)的电阻值来调整。
[0083]首先，整流电压Vcc达到设定电压Vth31之前，整流电压Vcc尚未达到设定电压Vth31，所以第I及第2发光二极管单元(51，52)皆保持关闭状态，第I及第2发光二极管单元(51，52)成熄灭状态。
[0084]因此，施加在电阻(R311，R321)的电压增加或减小，晶体管(T311，T321)保持关闭状态，由此，晶体管(Τ312，Τ322)保持开启状态。
[0085]如此，随着晶体管(Τ312，Τ322)开启，形成如开启的晶体管Τ312-第2发光二极管单元52-第2恒电流单元22 —样的闭合回路，并形成如第I发光二极管单元51-开启的晶体管Τ322-第2发光二极管单元52-第2恒电流单元22 —样的闭合回路，第I及第2发光二极管单元(51，52)形成相互并联连接状态。
[0086]如此，第I及第2发光二极管单元(51，52)保持并联连接状态时，整流电压Vcc尚未达到设定电压Vth31，所以第I及第2发光二极管单元(51，52)皆保持关闭状态。
[0087]因此，第I及第2发光二极管单元(51，52)皆为熄灭状态，通过第I及第2发光二极管单元(51，52)流过的电流也不存在[图6(c)的Pl区间]。
[0088]接着，如上所述，第I及第2发光二极管单元(51，52)保持并联连接状态的时候，整流电压Vcc达到设定电压Vth31时，整流电压Vcc的大小达到各发光二极管单元(51，52)正向阈值电压的状态，各发光二极管单元(51，52)被开启，第I及第2发光二极管单元(51，52)皆点亮。
[0089]由这种第I及第2发光二极管单元(51，52)的点亮操作，在电阻(R311，R321)两端施加的电压减少或增加，晶体管(T311、T321)从关闭状态转换成开启状态，由此，晶体管(T312, T322)从开启状态转换成关闭状态。
[0090]由晶体管(T312、T322)的关闭操作，形成第I发光二极管单元51-逆电流防止单元40的二极管D41-第2发光二极管单元52-第2恒电流单元22的闭合回路，第I及第2发光二极管单元(51，52)成为相互串联连接状态。
[0091]如此，第I及第2发光二极管单元(51，52)从并联连接转成串联连接状态时，用于点亮串联连接的所有发光二极管(511-51n，521-52n)的驱动电压需要总和各发光二极管单元(51，52)正向阈值电压的总正向阈值电压Vth3。
[0092]然而，目前整流电压Vcc尚未达到总正向阈值电压Vth3的状态，但是保持点亮状态的第I及第2发光二极管单元(51,52)分别保持饱和状态(saturat1n state)不会熄灭继续保持点亮状态。
[0093]可是，在电阻(R311，R321)两端施加的电压大小改变，晶体管(T311，T321)再转成关闭状态，晶体管(Τ312，Τ322)转成开启状态。
[0094]如此，晶体管(Τ312，Τ322)保持开启状态时，如上所述，形成两个闭合回路，第I及第2发光二极管单元(51，52)再形成并联连接状态，由此，第I及第2发光二极管单元(51，52)再稳定地转成点亮状态。
[0095]由于第I及第2发光二极管单元(51，52)的并联连接状态，各第I及第2发光二极管单元(51，52)的发光二极管(D511-D51n，D521_D52n)皆开启，形成第I及第2发光二极管单元(51，52)上的电流消耗，如上所述，晶体管(T311，T321)再转换成开启状态，晶体管(T312，T322)再转换成关闭状态，第I及第2发光二极管单元(51，52)的连接状态再形成串联连接状态。如上所述，在串联连接状态也保持第I及第2发光二极管单元(51，52)的点売状态。
[0096]如此，整流电压Vcc的大小在设定电压Vth31以上，小于总正向阈值电压Vth3时，根据第I及第2电流检测单元(31，32)的操作，第I及第2发光二极管单元(51，52)轮流保持并联连接状态和串联状态，流过第I及第2发光二极管单元(51，52)的电流122保持驱动各发光二极管单元(51,52)的大小,并保持点亮状态。
[0097]因此，在正向阈值电压Vth31彡整流电压Vcc〈总正向阈值电压Vth3中，流过第I及第2发光二极管单元(51，52)的电流波形保持如图6(c)的P2区间一样的状态。
[0098]如此，即使整流电压Vcc尚未达到总正向阈值电压Vth3，将第I及第2发光二极管单元(51，52)的连接状态控制在并联连接状态，点亮第I及第2发光二极管单元(51，52)。
[0099]由此，增加第I及第2发光二极管单元(51，52)的发光时间，改善第I及第2发光二极管单元(51，52)的发光量和总谐波失真，并提高功率因数(power factor)。
[0100]接着，增加整流电压Vcc达到正向阈值电压Vth3时，整流电压Vcc是第I发光二极管单元51和第2发光二极管单元52的总正向阈值电压Vth3，因此串联连接的第I发光二极管单元51和第2发光二极管单元52的所有发光二极管(LED511-LED51n，LED521-LED52n)被开启，第I及第2发光二极管单元(51，52)在串联连接状态下点亮。
[0101]因此，在总正向阈值电压Vth3彡整流电压Vcc的区间，第I及第2电流检测单元(31,32)的晶体管(T311，T321)保持开启状态，晶体管(Τ312，Τ322)保持关闭状态，第I及第2发光二极管单元(51，52)保持串联连接状态，第I发光二极管单元51及第2发光二极管单元52也保持点亮状态[参照图6 (c)的Ρ3区间]。
[0102]此时，第I及第2发光二极管单元(51，52)保持串联连接状态下的点亮状态，因此流过第I及第2发光二极管单元(51，52)的电流大小比电流122大。
[0103]在这种状态下，由于整流电压Vcc的增加，流过第I及第2 二极管单元(5152)的电流大小超过由第I及第2恒电流单元(21，22)的电阻(R212，R222)决定的设定电流121时，第I及第2恒电流单元(21，22)中至少一个会进行操作。
[0104]所以，整流电压Vcc的大小超过对应设定电流121的电压(例如，Vth3时，第I及第2恒电流单元(21，22)中至少一个的晶体管(T212，T222)从关闭状态转换成开启状态，相反的晶体管(T211，T221)从开启状态转换成关闭状态。
[0105]由此，整流电压Vcc是通过相应恒电流单元(21，22)的电阻(R211，R221)和晶体管(Τ212，Τ221)对第I及第2电流检测单元(31，32)施加，使得对第I及第2电流检测单元(31，32)施加不超过设定大小121)的恒电流。
[0106]此时，第I及第2恒电流单元(21，22)是在设计上制造得一样，但由于周围环境或各元件的允许误差等其操作特性不会完全一致。
[0107]所以，第I及第2恒电流单元(21，22)中，电阻(R212，R222)的实际电阻值较大的恒电流单元或晶体管(T212，T222)的基极-发射极之间电压较低的恒电流单元首先开始操作。
[0108]另外，由于在整流电压Vcc)产生瞬间过大电压等，不能只以一个恒电流单元(21或22)的操作对第I及第2电流检测单元(31，32)供应设定电流时，非操作中的其余整流单元(22或21)也一起操作，由两个恒电流单元(21，22)的操作相互分割消耗超过设定电流的电流。
[0109]由此，防止由于瞬间过大电流的恒电流单元(21，22)的损坏。另外，根据发光二极管驱动装置的状态，两个恒电流单元(21或22)轮流进行操作，从而相比于只用一个恒电流单元的情形，各恒电流单元(21，22)的寿命会增加。
[0110]如此，流过第I及第2发光二极管单元(51，52)的电流大小(122，121)首先是由第I及第2电流检测单元(31，32)的电阻(R311，R321)的电阻值决定，其次是由第I及第2恒电流单元(21，22)的电阻(R212，R222)的电阻值来决定。
[0111]此时，为了正常进行发光二极管驱动装置，由第I及第2电流检测单元(31，32)的电阻(R311，R321)决定的电流大小必须小于由第I及第2恒电流单元(21，22)的电阻(R212，R222)决定的电流大小，因此第I及第2恒电流单元(R212，R222)的电阻值必须小于第I及第2电流检测单元(31，32)的电阻(R311，R321)的电阻值。
[0112]根据这种发光二极管驱动装置的操作，第I及第2发光二极管单元(51，52)是随着整流电压Vcc的电压变化进行并联驱动、并联-串联交替驱动及串联驱动，根据这些操作状态流过第I及第2发光二极管单元(51，52)的电流大小也与整流电压Vcc的变化同步，并改变第I及第2发光二极管单元(51，52)的操作状态，从而提高功率因数。
[0113]在图5中，第I及第2电流检测单元(31，32)的齐纳二极管(ZD31，ZD32)是安全地控制晶体管(T311，T321)的发射极-集电极之间的电压，用于保护相应晶体管(T311，T321)，电阻(R312，R322)是安全地控制晶体管(T312，T322)的漏极-源极之间的电压，用于保护相应晶体管(T312，T322)，且电阻(R313，R323)是用于固定保持相应齐纳二极管(ZD31，ZD32)两端的电压。
[0114]然而，在替代例中，这些元件(ZD31，ZD32，R312，R322，R313，R323)中至少可以省略一个。
[0115]在图6(c)的区间P4中，发光二极管驱动装置的操作是与已说明的区间P2中的操作相同，且区间P5中，发光二极管驱动装置的操作也是与区间Pl中的操作相同，故省略其说明。
[0116]如图5及6所示，流过第I及第2发光二极管单元(51，52)的电流(121，122)具有由第I及第2电流检测单元(31，32)的电阻(R311，R321)和第I及第2恒电流单元(21，22)的电阻(R212，R222)决定的两个电流变化步骤。
[0117]然而，需要时，可以有规则地改变第I及第2电流检测单元(31，32)的结构，增加电流变化步骤，改变流过第I及第2发光二极管单元(51，52)的电流，以便更符合整流电压Vcc的变化。
[0118]即，为了增加p(在此，P = 1，2，3，4，5，...)个电流变化步骤，第I及第2电流检测单元(31，32)的电阻(R311，R321)和晶体管(T311，T321)每一个增加P个，晶体管(Τ312，Τ322)每一个增加(2ρ-1)个，且发光二极管单元的个数增加2ρ个就可以。
[0119]gp，将电