多赫蒂放大电路的制作方法

本公开涉及多赫蒂(doherty)放大电路。

背景技术：

1、在专利文献1中记载了一种使峰值放大器的偏置点变化的多赫蒂放大电路。峰值放大器若使偏置点变化则能够控制增益。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2019/0149099号说明书

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、发射极接地放大器在偏置点变化时，输入阻抗、通过相位特性有时大幅变化。该发射极接地放大器的特性的变化有时对多赫蒂放大电路的载波放大器及峰值放大器的通过相位特性产生影响。在多赫蒂放大电路中，载波放大器及峰值放大器的通过相位特性的关系是重要的，期望载波放大器及峰值放大器的通过相位特性不变化。因此，多赫蒂放大电路有时由于上述的发射极接地放大器的特性的变化，结果可能得不到良好的特性(高频输出信号失真)。

3、另外，发射极接地放大器经常由偏置电路决定偏置点。通常使用的偏置电路需要高输入电压(晶体管的阈值电压(vbe)的大约两倍左右)，有时难以对该高输入电压的信号进一步附加用于使偏置点变化的信号。

4、本公开是鉴于上述而完成的，其目的在于，抑制特性的变化。

5、用于解决课题的手段

6、本公开的一方面的多赫蒂放大电路包括：载波放大器，其包括一个或多个放大器；以及峰值放大器，其包括一个或多个放大器。至少一个放大器包括：第一晶体管，该第一晶体管的基极或栅极被输入第一高频信号，从该第一晶体管的发射极或源极输出将第一高频信号放大后的第二高频信号；以及电流抽取电路，其从第一晶体管的发射极或源极抽取基于控制信号的电流。

7、发明效果

8、根据本公开，能够抑制特性的变化。

技术特征：

1.一种多赫蒂放大电路，包括：

2.根据权利要求1所述的多赫蒂放大电路，其中，

3.根据权利要求1或2所述的多赫蒂放大电路，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多赫蒂放大电路，其中，

技术总结
本发明提供一种多赫蒂放大电路，抑制特性的变化。多赫蒂放大电路包括：载波放大器，其包括一个或多个放大器；以及峰值放大器，其包括一个或多个放大器。至少一个放大器包括：第一晶体管，该第一晶体管的基极或栅极被输入第一高频信号，从该第一晶体管的发射极或源极输出将第一高频信号放大后的第二高频信号；以及电流抽取电路，其从第一晶体管的发射极或源极抽取基于控制信号的电流。

技术研发人员：今井翔平
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17