专利名称：发光二极管电路及其误差放大器的制作方法
技术领域：
本发明内容涉及一种放大器，特别是涉及一种误差放大器以及包含此误差放大器的发光二极管电路。
背景技术：
发光二极管(light emitting diode ；LED)与传统的灯泡照明工具相比较，估计其效率约为传统灯泡的四倍。并且，发光二极管并没有传统的灯泡含有有毒的水银，更拥有较灯泡更长的使用寿命。种种因素下，发光二极管已经成为现代照明科技最新的主流技术。为使发光二极管电路的电压稳定，常藉由电感的设置以达到目的。当发光二极管电路开始运作时，需要的是快速的反应时间，以迅速进入工作模式，而快速的反应时间将使发光二极管电路可在短时间内产生相当大的电流。然而，具有快速反应时间的发光二极管电路所产生的突波电流，容易使上述的电感无法承受而造成损坏。因此，如果发光二极管电路对反应时间不具有可以弹性调整的机制，则电感将持续在工作模式下遭受突波电流的冲击，而容易损坏，无法正常的提供稳压效果。因此，如何设计一个新的发光二极管电路及其误差放大器，以提供弹性调整的反应时间，为业界亟待解决的问题。
发明内容
因此，本发明内容的一个方面是提供一种误差放大器(error amplifier)，包含 差动输入级、输出级以及控制开关模块。差动输入级包含差动输出。输出级包含第一 N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS)、第一 P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)、第二 N型金属氧化物半导体晶体管以及第二 P型金属氧化物半导体晶体管。第一 N型金属氧化物半导体晶体管包含漏极以及栅极，其中漏极连接至误差放大器输出端以及栅极连接至差动输出端。第一 P型金属氧化物半导体晶体管包含栅极以及漏极，其中栅极连接至栅极控制器，漏极连接至第一 N型金属氧化物半导体晶体管的漏极。第二 P型金属氧化物半导体晶体管包含漏极，其中漏极连接至第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极。其中于第一操作模式中，控制开关模块使第二 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接至栅极控制器，使第二 N 型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接至差动输出端以及使第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接至误差放大器输出端。于第二操作模式中，控制开关模块使第二 P型金属氧化物半导体晶体管以及第二 N型金属氧化物半导体晶体管，不与栅极控制器、差动输出端以及误差放大器输出端连接。依据本发明内容的一实施例，于第一操作模式中，控制开关模块使输出级的跨导值提升。于第二操作模式中，控制开关模块使输出级的跨导值降低。依据本发明内容的另一实施例，其中控制开关模块包含第一开关、第二开关以及第三开关。第一开关连接于第二 P型金属氧化物半导体晶体管的漏极与误差放大器输出端之间。第二开关连接于第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与栅极控制器之间。第三开关连接于第二 N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与差动输出端之间。依据本发明内容的又一实施例，其中差动输入级还包含第一输入端以及第二输入端，第一输入端用以接收参考电压，第二输入端用以接收变动电压，其中差动输出端根据参考电压以及变动电压产生差动输出电压。依据本发明内容的再一实施例，其中栅极控制器为电流源。本发明内容的另一个方面是提供一种发光二极管(light emitting diode ；LED) 电路，包含电感、发光二极管群组、功率金属氧化物半导体晶体管、误差放大器以及脉宽调制器。电感用以连接供应电压以及第一端。发光二极管群组连接于第一端。功率金属氧化物半导体晶体管连接于第一端。误差放大器包含差动输入级、输出级以及控制开关模块。 差动输入级包含差动输出。输出级包含第一 N型金属氧化物半导体晶体管、第一 P型金属氧化物半导体晶体管、第二 N型金属氧化物半导体晶体管以及第二 P型金属氧化物半导体晶体管。第一 N型金属氧化物半导体晶体管包含漏极以及栅极，其中漏极连接至误差放大器输出端以及栅极连接至差动输出端。第一P型金属氧化物半导体晶体管包含栅极以及漏极，其中栅极连接至栅极控制器，漏极连接至第一 N型金属氧化物半导体晶体管的漏极。第二 P型金属氧化物半导体晶体管包含漏极，其中漏极连接至第二 N型金属氧化物半导体晶体管的漏极。其中于第一操作模式中，控制开关模块使第二 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接至栅极控制器，使第二 N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接至差动输出端以及使第二 P型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接至误差放大器输出端。于第二操作模式中，控制开关模块使第二 P型金属氧化物半导体晶体管以及第二 N型金属氧化物半导体晶体管，不与栅极控制器、差动输出端以及误差放大器输出端连接。脉宽调制器用以根据误差放大器输出端产生开关讯号，以控制功率金属氧化物半导体晶体管，从而对发光二极管群组进行充电或放电。依据本发明内容的一实施例，于第一操作模式中，控制开关模块使输出级的跨导值提升。于第二操作模式中，控制开关模块使输出级的跨导值降低。依据本发明内容的另一实施例，其中控制开关模块包含第一开关、第二开关以及第三开关。第一开关连接于第二 P型金属氧化物半导体晶体管的漏极与误差放大器输出端之间。第二开关连接于第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与栅极控制器之间。第三开关连接于第二 N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与差动输出端之间。依据本发明内容的又一实施例，其中差动输入级还包含第一输入端以及第二输入端，第一输入端用以接收参考电压，第二输入端用以接收变动电压，其中差动输出端根据参考电压以及变动电压产生差动输出电压。变动电压为来自发光二极管群组所输出的回授电压。依据本发明内容的再一实施例，当发光二极管电路开始运作时，控制开关模块操作于第一操作模式中，以提升输出级的跨导值，当发光二极管电路开始运作后，参考电压以及变动电压间的差距小于临界值时，控制开关模块操作于第二操作模式中，以降低输出级的跨导值。依据本发明内容更具有的一实施例，于发光二极管电路运作中，当参考电压以及变动电压间的差距大于临界值时，控制开关模块操作于第一操作模式中，以提升输出级的跨导值，当参考电压以及变动电压间的差距小于临界值时，控制开关模块操作于第二操作模式中，以降低输出级的跨导值。依据本发明内容再具有的一实施例，当发光二极管电路开始运作时，控制开关模块操作于第一操作模式中，以提升输出级的跨导值，当发光二极管电路开始运作超过一特定时间后，控制开关模块操作于第二操作模式中，以降低输出级的跨导值。依据本发明内容的一实施例，其中脉宽调制器自振荡器接收振荡电压，脉宽调制器实质上是根据误差放大器输出端以及振荡电压产生开关讯号。其中振荡电压为锯齿状波形电压。栅极控制器为电流源。应用本发明内容的优点在于藉由控制开关模块，可视需要于不同模式间改变误差放大器的组态，进而改变其跨导值，而轻易地达到上述的目的。
为使本发明内容的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，其
如下图1为本发明内容的一实施例中，发光二极管电路的示意图；图2为本发明内容的一实施例中，误差放大器更详细的示意图；以及图3A以及图:3B绘示本发明内容的一实施例中，在不同操作模式下，误差放大器的示意图。附图符号说明1 发光二极管电路10 ；电感
11 第一端12 ；发光二极管群组
120 负载14 ；功率金属氧化物半导体晶体
16 误差放大器管
180 振荡器18 ；脉宽调制器
22 输出级20 ；差动输入级
222 第一 P型金属氧化物半导220 第一 N型金属氧化物半导
体晶体管体晶体管
226 第二 P型金属氧化物半导224 第二 N型金属氧化物半导
体晶体管体晶体管
260 第一开关24 ；栅极控制器
264 第三开关262第二开关
具体实施例方式请参照图1。图1为本发明内容的一实施例中，发光二极管电路1的示意图。发光二极管电路1包含电感10、发光二极管群组12、功率金属氧化物半导体晶体管14、误差放大器16以及脉宽调制器18。电感10用以连接供应电压Vp以及第一端11，并提供一个稳压的机制。发光二极管群组12连接于第一端11以及接地电位之间。于本实施例中，发光二极管群组12与接地电位间实质上尚连接有负载120。功率金属氧化物半导体晶体管14连接于第一端11及接地电位之间。
误差放大器16用以接收参考电压Vref以及回授电压Vf。于本实施例中，回授电压Vf如图1所示，是来自发光二极管群组12的输出端。于其它实施例中，回授电压Vf可以来自其它与发光二极管群组12相关的电压。回授电压Vf是一个变动电压，而其变动的值是与发光二极管电路1的运作情形相关。误差放大器16在误差放大器输出端产生误差放大器输出电压Ve。脉宽调制器18则自误差放大器输出端接收误差放大器输出电压Ve。于本实施例中，发光二极管电路1还包含振荡器180。振荡器180产生锯齿状波型的振荡电压Vo。脉宽调制器18同时接收误差放大器输出电压Ve以及振荡电压Vo，并据以产生具有活动周期(active period)以及关闭周期(inactive period)的开关讯号。开关讯号进一步传送到功率金属氧化物半导体晶体管14的栅极，以控制功率金属氧化物半导体晶体管14的开关，进一步对发光二极管群组12进行充电或是放电。于一实施例中，振荡电压Vo维持相同的波形。因此，误差放大器输出电压Ve的大小将决定开关讯号的活动周期以及关闭周期的长短。当开关讯号使功率金属氧化物半导体晶体管14启动充电的机制时，发光二极管群组12将导通并发光。相反地，当开关讯号使功率金属氧化物半导体晶体管14启动放电的机制时，则发光二极管群组12将关闭。因此，误差放大器输出电压Ve将决定充电及放电的行为，并决定第一端11的电流量。当发光二极管电路1开始运作时，需要的是快速的反应时间，以使发光二极管电路1迅速进入工作模式。藉由提高误差放大器输出电压Ve的升降改变率，将可以达到快速反应时间的效果。而快速的反应时间将使发光二极管电路1可在短时间内产生相当大的电流。然而，具有快速反应时间的发光二极管电路1所产生的突波电流，容易使电感10无法承受而造成损坏。因此，如果发光二极管电路1的误差放大器16对反应时间不具有可以弹性调整的机制，并使误差放大器输出电压Ve持续维持较高的升降改变率，则电感10将持续在工作模式下遭受突波电流，而容易损坏，无法正常的提供稳压效果。请参照图2。图2为本发明内容的一实施例中，误差放大器16更详细的示意图。 误差放大器16包含差动输入级20、输出级22以及控制开关模块。差动输入级20包含第一输入端、第二输入端以及差动输出端。第一输入端用以接收参考电压Vref，第二输入端用以接收回授电压Vf。差动输出端根据参考电压Vref以及变动电压Vf产生差动输出电压Vdi。于本实施例中，参考电压Vref为固定不变的值，而回授电压Vf为变动的值，且此变动的值是根据图1中的发光二极管群组12的工作状态而决定。输出级22包含第一 N型金属氧化物半导体晶体管220、第一 P型金属氧化物半导体晶体管222、第二 N型金属氧化物半导体晶体管224以及第二 P型金属氧化物半导体晶体管226。第一 N型金属氧化物半导体晶体管220包含漏极以及栅极，其中漏极连接至产生误差放大器输出电压Ve的误差放大器输出端，栅极则连接至产生差动输出电压Vdi的差动输出端。于本实施例中，第一 N型金属氧化物半导体晶体管220的源极连接至接地电位。 第一 P型金属氧化物半导体晶体管222包含栅极以及漏极，其中栅极连接至栅极控制器M， 漏极连接至第一 N型金属氧化物半导体晶体管220的漏极。栅极控制器M于本实施例中为电流源，于其它实施例中则可为用以控制第一 P型金属氧化物半导体晶体管222的控制电压。本实施例中，第一 P型金属氧化物半导体晶体管222的源极连接至供应电压Vp。第二 P型金属氧化物半导体晶体管226的漏极连接至第二 N型金属氧化物半导体晶体管2M的漏极。于本实施例中，第二 P型金属氧化物半导体晶体管2 的源极连接至供应电压Vp， 第二 N型金属氧化物半导体晶体管224的源极则连接至接地电位。于本实施例中，控制开关模块包含第一开关沈0、第二开关沈2以及第三开关 264.第一开关260连接于第二 P型金属氧化物半导体晶体管226的漏极与误差放大器输出端之间。第二开关262连接于第二 P型金属氧化物半导体晶体管226的栅极与栅极控制器M之间。第三开关264连接于第二 N型金属氧化物半导体晶体管224的栅极与差动输出端之间。于本实施例中，一个具有第一状态及第二状态的控制电压(未绘示)被用以控制第一开关沈0、第二开关沈2以及第三开关沈4的运作。请同时参照图3A以及图;3B。图3A 以及图3B绘示本发明内容的一实施例中，在不同操作模式下，误差放大器16的示意图。于第一操作模式中，控制电压位于第一状态，以使第一开关沈0、第二开关沈2以及第三开关264成关闭状态，进一步使第二 P型金属氧化物半导体晶体管226的栅极通过第二开关262连接至栅极控制器M，使第二 N型金属氧化物半导体晶体管224的栅极通过第三开关264连接至差动输出端，以及使第二 P型金属氧化物半导体晶体管226的漏极通过第一开关260连接至误差放大器输出端。图3A绘示在第一操作模式下，误差放大器16的等效电路图。由图3A可知，在第一操作模式下，第一 P型金属氧化物半导体晶体管222及第二 P型金属氧化物半导体晶体管226并联，而第一 N型金属氧化物半导体晶体管220及第二 N型金属氧化物半导体晶体管2M并联。于第二操作模式中，控制电压位于第二状态，以使第一开关沈0、第二开关沈2以及第三开关264成打开状态，进一步使第二 P型金属氧化物半导体晶体管226以及第二 N 型金属氧化物半导体晶体管224，不与栅极控制器M、差动输出端以及误差放大器输出端连接。图3B绘示在第二操作模式下，误差放大器16的等效电路图。由图:3B可知，在第二操作模式下，仅有第一 P型金属氧化物半导体晶体管222及第一 N型金属氧化物半导体晶体管220仍在工作。因此，在由第二操作模式转换至第一操作模式后，误差放大器16的输出级22的跨导值将获得提升，而可使反应时间快速，亦即误差放大器输出电压Ve可以快速的改变。而相反，在由第一操作模式转换至第二操作模式后，误差放大器16的输出级22的跨导值将降低，反应时间亦将随之变慢。于一实施例中，当发光二极管电路1开始运作时，控制开关模块操作于第一操作模式中，以提升输出级22的跨导值，并使误差放大器16具有快速的反应时间，进一步使发光二极管电路1的输出电压或电流可以快速增加，即可迅速地从电路的初始状态切换至工作模式中。当发光二极管电路1开始运作超过一特定时间后，误差放大器16已经稳定运作于工作模式中，则控制开关模块将操作于第二操作模式中，以降低输出级22的跨导值，而使第一端11的电压或电流不再具有快速的升降而影响电感10的运作。于另一实施例中，当发光二极管电路1开始运作时，控制开关模块操作于第一操作模式中，以如前所述，提升输出级22的跨导值。接着，一个对参考电压Vref以及回授电压Vf的检测机制将启动，以在当参考电压Vref以及回授电压Vf之间的差距小于一临界值时，判断发光二极管电路1已经稳定运作于工作模式中。因此，控制开关模块将操作于第二操作模式中，以降低输出级22的跨导值。
在本发明内容的另一实施例中，于发光二极管电路1运作中，上述的检测机制可以持续地进行。当参考电压Vref以及回授电压Vf间的差距大于临界值时，表示发光二极管电路1处于不稳定的状态下。举例来说，如果回授电压Vf对正常的工作状态来说太大或是太小，则控制开关模块将操作于第一操作模式中，以提升输出级22的跨导值，迅速地降低或提升第一端11的电压或电流。而当参考电压以及变动电压间的差距小于临界值时，则判断发光二极管电路1已经稳定运作于工作模式中。因此，控制开关模块操作于第二操作模式中，以降低输出级22的跨导值。需注意的是，误差放大器16的输出电压的上升或下降是由参考电压Vref及回授电压Vf的大小决定。举例来说，于一实施例中，当回授电压Vf大于参考电压Vref，则误差放大器16使输出电压降低，而当回授电压Vf小于参考电压Vref，则误差放大器16使输出电压升高。而另一方面，发光二极管电路的电压电流上升与下降率亦可由参考电压Vref及回授电压Vf的大小决定，亦即，由改变输出级22的跨导值进行改变。因此，本发明内容中的发光二极管电路及其所包含的误差放大器，提供可弹性调整反应时间的机制。藉由改变误差放大器中输出级的跨导值，误差放大器的输出电压的上升及下降率可随不同的情形切换至适当的数值。因此，提供至发光二极管群组的电流或电压亦可随之进行调整。而发光二极管电路中提供稳压的电感也可因此免于受到损坏。虽然本发明内容已以实施方式揭示如上，然其并非用以限定本发明内容，本领域的技术人员，在不脱离本发明内容的精神和范围的前提下可作各种的更动与润饰，因此本发明内容的保护范围以本发明的权利要求为准。
权利要求
1.一种误差放大器，包含一差动输入级，包含一差动输出端；一输出级，包含一第一 N型金属氧化物半导体晶体管，包含一漏极以及一栅极，其中该漏极连接至一误差放大器输出端以及该栅极连接至该差动输出端；一第一 P型金属氧化物半导体晶体管，包含一栅极以及一漏极，其中该栅极连接至一栅极控制器，该漏极连接至该第一 N型金属氧化物半导体晶体管的漏极；一第二 N型金属氧化物半导体晶体管；以及一第二 P型金属氧化物半导体晶体管，包含一漏极，其中该漏极连接至该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的漏极；以及一控制开关模块；其中于一第一操作模式中，该控制开关模块使该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的该栅极连接至该栅极控制器，使该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的该栅极连接至该差动输出端以及使该第二P型金属氧化物半导体晶体管的该漏极连接至该误差放大器输出端；于一第二操作模式中，该控制开关模块使该第二 P型金属氧化物半导体晶体管以及该第二 N型金属氧化物半导体晶体管不与该栅极控制器、该差动输出端以及该误差放大器输出端连接。
2.如权利要求1所述的误差放大器，其中于该第一操作模式中，该控制开关模块使该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接至该栅极控制器，使该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接至该差动输出端以及使该第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接至该误差放大器输出端，以提升该输出级的跨导值。
3.如权利要求1所述的误差放大器，其中于该第二操作模式中，该控制开关模块使该第二P型金属氧化物半导体晶体管以及该第二N型金属氧化物半导体晶体管不与该栅极控制器、该差动输出端以及该误差放大器输出端连接，以降低该输出级的跨导值。
4.如权利要求1所述的误差放大器，其中该控制开关模块包含一第一开关，连接于该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的漏极与该误差放大器输出端之间；一第二开关，连接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与该栅极控制器之间；以及一第三开关，连接于该第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与该差动输出端之间。
5.如权利要求1所述的误差放大器，其中该差动输入级还包含一第一输入端以及一第二输入端，该第一输入端用以接收一参考电压，该第二输入端用以接收一变动电压，其中该差动输出端根据该参考电压以及该变动电压产生一差动输出电压。
6.如权利要求1所述的误差放大器，其中该栅极控制器为一电流源。
7.一种发光二极管电路，包含一电感，用以连接一供应电压以及一第一端；一发光二极管群组，连接于该第一端；一功率金属氧化物半导体晶体管，连接于该第一端； 一误差放大器，包含 一差动输入级，包含一差动输出端； 一输出级，包含一第一 N型金属氧化物半导体晶体管，包含一漏极以及一栅极，其中该漏极连接至一误差放大器输出端以及该栅极连接至该差动输出端；一第一 P型金属氧化物半导体晶体管，包含一栅极以及一漏极，其中该栅极连接至一栅极控制器，该漏极连接至该第一 N型金属氧化物半导体晶体管的漏极； 一第二 N型金属氧化物半导体晶体管；一第二 P型金属氧化物半导体晶体管，包含一漏极，其中该漏极连接至该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的漏极；以及一控制开关模块，其中于一第一操作模式中，该控制开关模块使该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接至该栅极控制器，使该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接至该差动输出端以及使该第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接至该误差放大器输出端；于一第二操作模式中，该控制开关模块使该第二 P型金属氧化物半导体晶体管以及该第二 N型金属氧化物半导体晶体管，不与该栅极控制器、该差动输出端以及该误差放大器输出端连接；以及。一脉宽调制器，用以根据该误差放大器输出端产生一开关讯号，以控制该功率金属氧化物半导体晶体管，以对该发光二极管群组进行充电或放电。
8.如权利要求7所述的发光二极管电路，其中于该第一操作模式中，该控制开关模块使该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接至该栅极控制器，使该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接至该差动输出端以及使该第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接至该误差放大器输出端，以提升该输出级的跨导值。
9.如权利要求7所述的发光二极管电路，其中于该第二操作模式中，该控制开关模块使该第二P型金属氧化物半导体晶体管以及该第二N型金属氧化物半导体晶体管不与该栅极控制器、该差动输出端以及该误差放大器输出端连接，以降低该输出级的跨导值。
10.如权利要求7所述的发光二极管电路，其中该控制开关模块包含一第一开关，连接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极与该误差放大器输出端之间；一第二开关，连接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与该栅极控制器之间；以及一第三开关，连接于该第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与该差动输出端之间。
11.如权利要求7所述的发光二极管电路，其中该差动输入级还包含一第一输入端以及一第二输入端，该第一输入端用以接收一参考电压，该第二输入端用以接收一变动电压， 其中该差动输出端根据该参考电压以及该变动电压产生一差动输出电压。
12.如权利要求11所述的发光二极管电路，其中该变动电压为来自该发光二极管群组所输出的一回授电压。
13.如权利要求11所述的发光二极管电路，其中当该发光二极管电路开始运作时，该控制开关模块操作于该第一操作模式中，以提升该输出级的跨导值，当该发光二极管电路开始运作后，该参考电压以及该变动电压间的一差距小于一临界值时，该控制开关模块操作于该第二操作模式中，以降低该输出级的跨导值。
14.如权利要求11所述的发光二极管电路，其中于该发光二极管电路运作中，当该参考电压以及该变动电压间的一差距大于一临界值时，该控制开关模块操作于该第一操作模式中，以提升该输出级的跨导值，当该参考电压以及该变动电压间的该差距小于该临界值时，该控制开关模块操作于该第二操作模式中，以降低该输出级的跨导值。
15.如权利要求11所述的发光二极管电路，其中当该发光二极管电路开始运作时，该控制开关模块操作于该第一操作模式中，以提升该输出级的跨导值，当该发光二极管电路开始运作超过一特定时间后，该控制开关模块操作于该第二操作模式中，以降低该输出级的跨导值。
16.如权利要求7所述的发光二极管电路，其中该脉宽调制器还自一振荡器接收一振荡电压，该脉宽调制器实质上是根据该误差放大器输出端以及该振荡电压产生该开关讯号。
17.如权利要求16所述的发光二极管电路，其中该振荡电压为一锯齿状波形电压。
18.如权利要求16所述的发光二极管电路，其中该栅极控制器为一电流源。
全文摘要
一种发光二极管电路及其误差放大器。发光二极管电路包含电感、发光二极管群组、连接于电感的功率金属氧化物半导体晶体管、误差放大器以及根据误差放大器输出端控制功率金属氧化物半导体晶体管的栅极的脉宽调制器。误差放大器包含差动输入级、具有第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管和第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管的输出级以及控制开关模块。于第一操作模式中，控制开关模块使第一N型及第一P型金属氧化物半导体晶体管相连接，并使第二N型及第二P型金属氧化物半导体晶体管相连接。于第二操作模式中，控制开关模块使第二P型及第二N型金属氧化物半导体晶体管抑能。
文档编号H05B37/00GK102270969SQ201010198580
公开日2011年12月7日 申请日期2010年6月4日 优先权日2010年6月4日
发明者尹明德, 李秋平 申请人:原景科技股份有限公司