具有支撑层的半导体元件的制作方法

本公开内容关于一种半导体元件，特别是关于一种具有支撑层的半导体元件。

背景技术：

1、半导体元件运用于各种电子应用，譬如个人电脑、移动电话、数码相机及其他的电子装置。半导体元件的尺寸不断地缩小，以满足在计算能力方面日渐增加的需求。然而，在缩小尺寸的过程中遭遇各种问题，而且类似的问题不断地增加。因此，在实现提高品质、产量、性能、可靠性以及降低复杂性方面持续地存在挑战。

2、上文的“先前技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

1、本公开的一个方面提供一种半导体元件，包括多个漏极区，设置于一基底中；多个电容器插塞，设置于该多个漏极区上；多个下层电极，设置于该多个电容器插塞上，并分别包括一u形截面轮廓；一下部支撑层，设置于该基底之上，靠在该多个下层电极的一外表面上，并包括：多个第一开口，沿该下部支撑层设置，并在该多个下层电极之间；以及一上部支撑层，设置于下部支撑层之上，靠在该多个下层电极的该外表面上，并包括：多个第二开口，沿该上部支撑层设置，并与多个第一开口在态样上对齐。该上部支撑层的一顶部表面位于比该多个下层电极的一顶部表面低的垂直高度处。该多个下层电极在俯视图中呈圆形。多个第一开口的一宽度与该多个第二开口的一宽度实质上相同。

2、本公开的另一个方面提供一种半导体元件，包括多个漏极区，设置于一基底中；多个电容器插塞，设置于该多个漏极区上；多个下层电极，设置于该多个电容器插塞上，并分别包括一u形截面轮廓；一下部支撑层，设置于该基底之上，靠在该多个下层电极的一外表面上，并包括：多个第一开口，沿该下部支撑层设置，并在该多个下层电极之间；一上部支撑层，设置于该下部支撑层之上，靠在该多个下层电极的该外表面上，并包括：多个第二开口，沿该上部支撑层设置，并与该多个第一开口在态样上对齐；多个字元线结构，在该基底上；以及多个位元线结构，在该蚀刻终止层与该基底之间。该多个第一开口的一宽度与该多个第二开口的一宽度实质上相同。该多个下层电极的一顶部表面与该上部支撑层的一顶部表面实质上共面。

3、由于本公开的半导体元件的设计，多个第一开口及多个第二开口可以使用同一光罩形成。因此，半导体元件的制备成本可以降低。

4、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。

技术特征：

1.一半导体元件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，更包括一电容器介电层，共形地设置于该多个下层电极、该下部支撑层及该上部支撑层上。

3.如权利要求2所述的半导体元件，更包括一上层电极，设置于该电容器介电层上，其中该多个下层电极、该电容器介电层及该上层电极配置成多个电容器结构。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该下部支撑层与该上部支撑层包括相同的材料。

5.如权利要求3所述的半导体元件，其中该下部支撑层与该上部支撑层包括不同的材料。

6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该下部支撑层的一厚度与该上部支撑层的一厚度不同。

7.如权利要求5所述的半导体元件，其中该下部支撑层的一厚度与该上部支撑层的一厚度实质上相同。

8.如权利要求3所述的半导体元件，更包括一蚀刻停止层，设置于该下部支撑层之下并靠在该多个下层电极的该外表面上。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该蚀刻停止层与该下部支撑层包括相同的材料。

10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该蚀刻停止层与该下部支撑层包括不同的材料。

11.如权利要求8所述的半导体元件，其中该蚀刻停止层与该下部支撑层之间的一距离与该上部支撑层与该下部支撑层之间的一距离不同。

12.如权利要求8所述的半导体元件，其中该蚀刻停止层与该下部支撑层之间的一距离与该上部支撑层与该下部支撑层之间的一距离相同。

13.如权利要求8所述的半导体元件，更包括设置于该基底中的多个字元线结构，设置于该蚀刻停止层与该基底之间的多个位元线结构。

14.一种半导体元件，包括：

15.如权利要求14所述的半导体元件，更包括一电容器介电层及一上层电极；

16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该下部支撑层与该上部支撑层包括相同的材料，该下部支撑层的一厚度与该上部支撑层的一厚度不同。

17.如权利要求16所述的半导体元件，更包括设置于下部支撑层之下并靠在该多个下层电极的该外表面上的一蚀刻停止层，其中该蚀刻停止层与该下部支撑层之间的一距离与该上部支撑层与该下部支撑层之间的一距离不同。

技术总结
本申请公开一种半导体元件，包括多个漏极区，于基底中；多个电容器插塞，于多个漏极区上；多个下层电极，于多个电容器插塞上，并分别包括U形截面轮廓；下部支撑层，于基底之上，靠在多个下层电极的外表面上，并包括多个第一开口，沿下部支撑层，并在多个下层电极之间；以及上部支撑层，于下部支撑层之上，靠在多个下层电极的外表面上，并包括多个第二开口，沿上部支撑层，并与多个第一开口在态样上对齐。上部支撑层的顶部表面位于比多个下层电极的顶部表面低的垂直高度处。多个下层电极在俯视图中呈圆形。多个第一开口的宽度与多个第二开口的宽度实质上相同。

技术研发人员：周良宾
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11