一种led驱动应用电路的制作方法

文档序号:9190807阅读:219来源:国知局
一种led驱动应用电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型属于L邸恒流驱动技术领域,具体设及一种实现多组L邸灯珠串独立 恒流供电的LED驱动应用电路。
【背景技术】
[0002] LED光源作为新一代光源,正在迅猛发展。L邸是一种固态的半导体发光器件,它 可W直接把电转化为光,其具有耗能少、适用性强、稳定性高、响应时间短研关特性好)、对 环境无污染、多色发光、显色性能好等优点,是值得推广的新光源。
[000引 目前普遍采用集中恒流供电来驱动LED发光,根据LED忍片尺寸的大小,单颗LED 的功率有0. 1W、0. 2W、0.抓、IW等,要想得到更大的功率,就要将LEDW串联或并联方式结合 起来使用。由于L邸是半导体材料做成的,具有一定的离散型,它们Vf值不可能一致,如果 将LED全部串联起来,根据串联电路的特点,串联电路电流相等,与单颗LED的Vf值关系不 大,用一个恒流电源驱动一串LED比较理想;然而,单颗LED的Vf值是3V左右,不可能无 限制的串联,因此在大功率使用的情况下,采用了几串几并的结合方式,由一个恒流驱动供 电。然而当有并联出现时,根据并联电路特点,电压相等,电流相加,而各分支LED灯珠串总 的Vf值不相等,L邸灯珠串的电流有大有小,电流大的灯珠串因长时间结溫过高会损坏,恒 流电源会将电流加到其他灯珠串上,形成恶性循环,极大的缩短了L邸灯具的使用寿命;同 时现有的L邸驱动忍片所需的外围电路复杂,需要较多的元器件,从而造成成本过高,极大 的阻碍了LED照明产品的产业化推广。
[0004] 因此急需针对现有技术中存在的上述缺陷,提供一种解决方案,解决现有技术中 存在的问题。 【实用新型内容】
[0005] 本实用新型的目的在于提供一种实现多组L邸灯珠串独立恒流供电,相互L邸灯 珠串之间互不干扰的L邸驱动应用电路。
[0006] 本实用新型的目的是运样实现的,所述驱动应用电路具体电路结构为:电阻R2的 一端与电源Vin相连接,所述电阻R2的另一端分别与二极管Dl的阴极、PNP型S极管Ql 的发射极、电阻R14的一端W及电阻R7的一端相连接,所述二极管Dl的阳极接地,所述电 阻R7的另一端分别与二极管D2的阴极、数据存储忍片Ul的V孤引脚和相移控制忍片U2 的VDD引脚相连接,所述二极管D2的阳极、所述数据存储忍片Ul的AO引脚、Al引脚、A2引 脚、WP引脚、GND引脚W及所述相移控制忍片U2的R引脚W及GND引脚均接地;所述数据 存储忍片Ul的读写控制引脚S化外接读写控制信号,所述数据存储忍片Ul的数据输入引 脚SDA外接数据输入信号,且连接至相移控制忍片U2的CK引脚;所述相移控制忍片U2的 Tl引脚与NPN型S极管Q3的基极相连接,所述相移控制忍片U2的T2引脚与NPN型S极管 Q4的基极相连接,相移控制忍片U2的T3引脚与NPN型S极管Q5的基极相连接,相移控制 忍片U2的T4引脚与NPN型S极管Q6的基极相连接;所述电阻R14的另一端分别与NPN型 S极管Q2的基极和调光输入信号PWM相连接,所述NPN型S极管Q2的集电极连接电阻Rl后与所述PNP型S极管Ql的基极相连接,所述PNP型S极管Ql的集电极分别与电阻R8、 电阻R13、电阻R19W及电阻R24的一端相连接,所述电阻R8的另一端分别与电阻R9的一 端和比较放大器ICl的负输入端相连接,所述电阻R13的另一端分别与电阻R15的一端和 比较放大器IC2的负输入端相连接,所述电阻R19的另一端分别与电阻R20的一端和比较 放大器IC3的负输入端相连接,所述电阻R24的另一端分别与电阻R25的一端和比较放大 器IC4的负输入端相连接;所述比较放大器ICl的正输入端分别与MOS开关管Q7的源极和 电阻R12的一端相连接,所述比较放大器IC2的正输入端分别与MOS开关管Q8的源极和电 阻R18的一端相连接,所述比较放大器IC3的正输入端分别与MOS开关管Q9的源极和电阻 R23的一端相连接,所述比较放大器IC4的正输入端分别与MOS开关管QlO的源极和电阻 R28的一端相连接;所述比较放大器ICl的输出端与电阻Rll的一端相连接,所述电阻Rll 的另一端分别与MOS开关管Q7的栅极和NPN型S极管Q3的集电极相连接,所述比较放大 器IC2的输出端与电阻R17的一端相连接,所述电阻R17的另一端分别与MOS开关管Q8的 栅极和NPN型S极管Q4的集电极相连接,所述比较放大器IC3的输出端与电阻R22的一端 相连接,所述电阻R22的另一端分别与MOS开关管Q9的栅极和NPN型S极管Q5的集电极 相连接,所述比较放大器IC4的输出端与电阻R27的一端相连接,所述电阻R27的另一端分 别与MOS开关管QlO的栅极和NPN型S极管Q6的集电极相连接;所述NPN型S极管Q2的 发射极、电阻R9的另一端、NPN型S极管Q3的发射极、电阻R12的另一端、电阻R15的另一 端、NPN型S极管Q4的发射极、电阻R18的另一端、电阻R20的另一端、NPN型S极管Q5的 发射极、电阻R23的另一端、电阻R25的另一端、NPN型S极管Q6的发射极、电阻R28的另 一端接地;所述电源Vin分别与比较放大器I巧的正输入端、比较放大器IC6的正输入端、 比较放大器IC7的正输入端、比较放大器IC8的正输入端相连接,所述比较放大器I巧的输 出端串接电阻RlO后与比较放大器ICl的负输入端相连接,所述比较放大器IC6的输出端 串接电阻R16后与比较放大器IC2的负输入端相连接,所述比较放大器IC7的输出端串接 电阻R21后与比较放大器IC3的负输入端相连接,所述比较放大器IC8的输出端串接电阻 R26后与比较放大器IC4的负输入端相连接;所述比较放大器I巧的负输入端与所述MOS 开关管Q7的漏极之间连接L邸灯珠串化1,所述比较放大器IC6的负输入端与所述MOS开 关管Q8的漏极之间连接L邸灯珠串化2,所述比较放大器I口的负输入端与所述MOS开关 管Q9的漏极之间连接L邸灯珠串化3,所述比较放大器IC8的负输入端与所述MOS开关管 QlO的漏极之间连接L邸灯珠串化4。
[0007] 与现有技术相比,本实用新型提供的L邸驱动应用电路可W广泛的应用到L邸应 用领域中,能够实现对多组L邸灯珠串的独立恒流供电,相互L邸灯珠串之间互不干扰,实 现L邸灯的间隙点亮,使得L邸灯珠串工作时的结溫降低20%W上,光强提高1. 6倍,光衰减 小,所需散热器面积减小,延长L邸灯具的使用寿命;同时通过改变调光单元的输入信号, W及改变数据存储单元中的输入数据能够统一改变通过L邸灯珠串的恒流电流,从而改变 LED灯珠串的工作方式。
【附图说明】
[000引 图1为本实用新型L邸驱动应用电路的具体电路结构不意图;
[0009] 图2为本实用新型LED驱动应用电路中相移控制忍片的内部具体电路结构示意 图。
【具体实施方式】
[0010] 下面结合附图对本实用新型作进一步的详细说明,但不得W任何方式对本实用新 型加W限制,基于本实用新型教导所作的任何变更或改进,均属于本实用新型的保护范围。
[0011] 图1给出了本实用新型驱动应用电路的具体电路结构示意图,在本实用新型中, 电阻R2的一端与电源Vin相连接,所述电阻R2的另一端分别与二极管Dl的阴极、PNP型 =极管Ql的发射极、电阻R14的一端W及电阻R7的一端相连接,所述二极管Dl的阳极接 地,所述电阻R7的另一端分别与二极管D2的阴极、数据存储忍片Ul的V孤引脚和相移控 制忍片U2的V孤引脚相连接,所述二极管D2的阳极、所述数据存储忍片Ul的AO引脚、Al 引脚、A2引脚、WP引脚、GND引脚W及所述相移控制忍片U2的R引脚W及GND引脚均接地; 所述数据存储忍片Ul的读写控制引脚SCL外接读写控制信号,所述数据存储忍片Ul的数 据输入引脚SDA外接数据输入信号,且连接至相移控制忍片U2的CK引脚;所述相移控制忍 片肥的Tl引脚与NPN型S极管Q3的基极相连接,所述相移控制忍片U2的T2引脚与NPN 型S极管Q4的基极相连接,相移控制忍片U2的T3引脚与NPN型S极管Q5的基极相连接, 相移控制忍片U2的T4引脚与NPN型S极管Q6的基极相连接;所述电阻R14的另一端分 别与NPN型S极管Q2的基极和调光输入信号PWM相连接,所述NPN型S极管Q2的集电极 连接电阻Rl后与所述PNP型S极管Ql的基极相连接,所述PNP型S极管Ql的集电极分别 与电阻R8、电阻R13、电阻R19W及电阻R24的一端相连接,所述电阻R8的另一端分别与电 阻R9的一端和比较放大器ICl的负输入端相连接,所述电阻R13的另一端分别与电阻R15 的一端和比较放大器IC2的负输入端相连接,所述电阻R19的另一端分别与电阻R20的一 端和比较放大器IC3的负输入端相连接,所述电阻R24的另一端分别与电阻R25的一端和 比较放大器IC4的负输入端相连接;所述比较放大器ICl的正输入端分别与MOS开关管Q7 的源极和电阻R12的一端相连接,所述比较放大器IC2的正输入端分别与MOS开关管Q8的 源极和电阻R18的一端相连接,所述比较放大器IC3的正输入端分别与MOS开关管Q9的源 极和电阻R23的一端相连接,所述比较放大器IC4的正输入端分别与MOS开关管QlO的源 极和电阻R28的一端相连接;所述比较放大器ICl的输出端与电阻Rll的一端相连接,所述 电阻Rll的另一端分别与MOS开关管Q7的栅极和NPN型
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