电路板钻孔结构的制作方法

文档序号:32859358发布日期:2023-01-07 00:29阅读:26来源:国知局
电路板钻孔结构的制作方法

1.本实用新型涉及电路板制造领域,特别涉及一种电路板钻孔结构。


背景技术:

2.当电路板的板件板厚大于或等于6.0mm时,如果电路板的内层孔到线距离超过了加工能力,目前基本上有两种通用的做法:第一种,通过缩小钻孔孔径来满足内层孔到线距离能力,但缩小钻孔孔径,厚径比会大于20:1,会有孔无铜开路或孔铜不足风险;第二种,满足厚径比20:1要求(最小钻孔≥0.3mm),内层孔到线距离不满足制作能力,会导致内层短路报废,影响产品良率或无法制作。例如:板厚6.0mm的4层板,内层孔到线极限能力为4mil,当满足厚径比20:1要求时,内层孔到线只有2mil,业内无法制作。


技术实现要素:

3.本实用新型提供了一种电路板钻孔结构,以解决至少一个上述技术问题。
4.为解决上述问题,作为本实用新型的一个方面,提供了一种电路板钻孔结构,包括:多层电路板本体,所述多层电路板本体的厚度大于6毫米,所述多层电路板本体上形成有通孔,所述通孔包括由上至下依次连接的第一孔段、第二孔段和第三孔段,所述第二孔段对应于所述多层电路板本体的内铜层区域设置,所述第一孔段和第三孔段的直径为0.5m,所述第二孔段的直径为0.2mm。
5.优选地,所述第二孔段的孔到线距离为4mil。
6.优选地,所述第一孔段的残桩高度为0.15
±
0.1mm。
7.由于采用了上述技术方案,本实用新型在满足厚径比20:1的同时,可满足内层孔到线距离的性能参数要求,解决了厚径比大于20:1时,孔无铜开路或孔铜不足风险报废和内层孔到线距离超过加工能力时,内部短路报废的问题。
附图说明
8.图1示意性地示出了本实用新型的结构示意图。
9.图中附图标记:1、多层电路板本体;2、第一孔段;3、第二孔段;4、第三孔段;5、孔到线距离;6、残桩高度;7、铜层;8、粘结层。
具体实施方式
10.以下对本实用新型的实施例进行详细说明,但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
11.作为本实用新型的一个方面,提供了一种电路板钻孔结构,包括:多层电路板本体1,所述多层电路板本体1的厚度大于6毫米,所述多层电路板本体1上形成有通孔,所述通孔包括由上至下依次连接的第一孔段2、第二孔段3和第三孔段4,所述第二孔段3对应于所述多层电路板本体1的内铜层区域设置,所述第一孔段2和第三孔段4的直径为0.5m,所述第二
孔段3的直径为0.2mm。
12.优选地,所述第二孔段3的孔到线距离5为4mil。
13.优选地,所述第一孔段2的残桩高度6为0.15
±
0.1mm。
14.生产时,先在用0.2mm钻刀在压合后的多层电路板本体1(板厚≥6.0mm)上钻通孔,从而得到贯通的第二孔段3。然后,在0.2mm的第二孔段3上下两端采用背钻孔方式钻出0.5mm孔,从而得到第一孔段2和第三孔段4。
15.由于采用了上述技术方案,本实用新型在满足厚径比20:1的同时,可满足内层孔到线距离的性能参数要求,解决了厚径比大于20:1时,孔无铜开路或孔铜不足风险报废和内层孔到线距离超过加工能力时,内部短路报废的问题。
16.以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征:
1.一种电路板钻孔结构,其特征在于,包括:多层电路板本体(1),所述多层电路板本体(1)的厚度大于6毫米,所述多层电路板本体(1)上形成有通孔,所述通孔包括由上至下依次连接的第一孔段(2)、第二孔段(3)和第三孔段(4),所述第二孔段(3)对应于所述多层电路板本体(1)的内铜层区域设置,所述第一孔段(2)和第三孔段(4)的直径为0.5m,所述第二孔段(3)的直径为0.2mm。2.根据权利要求1所述的电路板钻孔结构,其特征在于,所述第二孔段(3)的孔到线距离为4mil。3.根据权利要求1所述的电路板钻孔结构,其特征在于,所述第一孔段(2)的残桩高度为0.15
±
0.1mm。

技术总结
本实用新型提供了一种电路板钻孔结构,包括:多层电路板本体,所述多层电路板本体的厚度大于6毫米,所述多层电路板本体上形成有通孔,所述通孔包括由上至下依次连接的第一孔段、第二孔段和第三孔段,所述第二孔段对应于所述多层电路板本体的内铜层区域设置,所述第一孔段和第三孔段的直径为0.5m,所述第二孔段的直径为0.2mm。本实用新型在满足厚径比20:1的同时,可满足内层孔到线距离的性能参数要求,解决了厚径比大于20:1时,孔无铜开路或孔铜不足风险报废和内层孔到线距离超过加工能力时,内部短路报废的问题。内部短路报废的问题。内部短路报废的问题。


技术研发人员:王志明 王一雄 潘涛 范勇军 李惠
受保护的技术使用者:深圳市迅捷兴科技股份有限公司
技术研发日:2022.07.25
技术公布日:2023/1/6
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