的一些者电连通的导电接触件。

23.根据权利要求22所述的电子系统，其中与所述支撑柱结构中的所述一些者电连通的所述导电接触件展现比与所述支撑柱结构中的其它者电连通的其它导电接触件的水平尺寸更大的水平尺寸。

24.根据权利要求21所述的电子系统，其中所述第二狭槽结构包括分段的第二狭槽结构。

25.根据权利要求21所述的电子系统，其进一步包括水平邻近于所述第二狭槽结构的额外第二狭槽结构，所述额外第二狭槽结构至少部分地垂直延伸到所述堆叠结构中。

26.根据权利要求25所述的电子系统，其中所述额外第二狭槽结构各自水平邻近于所述支撑柱结构的所述行中的所述一者及所述支撑柱结构的所述行中的额外行，与所述导电柱结构的所述行中的所述一者相比，所述额外第二狭槽结构更靠近所述导电柱结构行中的所述额外行。

技术总结
一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成阶层的导电结构及绝缘结构的垂直交替序列，所述堆叠结构经划分成通过狭槽结构而彼此分离的块结构；楼梯结构，其在所述堆叠结构内，所述楼梯结构具有包括所述阶层的水平边缘的阶状部；导电接触结构，其与所述楼梯结构的所述阶状部接触；支撑柱结构，其延伸穿过所述堆叠结构；及额外狭槽结构，其在所述块结构中的一者内部分地延伸穿过所述堆叠结构，所述额外狭槽结构中的一者在水平邻近的支撑柱结构之间延伸且与所述水平邻近的支撑柱结构中的额外者相比更靠近所述水平邻近的支撑柱结构中的一者。还描述相关的微电子装置、存储器装置及电子系统。

技术研发人员：罗双强,B·D·洛
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14