通。低通滤波器对来自电阻分压组件204中的电压信号 进行平滑滤波，并输出近似直流的电压信号。该里，第一开关K1和第二开关K2可W是例如 CMOS开关。
[0034] 图2所示的系统通过电阻分压组件204中的电阻器R1、R2检测Vwu再结合T。^、 Td?。满计算，即可得到实际的输出电压值VauT。具体地，经由开关控制组件206的第一控制 组件端子VIN进入其中的过压保护模块的电压信号V?由等式（5)示出，图4所示的低通 滤波器的输出信号Vts胃由等式做得出。结合等式（4)-做，可得到等式（7)示出的V。 sense与V〇uT之间的关系。
[00測当V。sense高于预定的参考电压Vkef(即，
时，图2所示 的系统即可W识别出输出电压VauT发生了过压情况，因此开关控制组件206控制第S控制 组件端子GATE的输出，使系统功率开关M0SFET截止（关闭），立即切断向电流输出组件208 的输出端的能量传输，从而实现了高精度的过压保护。
[0039] 图5是根据本发明另一实施例的用于向一个或多个发光二极管提供输出电流的 系统的电路图。如图5所示，用于向一个或多个发光二极管提供输出电流的系统500与图 2所示的系统电路基本相同，除了W下两点W外；1)电阻分压组件504的第一分压组件端 子504-1连接到电流输出组件508中的系统功率开关M0SFET的漏极，而非交流整流组件 502的第S整流组件端子502-3 ;2)开关控制组件506除了包括过压保护模块、脉冲宽度调 审IJ(PWM)信号生成模块、逻辑控制模块、栅极驱动模块、退磁检测模块、W及电流感测模块 W外，还包括采样脉冲模块。
[0040] 在本实施例中，如图5所示，过压保护模炔基于来自电阻分压组件504的电压信 号、来自退磁检测模块的退磁信号、来自采样脉冲模块的采样脉冲信号、W及来自逻辑控制 模块的控制信号生成过压保护信号，退磁检测模炔基于与电流输出组件508中的电感器L1 的退磁情况相关的电流或电压信号生成退磁信号，采样脉冲模炔基于退磁信号生成高电平 的持续时间小于退磁信号的高电平的持续时间的采样脉冲信号，电流感测模炔基于通过电 流输出组件508中的感测电阻器RS得到的感测电流生成感测信号，PWM信号生成模炔基于 退磁信号和感测信号生成初始调制信号，逻辑控制模炔基于初始调制信号和过压保护信号 进行逻辑运算生成控制信号，栅极驱动模炔基于控制信号生成驱动信号用W控制电流输出 组件508中的系统功率开关M0SFET的导通与截止。电流输出组件508中的系统功率开关 M0SFET在处于正常工作状态时，其截止与导通由初始调制信号（PWM)控制，W控制并调节 流过一个或多个发光二极管的电流。
[0041] 在图5所示的系统电路中，当电流输出组件508中的系统功率开关M0S阳T导通 时，该系统功率开关M0SFET的漏极处的电压V。接近于零；当电流输出组件508中的系统功 率开关M0SFET截止时，该系统功率开关M0SFET的漏极处的电压V。接近于由交流整流组件 502对交流输入电压Vac进行整流得到的直流电压Vbuu(Vd=Vbuik+VDi，Vdi是电流输出组件 508中的二极管D1的正向导通电压，例如，约为IV)。
[0042] 图6是图5所示的系统电路中的工作波形图。在图6中，PWM_G波形为PWM信号 生成模块后的逻辑控制模块的输出波形，GATE波形为栅极驱动模块（即，开关控制组件506 的第二控制组件端子GATE)的输出波形，形为流过电感器L1的电流波形，VD波形为系 统功率开关M0SFET的漏极处的电压波形，Demag波形为退磁检测模块的输出波形，SP波形 为采样脉冲模块的输出波形。I*为系统功率开关M0SFET处于导通状态的持续时间，TWP为 系统功率开关M0SFET处于截止状态的持续时间，Tpemw为电感器L1的退磁时间，且TDema/J、 于Twp。采样脉冲模块输出的采样脉冲信号SP处于高电平的持续时间Tsp小于电感器L1 的退磁时间Td。。。,.，W确保采样在退磁时间段内结束。
[0043] 图7是图5所示的系统电路中的过压保护（0VP)模块的电路图。如图7所示，过 压保护模块包括第一开关K0、电容器C0、缓冲器、第二开关K1、第=开关K2、低通滤波器、W 及比较器。其中，第一开关K0连接在电阻分压组件504的第=分压组件端子504-3与缓冲 器的第一缓冲器端子之间，电容器C0连接在缓冲器的第一缓冲器端子与地之间，缓冲器还 包括第二缓冲器端子，第二开关K1连接在缓冲器的第二缓冲器端子与低通滤波器的第一 滤波器端子之间，第=开关K2连接在低通滤波器的第一滤波器端子与地之间，低通滤波器 还包括第二滤波器端子，第二滤波器端子与比较器的第一比较器端子连接，比较器还包括 第二比较器端子，第二比较器端子向逻辑控制模块提供过压保护信号。
[0044] 在图7所示的过压保护模块中，从电流输出组件508中的系统功率开关M0SFET截 止到电感器L1退磁结束之前的时间段内提供给第一开关K0的采样脉冲信号SP为高电平， 电流输出组件508中的系统功率开关M0SFET的漏极处的电压V。经过电阻分压组件504中 的电阻器R1、R2的分压生成的电压信号被采样至电容器C0;在采样脉冲信号SP为低电平 时，电容器C0的电压被保持。该里，缓冲器可W是例如模拟电压跟随器。
[0045] 另外，当PWM_G为高电平、电流输出组件508中的系统功率开关M0S阳T导通期间， 第二开关K1导通，缓冲器的输出连接至低通滤波器的输入。在电流输出组件508中的系统 功率开关M0S阳T截止至电感器L1退磁结束期间，第二开关K1截止，第S开关K2导通，地 信号被输入至低通滤波器。在其它时间段内，第二开关K1和第=开关K2均不导通。低通 滤波器对输入到其的信号进行平滑滤波，并输出近似直流的电压信号。第一开关K0、第二开 关K1、和第S开关K2可W是例如CMOS开关。
[0046] 图5所示的系统通过电阻分压组件504中的电阻器R1、R2检测Vd(在电流输出组 件508中的电感器L1退磁期间，Vd=Vbuik+VDi，近似为Vbuik)再结合Tow、Td。。。,等计算，即可 得到实际的输出电压VauT。该里，由低通滤波器输出的VtSEWSE近似为等式巧）：
[0047]
[004引当V。SEWSE高于预定的参考电压VKEP(即
时，图5所 示的系统即可W识别出输出电压VauT发生了过压情况，因此开关控制组件506控制第S控 制组件端子GATE的输出，使系统功率开关M0SFET截止（关闭），立即切断向电流输出组件 508的输出端的能量传输，从而实现了高精度的过压保护。
[0049] 本领域技术人员将理解，还存在可用于实现本发明实施例的更多可选实施方式和 改进方式，并且上述实施方式和示例仅是一个或多个实施例的说明。因此，本发明的范围仅 由所附权利要求书限制。
【主权项】
1. 一种用于向一个或多个发光二极管提供输出电流的系统，包括： 开关控制组件，被配置为根据与调制信号、退磁信号、以及参考信号相关联的信息生成 控制信号，并利用所述控制信号来控制系统功率开关的截止与导通，其中 所述系统功率开关被连接到二极管的第一二极管端子和电感器的第一电感器端子，所 述二极管还包括第二二极管端子，所述电感