线圈10的第二端相连。
[0029]如图3所示，电磁能量转换电路20还可包括第四电容C4和第五电容C5。第一IGBT20的漏极通过第四电容C4与电磁线圈10的第二端相连，第二 IGBT102的源极通过第五电容C5与电磁线圈10的第二端相连。即第四电容C4的第一端与第一 IGBT101的漏极相连，第四电容C4的第二端与第五电容C5的第一端相连,第五电容C5的第二端与第二IGBT102的源极相连，并且，第四电容C4与第五电容C5之间具有第二节点，第二节点与电磁线圈10的第二端相连，电流采样电路40可采样第一节点与电磁线圈10的第一端之间的电流。其中，第四电容C4和第五电容C5为谐振电容。
[0030]根据本发明的一个实施例，如图2所示，检测电路40包括:电流互感器401和整形器402。电流互感器401根据电磁线圈10的电流感应生成对应的检测电流；整形器402与电流互感器401相连，整形器402对检测电流进行整形。其中，电流互感器401可以为高频电流互感器，检测电流为交流形式。
[0031]也就是说，电流互感器401用于采样电磁线圈10的电流，并将电磁线圈10的电流按预设电流比转换为对应的检测电流，即检测电流等于电磁线圈10的电流乘以预设电流t匕，之后，电流互感器401将检测电流发送给整形器402，整形器402对检测电流的波形进行整形处理，包括将交流电流形式的检测电流转化成交流电压，再将交流电压转化成直流电压。
[0032]具体地，根据本发明的一个实施例，如图3所示，整形器402包括:第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容Cl、第二电容C2、第三电阻R3、第一二极管Dl和第二二极管D2。第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3为负载电阻，第一电容Cl和第二电容C2为滤波电容，
第一二极管Dl和第二二极管D2为整流二极管。
[0033]其中，第一电阻Rl的第一端与电流互感器401的第一端相连,第一电阻Rl的第二端接地；第二电阻R2的第一端与电流互感器401的第二端相连，第二电阻R2的第二端接地；第一电容Cl和第二电容C2分别与第一电阻Rl和第二电阻R2并联，即第一电容Cl的第一端与第一电阻Rl的第一端相连，第一电容Cl的第二端与第一电阻Rl的第二端相连，第二电容C2的第一端与第二电阻R2的第一端相连，第二电容C2的第二端与第二电阻R2的第二端相连；第三电阻R3的第一端接地，第三电阻R3的第二端与整形器402的输出端相连；第一二极管Dl和第二二极管D2的阳极分别与电流互感器401的第一端和第二端相连，第一二极管Dl和第二二极管D2的阴极与整形器402的输出端相连，即第一二极管Dl的阴极与整形器402的第一输出端OUTl相连，第二二极管D2的阴极与整形器402的第二输出端0UT2相连。
[0034]也就是说，电流互感器401输出检测电流至整形器402，整形器402中的第一电阻Rl和第二电阻R2将交流电流形式的检测电流转化成交流电压，交流电压经第一二极管Dl和第二二极管D2后由交流电压转化成直流电压。
[0035]具体地，根据本发明的一个实施例，如图3所示，过流检测电路50包括:第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和比较器CMP。
[0036]其中，第四电阻R4的第一端与电流采样电路40，即与整形器402的第一输出端OUTl相连；第五电阻R5的第一端接地,第五电阻R5的第二端与第六电阻R6的第一端相连，第五电阻R5和第六电阻R6之间具有节点X ;比较器CMP的第一输入端即反相输入端与第四电阻R4的第二端相连，比较器CMP的第二输入端即正相输入端与节点X相连，比较器CMP的输出端与控制器60和第六电阻R6的第二端相连。
[0037]如图3所示，控制器60可以为单片机，比较器CMP的输出端与单片机的INT引脚相连，当单片机INT引脚为高电平时，对PWM控制信号的输出没有影响，向驱动电路30输出PWM控制信号；当单片机INT引脚为低电平时，触发单片机的INT引脚中断，单片机内部通过硬件或软件控制的方式快速关断PWM控制信号的输出，即停止向驱动电路30输出PffM控制信号。
[0038]具体地，根据本发明的一个实施例，如图3所示，过流保护电路50还包括:第七电阻R7和第八电阻R8。其中，第七电阻R7的第一端与节点X相连，第七电阻R7的第二端与电源VCC相连，第八电阻R8的第一端与电源VCC相连，第八电阻R8的第二端与比较器CMP的输出端相连。电源VCC可以为+5V的直流电源。
[0039]其中，第四电阻R4为限流电阻，第五电阻R5和第七电阻R7为比较器CMP正相输入端的预设电压的取样电阻，第六电阻R6为迟滞触发电阻，第八电阻R8为上拉电阻。
[0040]具体地，根据本发明的一个实施例，如图3所示，过流检测电路50还包括:第三二极管D3。第三二极管D3的阳极与比较器CMP的第一输入端相连，第三二极管D3的阴极与电源VCC相连。其中，第三二极管D3为限压二极管。
[0041]也就是说，整形器402对检测电流的波形进行整形后，将整形后得到的直流电压输出给比较器CMP的反相输入端，该直流电压与比较器CMP的正相输入端的预设电压进行比较，如果直流电压小于预设电压，则比较器CMP的输出端输出高电平信号至单片机的INT引脚，单片机INT引脚为高电平，对PffM控制信号的输出没有影响；如果直流电压大于预设电压，则比较器CMP的输出端输出低电平信号至单片机的INT引脚，单片机INT引脚为低电平，触发单片机的INT引脚中断，单片机内部通过硬件或软件控制的方式快速关断PffM控制信号的输出。其中，比较器CMP的正相输入端的预设电压可由预设电流即IGBT正常工作时的最大电流值决定，即在电磁线圈10的电流等于预设电流值时，比较器CMP的反相输入端的直流电压等于比较器CMP的正相输入端的预设电压。具体地，如图3所示，可通过设定第五电阻R5和第七电阻R7的阻值设定预设电压。
[0042]由此，当电磁线圈10的电流异常增大时，电流互感器401感应电流生成的检测电流将增大，整形器402输出到比较器CMP反相输入端的直流电压也将增大。由此，随着电磁线圈10的电流的增大，当电磁线圈10的电流大于预设电流值时，比较器CMP反相输入端的直流电压也随之大于比较器CMP正相输入端的预设电压，比较器CMP的输出端输出低电平信号至单片机的INT引脚，触发单片机的INT引脚中断，单片机内部通过硬件或软件控制的方式快速关断PWM控制信号的输出，从而能够保护功率开关单元例如IGBT，防止功率开关单元例如IGBT因过流引起损坏。而当电磁线圈10的电流小于预设电流值时，比较器CMP反相输入端的直流电压也小于比较器CMP正相输入端的预设电压，比较器CMP的输出端将输出高电平信号至单片机的INT引脚，正常输出PWM控制信号至驱动电路30。
[0043]根据本发明的一个实施例，如图2和图3所示，控制器60与整形器402相连，控制器60根据检测电流生成控制信号。
[0044]也就是说，整形器402对检测电流波形进行整形后，在将整形后得到的直流电压输出给过流保护电路50的同时，还将直流电压输出给控制器60，由于该直流电压大小反映输出功率的大小，控制器60将根据该直流电压生成PffM控制信号以控制烹饪设备的输出功率，其中，需要说明的是，当输出功率增大时，直流电压随之增大；当输出功率减小时，直流电压随之减小。
[0045]具体地，如图3所示，整形器402的第二输出端0UT2与单片机的ADC引脚，整形器402将直流电压输出给单片机后，单片机首先对直流电压进行模数转换，将模拟电压信号转换为数字电压信号，单片机再根据转换后的直流电压生成PWM控制信号。
[0046]进一步地，根据本发明的一个实施例，如图2和图3所示，具备过流保护功能的烹饪设备还包括:滤波电路70。其中，滤波电路70连接在控制器60和整形器402之间。
[0047]也就是说，滤波电路70用于对整形器402输出的直流电压进行滤波处理以获得较平直的直流电压，然后，滤波电路70将较平直的直流电压输出给控制器60，控制器60对较平直的直流电压进行模式转换。
[0048]具体地，根据本发明的一个实施例，如图3所示，滤波电路70包括:第九电阻R9和第三电容C3。第九电阻R9的第一端与整形器402的输出端相连，第九电阻R9的第二端与控制器60相连，即第九电阻R9的第一端与整形器402的第二输出端0UT2相连，第九电阻R9的第二端与单片机的ADC引脚相连；第三电容C3的第一端与第九电阻R9的第二端相连，第三电容C3的第二端接地。
[0049]也就是说，滤波电路70可为RC滤波电路，整形器402输出的直流电压经RC滤波后转换为较平直的直流电压，输出给控制器60。
[0050]总的来说，电流互感器401将电磁线