本实用新型涉及光通信技术领域，尤其涉及一种光接收器件。
背景技术：
目前，光纤通信因其具有通信容量大、传输距离远、抗电磁干扰能力强等众多优点而发展成为主要通信方式之一，而光发射器件与光接收器件是光纤通信的核心器件。一种光接收器件包括管座、若干管脚、PD(光电二极管)芯片及TIA(跨阻放大器)芯片，其中所述若干管脚包括Vcc管脚、Vpd管脚、第一输出管脚及第二输出管脚，所述TIA芯片及所述PD芯片安装在所述管座上，所述Vcc管脚通过导线连接至所述TIA芯片进而为所述TIA芯片提供电压，所述Vpd管脚通过导线连接至所述PD芯片进而为所述PD芯片提供电压，所述PD芯片通过导线连接至所述TIA芯片，所述第一输出管脚及所述第二输出管脚分别通过导线连接至所述TIA芯片，所述PD芯片将接收到的光信号转换为电信号并传输至所述TIA芯片，所述TIA芯片将所述电信号放大再传输至所述第一及第二输出管脚。Vpd电源设置在外部电路板上，所述电路板上设有与所述Vpd电源串接的电容，进而过滤所述Vpd电源的噪声，不过虽然所述电容的设置能够一定程度的过滤噪声，但也增加了所述电路板的复杂度，而且在所述Vpd电源为所述PD芯片提供电压时仍然会带入一定的噪声。另外，所述Vcc电源为所述TIA芯片提供电压时，也会带入很多噪声。而且，由于相应导线较长，使得所述光接收器件在传输高频信号时所述导线会产生电感效应及阻抗，进而影响到所述光接收器件的灵敏度。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种光接收器件，能够有效过滤Vpd电源端的噪声，同时能简化外部电路板的设计。
为了实现上述目的，本实用新型的光接收器件包括管座、若干管脚、TIA芯片及PD芯片，所述若干管脚包括Vcc管脚、Vpd管脚、第一输出管脚及第二输出管脚，所述TIA芯片及所述PD芯片设置在所述管座上，所述Vcc管脚连接至所述TIA芯片进而为所述TIA芯片提供电压，所述Vpd管脚连接至所述PD芯片进而为所述PD芯片提供电压，所述PD芯片连接至所述TIA芯片，所述第一输出管脚及所述第二输出管脚分别连接至所述TIA芯片，所述PD芯片将接收到的光信号转换为电信号并传输至所述TIA芯片，所述TIA芯片将所述电信号放大再传输至所述第一及第二输出管脚，所述管座上还安装有第一电容及第二电容，其中所述Vpd管脚与地之间连接所述第一电容，所述Vpd管脚与所述PD芯片之间连接有所述第二电容。
与现有技术相比，通过在所述Vpd管脚与地之间连接所述第一电容，在过滤噪声的同时简化了外部电路板的设计，使得所述外部电路板不需要设置电容，通过所述Vpd管脚与所述PD芯片之间连接有所述第二电容，达到充分过滤掉加压时带入的噪声的目的。
较佳地，所述第二电容与匹配电阻串联后连接至所述Vpd管脚与所述PD芯片之间，进而确保电压输入稳定。
较佳地，所述Vcc管脚与所述TIA芯片之间连接有相互串联的不同容值的至少两个电容，以充分过滤掉来自所述Vcc管脚的噪声。
较佳地，所述PD芯片安装在所述TIA芯片上，使得所述PD芯片与所述TIA芯片之间的连接导线大大缩短，使得高频信号传输时的电感效应及阻抗影响大大降低，有效减少了对所述光接收器件灵敏度的影响。
较佳地，所述PD芯片为APD芯片，以更好地满足高灵敏度的要求。
附图说明
图1是本实用新型实施例的光接收器件的平面示意图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现的效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
图1是本实用新型实施例的光接收器件100的平面示意图，所述光接收器件100包括管座10、若干管脚20、TIA(跨阻放大器)芯片30及PD(光电二极管)芯片40，其中所述管座10在电气上作为接地电位使用，所述若干管脚20包括Vcc管脚21、Vpd管脚22、第一输出管脚23及第二输出管脚24，所述TIA芯片30及所述PD芯片40设置在所述管座10上，所述Vcc管脚21通过导线50连接至所述TIA芯片30进而为所述TIA芯片30提供电压，所述Vpd管脚22通过导线50连接至所述PD芯片40进而为所述PD芯片40提供电压，所述PD芯片40通过导线连接至所述TIA芯片30，所述第一输出管脚23及所述第二输出管脚24分别通过导线50连接至所述TIA芯片30，所述PD芯片40将接收到的光信号转换为电信号并传输至所述TIA芯片30，所述TIA芯片30将所述电信号放大再传输至所述第一及第二输出管脚23、24。所述管座10上还安装有第一电容C1及第二电容C2，其中所述Vpd管脚22与地之间连接所述第一电容C1，在过滤噪声的同时简化了外部电路板的设计，使得所述电路板不需要设置电容；所述Vpd管脚22与所述PD芯片40之间连接有耐高压的合适容值的所述第二电容C2，进而充分过滤掉加压时带入的噪声。较佳地，所述第二电容C2与匹配电阻R串联后连接至所述Vpd管脚22与所述PD芯片40之间，进而确保电压输入稳定。
较佳地，所述Vcc管脚21与所述TIA芯片30之间连接有相互串联的不同容值的至少两个电容，以充分过滤掉来自所述Vcc管脚21的噪声，在本实施例中，所述Vcc管脚21与所述TIA芯片30之间连接有不同容值的第三电容C3及第四电容C4。
较佳地，所述PD芯片40安装在所述TIA芯片30上，使得所述PD芯片40与所述TIA芯片30之间的连接导线50大大缩短，使得高频信号传输时的电感效应及阻抗影响大大降低，有效减少了对所述光接收器件100灵敏度的影响。
较佳地，所述PD芯片40为APD(雪崩光电二极管)芯片，以更好地满足高灵敏度的要求。
在本实施例中，所述第一电容C1，所述第二电容C2及所述至少两个电容为贴片电容。
以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属于本实用新型所涵盖的范围。