内进行各种变形。
[0041]例如，电容器组24只要具有电容值不同的多个MM电容器即可，因此电容器组24中所包含的MIM电容器的数量没有特别地限定。在电容器组24具有大于或等于3个MIM电容器的情况下，优选所有的MIM电容器的电容值彼此不同，但是也可以是仅电容器组24内的2个MM电容器的电容值彼此不同。此外，匹配用芯片16也可以不配置在晶体管芯片30的输入侧，而是配置在输出侧。匹配用芯片16的基板17不限于GaAs，也可以是由Si或者GaN等半导体形成。在晶体管芯片30中也可以形成除了多单元晶体管之外的晶体管。另夕卜，这些变形也能够应用在以下的实施方式涉及的放大器中。
[0042]对于以下的实施方式涉及的放大器，由于与实施方式I涉及的放大器10的共通点较多，因此以与放大器10的不同点为中心进行说明。
[0043]实施方式2
[0044]图5是本发明的实施方式2涉及的放大器100的俯视图。放大器100具有追加匹配用芯片102。从匹配用芯片16来看，追加匹配用芯片102配置在晶体管芯片30的相反侦U。即，追加匹配用芯片102设置在输入用馈通部14和匹配用芯片16之间。
[0045]追加匹配用芯片102具有基板104。基板104例如由GaAs等化合物半导体形成。追加匹配用芯片102具有在基板104上设置的追加电容器组106。追加电容器组106具有追加MM电容器108、110、112。追加电容器组106在基板104上设置有4组。
[0046]图6是追加MM电容器等的斜视图。追加MM电容器108、110、112分别具有:追加下部电极108a、110a、112a ;追加电介体108b、110b、112b ;以及追加上部电极108c、110c、112c。
[0047]追加电介体108b、110b、112b的厚度均等。即，追加电介体108b、110b、112b的厚度全部相同。追加电介体108b、110b、112b形成为比电介体18b、20b、22b厚。由于追加MM电容器108、110、112的长度不同，因此追加MIM电容器108、110、112的电容值不均等。即，追加MM电容器108、110、112的电容值彼此不同。另外，追加匹配用芯片102除了电介体的厚度之外，其余与匹配用芯片16为相同结构。
[0048]返回图5的说明。基板104形成有贯通电极114。贯通电极114的结构与贯通电极26的结构相同。因此，追加MM电容器108、110、112的追加下部电极接地。输入用馈通部14和追加MM电容器110的上部电极利用追加接合线116连接。并且，接合线42所连接的上部电极(MM电容器20的上部电极)与追加MM电容器110的追加上部电极利用追加接合线118连接。
[0049]图7是沿图5的VI1-VII虚线的剖面向视图。追加匹配用芯片102收容在壳体12中。而且，追加MM电容器110和MM电容器20与从输入用馈通部14输入的高频信号的传输路径分流连接。
[0050]在本发明的实施方式2涉及的放大器100中，将MIM电容器18、20、22的某I个、以及追加MM电容器108、110、112的某I个分流连接在高频信号的传输路径上。
[0051]分流连接的电容器能够通过改变追加接合线116、118以及接合线42的接合位置而容易地变更。因此，追加接合线118只要是将接合线42所连接的上部电极、以及追加电容器组106的某I个追加MM电容器的追加上部电极连接即可，没有特别地限定。例如，由于追加电容器组106只要具有电容值不同的多个追加MIM电容器即可，因此在追加电容器组106中所包含的追加MM电容器的数量没有特别的限定。在追加电容器组106具有大于或等于3个追加MIM电容器的情况下，优选所有的追加MIM电容器的电容值彼此不同，但是也可以是仅追加电容器组106内的2个MM电容器的电容值彼此不同。而且，通过向实施方式I的放大器10追加了追加匹配用芯片102，从而能够扩充分流连接的电容器的可选项，能够在较宽的频带内进行阻抗匹配。
[0052]另外，也可以是匹配用芯片16和追加匹配用芯片102利用I块芯片形成。但在该情况下，由于MIM电容器18、20、22和追加MIM电容器108、110、112利用同一个工艺形成，因此导致电介体的膜厚是共同的。因此，为了使MIM电容器18、20、22的电容值和追加MIM电容器108、110、112的电容值不同，需要使它们的面积不同。
[0053]因此，如放大器100那样，如果将匹配用芯片16和追加匹配用芯片102分别设置在不同基板上，则能够将匹配用芯片16和追加匹配用芯片102利用不同的工艺形成。在该情况下，不仅能够使电介体的面积不同，还能够使厚度不同，因此能够使电容值的改变范围增加。
[0054]放大器100由于电介体18b、20b、22b的厚度和追加电介体108b、110b、112b的厚度不同，因此能够将各个数值的电容与高频信号的传输路径分流连接。能够在不失去该特征的范围内进行各种变形。例如也可以是将电介体18b、20b、22b形成为比追加电介体108b、110b、112b 厚。
[0055]放大器100在晶体管芯片30的输入侧具有2个匹配用芯片(匹配用芯片16和追加匹配用芯片102)，但也可以在晶体管芯片30的输入侧设置大于或等于3个匹配用芯片。此外，也可以在晶体管芯片30的输入侧设置相同结构的多块匹配用芯片。例如也可以在晶体管芯片30的输入侧设置2块匹配用芯片16。
[0056]实施方式3
[0057]图8是本发明的实施方式3涉及的放大器200的俯视图。放大器200具有匹配用芯片202。在匹配用芯片202的基板204中形成有注入电阻206。在注入电阻206的一端连接有第I电极208。在注入电阻206的另一端连接有第2电极210。利用注入电阻206、第I电极208、以及第2电极210构成电阻部212。以与多单元晶体管的单元数相同的数量形成电阻部212。因此，电容器组24的数量与电阻部212的数量相等，在实施方式3中为4个。
[0058]图9是沿图8的IX-1X虚线的剖面向视图。上部电极20c和第I电极208利用第I导线214连接。第2电极210和晶体管芯片30 (的栅极电极34)利用第2导线216连接。如上所述，能够通过在MM电容器20和晶体管芯片30之间插入电阻部212，从而抑制不必要的振荡，使放大器200稳定化。另外，图10是图8的放大器200的电路图。
[0059]也可以是对至此为止所说明的各实施方式涉及的放大器的特征适当地组合使用。
【主权项】
1.一种放大器，其特征在于，具有: 晶体管芯片； 匹配用芯片，其具有电容器组，该电容器组具有多个由下部电极、电介体、以及上部电极形成的MIM电容器； 接合线，其将所述晶体管芯片与所述电容器组的某I个所述MM电容器的所述上部电极连接，且用于传输高频信号；以及 壳体，其收容所述晶体管芯片和所述匹配用芯片， 多个所述MIM电容器的所述下部电极接地， 所述电容器组的所述MM电容器的电容值彼此不同。
2.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，具有: 追加匹配用芯片，其具有追加电容器组，该追加电容器组具有多个由追加下部电极、追加电介体、以及追加上部电极形成的追加MM电容器；以及 追加接合线，其将所述接合线所连接的所述上部电极与所述追加电容器组的某I个所述追加MM电容器的所述追加上部电极连接，且用于传输高频信号， 所述追加匹配用芯片收容在所述壳体中， 多个所述追加MIM电容器的所述追加下部电极接地， 所述追加电容器组的所述追加MIM电容器的电容值彼此不同。
3.根据权利要求2所述的放大器，其特征在于， 所述电介体的厚度与所述追加电介体的厚度不同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的放大器，其特征在于，具有: 注入电阻，其形成于所述匹配用芯片； 第I电极，其与所述注入电阻的一端连接；以及 第2电极，其与所述注入电阻的另一端连接， 所述接合线具有: 第I导线，其将所述上部电极和所述第I电极连接；以及 第2导线，其将所述第2电极和所述晶体管芯片连接。
5.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于， 在所述晶体管芯片形成有多单元晶体管， 所述电容器组和所述接合线针对所述多单元晶体管的每个单元设置。
【专利摘要】本发明的目的是提供一种通用性高的放大器。本发明涉及的放大器的特征在于，具有：晶体管芯片(30)；匹配用芯片(16)，其具有电容器组(24)，该电容器组(24)具有多个由下部电极、电介体、以及上部电极形成的MIM电容器；接合线(42)，其将该晶体管芯片(30)与该电容器组(24)的某1个该MIM电容器的该上部电极连接，且用于传输高频信号；以及壳体(12)，其收容该晶体管芯片(30)和该匹配用芯片(16)，多个该MIM电容器的该下部电极接地，该电容器组(24)的该MIM电容器的电容值彼此不同。
【IPC分类】H03F1-56
【公开号】CN104601124
【申请号】CN201410601783
【发明人】三轮真一, 佐藤邦宏
【申请人】三菱电机株式会社
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年10月31日
【公告号】DE102014221621A1, US20150116040