硅铁扁平化后的平均粒径50ym的磁性粉末（密度6. 9)为 38V〇l%，并且变更树脂的量以外，与实施例1同样，得到加压成形后的板厚为80ym的磁性 层。所得到的片材在IOOMHz的导磁率y'为25。
[0104] 与实施例1同样，将导电层和磁性层重叠得到总厚度为100ym的层叠片材。该层 叠片材的使用微带线的测定中，在500MHz的透过损失S21为2. 5dB、反射系数为-11. 2dB， 在3GHz的透过损失S21为lldB、反射系数为-14. 5dB，为优异的低通滤波特性。
[0105][实施例5]
[0106] 与实施例1同样，如下变更片材中的配合量，即：使导电性金属粉末（银粉末（大 崎工业株式会社制AG2500SS密度10. 5g/cm3))为lOVol%、导电性金属粉末（覆银铜粉末 (福田金属箔粉工业株式会社制CE-1110密度8. 9g/cm3))为25V〇l%、作为阻燃剂的多磷 酸三聚氰胺（三和化工公司制，MPP-A，密度1.8g/cm3)为20V〇1%和氢氧化镁（协和化学制 KISUMA5A，密度2. 4)为20V〇1 %，除此以外，与实施例1同样，从而得到加热压缩成形后的板 厚度为30ym的导电层。所得到的导电层的表面电阻为140Q/ 口。
[0107] 磁性层中，除了将实施例1的配合比例变更为软铁氧体粉末（户田工业株式会社 制，BSN-714(密度5. 1))为60V〇1%，并且变更树脂的量以外，与实施例1同样，从而得到加 压成形后的厚度为70ym的磁性层。
[0108] 与实施例1同样，将导电层和磁性层重叠得到总厚度为IOOym的层叠片材。所 得到的片材在IOOMHz的导磁率y'为4。该层叠片材的使用微带线的测定中，在500MHz 的透过损失S21为2. 7dB、反射系数为-9. 9dB，在3GHz的透过损失S21为13dB、反射系数 为-12. 8dB，为优异的低通滤波特性。
[0109][实施例6]
[0110] 与实施例1同样，如下变更片材中的配合量，即：树脂2(巴川制纸所制苯酚类 热固化树脂115B)中，导电性金属粉末（镍（东邦钛株式会社制NF40密度7. 8g/cm3)) 为40V〇1%、作为阻燃剂的多磷酸三聚氰胺（三和化工公司制，MPP-A，密度1.8g/cm3)为 10Vol%和氢氧化镁（协和化学制KISUM5A，密度2.4g/cm3)为20Vol%，除此以外与实施 例1同样，由此得到加热压缩成形后的厚度为25ym的导电层。所得到的导电层的表面电 阻为 108D/ 口。
[0111] 磁性层中，除了在实施例1的配合比例中，使用了树脂2(巴川制纸所制苯酚类热 硬化树脂115B)以外，与实施例4同样，得到加压成形后的板厚度为75ym的磁性层。
[0112] 与实施例1同样，将导电层和磁性层重叠得到总厚度为IOOym的层叠片材。所 得到的片材的IOOMHz的导磁率y'为25。该层叠片材的使用微带线的测定中，在500MHz 的透过损失S21为2. 9dB、反射系数为-9. 2dB，在3GHz的透过损失S21为18dB、反射系数 为-11. 3dB，为优异的低通滤波特性。
[0113][实施例7]
[0114] 在通过与实施例6相同的制造方法制作的磁性层（加压成形后的厚度为85ym) 上，将导电涂料（Plascoat株式会社制，合成树脂涂料（导电性）PolycalmPCS-KMnNi(含 镍粉末导电涂料））以喷雾S式涂敷得到厚15ym的导电层。表面电阻为IlOQ/□、磁性 层的IOOMHz的导磁率为25。使用微带线的测定中，在500MHz的透过损失S21为2. 8dB、反 射系数为-9. 3dB，在3GHz的透过损失S21为17dB、反射系数为-11. 7dB，为优异的低通滤波 特性。
[0115][实施例8]
[0116] 除了制作成不添加阻燃剂的导电层和磁性层以外，通过与上述实施例3相同的方 法得到层叠片材。将所得到的层叠片材的各项特性在表1中表示。
[0117][比较例1]
[0118] 与实施例1同样，形成单层的磁性层。磁性粉末为铁、铝、硅的重量比为 85 : 6 : 9,纵横比为15~20,密度为6. 9的扁平金属粉的平均粒径50ym和平均粒径 75ym的两种粉末以重量比2 : 1混合，得到溶剂干燥后的体积调整成为46V〇l%的膜厚为 125ym的片材。将所得到的片材以温度120°C、压力60MPa、加压时间2分钟的条件下加热 压缩成形，但由于厚度为115ym，因此在温度130°C、压力90MPa、加压时间5分钟的条件下 加热压缩成形，得到板厚度为IOOym的片材。所得到的片材的柔软性较低。另外，片材在 IOOMHz的导磁率y'为50。另外，为了高充填扁平状的磁性粉末，使单层的磁性层得到更 好的低通滤波特性，需要预先混合不同平均粒径的磁性体、提升成形温度和压力、延长加压 时间，加工复杂，因此不适于量产。
[0119] 该单层磁性片材的使用微带线的测定中，在500MHz的透过损失S21为3dB、反射系 数为-7. 9dB，在3GHz的透过损失S21为14dB、反射系数为-9. 8dB，在500MHz的反射系数较 大，因此是在信号频带中衰减成为问题的特性。
[0120] 比较例2中，除了导电性金属粉末（金粉末，大崎工业株式会社制AUP500密度 19. 3g/cm3)设为5Vol%以外，以与实施例1同样的配合比例得到片材。所得到的导电层的 表面电阻为9000D/ □的较高的值。该层叠片材的使用微带线的测定中，在500MHz的透过 损失S21为ldB，在3GHz为I. 5dB，作为低通滤波特性，在3GHz的透过损失为非常低的结果。
[0121] 比较例3~5与实施例2同样，使用表2的磁性粉，并按表1的配合制作片材。将 各项特性在表1中表示。
[0122] 在比较例3~5的片材中的层叠片材的使用微带线的透过损失测定中，不满足具 备S21在500MHz为3dB以下，且在3GHz为IOdB以上这两者的低通滤波特性，是有问题的 特性。
[0123][比较例6]
[0124] 测定与实施例5同样地制作的导电层片材单层，片材厚度为20ym、表面电阻为 140D/ □的片材的透过损失S21。结果是在500MHz的透过损失S21为3. 7dB、在3GHz的 S21为13. 5dB，在低频的500MHz的透过损失较大，传送信号减少。
[0125] [表1]
[0126]
【主权项】
1. 一种电磁波干扰抑制体，其特征在于： 在含有选自金、银、铜、镍的一种以上的金属导电性填料的导电层上，层叠有含有软磁 性粉末和树脂的磁性层，所述导电层的表面电阻为100~5000 Q/ 口。
2. 根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于： 所述导电层含有选自金、银、铜、镍的一种以上的金属导电性填料和树脂。
3. 根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于： 所述磁性层的IOOMHz的相对复数导磁率的实数部为3~45。
4. 根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于： 所述导电性填料的含量为15~40V〇1 %。
5. 根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于： 所述软磁性粉末为选自幾基铁、磁铁矿、尖晶石铁氧体、错娃铁的一种以上。
6. 根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于： 导电层的厚度为10~50 ym，磁性层的厚度为50~200 ym。
7. 根据权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于： 在厚度为100 Um以下的所述电磁波干扰抑制体的微带线中，在500MHz的透过损失为 3dB以下，反射系数为-9dB以下，在3GHz的透过系数为IOdB以上，反射系数为-9dB以下。
【专利摘要】本发明涉及电磁波干扰抑制体，其层叠有：含有金属导电性填料的、表面电阻为100～5000Ω/□的导电层；和磁性层，该磁性层混合磁性材料且100MHz的导磁率实数部μ'为3～45。本发明的电磁波干扰抑制片材适于电子设备的高密度安装，且在从低频至高频的较广的频带中具有附近电磁场的低通滤波特性。
【IPC分类】H05K9-00, H01F1-00, H01F1-22
【公开号】CN104854974
【申请号】CN201380065519
【发明人】山本一美
【申请人】户田工业株式会社
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2013年12月17日
【公告号】WO2014098065A1