一种拼接散热膜及采用其的手机设备的制作方法

文档序号:37467351发布日期:2024-03-28 18:50阅读:10来源:国知局
一种拼接散热膜及采用其的手机设备的制作方法

本技术涉及散热膜,更具体地说,本技术涉及一种拼接散热膜及采用其的手机设备。


背景技术:

1、导热石墨片是一种高导热材料,常用于电子设备中,以帮助散热并保持设备的稳定性能。在手机中,导热石墨片通常被放置在高温发热部件表面,或者用导热石墨片连接手机内的发热源和散热器件(散热器件可以是手机内的液冷管或手机后壳等),热量能够均匀传递,具有高热导率的石墨片利于释放和扩散高温发热部件所产生的热量,以帮助散热并保持手机设备的运行效率。

2、但是由于石墨的导电性能,会干扰手机的天线信号,所以在手机中石墨片所覆盖的区域面积只能用到70%左右,剩余的30%则没有石墨片覆盖,以避免干扰天线信号;如此一来,无法将石墨片最大面积的利用在手机内部,导致手机散热的局限性。

3、因此,有必要提出一种拼接散热膜及采用其的手机设备,以至少部分地解决现有技术中存在的问题。


技术实现思路

1、在
技术实现要素:
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型的实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

2、为至少部分地解决上述问题,本实用新型提供了一种拼接散热膜,包括:

3、石墨散热层,其上设有拼接口,所述拼接口的位置与设备内的天线所在位置相对应;

4、绝缘散热层,设置在石墨散热层的拼接口处,且与石墨散热层连接。

5、优选的是,所述绝缘散热层为碳化硼散热层。

6、优选的是,所述绝缘散热层为聚酰亚胺散热层。

7、优选的是,所述绝缘散热层为氧化铝散热层。

8、优选的是,所述石墨散热层和绝缘散热层通过粘结层连接。

9、优选的是,所述绝缘散热层的侧面与拼接口的侧面之间形成粘结缝,所述粘结缝处设有粘结层。

10、优选的是,所述石墨散热层和绝缘散热层拼接形成的散热膜层的上表面或下表面设有粘结层。

11、优选的是,所述石墨散热层靠近拼接口处的上表面和下表面分别设有第一槽口,所述绝缘散热层靠近拼接口处的上表面和下表面分别设有第二槽口,所述第一槽口和第二槽口形成粘结槽,所述粘结槽内设有粘结层。

12、优选的是,位于所述散热膜层上表面或下表面的粘结层的外表面设有离型膜层。

13、一种手机设备,包括上述拼接散热膜。

14、相比现有技术,本实用新型至少包括以下有益效果:

15、本实用新型所述的拼接散热膜及采用其的手机设备,能够保证天线信号不受干扰的同时,增加手机设备内部散热膜的面积,最大程度的提升了石墨散热层的导热散热面积,提升散热效果。

16、本实用新型所述的拼接散热膜及采用其的手机设备,本实用新型的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现,部分还将通过对本实用新型的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。



技术特征:

1.一种拼接散热膜,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的拼接散热膜,其特征在于,所述绝缘散热层(4)为碳化硼散热层。

3.根据权利要求1所述的拼接散热膜,其特征在于,所述绝缘散热层(4)为聚酰亚胺散热层。

4.根据权利要求1所述的拼接散热膜,其特征在于,所述绝缘散热层(4)为氧化铝散热层。

5.根据权利要求1所述的拼接散热膜,其特征在于,所述石墨散热层(1)和绝缘散热层(4)通过粘结层(5)连接。

6.根据权利要求5所述的拼接散热膜,其特征在于,所述绝缘散热层(4)的侧面与拼接口(2)的侧面之间形成粘结缝(6),所述粘结缝(6)处设有粘结层(5)。

7.根据权利要求5或6所述的拼接散热膜,其特征在于,所述石墨散热层(1)和绝缘散热层(4)拼接形成的散热膜层(10)的上表面或下表面设有粘结层(5)。

8.根据权利要求5或6所述的拼接散热膜,其特征在于,所述石墨散热层(1)靠近拼接口(2)处的上表面和下表面分别设有第一槽口(7),所述绝缘散热层(4)靠近拼接口(2)处的上表面和下表面分别设有第二槽口(8),所述第一槽口(7)和第二槽口(8)形成粘结槽(9),所述粘结槽(9)内设有粘结层(5)。

9.根据权利要求7所述的拼接散热膜,其特征在于,位于所述散热膜层(10)上表面或下表面的粘结层(5)的外表面设有离型膜层。

10.一种手机设备,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的拼接散热膜。


技术总结
本技术公开了一种拼接散热膜及采用其的手机设备,包括:石墨散热层,其上设有拼接口,所述拼接口的位置与设备内的天线所在位置相对应;绝缘散热层,设置在石墨散热层的拼接口处,且与石墨散热层连接。能够保证天线信号不受干扰的同时,增加手机设备内部散热膜的面积,最大程度的提升了石墨散热层的导热散热面积,提升散热效果。

技术研发人员:郭志军,宋晓晖,杨兰贺,王雷,陈仁政,宋海峰
受保护的技术使用者:苏州鸿凌达电子科技股份有限公司
技术研发日:20230816
技术公布日:2024/3/27
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