基板材的表面处理装置的制作方法

专利名称：基板材的表面处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种基板材的表面处理装置。即，涉及使用于电子电路基板的制造工 序、代表性的有蚀刻工序中，并且使用处理液对基板材进行表面处理的表面处理装置。
背景技术：
(技术背景)在印刷线路基板、其他的电子电路基板的代表性的制造工序中，首先，液状或干燥 薄膜状的感光耐蚀剂涂敷或者粘贴在由贴铜层压板构成的基板材的外表面上。接着，用电路的底片薄膜进行曝光后，通过显影溶解除去电路形成部分以外的耐 蚀剂，以此通过蚀刻溶解除去露出的电路形状部分以外的铜箔之后，通过剥离溶解除去电 路形成部分的蚀刻液。通过按照这样的工艺，从而由残存在基板材的外表面的铜箔形成电子电路，以制 造出电子电路基板。另外，作为该种铜箔，使用电解铜和电镀铜两者并用而形成的铜箔等。(现有技术)如图5的(1)所示，在上述显影工序、蚀刻工序、剥离工序等中，分别使用显影装 置、蚀刻装置、剥离装置等表面处理装置1对传送的基板材A从喷嘴2 (1液体喷嘴)中喷射 显影液、蚀刻液、剥离液等处理液B。因此，对于基板材A顺次实施显影、蚀刻、剥离等表面处理。图5(1)中，3为传送基 板材A的传送带4的传送辊，5为处理液B的液槽。(现有技术文献)(专利文献)作为这种表面处理装置1，例如，可列举下面的专利文献1、专利文献2所示的装置。专利文献1 日本特开2002-68435号公报专利文献1 日本特开2006-222117号公报

发明内容
(发明要解决的问题)可是，对于上述现有技术例的该种表面处理装置1，指出了下面的课题。(作为课题的问题点)在电子电路基板中，形成图形的电路C(参照图5的(2))的微细化、高密度化的发 展显著。例如，电路宽度L或电路间空隙S微细化、高密度化到15 μ m-40 μ m程度。对此，对于该基板材A的蚀刻等的表面处理，指出了在精度或稳定性上的问题。例 如，如图3的(4)所示，报告发生有形成了呈大致富士山状和很陡的倾斜台状的截面形状的 电路C的侧面蚀刻和过度蚀刻。在图3的(4)的例中，在设定40μπι的电路宽度L、40ym的电路间空隙S、20ym的电路高度H等的情况下，顶面宽度X为25 μ m-35 μ m程度、侧面蚀刻宽度Y为左右5 μ m前 后程度的电路C部分，形成过多蚀刻。因此，蚀刻的评价的基准的蚀刻系数为3前后程度较 低。并且，发生这种侧面蚀刻和过度蚀刻，对于上述电路C趋向微细化、高密度化来 说，成为很大的问题。当在电路C上发生这种部分时，载流量、电阻值等相对于设定值发生 了大的变化，对信号传递等也会产生障碍，也会有放热。(关于其原因)作为电路C被这样侧面蚀刻和过度蚀刻而使电路宽度L变得又细又狭小的原因， 首先，可以例举的是蚀刻液等处理液B的冲击不足。例如，为了通过蚀刻喷射形成电路C的 图形，需要向基板材A施加最大冲击值为200mN以上的冲击，而该现有技术例中远远不足。因此，在该现有技术例中，对于基板材A，喷射后的蚀刻液的更新受阻，产生液体积 存或滞留，产生蚀刻不足的部分，当要弥补该问题而增加蚀刻量时，如上所述，发生蚀刻过 多的侧面蚀刻和过度蚀刻。再者，作为这种侧面蚀刻和过度蚀刻的发生原因，可以例举的是对基板材A进行 喷射的蚀刻液等处理液B的粒子直径大，不能保证进入微细化、高密度化的电路C图形内。(关于本发明)本发明的基板材的表面处理装置是鉴于这种实际情况，要解决上述现有技术例的 课题而作出的。并且，本发明的目的是提供一种基板材的表面处理装置，第一通过强冲击对基板 材实施均勻的喷射，第二以此能够高精度且稳定地制造电子电路基板。(解决技术问题的技术方案)(关于技术方案)解决上述课题的本发明的技术方案如下。首先关于第一发明如下。第一发明的基板材的表面处理装置，使用于电子电路基板的制造工序中，从喷嘴 对传送的基板材喷射处理液而进行表面处理。并且，其特征在于该喷嘴由两流体喷嘴构成，处理液和空气混合后进行喷射，该 基板材和该喷嘴之间为5mm以上-40mm以下的距离间隔。关于第二发明如下。在第二发明的基板材的表面处理装置中，在第一发明中，该喷 嘴分别在各喷射管上设有多个。并且，其特征在于各喷射管向左右方向排列，在前后的传送方向上相互存在间 隔，且设置多根，同时可以沿左右方向水平往复移动。关于第三发明如下。在第三发明的基板材的表面处理装置中，在第二发明中，从该 喷嘴中与该空气一同喷射出的该处理液成为微小粒子，喷射在该基板材上。而且，其特征在于该处理液在非常近的上述距离间隔之下，以强冲击对该基板材 进行喷射的同时，通过该喷射管和该喷嘴的上述水平往复移动，对该基板材进行大面积且 均勻的喷射。关于第四发明如下。在第四发明的基板材的表面处理装置中，其特征在于在第三 发明中，该处理液以最大冲击值为200mN以上的强冲击，对该基板材进行喷射。关于第五发明如下。在第五发明的基板材的表面处理装置中，其特征在于在第一发明中，在该喷嘴中，压力供给的该空气直入内部喷射通道，相对于直入的该空气，压力供 给的该处理液在该内部喷射通道的中途从横方向供给、且进行混合。关于第六发明如下。第六发明的基板材的表面处理装置，其特征在于在第三发明 或第五发明中，该空气从加压输送源的鼓风机中压力供给至该喷嘴。关于第七发明如下。第七发明的基板材的表面处理装置，其特征在于在第六发明 中，从该鼓风机中压力供给至该喷嘴的该空气、和与该空气混合后从该喷嘴中喷射的该处 理液，温度在上升，以此通过该处理液对该基板材进行喷射，从而发挥提高该基板材的表面 处理精度的功能。关于第八发明如下。在第八发明的基板材的表面处理装置中，其特征在于在第一 发明中，该表面处理装置使用于显影工序、蚀刻工序、剥离工序或者清洗工序中，该喷嘴将 显影液、蚀刻液、剥离液或者清洗液作为该处理液进行喷射。(关于作用等)因为本发明利用上述方法，所以，其作用如下。(1)该表面处理装置使用于电子电路基板的制造工序，例如蚀刻工序中。(2)因此，从该喷嘴中喷射处理液，对基板材进行表面处理。(3)并且，相对于基板材以5mm-40mm的距离间隔设置两流体喷嘴制成的喷嘴，同 时构成使其水平往复移动。(4)因此，从喷嘴中与空气一同喷射出的处理液，在微小粒子化的同时，以最大冲 击值200mN以上的强冲击对基板材进行喷射。(5)另外，因为喷嘴向左右往复移动，所以，处理液在大的喷射范围之下，对基板材 进行彻底且均勻的喷射。(6)由上所述，即使在形成微细化、高密度化的电路图形时，能够高精度且稳定地 实施基板材的表面处理。(7)即，处理液可以可靠地进入电路图形内，同时，更新得以进展，避免产生液体积 存或滞留，因此不会发生蚀刻不足和过度蚀刻等。(8)这样，获得接近最佳的截面形状的电路。(9)可是，在作为空气加压输送源使用鼓风机的情况下，压力供给喷嘴而被喷射的 空气和处理液，其温度在上升。因此，从这方面来看，基板材的表面处理更顺畅且迅速地以 高精度实施，能够获得接近最佳的截面形状的电路。(10)因此，本发明发挥了如下效果。(发明的效果)(第一效果)第一，以强的冲击对基板材实施均勻的喷射，本发明的表面装置，其特征在于组 合并采用了两流体喷嘴、5mm-40mm的距离间隔、水平往复移动等。因此，例如在蚀刻时，微小粒子状的蚀刻液以最大冲击值为200mN以上的强冲击 对基板材进行喷射的同时，通过往复移动，进行大面积且均勻的喷射。因此，避免使用1流体喷嘴的上述现有技术例那样的侧面蚀刻和过度蚀刻，防止 产生电路变得又细又狭小的部分，因此能够形成接近最佳的截面形状的电路。在本发明的 表面处理装置中，同样高精度且稳定地实施蚀刻以外的表面处理。
另外，基于上述理由，具有例如蚀刻速度加快等、装置整体的处理速度提高的优
点ο特别是，在作为空气加压输送源使用鼓风机的情况下，基板材的表面处理能够以 更高的精度且稳定地，而且，处理速度快地进行实施。S卩，因为温度上升后的处理液对基板材进行喷射，所以，基板材的蚀刻等表面处理 变得更顺畅，在高精度且稳定地进行实施的同时，蚀刻速度等的处理速度也得以提高。(第二效果)第二，因此，即使为微细化、高精度化的电路的电子电路基板，也能够高精度且稳 定地制造。S卩，如上所述，在本发明的表面处理装置中，高精度且稳定地实施蚀刻以外的表面 处理。因此，在将电路宽度或电路间空隙为从15 μ m至40 μ m程度的微细化后的电路形成 图形时，也实施所要求的表面处理，因此，能够稳定地制造高精度的电子电路基板。对于制造的电子电路基板的电路来说，载流量、电阻值等相对于设定值不会像使 用1流体喷嘴的上述现有技术例那样发生变化，从而防止信号传递中发生障碍，或进行放 热。这样，该现有技术例存在的课题全部得以解决等的本发明所发挥的效果是显著而 很大的。


图1为关于涉及本发明的基板材的表面处理装置，供说明用于实施发明的方式的 正面的剖面说明图。图2为供说明用于实施本发明的方式的平面说明图。图3为供说明用于实施本发明的方式的，图3的(1)为喷嘴等的正面的说明图， (2)、(3)、(4)为电路的剖面说明图，(2)表示最佳例，(3)表示良好例(本发明)，(4)表示 不良例(现有技术例)。图4为供说明用于实施本发明的方式的，喷射冲击(最大冲击值)的图表。图5的(1)为表面处理装置的侧面的剖面说明图，(2)为电子电路基板的测试图 形的主要部分放大后的平面图。符号说明1表面处理装置(现有技术例)2喷嘴(现有技术例)3传送辊4传送带5 液槽6表面处理装置(本发明)7喷嘴(本发明)8 容器9 泵10过滤器
11配管
12喷射管
喷射管
122喷射管
13内部喷射通道
14加压输送源
15过滤器
16流量计
17配管
18压力计
19喷射孔
A基板材
B处理液
C电路
D空气
E距离间隔
F左右方向
G传送方向
H电路高度
L电路宽度
S电路间空隙
X顶面宽度
Y侧面蚀刻宽度
具体实施例方式下面，对用于实施本发明的方式进行详细地说明。(关于表面处理装置6)如图1、图2所示，本发明的基板材A的表面处理装置6使用于电子电路基板的制 造工序中，从喷嘴7中对传送的基板材A喷射处理液B而进行表面处理(关于制造工序等 参照上述背景技术栏)。S卩，该表面处理装置6在蚀刻工序、显影工序、剥离工序、以及由这些工序附带而 设置的清洗工序等中，作为蚀刻装置、显影装置、剥离装置、或者清洗装置等使用。同时，虽 然适用于代表性的减成法(subtractive process)，但是，也能够适用于除此之外的电子电 路基板的各种制造方法，例如半加成法(semi-additive process) 0并且，在该表面处理装置6中，在容器8内，蚀刻液、显影液、剥离液或者清洗液等 的处理液B对通过传送带4的传送辊3等(图1等中省略图示，参照上述图5的(1))水平 传送的基板材A进行喷射。因此，对处理液B所喷射的基板材A进行规定的药液处理或清 洗处理等表面处理。另外，表面处理后的处理液B向液槽5流下、回收、存积之后，经过泵9、过滤器10、配管11等，再从喷射管循环供给喷嘴7进行再利用。表面处理装置6的概况如上所述。(本发明的概要)下面，参照图1-图4对本发明的表面处理装置6进行说明。首先，对概要进行说 明。该表面处理装置6的喷嘴7由两流体喷嘴构成，处理液B和空气D混合后进行喷 射。基板材A和喷嘴7之间为5mm以上-40mm以下的距离间隔E。并且，在各喷射管12上分别设置多个喷嘴7，各喷射管12向左右方向F排列，在前 后的传送方向G上相互存在间隔且设置多根，同时，可以沿左右方向F水平往复移动。并且，从喷嘴7中与空气D —同喷射出的处理液B成为微小粒子，喷射在基板材A 上。而且，处理液B在非常近的上述距离间隔E之下，以强冲击对基板材A进行喷射的 同时，对于基板材A仅那部分的变得狭小的喷射范围通过喷射管12和喷嘴7的上述水平往 复移动来弥补，因此，对基板材A进行大面积且均勻的喷射。处理液B例如以最大冲击值为200mN以上的强冲击对基板材A进行大面积且均勻 的喷射。本发明的概要如上所述。(本发明的详细内容)对这种表面处理装置6进行更详细的说明。首先，如图1或图3的(1)所示，该喷 嘴7由两流体喷嘴构成。并且，在该两流体喷嘴制成的喷嘴7中，压力供给的空气D直入内部喷射通道13， 相对于直入的空气D，压力供给的处理液B在内部喷射通道13的中途从垂直的横方向供给， 且进行混合。空气D通过这样直入，从而具有内部阻力小的优点。对此，处理液B通过相对于直 入的空气D从横方向供给，从而具有顺畅地被吸入空气D中进行混合的优点。同时，由此具 有该压力供给压力也可以低的优点。并且，空气D是引入的外界空气从送风机、压缩机或者鼓风机等的加压输送源14 中加压输送，以此经过过滤器15、流量计16、配管17等之后，从喷射管122供给喷嘴7。图 中18为压力计。该空气D以0. OlMPa以上_0. 6MPa以下程度的供给压力进行供给。作为加压输送 源14，在使用压缩机的情况下，代表性的为0. 3MPa以上-0. 6MPa以下程度的高压空气，在使 用鼓风机的情况下，代表性的为0. OlMPa以上-0. OSMPa以下程度的低压空气。在作为加压输送源14使用例如罗茨鼓风机的情况下，温度比引入的外界空气的 环境温度上升的空气D由鼓风机生成。例如，温度上升至40°C -90°C程度的空气D由鼓风 机生成，以此能够适宜地供给。另一方面，处理液B如上所述，从喷射管U1向喷嘴7供给。从喷嘴7的喷射孔19中与空气D—同喷射出的处理液B为平均粒子直径为 20 μ m-30 μ m程度的微小粒子，同时，以比空气D的上述供给压力略低的喷射压力喷射至基 板材A。
并且，从喷嘴7的喷射孔19到基板材A的距离间隔E设定成上下5mm-40mm程度。 在由蚀刻等表面处理形成电路C的图形时，喷射的处理液B对基板材A冲击压力，最大冲击 值稳定地达到200mN以上，即需要给予强冲击，根据这样的距离间隔E可以获得必要的冲
击ο例如，如图4所示，在对基板材A以半径40mm程度形成的整体性的、外观性的喷射 范围中，以半径20mm程度形成的中心的、实际的喷射范围内，最大冲击值可靠地达到200mN 以上。另外，相对于当距离间隔E超过40mm时，最大冲击值低于200mN的情况，当距离间 隔E未满5mm时，喷嘴7与基板材A过分接近，由于处理液B的反射等，对顺畅的表面处理
产生障碍。作为喷嘴7，代表性地使用平锥形(flat cone)喷嘴(喷射图形为椭圆形)或全锥 形(full cone)喷嘴(喷射图形为圆形)，但是，当然也可以使用除此之外的各种喷嘴。另外，作为基板材A，代表性的为在表里两面形成电路C的两面基板型，但是，当然 也可以考虑仅在单面形成电路C的单面基板型，进一步，对于多层基板的其他各种类型的 基板，该表面处理装置6也可以广泛适用。在图示例中，在各喷射管12上各设置5个喷嘴7。并且，各喷射管12朝向与作为 前后方向的传送方向G垂直的左右方向F平行排列。即，在前后的传送方向G上相互存在 前后间隔的同时，在容器8内设置例如上下各4根。并且，各喷射管12和喷嘴7向左右方向F同步联动，在规定距离之间水平滑动的 同时，可以往复移动。可是，空气D从喷射管122、处理液B从喷射管U1分别向喷嘴7供给。并且，在图 1的例中，喷射管122和喷射管在另行设置的同时，同步联动且进行水平往复移动。对此，如图2所示的例那样，相对于共同的喷嘴7，将成对的喷射管122和喷射管 作为喷射管12并存，一体连接地进行设置(例如，将喷射管12内部区划为两流体用的
构成)，往复移动的动作容易进行。本发明如上所示。(作用等)本发明的基板材A的表面处理装置6如以上说明的那样构成。因此，其作用如下 所示。(1)该表面处理装置6使用于电子电路基板的制造工序中。即，在从成为制造工序 核心的蚀刻工序开始的、显影工序、剥离工序、清洗工序等中，作为蚀刻装置、显影装置、剥 离装置、清洗装置等使用。(2)并且，表面处理装置6用处理液B对基板材A进行表面处理而形成电路C。S卩，将蚀刻液、显影液、剥离液、清洗液等处理液B经过喷射管12(122和12)从喷 嘴7对传送的基板材A进行喷射，以此对基板材A进行蚀刻、显影、剥离、清洗等(参照图1、 图2)。作为蚀刻液使用例如氯化铜或氯化铁。(3)并且，本发明的表面处理装置6构成为，作为喷嘴7采用两流体喷嘴，同时相对 于基板材A以5mm-40mm的距离间隔E设置该喷嘴7，此外，与喷射管12(122和12) —同沿 左右方向F进行水平往复移动。
本发明的特征是组合并采用上述的构成(参照图1、图2、图3的(1)等)。(4)因此，从喷嘴7中与空气D—同喷射出的处理液B首先进行微小粒子化成为 20 μ m-40 μ m程度，再对基板材A进行喷射。并且，处理液B以5mm-40mm非常近的距离间隔E向基板材A喷射，以此用强冲击 对基板材A进行喷射。在蚀刻等表面处理中，需要最大冲击值为200mN程度以上的冲击，已 经可靠地获得了这样的强冲击(参照下述的表1或图4)。(5)可是，因为以这样近的距离间隔E喷射处理液B，所以，那样向基板材A喷射范 围变得狭小(参照图4)。因此，为了弥补狭小的喷射范围，采用了使喷射管122)和喷嘴7向左右 方向F水平往复移动的系统。以此处理液B对基板材A给予强冲击的同时，通过水平往复 移动在大的喷射范围之下，对基板材A进行彻底且均勻的喷射。 (6)在本发明的表面处理装置6中，如上述那样，处理液B进行微小粒子化，且以强 冲击对基板材A进行均勻的喷射。因此，在电路宽度L或电路间空隙S为15 μ m-40 μ m程度、形成微细化、高密度化 的电路C的图形时，可高精度且稳定地实施表面处理。(7)即，处理液B因为进行了微粒子化，所以，可以可靠地进入基板材A的微细化、 高密度化的电路C的图形内。并且，处理液B基于强冲击，基板材A外表面上的更新得以进 展，避免了积存或滞留的产生，蚀刻不足或过度蚀刻也不易发生。(8)这样，进行基板材A的表面处理，可以获得接近最佳截面形状的电路C。避免 该现有技术那样的侧面蚀刻，防止电路宽度L变得又细又狭小的部分的产生。因此，可以获得截面形状接近正方形或长方形的最佳例(参照图3的(2))的电路 C(参照图3的(3))。避免了如该现有技术例那样呈大致富士山状和很陡的倾斜台形状的 电路C(参照图3的(4))。例如，蚀刻时，在设定40 μ m的电路宽度L、40 μ m的电路间空隙S、20 μ m的电路高 度H等之后，如下所述(参照图3(3))。S卩，至少可以形成顶面宽度X为36 μ m程度，侧面蚀刻宽度Y为左右2 μ m程度的 电路C(与图3的(4)比较对照)。作为蚀刻评价的基准的蚀刻系数提高到5-10前后程度。(9)可是，在作为空气D的加压输送源14使用鼓风机，例如罗茨鼓风机的情况下， 更进一步发挥这些作用。即，从由鼓风机构成的加压输送源14压力供给的空气D因为温度比外界空气的环 境温度上升，所以，与空气D混合后从喷嘴7中喷射的处理液B也随之温度上升。因此，可以将温度上升后的处理液B对基板材A进行喷射。因此，基板材A的蚀刻、 显影、剥离等表面处理更顺畅且迅速地、高精度地实施，所以，从该方面来看，可以获得接近 最佳的电路C。(10)例如，在蚀刻工序中对基板材A进行蚀刻处理时，代表性的45°C -50°C程度 的温度适宜。根据情况，也有60°C前后程度的温度适宜的情况，在软蚀刻的情况下，例如 300C -35°C程度的温度适宜。另外，在剥离工序中对基板材A进行剥离处理时，代表性的45°C _50°C程度的温度 适宜，在显影工序中对基板材A进行显影处理时，例如30°C _35°C程度的温度适宜。
对此，在作为加压输送源14的鼓风机中生成的温度上升的空气D在40°C _90°C程 度之间的规定温度区域内。因此，适宜该表面处理的温度的空气D，在加压输送源14的鼓风机中生成的情况 下，温度上升至上述温度区域的空气D从鼓风机直接压力供给喷嘴7。对此，适宜该表面处理的温度，在比在鼓风机中生成的上述温度区域低的情况下， 在鼓风机上附设冷却装置。以此调节温度至适宜该表面处理的温度，获得温度降低后的空 气D压力供给喷嘴7。第一实施例这里，对本发明的第一实施例的数据进行说明。下表1以及附图4为表示涉及第 一实施例的表面处理装置6所得的数据。表 1性能测试数据空气量(L/min)200喷雾量(L/min)0.8空气压力(MPa)0. 038水压(MPa)0. 026测定距离(mm)45 40 30 20 10 5最大冲击值(mN)212 224 244 298 385 477首先，关于测试条件如表1所示，为如下所述。使用的喷嘴7 两流体喷嘴空气D的供给量(空气量)200L/min处理液B的供给量(喷雾量)0· 8L/min空气D的供给压力(空气压力):0· 038MPa喷射压力(水压)0· O26MPa在这样的测试条件之下，将相对于基板材A的喷嘴7的距离间隔E顺次变更的同 时，在各个距离间隔Ε，测量处理液B对于基板材A的最大冲击值。(另外，处理液B的粒子 直径测出为30 μ m程度。)于是，获得了表1或图4所示的测量结果。当如本发明那样，将距离间隔E设定为 5mm-40mm时，可以稳定地获得作为必要的冲击的200mN以上的最大冲击值。即，分别测量出距离间隔E是5mm为477mN、IOmm为385mN、20mm为298mN、30mm为 244mN、40mm为224mN的最大冲击值。并且，与此同时，各距离间隔E都在向基板材A的半径 20mm的中心的、实际的喷射范围中，稳定地获得200mN以上的最大冲击值。另外第一，在距离间隔E为45mm中，测量出212mN的最大冲击值，但是，该最大冲 击值是部分的、瞬间的，对于喷射范围不能稳定地获得。另外，在距离间隔E为50mm中，降 低到1 60mN程度的最大冲击值。这样，当距离间隔E超过40mm时，为未满200mN的最大冲击值，得不到必要的冲
击ο另外第二，距离间隔E越小最大冲击值越大，但是，喷射范围变得狭小。因此，水平往复移动的移动距离设定得较大。关于第一实施例，如上所述。第二实施例接着，对本发明的第二实施例的数据进行说明。下表2表示涉及第二实施例的表面处理装置6所得的数据，表3表示涉及该现有 技术例的表面处理装置1所得的数据。但是，数据中有可能包含若干测量误差。表2
本发明的实施例
线路和空气液压图形顶面图形底面图形图形蚀刻间隔压力宽度宽度间隔高度E/F时间(μιη)(MPa)(MPa)(μιη)(μηι)(μπι)(μηι)(sec)30/300.060.04233030236.64025/250.060.04182624205.04020/200.060.04172119189.040
表3
现有技术
线路和空气液压图形顶面图形底面图形图形蚀刻间隔压力宽度宽度间隔高度E/F时间(μπι)(MPa)(MPa)(μηι)(μηι)(μιη)(μπι)(sec)30/30-0.1193129233.812025/25-0.1132723192.713020/20-0.152020192.5130
并且，每次各线路和空隙(即电路宽度L/电路间空隙S)的各个目标值和最佳值
(参照上述图3的(2))，在共同的空气压力(空气D的供给压力，空气压力)、液压(喷射压 力，水压)、蚀刻时间等的条件之下，进行试验。另外，喷嘴高度(距离间隔E)也共同设定为 30mmo其结果是，在本发明的第二实施例中，如上述表2所示，从图形顶面宽度(顶面宽 度X)、图形底面宽度(电路宽度L)、图形间隔(电路间空隙S)、图形高度(电路高度H)等 各点的测定值来看，获得接近最佳的良好形状的电路C (参照上述图3的(3))，以此蚀刻系 数(E/F)也高。对此，在该现有技术例中，如上述表3所示，从各点的测定值来看，呈大致富士山 状和很陡的倾斜台形状的不良形状的电路C(参照上述图3的(4))，蚀刻系数(E/F)也低。这样，数据也证明了本发明的显著的作用效果。关于第二实施例，如上所述。第三实施例接着，对本发明的第三实施例的数据进行说明。
下表4是表示涉及将喷嘴高度(距离间隔E)设定为30mm的实施例的表面处理装 置6所获得的数据，表5是表示涉及将喷嘴高度(距离间隔E)设定为40mm的实施例的表 面处理装置6所获得的数据。但是，数据中有可能包含若干测量误差。表 4本发明的实施例(喷嘴高度30mm)线路和空气液压图形顶面图形底面图形图形蚀刻间隔压力宽度宽度间隔高度E/F时间(μηι)(MPa)(MPa)(μηι)(μηι)(μιη)(μπι)(sec)0.040.03112119183.64020/200.050.03132119194.8400.060.041720201711.340
表5
本发明的实施例(喷〖错高度40mm)
线路和空气液压图形顶面图形底面图形图形蚀刻间隔压力宽度宽度间隔高度E/F时间(μηι)(MPa)(MPa)(μπι)(μπι)(μπι)(μιη)(sec)0.040.03142416193.84020/200.050.03132119205.0400.060.04152218195.440并且，将线路和空隙(即电路宽度L/电路间空隙S)的目标值和最佳值(参照上 述图3的(2))设定为20/20的同时，在共同的蚀刻时间之下，使空气压力(空气D的供给 压力，空气压力)和液压(喷射压力，水压)顺次变化，进行试验。其结果是都获得了良好 的数据。S卩，从图形顶面宽度(顶面宽度X)、图形底面宽度(电路宽度L)、图形间隔(电路 间空隙S)、图形高度(电路高度H)等各点的测定值来看，获得接近最佳的良好形状的电路 C(参照上述图3的(3))，为良好的蚀刻系数(E/F)。从这样的数据方面也证明了本发明的显著的作用效果。关于第三实施例，如上所 述。
权利要求
一种基板材的表面处理装置，使用于电子电路基板的制造工序中，从喷嘴对传送的基板材喷射处理液而进行表面处理，所述基板材的表面处理装置的特征在于该喷嘴由两流体喷嘴构成，处理液和空气混合后进行喷射，该基板材和该喷嘴之间为5mm以上-40mm以下的距离间隔。
2.根据权利要求1所述的基板材的表面处理装置，其特征在于在各喷射管上分别设有多个该喷嘴，各喷射管向左右方向排列，在前后传送方向上相互存在间隔，且设置多根，同时可以沿 左右方向水平往复移动。
3.根据权利要求2所述的基板材的表面处理装置，其特征在于从该喷嘴中与该空气一同喷射出的该处理液成为微小粒子，喷射在该基板材上，而且，该处理液在非常近的所述距离间隔下，以强冲击对该基板材进行喷射的同时，通 过该喷射管和该喷嘴的所述水平往复移动，对该基板材进行大面积且均勻的喷射。
4.根据权利要求3所述的基板材的表面处理装置，其特征在于以最大冲击值为200mN以上的强冲击，对该基板材喷射该处理液。
5.根据权利要求1所述的基板材的表面处理装置，其特征在于在该喷嘴中，压力供给的该空气直入内部喷射通道，相对于直入的该空气，压力供给的 该处理液在该内部喷射通道的中途从横方向供给、且进行混合。
6.根据权利要求3或5所述的基板材的表面处理装置，其特征在于该空气从作为加压输送源的鼓风机中压力供给至该喷嘴。
7.根据权利要求6所述的基板材的表面处理装置，其特征在于从该鼓风机中压力供给至该喷嘴的该空气、和与该空气混合后从该喷嘴中喷射的该处 理液，温度在上升，以此通过该处理液对该基板材进行喷射，从而发挥提高该基板材的表面 处理精度的功能。
8.根据权利要求1所述的基板材的表面处理装置，其特征在于该表面处理装置使用于显影工序、蚀刻工序、剥离工序或者清洗工序中，该喷嘴将显影液、蚀刻液、剥离液或者清洗液作为该处理液进行喷射。
全文摘要
本发明提供一种基板材的表面处理装置，其以强冲击对基板材实施均匀的喷射，以此即使是微细化、高密度化的电路的电子电路基板，也能够高精度且稳定地制造。该表面处理装置(6)使用于电子电路基板的制造工序中，从喷嘴(7)对基板材(A)喷射处理液(B)而进行表面处理。喷嘴(7)由两流体喷嘴构成，处理液(B)和空气(D)混合后进行喷射的同时，基板材(A)和喷嘴(7)之间为5mm-40mm的距离间隔(E)。与空气(D)一同喷射出的处理液(B)成为微小粒子，喷射在基板(A)上。以强冲击对基板材进行喷射的同时，通过向左右方向(F)的水平往复移动，进行大面积且均匀的喷射。空气(D)从加压输送源(14)的鼓风机温度上升并被压力供给。
文档编号H05K3/06GK101888744SQ20101018103
公开日2010年11月17日 申请日期2010年5月13日 优先权日2009年5月14日
发明者伊藤浩昭 申请人:东京化工机株式会社