专利名称：用在光学投影系统中的薄膜致动反射镜阵列的制作方法
技术领域：
本发明涉及光学投影系统，较具体地说，涉及用于这种系统的一种M×N薄膜致动反射镜阵列及其制造方法。
背景技术：
在本技术领域内可获得的各种视像显示系统中，已知光学投影系统能够以大尺寸给出高质量的显示。在这种光学投影系统中，来自光源的光均匀地照射在一个例如M×N的致动反射镜阵列上，其中各个反射镜都与相应的各个致动器相耦合。致动器可以用压电材料或电致伸缩材料之类的电致位移材料做成，这种材料能对施加于其上的电场作出响应而发生形变。
从各个反射镜反射的光束入射到例如一个光阑的小孔上。通过给各个致动器加上电信号，各反射镜和入射光束之间的相对位置将发生改变，由此使各反射镜的反射光束的光路发生偏转。当各个反射光束的光路改变时，从各反射镜反射出的光束的能通过小孔的光量便发生变化，从而调制了光束的强度。借助一个适当的光学装置，例如一个投影透镜，通过小孔的受调制光束被传送到一个投影屏幕上，由此在屏幕上显示出图象。
在
图1A至图中1G中，分别示出了有关制备M×N薄膜致动反射镜100阵列101的制造步骤，其中M和N为整数，这已在下列悬而未决的属于本申请人的美国专利申请中公开美国专利申请序列号08/430,628，标题为“薄膜致动反射镜阵列”。
制造阵列100的过程从制备有源矩阵10开始，该矩阵有一个基底12、一个M×N晶体管阵列(未示出)以及一个M×N接线端14阵列。
下一步骤是，在有源矩阵10的顶面上形成一个薄膜待除层24，如果此薄膜待除层24由金属制成则用溅射法或蒸镀法形成，如果此薄膜待除层24由磷-硅玻璃(PSG)制成则用化学气相淀积法(CVD)或旋转镀膜法形成，如果此薄膜待除层24由多晶硅制成则用化学气相淀积法(CVD)形成。
其后，形成一个支持层20，它含有一个由薄膜待除层24围绕的M×N支持单元22阵列，其中支持层20是这样形成的通过光刻法在薄膜待除层24上形成一个M×N空槽阵列(未示出)，各个空槽位于各个接线端14的周围；以及在每个空槽内用溅射法或化学气相淀积法(CVD)形成一个支持单元22，如图1A所示。此支持单元22由绝缘材料制成。
再下一个步骤是，通过用溶胶一凝胶法、溅射法或化学气相淀积法(CVD)在支持层20顶面形成一个用与支持单元22相同的绝缘材料制成的弹性层30。
接着，在各个支持单元22中，用下述方法形成由金属制成的导体26首先用蚀刻法形成一个M×N空洞阵列(未示出)，各个空洞从弹性层30顶部延伸到接线端14的顶部，然后在空洞中充填金属由此形成导体26，如图1B所示。
下一个步骤是，通过溅射法在含有导体26的弹性层30的顶部形成一个由导电材料制成的第二薄膜层40。第二薄膜层40通过在支持单元22中形成的导体26电连接到晶体管。
然后，通过用溅射法、化学气相淀积法(CVD)或溶胶-凝胶法，如图1C所示，在第二薄膜层40的顶部形成一个由象PZT(锆钛酸铅)那样的压电材料制成的薄膜电致位移层50。
再下一个步骤是，用光刻法或激光裁剪法使薄膜电致位移层50、第二薄膜层40和弹性层30构型成M×N薄膜电致位移单元55阵列、M×N第二薄膜电极45阵列和M×N弹性单元35阵列，直至支持层20中的薄膜待除层24暴露出来，如图1D所示。各个第二薄膜电极45通过在各个支持单元22中形成的导体26电连接到相应的晶体管上，并作为各个薄膜致动反射镜101的信号电极。
接着，以高温对各个薄膜电致位移单元55进行热处理，例如，对于PZT(锆钛酸铅)大约为650℃，以使薄膜电致位移层55发生相变，由此形成M×N热处理结构阵列(未示出)。由于每个薄膜电致位移单元55都非常薄，所以在它是由压电材料制成的情况下，它不需要被极化这是由于在薄膜致动反射镜101的工作过程中，它可以通过施加电信号而被极化。
在完成上述步骤后，通过下述方法，在M×N热处理结构阵列中的薄膜电致位移单元55的顶部，形成一个由既导电又反光的材料制成的第一薄膜电极65首先用溅射法形成一个由既导电又反光的材料制成的层60，完全覆盖住M×N热处理结构阵列的顶部，包括暴露的支持层20，如图1E所示，然后，用蚀刻法选择性地去除层60，形成M×N致动反射镜结构111阵列110，其中每个致动反射镜结构111包含一个顶面和四个侧面，如图1F所示。各个第一薄膜电极65作为各个薄膜致动反射镜101中的反射镜和偏置电极。
然后，在上述步骤后，通过用薄膜保护层(未示出)完全覆盖住各个致动反射镜结构111的顶面和四个侧面。
接着，在支持层20上，用蚀刻法去除薄膜待除层24。最后，用蚀刻法去除薄膜保护层，由此形成M×N薄膜致动反射镜101阵列100，如图1G所示。
上述关于制造薄膜致动反射镜101阵列100的方法存在一些不足。通常，去除薄膜待除层24后，要通过使用清洗剂，清洗在去除薄膜待除层中使用的蚀刻剂或化学制剂，然后通过蒸发的方法将这些清洗剂去除。在去除清洗剂的过程中，清洗剂的表面张力将弹性单元35向下拉向有源矩阵10，从而使弹性单元35粘到有源矩阵10上，影响了各薄膜致动反射镜101的性能。因此，当很多薄膜致动反射镜受到影响时，阵列100的综合性能也随之降低。
而且，在用蚀刻法去除支持层20的薄膜待除层24以形成各个薄膜致动反射镜101的致动空间的过程中，蚀刻剂或化学制剂通过致动反射镜结构111之间的缝隙被加入。然而，完全去除在支持层20中的薄膜待除层24要极长的时间，而且薄膜待除层可能会因没有被完全去除，在产生的致动空间留下残余物，这样将降低受影响的薄膜致动反射镜101的性能。而且，当很多薄膜致动反射镜受影响时，阵列100的综合性能也随之降低。
除了制造方法的上述不足之外，阵列100还有一个主要的缺点，即综合光学效率。当各个薄膜致动反射镜101响应加在薄膜电致位移单元55上的电场发生形变时，与其连接的第一薄膜电极65，它同时也作为反射镜，也发生形变，因此，平坦的顶面被弯曲的顶面取代，该顶面是用来反射光束的。因此，阵列100的综合光学效率降低。
本发明简述因此，本发明的一个主要目的是提供一种M×N薄膜致动反射镜阵列，其中薄膜反射镜所具有的新颖的结构，使在生产过程中去除清洗剂时能够防止弹性单元与有源矩阵的粘接。
本发明的另外一个主要目的是提供一种M×N薄膜致动反射镜阵列，其中薄膜放射镜所具有的新颖的结构能确保在生产过程中对薄膜待除层有效并且彻底的去除。
本发明的再一个主要目的是提供一种M×N薄膜致动反射镜阵列，该阵列具有更高的光学效率。
本发明的还一个目的是提出一种M×N薄膜致动反射镜阵列的制造方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种M×N薄膜致动反射镜阵列，其中，M和N为整数，用于一种光学投影系统，该阵列包括有源矩阵，该有源矩阵包含一个基底，一个M×N晶体管阵列和一个M×N接线端阵列，其中各个接线端被电连接到晶体管阵列中相应的晶体管上；钝化层，其在有源矩阵的顶部形成；蚀刻停止层，其在钝化层的顶部形成；以及M×N致动结构阵列，每个致动结构具有一个近端和一个远端，每个致动结构在其远端具有一个尖端和一个横穿其结构的蚀刻口，每个致动结构包括，一个第一薄膜电极、一个薄膜电致位移单元、一个第二薄膜电极、一个弹性单元和一个导体，其中第一薄膜电极位于薄膜电致位移单元的顶部，且被水平条分为致动部分和反光部分，水平条使致动部分和反光部分相电分离，致动部分接地，由此使致动部分作为反射镜和偏电极，反光部分作为反射镜，薄膜电致位移单元被置于第二薄膜电极的顶部，第二薄膜电极形成于弹性单元的顶部，第二薄膜电极通过导体和接线端电连接到相应的晶体管上，且与在其它薄膜致动反射镜中的第二薄膜电极相电分离，由此使其作为信号电极，弹性单元位于第二薄膜电极的底部。弹性单元近端的底面部分，通过部分插入其中的蚀刻停止层和钝化层与有源矩阵相连接，由此使致动结构伸出悬臂。导体从薄膜电致位移单元的顶部延伸至相应的接线端的顶部，由此使第二薄膜电极电连接到接线端。
根据本发明的另一个方面，提供了一种制造M×N薄膜致动反射镜阵列的方法，其中，M和N为整数，每个薄膜致动反射镜相当于一个象素，用于一种光学投影系统，该方法包括如下步骤提供一个有源矩阵，该有源矩阵包括一个基底，一个M×N接线端阵列和一个M×N晶体管阵列，其中各个接线端被电连接到晶体管阵列中相应的晶体管上；在有源矩阵的顶部淀积一个钝化层；在钝化层的顶部淀积一个蚀刻停止层；在蚀刻停止层的顶部淀积一个薄膜待除层，其中，薄膜待除层具有一个顶面；整平薄膜待除层的顶面；在薄膜待除层中以如下方式形成M×N对空槽阵列，即每对空槽中的一个空槽围绕一个接线端；在包含空槽的薄膜待除层中相继淀积一个弹性层和一个第二薄膜层；均匀切割第二薄膜层形成M×N第二薄膜电极阵列，其中每个第二薄膜电极与其它第二薄膜电极相电分离；在M×N第二薄膜电极阵列的顶部相继淀积一个电致位移层和一个第一薄膜层，由此形成一个多层结构；使多层结构在M×N薄膜致动反射镜结构阵列中形成图案，直至薄膜待除层以下面的方式暴露，即各个致动反射镜结构在其远端具有一个尖端和横穿其结构的蚀刻口，各个致动反射镜结构包括第一薄膜电极、薄膜电致位移单元、第二薄膜电极和弹性单元，其中第一薄膜电极被水平条分为致动部分和反光部分水平条使致动部分和反光部分相电分离，致动部分被接地；形成M×N空洞阵列，各个空洞从薄膜电致位移单元的顶部延伸至相应的接线端；用金属填充各个空洞形成导体，由此形成M×N致动反射镜半成品的阵列；通过在有源矩阵形成切口半切割有源矩阵；用薄膜保护层完全覆盖住各个致动反射镜的半成品；用蚀刻剂或化学制剂去除薄膜待除层，其中蚀刻剂或化学制剂被插入到各个致动反射镜半成品的蚀刻口和致动反射镜半成品之间的缝隙中；去除薄膜保护层；以及把有源矩阵完全切割成要求的形状，由此形成M×N薄膜致动反射镜阵列。
附图简述本发明的上述目的和其它目的以及特点将通过下面结合附图对优选实施例的说明而变得清楚明了，在附图中图1A至1G示出了说明过去已公开的制造M×N薄膜致动反射镜阵列的方法的示意性横截面图；图2示出了根据本发明的M×N薄膜致动反射镜阵列的横截面图；图3A至3N示出了说明制造如图2所示的M×N薄膜致动反射镜阵列的方法的示意性横截面图。
图4A至4D示出了如图2所示的组成各个薄膜致动反射镜的薄膜层的俯视图。
本发明实现方式图2为用在光学投影系统中的M×N薄膜致动反射镜301阵列300的横截面图，其中M和N为整数，图3A至3N为说明制造M×N薄膜致动反射镜301阵列300的方法的示意性横截面图，以及图4A至4D为根据本发明的组成各个薄膜致动反射镜301的薄膜层的俯视图。值得注意的是，在图2、图3A至图3N和图4A至图4D中出现的相同部分采用相同的标号。
在图2中，提供了一个根据本发明的说明M×N薄膜致动反射镜301阵列300的横截面图，该阵列300包含一个有源矩阵210、一个钝化层220、一个蚀刻停止层230和M×N致动结构200阵列。
有源矩阵210包括一个基底212，一个M×N晶体管阵列(未示出)和一个M×N接线端214阵列，其中每个接线端214电连接到晶体管阵列中相应的晶体管上。
钝化层220由例如磷-硅玻璃(PSG)或氮化硅制成，有0.1-2微米厚，其位于有源矩阵210的顶部。
蚀刻停止层230由氮化硅制成，有0.1-2微米厚，位于钝化层220的顶部。
各个致动结构200具有远端和近端，还包括在其远端的尖端(未示出)和横穿致动结构的蚀刻口(未示出)。每个致动结构200具有一个第一薄膜电极285、一个薄膜电致位移单元275、一个第二薄膜电极265、一个弹性单元255和一个导体295。第一薄膜电极285，由例如铝(Al)或银(Ag)之类的既导电又反光的材料制成，其位于薄膜电致位移单元275的顶部，且被水平条287分为驱动部分和反光部分190、195，其中，水平条287使致动部分和反光部分190、195相电分离。致动部分190被接地，因此既作为反射镜同时又作为共用偏置电极。反光部分195作为反射镜。薄膜电致位移单元275，由压电材料例如象PZT(锆钛酸铅)或者电致伸缩材料例如PMN(铌酸铅镁)制成，位于第二薄膜电极265的顶部。第二薄膜电极265，由导电材料例如象铂钽合金(Pt/Ta)制成，位于弹性单元255的顶部并且通过导体295和接线端214电连接到相应的晶体管上，而且与其它薄膜致动反射镜301中的第二薄膜电极265相电分离，由此使其作为信号电极。弹性单元255，由氮化物例如象氮化硅制成，其位于第二薄膜电极265的下方。弹性单元255近端的底面部分，通过部分夹入其中的蚀刻停止层230和钝化层220与有源矩阵210相连接，由此使致动结构200构成悬臂。导体295，由金属例如钨(W)制成，其从薄膜电致位移单元275的顶部延伸至相应的接线端214的顶部，由此使第二薄膜电极265电连接到接线端214。在各个薄膜致动反射镜301中，从薄膜电致位移单元275的顶部向下延伸的导体295与位于薄膜电致位移单元275顶部的第一薄膜电极285并不彼此电连接。
在图3A至图3N中，提供了示意性的横截面图来说明制造在图2中示出的M×N薄膜致动反射镜301阵列300的方法。
制造阵列300的过程从制备有源矩阵210开始，如图3A所示，它包括一个基底212、一个M×N接线端214阵列和一个M×N晶体管阵列(未示出)。基底212由绝缘材料例如硅晶片制成。各个接线端214电连接到晶体管阵列中相应的晶体管上。
下一个步骤是，如图3B所示，在有源矩阵210的顶部，用例如化学气相淀积法(CVD)或旋转镀膜法形成一个钝化层220，此钝化层220有0.1-2微米厚，由例如磷-硅玻璃(PSG)或者氮化硅制成。
其后，如图3C所示，蚀刻停止层230，由例如氮化硅制成，有0.1-2微米厚，其用溅射法或化学气相淀积法(CVD)在钝化层220的顶部淀积。
然后，如图3D所示，在蚀刻停止层230的顶部形成一个薄膜待除层240。如果此薄膜待除层240由金属制成，则用溅射法或蒸镀法形成，如果此薄膜待除层240由磷-硅玻璃(PSG)制成，则用化学气相淀积法(CVD)或旋转镀膜法形成，如果此薄膜待除层220由多晶硅制成，则用化学气相淀积法(CVD)形成。薄膜待除层240具有一个顶部表面。
接着，如图3E所示，薄膜待除层240的顶部表面先用玻璃旋转法(SOG)或化学机械抛光法(CMP)，然后用刮擦法使其平整。
随后，如图3F所示，用下面的方法在薄膜待除层240中形成M×N对空槽245阵列，即用干蚀刻或湿蚀刻法使在各对空槽中的空槽245之一围绕着接线端214之一。
下一个步骤是，如图3G所示，用化学气相淀积法(CVD)在包括空槽245的薄膜待除层240的顶部淀积形成一个弹性层250，它由氮化物例如氮化硅制成，厚0.1-2微米。在淀积过程中，弹性层250内部的压力通过改变作为时间的函数的气体比率来控制。
其后，用溅射法或真空蒸镀法在弹性层250的顶部形成第二薄膜层(未标示出)，它由导电材料例如Pt/Ta(铂钽合金)制成，厚0.1-2微米。然后，此第二薄膜层用干蚀刻法被均匀切割成M×N第二薄膜电极265阵列，其中，每个第二薄膜电极265与其它第二薄膜电极265相电分离，如图3H所示。
接着，如图3I所示，用真空蒸镀、溶胶-凝胶、溅射或化学气相淀积法(CVD)在M×N第二薄膜电极265阵列的顶部淀积一个薄膜电致位移层270，它由压电材料例如PZT或者电致伸缩材料例如PMN制成，其厚度为0.1-2微米。然后用RTA(快速退火法)，对薄膜电致位移层270进行热处理，以使其发生相变。
由于薄膜电致位移层270都非常薄，所以在它是由压电材料制成的情况下，它不需要被极化这是由于在薄膜致动反射镜301的工作过程中，它可以通过施加电信号而进行极化。
随后，如图3J所示，用溅射法或者真空蒸镀法在薄膜电致位移层270顶部形成一个第一薄膜层280，它由例如铝(Al)或银(Ag)之类的既导电又反光的材料制成，其厚度为0.1-2微米，由此形成一个多层结构350。
再下一个步骤是，如图3K所示，通过用光刻法或激光裁剪法在多层结构350中构成M×N薄膜致动反射镜结构345阵列340，直至薄膜待除层240以下面的方式暴露出来，即各个致动反射镜结构345在其远端具有一个尖端(未示出)和横穿其结构的蚀刻口(未示出)。各个致动反射镜结构345包括第一薄膜电极285、薄膜电致位移单元275、第二薄膜电极265和弹性单元255。第一薄膜电极285被水平条287分为致动部分和反光部分190、195，其中，水平条287使致动部分和反光部分190、195相电分离。致动部分190被接地。
随后的步骤是，如图3L所示，通过用蚀刻法形成M×N空洞290阵列，其中各个空洞从薄膜电致位移单元275的顶部延伸至相应的接线端214的顶部。
再下一个步骤是，如图3M所示，通过用例如发射法(lift-offm ethod)，用金属例如钨(W)填充各个空洞290形成导体295，由此形成M×N致动反射镜335阵列330的半成品。
在完成上述步骤后，用光刻法制出具有约为有源矩阵210厚度的三分之一的深度的切口(未示出)。此步骤也被称为半切割步骤。
再下一个步骤是，用薄膜保护层(未示出)完全覆盖住各致动反射镜335的半成品。
然后，通过用湿蚀刻法使用蚀刻剂或化学制剂例如氟化氢(HF)蒸气除去薄膜待除层240，其中蚀刻剂或化学制剂通过在各个致动反射镜335半成品中的蚀刻口和致动反射镜335半成品之间的缝隙被加入，由此形成各个薄膜致动反射镜301的致动空间。
接着，除去薄膜保护层。
最后，用光刻法或激光剪裁法，有源矩阵210被完全切割成要求的形状，由此形成M×N薄膜致动反射镜301阵列300，如图3N所示。
图4A至图4D分别为分根据本发明的组成各个薄膜致动反射镜301的第一薄膜电极285、薄膜电致位移单元275、第二薄膜电极265和弹性单元255的俯视图，各个薄膜层具有一个在其远端的尖端205和蚀刻口289。如图4C所示，第二薄膜电极265与阵列300中的其它薄膜致动反射镜301的第二薄膜电极265相电分离。
在本发明的M×N薄膜致动反射镜301和其制造方法中，在各个薄膜致动反射镜301中的第一薄膜电极285被水平条287分为致动部分和反光部分190、195，在各个薄膜致动反射镜301的工作过程中，只有位于第一薄膜电极致动部分190下面的薄膜电致位移单元275、第二薄膜电极265和弹性单元255部分变形，而其他部分仍保持为水平，使反光部分195更有效地反射到其上的光束，由此增加阵列300的光学效率。
而且，通常，去除薄膜待除层240后，要通过使用清洗剂，清洗在去除薄膜待除层中使用的蚀刻剂或化学制剂，然后再通过蒸发的方式将清洗剂去除。在去除清洗剂的过程中，清洗剂在各个薄膜致动反射镜301的尖端汇合，使其容易被去除，由此降低弹性单元255粘住有源矩阵210的可能性，这样将对保持结构完整性和薄膜致动反射镜301的性能，提高阵列300的综合性能有大帮助。
另外，由于在薄膜待除层240中使用的蚀刻剂或化学制剂通过蚀刻口289以及致动结构200之间的缝隙被加入，因此薄膜待除层240可以更有效和完全的方式被去除。
应该注意到，尽管薄膜致动反射镜301和其制造方法在相对于各个薄膜致动反射镜具有单一形态结构的情况下进行描述的，但上述方法可以同样适用于各个薄膜致动反射镜具有双重形态结构的情况，对于后一种情况，仅仅涉及附加的电致位移和电极层以及其结构。
尽管只是通过某些优选实施例对本发明进行了说明，然而在不偏离由下述权利要求所规定的本发明范畴的情形下，可以做出其他各种修改和变化。
权利要求
1.一种M×N薄膜致动反射镜阵列，其中，M和N为整数，用于一种光学投影系统，该阵列包括有源矩阵，该有源矩阵包含一个基底、一个M×N晶体管阵列和一个M×N接线端阵列，其中各个接线端被电连接到晶体管阵列中相应的晶体管上；钝化层，其在有源矩阵的顶部形成；蚀刻停止层，其在钝化层的顶部形成；以及M×N致动结构阵列，每个致动结构具有一个近端和一个远端，每个致动结构在其远端具有一个尖端和一个横穿其结构的蚀刻口，每个致动结构包括，一个第一薄膜电极、一个薄膜电致位移单元、一个第二薄膜电极、一个弹性单元和一个导体，其中第一薄膜电极位于薄膜电致位移单元的顶部，且被水平条分为致动部分和反光部分，水平条使致动部分和反光部分相电分离，致动部分接地，由此使致动部分作为反射镜和偏置电极，反光部分作为反射镜，薄膜电致位移单元被置于第二薄膜电极的顶部，第二薄膜电极形成于弹性单元的顶部，第二薄膜电极通过导体和接线端电连接到相应的晶体管上，且与在其它薄膜致动反射镜中的第二薄膜电极相电分离，由此使其作为信号电极，弹性单元位于第二薄膜电极的底部；弹性单元近端的底面部分，通过部分插入其中的蚀刻停止层和钝化层与有源矩阵相连接，由此使致动结构构成悬臂；导体从薄膜电致位移单元的顶部延伸至相应的接线端的顶部，由此使第二薄膜电极电连接到接线端。
2.如权利要求1所述的阵列，其中，钝化层由磷-硅玻璃(PSG)或氮化硅制成。
3.如权利要求1所述的阵列，其中，蚀刻停止层由氮化硅制成。
4.一种制造M×N薄膜致动反射镜阵列的方法，其中，M和N为整数，每个薄膜致动反射镜相当于一个象素，用于一种光学投影系统，该方法包括如下步骤提供一个有源矩阵，该有源矩阵包括一个基底、一个M×N接线端阵列和一个M×N晶体管阵列，其中各个接线端被电连接到晶体管阵列中相应的晶体管上；在有源矩阵的顶部淀积一个钝化层；在钝化层的顶部淀积一个蚀刻停止层；在蚀刻停止层的顶部淀积一个薄膜待除层，其中，薄膜待除层具有一个顶面；整平薄膜待除层的顶面；在薄膜待除层中以如下方式形成M×N对空槽阵列，即每对空槽中的一个空槽围绕一个接线端；在包含空槽的薄膜待除层中相继淀积一个弹性层和一个第二薄膜层；均匀切割第二薄膜层形成M×N第二薄膜电极阵列，其中每个第二薄膜电极与其它第二薄膜电极相电分离；在M×N第二薄膜电极阵列的顶部相继淀积一个电致位移层和一个第一薄膜层，由此形成一个多层结构；在多层结构中形成M×N薄膜致动反射镜结构阵列，直至薄膜待除层以下面的方式暴露，即各个致动反射镜结构在其远端具有一个尖端和横穿其结构的蚀刻口，各个致动反射镜结构包括第一薄膜电极、薄膜电致位移单元、第二薄膜电极和弹性单元，其中第一薄膜电极被水平条分为致动部分和反光部分水平条并使致动部分和反光部分相电分离，致动部分被接地；形成M×N空洞阵列，各个空洞从薄膜电致位移单元的顶部延伸至相应的接线端；用金属填充各个空洞形成导体，由此形成M×N致动反射镜半成品的阵列；通过在有源矩阵形成切口半切割有源矩阵；用薄膜保护层完全覆盖住各个致动反射镜半成品；用蚀刻剂或化学制剂去除薄膜待除层，其中蚀刻剂或化学制剂被加入到各个致动反射镜半成品的蚀刻口和致动反射镜半成品之间的缝隙中；去除薄膜保护层；以及把有源矩阵完全切割成要求的形状，由此形成M×N薄膜致动反射镜阵列。
5.如权利要求4所述的方法，其中，钝化层由磷-硅玻璃(PSG)或氮化硅制成。
6.如权利要求5所述的方法，其中，钝化层厚0.1-2微米。
7.如权利要求6所述的方法，其中，钝化层用化学气相淀积法(CVD)或旋转镀膜法形成。
8.如权利要求4所述的方法，其中，蚀刻停止层由氮化硅制成。
9.如权利要求8所述的方法，其中，蚀刻停止层厚0.1-2微米。
10.如权利要求9所述的方法，其中，蚀刻停止层用溅射法或化学气相淀积法(CVD)形成。
11.如权利要求4所述的方法，其中，用玻璃旋转法(SOG)或化学机械抛光法，然后使用刮擦法，整平薄膜待除层的顶面。
12.如权利要求4所述的方法，其中，用干蚀刻或湿蚀刻法形成空槽阵列。
13.如权利要求4所述的方法，其中，用干蚀刻法均匀切割第二薄膜层。
14.如权利要求8所述的方法，其中，用快速退火法(RTA)对薄膜电致位移层进行热处理。
15.如权利要求4所述的方法，其中，以有源矩阵厚度的三分之一的深度在有源矩阵形成切口。
16.如权利要求4所述的方法，其中，用光刻法形成切口。
17.如权利要求4所述的方法，其中，用光刻或激光裁剪法完全切割有源矩阵。
全文摘要
本发明的一种M×N薄膜致动反射镜反射镜阵列包括有源矩阵、绝缘层、蚀刻停止层和M×N致动结构阵列每个致动结构在其远端有一尖端,且有横穿其结构的蚀刻口,还包括一个带水平条的第一薄膜电极、一个薄膜电致位移单元、一个第二薄膜电极、一个弹性单元和一个导体。形成水平条、尖端和蚀刻口分别是为增加各个薄膜致动反射镜的光学效率,促进去除清洗剂和使薄膜待除层容易去除。
文档编号H04N5/74GK1182519SQ96193409
公开日1998年5月20日 申请日期1996年3月7日 优先权日1995年4月21日
发明者闵庸基 申请人:大宇电子株式会社