一种电源电路及电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型属于电子设备领域，尤其涉及一种电源电路及电子设备。
【背景技术】
[0002]随着技术的发展，现在的电子设备的功能越来越多，功能的增多必然带来耗电量的增加，因此现在的电子设备除了自身配备的电源之外，还需要外部电源进行供电，如车载DVR硬盘盒等等。
[0003]因此，这种应用必然需要两种供电方式的切换，现有的供电方式的切换主要包括两种:1.加硬件开关，人工手动控制；2.通过软件检测外电插入，然后控制开关切换供电。方法I的缺点是不能实现自动切换，需要人工操作，不便利；方法2的缺点是需要软件参与控制，控制逻辑复杂，且电路成本高。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型实施例的目的在于提供一种电源电路，旨在解决现在电子设备的供电方式切换存在无法自动切换以及控制逻辑复杂，电路成本高的问题。
[0005]本实用新型实施例是这样实现的，一种电源电路，所述电源电路包括:
[0006]直流电源插座J1、电阻R1、第一开关管和第二开关管；
[0007]所述直流电源插座Jl包括正极端、负极端和地端，当所述直流电源插座Jl未插入外部电源时，所述负极端和地端连接，当所述直流电源插座Jl插入外部电源时，所述负极端和地端断开连接，所述第二开关管的高电位端接内部电源，所述第二开关管的低电位端接所述第一开关管的高电位端，所述第一开关管的低电位端接所述正极端，所述第一开关管的低电位端和正极端还同时接电子设备的电源端，所述第一开关管和第二开关管的控制端同时接负极端，所述电阻Rl连接在所述第二开关管的高电位端和控制端之间，所述地端接地。
[0008]上述结构中，所述第一开关管采用P型MOS管Ql，所述P型MOS管Ql的栅极为第一开关管的控制端，所述P型MOS管Ql的漏极为第一开关管的高电位端，所述P型MOS管Ql的源极为第一开关管的低电位端。
[0009]上述结构中，所述第二开关管采用P型MOS管Q2，所述P型MOS管Q2的栅极为第二开关管的控制端，所述P型MOS管Q2的源极为第二开关管的高电位端，所述P型MOS管Q2的漏极为第二开关管的低电位端。
[0010]上述结构中，所述第一开关管采用三极管Q3，所述三极管Q3的基极为第一开关管的控制端，所述三极管Q3的集电极为第一开关管的高电位端，所述三极管Ql的发射极为第一开关管的低电位端。
[0011]上述结构中，所述第二开关管采用三极管Q4，所述三极管Q4的基极为第二开关管的控制端，所述三极管Q4的集电极为第二开关管的低电位端，所述三极管Q4的发射极为第—开关管的尚电位端。
[0012]本实用新型实施例的另一目的在于提供一种电子设备，所述电子设备包括电源电路，所述电源电路包括:
[0013]直流电源插座J1、电阻R1、第一开关管和第二开关管；
[0014]所述直流电源插座Jl包括正极端、负极端和地端，当所述直流电源插座Jl未插入外部电源时，所述负极端和地端连接，当所述直流电源插座Jl插入外部电源时，所述负极端和地端断开连接，所述第二开关管的高电位端接内部电源，所述第二开关管的低电位端接所述第一开关管的高电位端，所述第一开关管的低电位端接所述正极端，所述第一开关管的低电位端和正极端还同时接所述电子设备的电源端，所述第一开关管和第二开关管的控制端同时接负极端，所述电阻Rl连接在所述第二开关管的高电位端和控制端之间，所述地端接地。
[0015]上述结构中，所述第一开关管采用P型MOS管Q1，所述P型MOS管Ql的栅极为第一开关管的控制端，所述P型MOS管Ql的漏极为第一开关管的高电位端，所述P型MOS管Ql的源极为第一开关管的低电位端。
[0016]上述结构中，所述第二开关管采用P型MOS管Q2，所述P型MOS管Q2的栅极为第二开关管的控制端，所述P型MOS管Q2的源极为第二开关管的高电位端，所述P型MOS管Q2的漏极为第二开关管的低电位端。
[0017]上述结构中，所述第一开关管采用三极管Q3，所述三极管Q3的基极为第一开关管的控制端，所述三极管Q3的集电极为第一开关管的高电位端，所述三极管Ql的发射极为第一开关管的低电位端。
[0018]上述结构中，所述第二开关管采用三极管Q4，所述三极管Q4的基极为第二开关管的控制端，所述三极管Q4的集电极为第二开关管的低电位端，所述三极管Q4的发射极为第—开关管的尚电位端。
[0019]在本实用新型实施例中，直流电源插座包括正极端、负极端和地端，当直流电源插座未插入外部电源时，负极端和地端连接，第一开关管和第二开关管的控制端接地，第一开关管和第二开关管均导通，内部电源和电子设备的电源端接通，由内部电源为电子设备供电；当直流电源插座插入外部电源时，负极端和地端断开连接，第一开关管和第二开关管均断开，内部电源和电子设备的电源端断开，直流电源插座将外部电源与电子设备的电源端接通，外部电源为电子设备供电，实现了两种方式的自动切换，而且切换的过程中不会发生倒灌的现象，且结构简单。
【附图说明】
[0020]图1是本实用新型第一实施例提供的电源电路的结构图；
[0021]图2是本实用新型第二实施例提供的电源电路的结构图。
【具体实施方式】
[0022]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0023]图1示出了本实用新型第一实施例提供的电源电路的结构，为了便于说明，仅示出了与本实用新型实施例相关的部分。
[0024]一种电源电路，所述电源电路包括:
[0025]直流电源插座J1、电阻R1、第一开关管10和第二开关管20 ;
[0026]所述直流电源插座Jl包括正极端、负极端和地端，当所述直流电源插座Jl未插入外部电源时，所述负极端和地端连接，当所述直流电源插座Jl插入外部电源时，所述负极端和地端断开连接，所述第二开关管20的高电位端接内部电源，所述第二开关管20的低电位端接所述第一开关管10的高电位端，所述第一开关管10的低电位端接所述正极端，所述第一开关管10的低电位端和正极端还同时接电子设备的电源端，所述第一开关管10和第二开关管20的控制端同时接负极端，所述电阻Rl连接在所述第二开关管20的高电位端和控制端之间，所述地端接地。
[0027]作为本实用新型一实施例，所述第一开关管10采用P型MOS管Ql，所述P型MOS管Ql的栅极为第一开关管10的控制端，所述P型MOS管Ql的漏极为第一开关管10的高电位端，所述P型MOS管Ql的源极为第一开关管10的低电位端。
[0028]作为本实用新型一实施例，所述第二开关管20采用P型MOS管Q2，所述P型MOS管Q2的栅极为第二开关管20的控制端，所述P型MOS管Q2的源极为第二开关管20的高电位端，所述P型MOS管Q2的漏极为第二开关管20的低电位端。
[0029]图2示出了本实用新型第二实施例提供的电源电路的结构，为了便于说明，仅示出了与本实用新型实施例相关的部分。
[0030]作为本实用新型一实施例，所述第一开关管10采用三极管Q3，所述三极管Q3的基极为第一开关管10的控制端，所述三极管Q3的集电极为第一开关管10的高电位端，所述三极管Ql的发射极为第一开关管10的低电位端。