专利名称：发光二极管电路组件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管电路，特别是涉及一种可防止被瞬间电流烧毁 的发光二极管电路组件。
背景技术：
参考图l，为一般发光二极管的保护回路。参考图2，为一般齐纳二极管的工作曲线图。参考图1与图2， 一般用以保护发光二极管(LED)的方式，通常利用一颗 齐纳二极管(Zener Diode)并联于此发光二极管(LED)。借此，当此发光二极 管的应用电路(图中未示)，产生逆向电压W或是逆向电流L时，或是一般电 路产生静电(ESD)时，此齐纳二极管随即导通，进而达到保护发光二极管的目 的。虽然此齐纳二极管可以保护此发光二极管，但是，当顺向电压Vf大于齐 纳二极管的崩溃电压Vz时，齐纳二极管立刻崩溃，电流仅可流经此已崩溃的 齐纳二极管；虽然发光二极管仍然完好，但己无法再有电流导通，因此，此线 路形同失效。此外，当顺向电压Vf大于发光二极管之膝点电压Vk，且小于齐 纳二极管的崩溃电压Vz时，则发光二极管导通，发光二极管维持正常工作。然而， 一般齐纳二极管的崩溃电压Vz为5V(伏特)以上，对于一般工作电 压在3V至4V的蓝、绿光发光二极管，原则上没有什么问题。但是，对于工作 电压在1. 8V至2. 6V，发射波长在570纳米(nm)的黄绿光至660纳米(nm)的红 光发光二极管而言，当顺向电压Vf大于齐纳二极管的崩溃电压Vz时，齐纳二 极管已崩溃，虽然发光二极管仍然完好，但已无法再有电流导通，此线路形同 失效。此外，顺向电压Vf虽小于齐纳二极管的崩溃电压Vz，但对于工作电压在 1. 8V至2. 6V的发光二极管而言，其产生电流仍可高达该发光二极管额定电流 的数倍之多，发光二极管仍可能瞬间烧毁。参考图3，为一般发光二极管运用于共阴极电路的电路图。一种发光二极管模块100，在并联共阴极的应用上，包含有一红光发光二 极管(R)llO、 一绿光发光二极管(G)120与一蓝光发光二极管(B)130。此发光 二极管模块100也可使用于共阳极电路，图中未示。该红光发光二极管(R)llO，具有一正极111与一负极112。此红光发光二 极管(R) 110其发射波长在590纳米(rnn)至640纳米(nm)红光之间。该绿光发光二极管(G)120，具有一正极121与一负极122。该负极122电 连接于该红光发光二极管(R)llO的负极112。此绿光发光二极管(G)120其发 射波长于500纳米(nm)至550纳米(nm)绿光之间。该蓝光发光二极管(B)130，具有一正极131与一负极132。该负极132电 连接于该红光发光二极管(R)llO的负极112，以及该绿光发光二极管(G)120 的负极122。该绿光发光二极管(G) 120其发射波长在400纳米(nm)至480纳米 (nm)绿光之间。该红光发光二极管(R)llO的负极112、该绿光发光二极管(G)120的负极 122与该蓝光发光二极管(B) 130的负极132相互连接成一共极点140，借此， 构成该发光二极管模块100的共点(common)。在应用上，是将发光二极管模块100的共极点140连接至待驱动回路(电 子产品的电源，图中未示)上，即可被驱动，进而发出光源。所以，在R、 G、 B共阴极的应用上，必需在此发光二极管模块100以外的 电路上(如驱动回路)增加负载(如电阻等)，以防止工作电压(Vf)较低的红光发 光二极管(R)llO，受瞬间电流影响而烧毁。综上所述，在共阴极(共阳极)的应用上， 一般发光二极管模块100在使用 上，必需增设负载，才能使R、 G、 B三色的光源均匀一致，为业界惯用的技术。 但是，针对需外接电路(增设负载)才能驱使发光二极管模块100正常运行此 点，不但增加产品制造的不便性，而且，假如在制造上，不甚漏掉了要增设的 负载，此发光二极管模块100在通电后，就会马上损毁，进而浪费制造材料与 提高成本。发明内容本发明的目的在于提供一种发光二极管电路组件，将齐纳二极管(ZenerDiode)串接于发光二极管(LED)，可提高发光二极管的工作电压(Vf),避免被 瞬间电流烧毁，同时应用于其它电路，可增加使用的方便性。为了实现上述目的，本发明提供了一种发光二极管电路组件，包含一发光 二极管(LED)与一齐纳二极管(Zener Diode)。该发光二极管，其发射波长在570纳米(nm)黄绿光至660纳米(nm)红光之间。该齐纳二极管，串接于该发光二极管。本发明的功效为，将齐纳二极管(Zener Diode)串接于发光二极管(LED)， 以提高光发光二极管(LED)的工作电压(Vf)，避免发光二极管被瞬间电流烧毁， 同时可增加其它电路的使用方便性。以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的 限定。
图1为一般发光二极管的保护回路；图2为一般齐纳二极管的工作曲线图；图3为一般发光二极管运用于共阴极电路的电路图；图4为本发明第一实施例的发光二极管电路组件的电路图；图5为本发明第二实施例的发光二极管电路组件的电路图；图6为本发明第三实施例的发光二极管电路组件的电路图；图7为本发明第四实施例的发光二极管电路组件的电路图；图8为本发明第五实施例的发光二极管电路组件的电路图；图9为本发明第六实施例的发光二极管电路组件的电路图。其中，附图标记100:发光二极管电路组件110:红/黄光发光二极管111:正极112:负极120:绿光发光二极管m:正极122:负极130:蓝光发光二极管131:正极132:负极140:共极点200:发光二极管电路组件200，:发光二极管电路组件210:红/黄光发光二极管211:正极212:负极220:齐纳二极管221:正极222:负极230:绿光发光二极管231:正极232:负极240:蓝光发光二极管241:正极242:负极300:发光二极管模块300，-发光二极管模块310:红/黄光发光二极管311:正极312:负极320:第一齐纳二极管321:正极322:负极330:第二齐纳二极管331:正极332:负极340:齐纳二极管350:齐纳二极管具体实施方式
参考图4，为本发明第一实施例的发光二极管电路组件的电路图。 本发明的发光二极管电路组件200包含一红/黄光发光二极管(R/Y)210，以及一齐纳二极管(Zener Diode) 220。该红/黄光发光二极管(R/Y)210，具有一正极211与一负极212。该红/黄光发光二极管(R/Y)210其发射波长在570纳米(nm)黄绿光至660纳米(nm)红光之间。该齐纳二极管(ZD)220具有一正极221与一负极222。该齐纳二极管220 的正极221连接于该红/黄光发光二极管(R/Y)的负极212。本发明的发光二极管电路组件200，将齐纳二极管(Zener Diode) 220与红 /黄光发光二极管(R/Y)210相互串接。因一颗齐纳二极管220的工作电压(Vf) 为0.7V至1.2V之间。所以，加上红/黄光发光二极管(R/Y)230的工作电压 (1.8v至2.6V)，使得此发光二极管电路组件200的工作电压(Vf)可提高到 2.5V至3.8V之间。因此，运用在其它驱动电路上，不用再外接其它保护电路，就可避免瞬间电流烧毁。参考图5，为本发明第二实施例的发光二极管电路组件的电路图。此第二实施例的发光二极管电路组件200包含一红/黄光发光二极管 (R/Y)210,以及多数个齐纳二极管(Zener Diode) 220。在此以三颗齐纳二极管 220为例。第二实施例中，将每一个齐纳二极管220相互并联，再将每一个齐纳二极 管220的正极221连接于该发光二极管210的负极212。借此，达到与第一实 施例相同的功效，不再赘述。参考图6，为本发明第三实施例的发光二极管电路组件的电路图。此第三实施例的发光二极管电路组件200'包含一红/黄光发光二极管 (R/Y)210、 一齐纳二极管(Zener Diode) 220、 一绿光发光二极管(G) 230，以及 一蓝光发光二极管(B)240。该红/黄光发光二极管(R/Y)210，具有一正极211与一负极212。该红/黄 光发光二极管(R/Y)210其发射波长在570纳米(nm)黄绿光至660纳米(nm)红 光之间。该齐纳二极管220具有一正极221与一负极222。该齐纳二极管220的正 极221连接于该红/黄光发光二极管(R/Y)的负极212。该绿光发光二极管(G)230，具有一正极231与一负极232。该绿光发光二 极管(G)的负极232连接于该齐纳二极管220的负极222。此绿光发光二极管 (G) 230其发射波长在500纳米(nm)至550纳米(nm)绿光之间。该蓝光发光二极管(B)240，具有一正极241与一负极242。该蓝光发光二 极管(B)240的负极242连接于该齐纳二极管220的负极222与该绿光发光二 极管(G) 230的负极232。此蓝光发光二极管(B) 240其发射波长在400纳米(nm) 至480纳米(nm)蓝光之间。经上述说明，由于蓝光发光二极管(B)240与绿光发光二极管(G)230均为 氮化镓(GaN)、氮化镓铟(InGaN)材质，工作电压(Vf)均落在3V至4V之间。因 此，本发明将图4的发光二极管电路组件200，应用在图6的R、 G、 B共阴极 (或共阳极)的电路时，如果以3V至4V的驱动电压同时供给红/黄色发光二极 管(R/Y) 210、绿光发光二极管(G) 230与蓝光发光二极管(B) 240时，此三颗LED 的亮度将一致，不会产生某一颗亮度不足(低亮度)，而影响该发光二极管电路 组件200'的使用效率(光源不足或有色差等问题)；同时，此红/黄光发光二 极管(R/Y)210也不会被瞬间电流烧毁。归纳上述，本发明的发光二极管电路组件200、 200'，应用于驱动回路 上，就不用再外接其它保护电路。相比于公知的发光二极管模块100必需增设 外接保护回路的缺点；本发明运用在共阴极、共阳极等电路时，不但提高了使 用的方便性，也可避免发光二极管被瞬间电流烧毁。如此一来，可减低发光二 极管电路组件本身以及驱动电路的组件损耗。参考图7，为本发明第四实施例的发光二极管电路组件的电路图。此第四实施例的发光二极管电路组件200''包含一红/黄光发光二极管 (R/Y)210、两个齐纳二极管(Zener Diode) 220、 一绿光发光二极管(G) 230,以 及一蓝光发光二极管(B) 240。此第四实施例，只是将图5的发光二极管电路组件200，运用于R、 G、 B 共阴极电路上，其使用功效与图6的发光二极管电路组件200，相同，不再赘 述。当然，此图7的电路组合也可运用于R、 G、 B共阳极的电路上，不再多加 说明。参考图8，为本发明第五实施例的发光二极管电路组件的电路图。 此第五实施例的发光二极管电路组件300包含一红/黄光发光二极管(R/Y)310、 一第一齐纳二极管(Zener Diode) 320，以及一第二齐纳二极管330。 该红/黄光发光二极管(R/Y)310，具有一正极311与一负极312。该红/黄光发光二极管(R/Y)310其发射波长在570纳米(nm)黄绿光至660纳米(nm)红光之间。该第一齐纳二极管320具有一正极321与一负极322。该第一齐纳二极管 320的正极321连接于该红/黄光发光二极管(R/Y)310的负极312。该第二齐纳二极管330具有一正极331与一负极332。该第二齐纳二极管 330的正极331连接于该第一齐纳二极管320的负极322，该第二齐纳二极管 330的负极332连接于该红/黄光发光二极管(R/Y)310的正极311。此发光二极管电路组件300除了能够借助第一齐纳二极管320达到防止瞬 间电流烧毁之外；当逆向电压因电源异常或静电因素，而高于该第一齐纳二极 管320与该发光二极管310的可承受值时，此时，该第二齐纳二极管330会导 通，以实现抗静电的作用。参考图9，为本发明第六实施例的发光二极管电路组件的电路图。此第六实施例的发光二极管电路组件300，包含一红/黄光发光二极管(R/Y)310、 一第一齐纳二极管(Zener Diode) 320，以及两个反向串接的第二齐 纳二极管340、 350。两个第二齐纳二极管340、 350连接在该发光二极管310的正极311与该 第一齐纳二极管320的负极322，借以达到与图8的第五实施例相同的使用功 效，除可达到防止瞬间电流烧毁，还可获得抗静电作用。此外，本发明的发光二极管电路组件200， 、 300，，除可应用于RGB共 阴(阳)电路与R、 G、 Y、 B共阴(阳)电路之外，还可使用于R、 G、 G、 B共阴(阳) 电路，此不多赘述。经上述说明，本发明的发光二极管电路组件，确实可自成一保护发光二极 管的回路，要使用于各种电路装置时，不但无需再外接保护回路，即可防止瞬 间电流烧毁，而且对此电路装置而言，还具有方便运用此发光二极管电路组件 的优点。当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情 况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这 些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1. 一种发光二极管电路组件，其特征在于，包含有一第一发光二极管，其发射波长在570纳米黄绿光至660纳米红光之间；以及至少一第一齐纳二极管，串接于该发光二极管。
2、 根据权利要求1所述的发光二极管电路组件，其特征在于，该第一发 光二极管具有一正极与一负极；该第一齐纳二极管具有一正极与一负极；该第 一齐纳二极管的正极连接于该第一发光二极管的负极。
3、 根据权利要求2所述的发光二极管电路组件，其特征在于，还包含一第二齐纳二极管，该第二齐纳二极管具有一正极与一负极；该第二齐纳二极管 的正极连接于该第一齐纳二极管的负极，该第二齐纳二极管的负极连接于该第 一发光二极管的正极。
4、 根据权利要求1所述的发光二极管电路组件，其特征在于，该第一齐 纳二极管至少有二个，每一个第一齐纳二极管具有一正极与一负极；每一个第一齐纳二极管相互并联，而且，每一个第一齐纳二极管的正极连接于该第一发 光二极管的负极。
5、 根据权利要求1所述的发光二极管电路组件，其特征在于，该第一发 光二极管为一发射出红光的LED晶粒。
6、 根据权利要求1所述的发光二极管电路组件，其特征在于，还包含一 第二发光二极管与一第三发光二极管；该第二发光二极管与该第三发光二极管 相互并联，并且串接于该第一齐纳二极管，其包括有该第一发光二极管，具有一正极与一负极；该第一齐纳二极管，具有一正极与一负极，该第一齐纳二极管的正极连接 于该第一发光二极管的负极；该第二发光二极管，其发射波长在400纳米至480纳米蓝光之间，并具有 一正极与一负极，该第二发光二极管的负极连接于该第一齐纳二极管的负极； 以及该第三发光二极管，其发射波长在500纳米至550纳米绿光之间，并具有 一正极与一负极，该第三发光二极管的负极连接于该第一齐纳二极管的负极与该第二发光二极管的负极。
7、 根据权利要求6所述的发光二极管电路组件，其特征在于，该第一齐 纳二极管至少有二个，每一个第一齐纳二极管相互并联，而且，每一个第一齐 纳二极管的正极连接于该第一发光二极管的负极。
8、 根据权利要求1所述的发光二极管电路组件，其特征在于，还包含两 个反向串接的齐纳二极管，此两个齐纳二极管连接在该发光二极管的正极与该 第一齐纳二极管的负极。
全文摘要
本发明公开了一种发光二极管电路组件，包含一个发光二极管(LED)与一齐纳二极管(Zener Diode)，该发光二极管其发射波长在570纳米(nm)黄绿光至660纳米(nm)红光之间。将齐纳二极管串接于此发光二极管，以提高发光二极管的工作电压，避免被瞬间电流烧毁。
文档编号H05B33/08GK101247043SQ20071008027
公开日2008年8月20日 申请日期2007年2月15日 优先权日2007年2月15日
发明者洪荣豪, 邢陈震仑 申请人:葳天科技股份有限公司