专利名称：气体浓度控制装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体工艺气体浓度控制领域，特别涉及气度浓度控制装置、系统和方法。
背景技术：
硅片是一种重要的半导体材料，它的加工工艺，特别是外延工艺，随着硅片直径增大，集成电路的结构越来越复杂，器件的性能要求越来越高，娃外延片在娃材料中的比重越来越大，同时对其参数的要求也进一步提高。其中外延层厚度是一个关键参数，因而必须精确控制。例如，控制外延层厚度以保证埋层的外扩散和自掺杂不会消耗外延层，另外，一些双极型器件的参数，如击穿电压、结电容、晶体管增益和交流特性，都取决于外延层厚度。根据Grove外延膜生长模型，外延膜的生长速率正比于气体中反应物的摩尔分数，因而精确控制控制源气体浓度就至关重要。目前的外延工艺多数采用粗略控制，或者是采用液体气相控制器(LVC)作为气体浓度控制器件。但是，这些控制方法的稳定性，均匀性和可重复性·差，其控制效果会随着工艺条件的不同而产生波动，从而降低外延片的成品率。
实用新型内容(一)要解决的技术问题本实用新型的目的是设计一种控制精度高、使用范围广泛的气体浓度控制装置、系统及其控制方法，以克服现有技术的不足。(二)技术方案一种气体浓度控制装置，所述装置包括进口气路单元，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理后的气体送入源瓶；源瓶，用于存放源气体；出口气路单元，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶出口的混合气体送入气体浓度检测单元；气体浓度检测单元，用于检测气体的携带源浓度，并将混合气体通过流量控制单元;流量控制单元，用于控制混合气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。其中，所述进口气路单元中，依次连接有单向阀，手动阀，过滤器，调压阀，压力表及其显示单元，气动阀。其中，所述出口气路单元中，依次连接有压力表及其显示单元，手动阀。其中，所述气体浓度检测单元为气体浓度传感器。其中，所述流量控制单元为质量流量控制器。(三)有益效果本实用新型的气体浓度控制装置扩展性强，控制精度高，可靠性、可重复性和稳定性好。
图I为本实用新型一种实施方式的气路原理示意图；图I中(1)单向阀；(2)手动阀；(3)过滤器；(4)调压阀；(5)压力表显示单元；
(6)压力表；(7)气动阀；(8)源瓶；(90气体浓度传感器；(10)质量流量控制器。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。如图I所示，为本实用新型提供的装置的气路原理示意图。该装置包括进口气路控制单元包括单向阀(1)，手动阀(2)，过滤器(3)，调压阀(4)，压力表
(6)以及气动阀门(7)，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理好的气体通入源瓶中；出口气路控制单元包括压力表(6)及其显示单元(5)和手动阀(2)，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶(8)出口混合气体通入气体浓度检测单元；气体浓度检测单元用于检测携带源气体的浓度，并与流量控制单元相连；流量控制单元用于控制气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。以上实施方式仅用于说明本实用新型，而并非对本实用新型的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的范畴，本实用新型的专利保护范围应由权利要求限定。
权利要求1.一种气体浓度控制装置，其特征在于，所述装置包括 进口气路单元，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理后的气体送入源瓶； 源瓶，用于存放源气体； 出口气路单元，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶出口的混合气体送入气体浓度检测单元； 气体浓度检测单元，用于检测气体的携带源浓度，并将混合气体通过流量控制单元； 流量控制单元，用于控制混合气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。
2.如权利要求I所述的装置，其特征在于，所述进口气路单元中，依次连接有单向阀，手动阀，过滤器，调压阀,压力表及其显示单元,气动阀。
3.如权利要求I所述的装置，其特征在于，所述出口气路单元中，依次连接有压力表及其显示单元,手动阀。
4.如权利要求I所述的装置，其特征在于，所述气体浓度检测单元为气体浓度传感器。
5.如权利要求I所述的装置，其特征在于，所述流量控制单元为质量流量控制器。
专利摘要本实用新型提供了一种气体浓度控制装置，所述装置包括进口气路单元，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理后的气体送入源瓶；源瓶，用于存放源气体；出口气路单元，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶出口的混合气体送入气体浓度检测单元；气体浓度检测单元，用于检测气体的携带源浓度，并将混合气体通过流量控制单元；流量控制单元，用于控制混合气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。本实用新型的气体浓度控制装置扩展性强，控制精度高，可靠性、可重复性和稳定性好。
文档编号C30B23/02GK202705565SQ201220320628
公开日2013年1月30日 申请日期2012年7月3日 优先权日2012年7月3日
发明者崔娟娟, 程朝阳, 刘俊豪, 马超 申请人:北京七星华创电子股份有限公司