专利名称：改善cop的单晶晶棒拉制方法
技术领域：
本发明涉及一种改善COP的单晶晶棒拉制方法。
背景技术：
晶体的原生粒子缺陷COP是影响硅片质量的重要因素。根据粒子的规格不同， 可将硅片质量分为三档，第一档是大于等于0. 2um的粒子小于15颗；第二档是大于等于 0. 3um粒子小于5颗；第三档是大于等于0. 3um小于10颗。随着对硅片质量要求的逐步提高，要求按照每一档标准衡量硅片均应符合上述要求，且晶棒沿长度方向每一段均应符合要求。现有的拉制方法拉晶时，COP较高，导致晶棒不良率高，增加了生产成本。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种可改善COP的单晶晶棒拉制方法。为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现改善COP的单晶晶棒拉制方法，于石英坩埚内熔融硅，利用籽晶拉制单晶晶棒，围绕石英坩埚设置有上保温筒和下保温筒，所述的石英坩埚上方设置有导流筒，其特征在于， 上保温筒设置有1-7层碳毡。优选地是，所述下保温筒包括下保温内筒与下保温外筒；所述下保温外筒为固化碳纤维。优选地是，所述的导流筒为双层筒壁。优选地是，所述的双层筒壁之间与空气连通。本发明中的拉制单晶晶棒的方法，可改善晶棒中的C0P，降低了晶棒的不良率，节省生产成本。
图1为本发明使用的晶棒拉制装置轴向剖视图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明进行详细的描述对比实施例1 使用现有的保温筒，保温筒自上至下均为固化碳纤维。导流筒采用一层筒壁。如图1为本发明中使用的拉制单晶的装置。如图1所示，炉筒1内设置有保温筒。保温筒包括上保温筒21和下保温筒22。上保温筒21外壁包有碳毡，每层碳毡厚度为 6. 38mm。导流筒3采用双层筒壁结构，双层筒壁之间与外界连通。按照表1所列的工艺参数拉制单晶晶棒。表 权利要求
1.改善COP的单晶晶棒拉制方法，于石英坩埚内熔融硅，利用籽晶拉制单晶晶棒，围绕石英坩埚设置有上保温筒和下保温筒，所述的石英坩埚上方设置有导流筒，其特征在于，上保温筒设置有1-7层碳毡。
2.根据权利要求1所述的改善COP的单晶晶棒拉制方法，其特征在于，所述下保温筒包括下保温内筒与下保温外筒；所述下保温外筒为固化碳纤维。
3.根据权利要求1所述的改善COP的单晶晶棒拉制方法，其特征在于，所述的导流筒为双层筒壁。
4.根据权利要求2所述的改善COP的单晶晶棒拉制方法，其特征在于，所述的双层筒壁之间与空气连通。
全文摘要
本发明公开了一种改善COP的单晶晶棒拉制方法，于石英坩埚内熔融硅，利用籽晶拉制单晶晶棒，围绕石英坩埚设置有上保温筒和下保温筒，所述的石英坩埚上方设置有导流筒，其特征在于，上保温筒设置有1-7层碳毡。本发明中的拉制单晶晶棒的方法，可改善晶棒中的COP，降低了晶棒的不良率，节省生产成本。
文档编号C30B15/10GK102345158SQ20111023192
公开日2012年2月8日 申请日期2011年8月14日 优先权日2011年8月14日
发明者尚海波, 韩建超 申请人:上海合晶硅材料有限公司