配线基板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种配线基板，特别设及一种具有迁移（migration)抑制剂偏向于露 出表面附近的配线层的配线基板。
【背景技术】
[0002] 一直W来，在绝缘基板表面上配置有金属配线的配线基板被广泛用于电子构件或 半导体元件等中。构成金属配线的金属常使用导电性高的银、铜，但该些金属有容易产生离 子迁移的问题。
[0003] 作为防止此种金属的离子迁移的方法，已提出有在金属配线中导入既定的迁移抑 制剂的方法（专利文献1)。
[0004] 现有技术文献 [000引专利文献
[0006] 专利文献1 ;日本专利特开2012-99236号公报
【发明内容】
[0007] 发明要解决的课题
[000引近年来，由于半导体集成电路或巧片零件等的小型化，正在推进金属配线的微细 化。因此，配线基板中的金属配线的宽度及间隔变得更窄，而更容易产生由离子迁移所致的 电路的断线或导通。在此种状况下，要求配线基板中的金属配线间的绝缘可靠性进一步提 局。
[0009] 另外，就各种电路或零件的性能提高的方面而言，还要求金属配线的导电特性进 一步提局。
[0010] 在如专利文献1所列举般使用含有既定的迁移抑制剂的组合物来制作金属配 线的情形时，迁移抑制剂在金属细线中均匀地分散，若欲使金属配线间的绝缘可靠性提 高而在金属配线中含有大量的迁移抑制剂，则在金属配线内形成多个迁移抑制剂的区域 (domain)，结果金属配线的导电特性降低。
[0011] 另一方面，若考虑到金属配线的导电特性而减少金属配线内的迁移抑制剂的含 量，则虽然导电特性提高，但金属配线间的绝缘可靠性降低。
[0012] 如此，在现有技术中，配线层的导电特性与离子迁移抑制功能（换言之，配线层间 的绝缘可靠性）大多情况下存在取舍（trade-off)的关系，因而谋求W更高的水平实现两 者的技术。
[0013] 鉴于上述实际情况，本发明的目的在于提供一种配线层的导电特性及离子迁移抑 制功能优异的配线基板。
[0014] 解决问题的技术手段
[0015] 本发明人等人进行了努力研究，结果发现，通过控制配线层中的迁移抑制剂的分 布，可解决上述课题。
[0016] 即，本发明人等人发现，根据W下的构成可解决上述课题。
[0017] (1) -种配线基板，具有绝缘基板及配线层，该配线层包含配置于绝缘基板上的第 1金属层、及W覆盖第1金属层的不与绝缘基板接触的表面的方式配置的第2金属层，并且 第2金属层的厚度为配线层的总体厚度的1/10,配线层含有迁移抑制剂，第2金属层所含的 迁移抑制剂的质量Y大于第1金属层所含的迁移抑制剂的质量X。
[001引 似根据（1)所记载的配线基板，其中迁移抑制剂含有选自由后述通式（1A)~通 式（3A)所表示的化合物、后述通式化A)~通式巧A)所表示的化合物、饿化合物、错化合 物、儀化合物、氧化铺、后述通式（1)~通式（5)所表示的化合物、后述通式（22)所表示的 化合物、后述通式（23)所表示的化合物、及具有后述通式（24)所表示的基团与后述通式 (25)所表示的基团的化合物所组成的组群中的至少一种。
[0019] (3)根据（2)所记载的配线基板，其中通式（1)所表示的化合物为选自由后述通式 (6)~通式（21)所表示的化合物所组成的组群中的至少一种。
[0020] (4)根据（1)至做中任一项所记载的配线基板，其中配线层中的金属是选自由 金、银、铜及侣所组成的组群中。
[0021] (5)根据（1)至（4)中任一项所记载的配线基板，其中在绝缘基板上配置有侧面露 出的细线状的第1金属层，W覆盖第1金属层的包含侧面且不与绝缘基板接触的表面的方 式配置有第2金属层。
[0022] (6) -种带有绝缘层的配线基板，具有根据（1)至巧）中任一项所记载的配线基 板、及配置于配线基板的配线层上的绝缘层。
[002引 （7)根据（1)至妨中任一项所记载的配线基板，其是用于印刷配线基板。
[0024] 发明的效果
[0025] 根据本发明，可提供一种配线层的导电特性及离子迁移抑制功能优异的配线基 板。
【附图说明】
[0026] 图1为表示本发明的配线基板的第1实施形态的示意性剖面图。
[0027] 图2为表示本发明的配线基板的第2实施形态的示意性剖面图。
[002引图3为表示本发明的带有绝缘层的配线基板的实施形态的示意性剖面图。
[0029] 图4为用W对利用第1方法的配线层的形成加W说明的图。
[0030] 图5为用W对利用第2方法的配线层的形成加W说明的图。
【具体实施方式】
[0031] W下，对本发明的配线基板的优选形态加W说明。
[0032] 首先，对本发明的与现有技术相比较的特征加W详述。
[0033] 在本发明中，通过使迁移抑制剂更偏向于配线层的露出表面（不与绝缘基材接触 的表面）附近，能W更高的水平兼具通常处于取舍关系的配线层的导电特性与离子迁移抑 制功能两者。更具体而言，通过使大量的迁移抑制剂偏向于配线层的外侧露出表面附近，可 高效地抑制自配线层的露出表面附近析出至外侧的金属离子的扩散。另外，通过使大量的 迁移抑制剂偏向于配线层的外侧表面附近，可在配线层内部减少金属W外的杂质的量，结 果可在配线层内部形成导通路，实现优异的导电特性。
[0034] 继而，参照图式对本发明的配线基板的第1实施形态加W详述。
[0035] 图1表示配线基板的第1实施形态的示意性剖面图，配线基板10具备绝缘基板 12、及遍及绝缘基板12上的整个面而配置的配线层14。配线层14具有第1金属层14a及 第2金属层14b。
[0036] W下，对各构件（绝缘基板12、配线层14)加W详述。
[0037] [绝缘基板]
[003引绝缘基板12只要为绝缘性且可支撑配线层，则其种类并无特别限制。例如可使用 有机基板、陶瓷基板、玻璃基板等。
[0039] 另外，绝缘基板12也可为选自由有机基板、陶瓷基板及玻璃基板所组成的组群中 的至少两个基板层叠而成的构造。
[0040] 有机基板的材料可列举树脂，例如优选为使用热硬化性树脂、热塑性树脂或将该 些树脂混合而成的树脂。热硬化性树脂例如可列举；酪树脂、脈树脂、=聚氯胺树脂、醇酸树 月旨、丙締酸系树脂、不饱和聚醋树脂、邻苯二甲酸二締丙醋树脂、环氧树脂、娃酬树脂、快喃 树脂、酬树脂、二甲苯树脂、苯并环了締树脂等。热塑性树脂例如可列举；聚酷亚胺树脂、聚 苯離树脂、聚苯硫離树脂、芳族聚酷胺（polyaramid)树脂、液晶聚合物等。
[0041] 而且，有机基板的材料也可使用玻璃织布、玻璃不织布、芳族聚酷胺织布、芳族聚 酷胺不织布、芳香族聚酷胺织布或使该些布含浸上述树脂而成的材料等。
[0042] [配线层]
[0043] 配线层14为配置于绝缘基板12上的层，且作为导体部而发挥功能。
[0044] 配线层14 (换言之，第1金属层14a或第2金属层14b)主要是由金属所构成。金 属的种类并无特别限制，可根据用途来适当选择最适的金属。其中，就作为配线的功能的方 面而言，可列举银、铜、金、侣、镶或该些金属的合金等。
[0045] 在图1中，配线层14具有第1金属层14a、及配置于第1金属层14a上的第2金属 层14b。第2金属层14b覆盖第1金属层14a的不与绝缘基板12接触的表面。
[0046] 第2金属层14b的厚度T1相当于配线层14的总体厚度T2的1/10的厚度。换言 之，配线层14中的第2金属层14b相当于自配线层14的露出表面起至相当于配线层14的 总体厚度的1/10的深度位置为止的区域。