显示面板、显示设备及制作方法与流程

本发明涉及显示，尤其涉及一种显示面板、显示设备及制作方法。

背景技术：

1、随着电子技术的发展，显示面板在移动设备等终端上的使用越来越多，智能手机、平板电脑、穿戴设备等常用终端均离不开显示面板。而随着各类产品功能的完善，摄像单元、指纹感应单元等各类光感应部件的集成应用也越来越丰富

2、然而，显示面板显示区域的发光亮度需求与光感应部件的透光率需求对电极的工艺制备参数有着矛盾的要求。急需能兼顾显示质量和光感应部件灵敏度的方案。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的显示面板、显示设备及制作方法。

2、第一方面，提供一种显示面板，包括常规显示区和感应区，所述感应区为覆盖光感应部件的区域；还包括：

3、基板，以及依次设置在所述基板上的第一电极、发光层和第二电极；

4、其中，在所述感应区内，所述发光层的像素分为发光像素和透光像素，所述透光像素上覆盖的所述第二电极的厚度小于所述发光像素上覆盖的所述第二电极的厚度。

5、可选的，在所述感应区内，所述透光像素上覆盖有图案化结构，所述图案化结构采用金属互斥材料制备。

6、可选的，所述金属互斥材料包括胺、双胺或三胺类材料。

7、可选的，所述金属互斥材料与所述第二电极的材料的金属粘附率小于5％。

8、可选的，在所述感应区内：与所述发光像素对应的所述第一电极包括依次叠置的第一透明电极、反射金属和第二透明电极，所述反射金属能将所述发光像素发出的光反射从所述第二电极侧输出；与所述透光像素对应的所述第一电极包括依次叠置的第一透明电极和第二透明电极。

9、可选的，所述透光像素上覆盖的所述第二电极的厚度与所述发光像素上覆盖的所述第二电极的厚度的比值为0～5％。

10、可选的，所述透光像素的颜色类型与所述感应区内单色像素数量最多的像素的颜色类型相同。

11、可选的，所述感应区内的需补偿像素的面积大于所述常规显示区的对应像素的面积，所述对应像素为与所述需补偿像素颜色相同且像素排列位置一致的像素，所述需补偿像素为所述发光像素中与所述透光像素颜色相同的像素；和/或，所述感应区内的需补偿像素的驱动电流密度大于所述常规显示区的对应像素的驱动电流密度，所述对应像素为与所述需补偿像素颜色相同且像素排列位置一致的像素，所述需补偿像素为所述发光像素中与所述透光像素颜色相同的像素。

12、第二方面，提供一种显示面板的制作方法，包括：

13、提供基板；

14、在所述基板上依次形成第一电极、发光层和第二电极，其中，在所述显示面板的覆盖光感应部件的感应区内，所述发光层的像素分为发光像素和透光像素，其中，所述透光像素上覆盖的所述第二电极的厚度小于所述发光像素上覆盖的所述第二电极的厚度。

15、第三方面，提供一种显示设备，包括第一方面所述的显示面板及感光元件，所述感光元件在所述显示面板上的正投影与所述感应区至少部分交叠。

16、本发明实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

17、本发明实施例提供的显示面板、显示设备及制作方法，设置在显示面板覆盖光感应部件的感应区内，像素分为发光像素和透光像素。并设置透光像素上覆盖的第二电极的厚度小于发光像素上覆盖的第二电极的厚度，来提高透光像素区域的电极的光透过率。这样即不影响显示面板除感应区外的其他区域的像素发光亮度，也提高了感应区的光透过率，保证显示质量的同时兼顾了光感应部件的灵敏度和感应效果。

技术特征：

1.一种显示面板，包括常规显示区和感应区，所述感应区为覆盖光感应部件的区域；其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述金属互斥材料包括胺、双胺或三胺类材料。

4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于：所述金属互斥材料与所述第二电极的材料的金属粘附率小于5％。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述感应区内：

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

8.如权利要求1～7任一所述的显示面板，其特征在于，

9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

10.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的显示面板及感光元件，所述感光元件在所述显示面板上的正投影与所述感应区至少部分交叠。

技术总结
本发明公开了一种显示面板、显示设备及制作方法，该显示面板包括常规显示区和感应区，所述感应区为覆盖光感应部件的区域，还包括：基板，以及依次设置在所述基板上的第一电极、发光层和第二电极；其中，在所述感应区内，所述发光层的像素分为发光像素和透光像素，所述透光像素上覆盖的所述第二电极的厚度小于所述发光像素上覆盖的所述第二电极的厚度。通过本发明提供了一种兼顾显示质量和感应效果的显示面板。

技术研发人员：吴海东,杜小波,郑伟业
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14