高频功率放大器及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种能够高效地进行高频老化试验的高频功率放大器及其制造方法。
【背景技术】
[0002]在高频老化试验中，使用能够对搭载于老化装置中的电应力进行调整的设备(DC电源、RF应力信号发生器、调谐器等RF负载调整设备)，向高频功率放大器的晶体管单元施加DC应力信号或RF应力信号。当前，向并联连接的多个晶体管单元同时施加应力信号，进行高频老化试验(例如，参照专利文献I)。
[0003]专利文献1:日本特开平01 - 173761号公报
[0004]与DC应力信号相比，施加RF应力信号能够在更广的动作区域中向晶体管单元施加应力，应力效果较大。但是，在使作为最终产品的高频功率放大器中所包含的多个晶体管单元同时动作而进行老化试验的情况下，必须以与个别的最终产品对应的频率和功率使其动作。特别是对于频率高、大功率的高频功率放大器，进行高频老化试验的装置价格高，装置的维护管理也困难。
【发明内容】
[0005]本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到一种能够高效地进行高频老化试验的高频功率放大器及其制造方法。
[0006]本发明所涉及的高频功率放大器，其特征在于，具有:半导体基板；多个晶体管单元，它们各自分离地设置在所述半导体基板上；以及多个测试用电极，它们与所述多个晶体管单元分别单独地连接，并从外部向每个所述晶体管单元独立地供给使对应的所述晶体管单元单独地动作的电气信号和电力。
[0007]发明的效果
[0008]在本发明中，设置有多个测试用电极，它们与多个晶体管单元分别单独地连接，并从外部向每个晶体管单元独立地供给使对应的晶体管单元单独地动作的电气信号和电力。因此，能够高效地进行高频老化试验。
【附图说明】
[0009]图1是表示本发明的实施方式I所涉及的高频功率放大器的俯视图。
[0010]图2是说明高频功率放大器的老化时的动作的图。
[0011]图3是表示本发明的实施方式2所涉及的高频功率放大器的俯视图。
[0012]图4是表示本发明的实施方式3所涉及的高频功率放大器的俯视图。
[0013]图5是表示本发明的实施方式4所涉及的高频功率放大器的俯视图。
[0014]标号的说明
[0015]I高频功率放大器，2半导体基板，3晶体管单元，4测试用电极，4a、4b、4c多个电极，7a、7b、7c负载电路，8a、8b、8c电阻，9黑体
【具体实施方式】
[0016]参照附图对本发明的实施方式所涉及的高频功率放大器及其制造方法进行说明。有时对相同或对应的结构要素标注相同的标号，并省略重复说明。
[0017]实施方式1.
[0018]图1是表示本发明的实施方式I所涉及的高频功率放大器的俯视图。在高频功率放大器I的半导体基板2上各自分离地设置有多个晶体管单元3。多个测试用电极4与多个晶体管单元3分别单独地连接。通过测试用电极4，从外部向每个晶体管单元3独立地供给使对应的晶体管单元3单独地动作的电气信号和电力。
[0019]对该高频功率放大器I的制造方法进行说明。首先，在半导体基板2上各自分离地形成多个晶体管单元3。然后，形成与多个晶体管单元3分别单独地连接的多个测试用电极4。
[0020]然后，在芯片(晶片)状态下，使RF探头5与多个测试用电极4中的I个进行接触，从外部向对应的晶体管单元3独立地供给电气信号(DC应力信号或RF应力信号)和电力，进行高频老化试验。此外，在RF探头5中设置有与RF应力信号对应的负载电路6。
[0021]图2是说明高频功率放大器的老化时的动作的图。在图中，点A是由DC应力信号产生的应力点。点B是由RF应力信号产生的应力范围。在高频老化试验中，通过施加点A所示的由DC应力信号产生的应力，或者，通过进一步施加点B所示的RF应力信号，从而使晶体管单元3的脆弱部位的劣化加速，对达到劣化的晶体管单元3进行检测。
[0022]在本实施方式中，设置有与多个晶体管单元3分别单独地连接的多个测试用电极4。因此，能够针对每个进行试验的晶体管单元3，自由地选择RF应力信号的频率和负载。因此，DC应力信号和RF应力信号能够设为在向I个晶体管单元3施加应力时所需最低限度的功率的信号，因此，能够不依赖最终产品的频率和功率，利用更小的功率的信号得到应力效果。另外，能够不依赖最终产品的频率和功率，将应力条件实现通用化。其结果，能够高效地进行高频老化试验。
[0023]实施方式2.
[0024]图3是表示本发明的实施方式2所涉及的高频功率放大器的俯视图。作为测试用电极4，多个电极4a、4b、4c与每个晶体管单元3连接。具有不同的负载的多个负载电路7a、7b,7c分别连接在晶体管3和多个电极4a、4b、4c之间。由此，在RF探测时，能够根据目的对应力的种类进行区分使用。例如，能够选择具有与RF应力信号的频率对应的负载的负载电路7a、7b、7c。另外，也能够通过负载电路7a、7b、7c的电阻值对晶体管单元3的偏置电压进行设定。
[0025]此外，作为RF应力信号，使用频率越高的信号，越能够将负载电路7a、7b、7c小型化。另外，在负载电路7a、7b、7c为电阻的情况下，通过以成为期望的DC偏压点的方式对其电阻值进行选择，从而能够不依赖外部的DC电源的功能而施加期望的DC应力信号。
[0026]实施方式3.
[0027]图4是表示本发明的实施方式3所涉及的高频功率放大器的俯视图。形成连接在晶体管单元3和对应的测试用电极4a、4b、4c之间的电阻8a、8b、8c。在高频老化试验中，在通过温度监视器对电阻8a、8b、8c的电阻值的变化进行测定的同时，调整电气信号的条件。由此，能够在试验中简单地对DC/RF应力信号的条件进行调整。
[0028]实施方式4.
[0029]图5是表示本发明的实施方式4所涉及的高频功率放大器的俯视图。形成向各晶体管单元3辐射红外线的黑体9。在高频老化试验中，在通过温度监视器对黑体的温度、即晶体管单元3的温度进行测定的同时，调整电气信号的条件。由此，能够在试验中简单地对DC/RF应力信号的条件进行调整。
【主权项】
1.一种高频功率放大器，其特征在于，具有: 半导体基板； 多个晶体管单元，它们各自分离地设置在所述半导体基板上；以及多个测试用电极，它们与所述多个晶体管单元分别单独地连接，并从外部向每个所述晶体管单元独立地供给使对应的所述晶体管单元单独地动作的电气信号和电力。
2.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于， 还具有负载电路，该负载电路连接在所述晶体管单元和对应的所述测试用电极之间。
3.根据权利要求2所述的高频功率放大器，其特征在于， 所述测试用电极设有多个电极， 所述负载电路具有多个负载电路，所述多个负载电路具有不同的负载，分别连接在所述晶体管单元和所述多个电极之间。
4.一种尚频功率放大器的制造方法，其特征在于，具有下述工序: 在半导体基板上，各自分离地形成多个晶体管单元； 形成与所述多个晶体管单元分别单独地连接的多个测试用电极；以及使用所述多个测试用电极中的I个，从外部向对应的所述晶体管单元独立地供给电气信号和电力，进行高频老化试验。
5.根据权利要求4所述的高频功率放大器的制造方法，其特征在于， 还具有形成连接在所述晶体管单元和对应的所述测试用电极之间的电阻的工序， 在所述高频老化试验中，在通过温度监视器对所述电阻的电阻值的变化进行测定的同时，调整所述电气信号的条件。
6.根据权利要求4所述的高频功率放大器的制造方法，其特征在于， 还具有形成向各晶体管单元辐射红外线的黑体的工序， 在所述高频老化试验中，在通过温度监视器对所述黑体的温度进行测定的同时，调整所述电气信号的条件。
【专利摘要】本发明得到一种能够高效地进行高频老化试验的高频功率放大器及其制造方法。在半导体基板(2)上各自分离地设置有多个晶体管单元(3)。多个测试用电极(4)与多个晶体管单元(3)分别单独地连接，并从外部向每个晶体管单元(3)独立地供给使对应的晶体管单元(3)单独地动作的电气信号和电力。由此，能够高效地进行高频老化试验。
【IPC分类】H03F3-20, H03F3-189
【公开号】CN104852696
【申请号】CN201510084662
【发明人】佐藤邦宏, 茶木伸, 山崎贵嗣, 吉冈贵章
【申请人】三菱电机株式会社
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年2月16日
【公告号】US20150236649