用于将rf能量施加到旋转室的装置制造方法

用于将rf能量施加到旋转室的装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及用于将RF能量施加到旋转室的装置。本实用新型的一些示例性方面目的可在于一种用于通过按多个激发设置施加的RF能量来处理物体的装置。该装置可包括控制器，其配置成从多个引导激发设置当中选择一个或多个激发设置，用于将RF能量施加到旋转室；以及使RF能量源将RF能量按一个或多个选定激发设置来施加，其中所述控制器配置成选择一个或多个激发设置并使RF能量源在旋转室的单次旋转期间将RF能量按一个或多个选定激发设置施加至少两次。该装置可以是干燥器。
【专利说明】用于将RF能量施加到旋转室的装置
【技术领域】
[0001]本专利申请涉及用于将RF能量施加到旋转室的设备和方法；且更具体地但不排他地涉及利用RF能量用于干燥在旋转室内部的物体的这样的设备和方法。
【背景技术】
[0002]常规干燥器——包括衣服干燥器——一般通过使热空气穿过旋转干燥室来操作。在它穿过干燥室时，热空气从待干燥的物体蒸发水并在湿度上增加。

【发明内容】

[0003]本发明的一些示例性方面目的可在于处理旋转室内部的物体的方法。该方法可包括在室(例如，干燥室)内施加RF能量，该室可配置成容纳物体并以旋转频率旋转。该方法还可包括以改变频率来改变RF能量施加的一个或多个方面。改变频率可以高于旋转频率。
[0004]在一些实施方式中，该方法可包括通过改变RF能量施加的一个或多个方面来调节物体所吸收的RF能量的量。
[0005]在一些实施方式中，RF能量施加的一个或多个方面的改变可使得与在改变之前室内部的能量吸收水平比较，在改变之后室内的能量吸收水平增加了。在室内的能量吸收水平可被计算为在所施加的多个激发设置上吸收的能量的平均值或在某个时间期间例如在10,20或50msec期间吸收的能量的量的和。
[0006]此外或可选地，在当改变频率高于旋转频率时的一段时间期间室内的能量吸收水平比当改变频率等于旋转频率时室内的能量吸收水平大至少20%。
[0007]在一些实施方式中，改变RF能量施加的一个或多个方面可包括将施加到室的能量的功率水平改变至少2倍。
[0008]在一些实施方式中，将RF能量施加到出现在一个或多个激发设置处。在一些这样的实施方式中，改变RF能量施加的一个或多个方面可包括改变激发设置中的至少一个。
[0009]在一些实施方式中，RF能量的施加可包括:按两个或多个引导激发设置施加在第一功率水平处的RF能量，以及
[0010]在一个或多个选定激发设置处施加在高于第一功率水平的第二功率水平处的RF能量。一个或多个选定激发设置可包括引导激发设置中的一个或多个。
[0011 ] 在一些实施方式中，从引导激发设置选择选定激发设置可基于与弓I导激发设置中的一个或多个相关的电磁反馈。
[0012]在一些实施方式中，从引导激发设置选择选定激发设置可以使得选定激发设置中的每个与能量吸收效率相关，该能量吸收效率高于与未包括在一个或多个选定激发设置中的引导激发设置相关。
[0013]此外或可选地，选定激发设置可与具有小于200的Q因子的RF能量吸收峰值相关。
[0014]在一些实施方式中，一个或多个选定激发设置可与具有小于200的Q因子的RF能量吸收峰值和物体中的RF能量吸收值相关，所述RF能量吸收值高于与具有小于200的Q因子且未包括在一个或多个激发设置中的引导激发设置相关的RF能量吸收值。
[0015]在一些实施方式中，改变频率比旋转频率高10倍或更多、15倍或更多、或20倍或更多。
[0016]在一些实施方式中，如果物体中的能量吸收的比率下降到与激发设置中的以前变化相关的其值5%之下，则选定激发设置中的变化将发生。
[0017]本发明的一些实施方式的方面目的可在于干燥的方法，其可包括:从多个激发设置当中选择一个或多个RF激发设置用于将RF能量施加到配置成容纳待干燥的物体的旋转干燥室；以及按一个或多个选定激发设置施加RF能量，其中选择和施加在干燥室的单次旋转期间出现至少两次、至少10次或至少20次。
[0018]在一些实施方式中，选择和施加在旋转室的旋转的至少一半的每个期间出现至少两次、至少10次或至少20次。
[0019]在一些实施方式中，该方法还可包括接收和/或探测来自室的电磁(EM)反馈。在一些这样的实施方式中，可基于EM反馈来选择一个或多个激发设置。
[0020]在一些实施方式中，可基于在多个激发设置处的物体的RF能量吸收特征来选择一个或多个激发设置。能量吸收特征可包括例如表示在物体中或在腔中吸收的能量的值，例如，S参数或其它网络参数、耗散比、反射参数等。
[0021]在一些实施方式中，一个或多个选定激发设置可具有高于包括在多个激发设置中的其它激发设置的RF能量吸收水平。
[0022]在一些实施方式中，一个或多个选定激发设置可具有高于包括所述多个激发设置中的任一其它的RF能量吸收水平。
[0023]在一些实施方式中，选择一个或多个激发设置可包括:使RF能量按两个或多个引导激发设置来施加；接收来自室的EM反馈；以及基于EM反馈从引导激发设置当中选择一个或多个激发设置。
[0024]在一些实施方式中，使RF能量按两个或多个引导激发设置施加可包括将小于第一功率水平的功率水平处的RF能量按两个或多个引导激发设置施加；以及按一个或多个选定激发设置施加RF能量包括在高于第二功率水平的功率水平按选定激发设置施加RF能量，第二功率水平高于第一功率水平。
[0025]在一些实施方式中，EM反馈可指示在两个或多个引导激发设置处施加的RF能量可在室中被吸收的程度。例如，EM反馈可指示RF能量吸收特征。在一些实施方式中，能量吸收效率可从RF反馈被计算或形成RF反馈的部分。
[0026]在一些实施方式中，选定的激发设置可包括基于EM反馈呈现出的室中的能量吸收值大于未包括在一个或多个激发设置中的引导激发设置的那些激发设置。
[0027]在一些实施方式中，一个或多个选定激发设置可与具有大于预定阈值的宽度的RF能量吸收峰值相关。在一些实施方式中，阈值可相应于200或更小的Q因子。
[0028]本发明的一些实施方式的方面可包括配置成实现如上所述的方法的装置。例如，该装置可包括配置成实现如上所述的方法的控制器。
[0029]例如，一些实施方式目的可在于用于干燥物体的装置。该装置可包括RF能量源和控制器。控制器可配置成:使RF能量源将RF能量施加在配置成容纳物体并以旋转频率旋转的室内；以及以高于(例如10倍)旋转频率的改变频率将对室的RF能量施加的一个或多个方面改变。
[0030]在一些实施方式中，控制器可配置成通过改变对室的RF能量施加的一个或多个方面来调节物体所吸收的RF能量的量。
[0031]在一些实施方式中，控制器可配置成改变RF能量施加的一个或多个方面，使得与在改变之前的室内部的能量吸收水平比较，室内部的能量吸收水平在改变之后增加了。
[0032]在一些实施方式中，控制器可配置成改变RF能量施加的一个或多个方面，使得在当改变频率高于旋转频率时的一段时间期间室内的能量吸收水平比当改变频率等于旋转频率时室内的能量吸收水平大至少20%。
[0033]在一些实施方式中，控制器可配置成通过将能量被施加到室时的功率水平改变至少2倍来改变RF能量施加的一个或多个方面。
[0034]在一些实施方式中，控制器可配置成改变RF能量施加的一个或多个方面，使得干燥效率比使用等于旋转频率的改变频率实现的干燥效率大至少10%。在一些实施方式中，干燥效率可以更大15%、20%或25%。
[0035]可基于使物体达到目标干燥水平所需的电能的量来评估干燥效率。在一些实施方式中，目标干燥水平可以是环境湿度，使得具有比目标干燥水平所允许的少的湿气的物体将在干燥之后从环境吸收湿气。在一些实施方式中，目标湿气水平可以是湿气的初始量的一部分，例如初始湿气水平的40%、50%、70%等。将干燥效率增加10%例如可意味着将达到目标干燥水平所需的能量的量降低10%。
[0036]在一些实施方式中，RF能量源可配置成按两个或多个激发设置将RF能量施加到室。此外，控制器可配置成以高于旋转频率的改变频率来改变两个或多个激发设置的一个或多个方面。
[0037]在一些实施方式中，控制器可配置成使源按两个或多个弓I导激发设置施加在第一功率水平处的RF能量；选择引导激发设置中的一个或多个；以及使源在高于第一功率水平的第二功率水平处按一个或多个选定激发设置施加RF能量。
[0038]在一些实施方式中，按选定激发设置施加的能量的平均吸收可以高于按两个或多个引导激发设置所施加的能量的平均吸收。
[0039]在一些实施方式中，控制器可配置成基于与一个或多个弓I导激发设置相关的能量吸收值从弓I导激发设置选择一个或多个选定激发设置。
[0040]在一些实施方式中，一个或多个选定激发设置与具有小于200的Q因子的RF能量吸收峰值相关。
[0041]在一些实施方式中，一个或多个选定激发设置可以与具有小于200的Q因子的RF能量吸收峰值和物体中的RF能量吸收值相关，所述RF能量吸收值高于与具有小于200的Q因子且未包括在一个或多个激发设置中的引导激发设置相关的RF能量吸收值。
[0042]本发明的一些实施方式的方面可包括干燥装置，其包括RF能量源和控制器。控制器可配置成从多个引导激发设置当中选择一个或多个激发设置，用于将RF能量施加到旋转干燥室；以及使RF能量源按一个或多个选定激发设置施加RF能量，其中控制器配置成选择一个或多个激发设置，并使RF能量源在旋转干燥室的单次旋转期间按一个或多个选定激发设置施加RF能量至少两次、至少10次或至少20次。[0043]在一些实施方式中，控制器可配置成选择一个或多个激发设置，并使RF能量源在旋转干燥室的旋转的至少一半的期间按一个或多个选定激发设置施加RF能量至少两次。
[0044]在一些实施方式中，控制器可配置成选择一个或多个激发设置，并使RF能量源在旋转干燥室的旋转的至少一半的期间按一个或多个选定激发设置施加RF能量至少两次、至少10次或至少20次。
[0045]在一些实施方式中，控制器还可配置成接收和/或探测来自干燥室的电磁(EM)反馈，并基于EM反馈来选择一个或多个激发设置。
[0046]在一些实施方式中，控制器可配置成基于与多个激发设置相关的RF能量吸收特征来选择一个或多个激发设置。
[0047]在一些实施方式中，一个或多个选定激发设置每个与RF能量吸收水平相关，所述RF能量吸收水平高于不在一个或多个选定激发设置当中的所述多个引导激发设置的其它激发设置的RF能量吸收水平。
[0048]在一些实施方式中，控制器可配置成:使RF能量按两个或多个引导激发设置施加；接收来自室的EM反馈；以及基于EM反馈从引导激发设置当中选择一个或多个选定激发设置。
[0049]在一些实施方式中，控制器可配置成在小于第一功率水平的功率水平处使RF能量按两个或多个引导激发设置施加，并在高于第一功率水平的第二功率水平按一个或多个选定激发设置施加RF能量。
[0050]在一些实施方式中，EM反馈可指示按多个弓I导激发设置中的每个引导激发设置施加的RF能量可在室中被吸收的程度。
[0051]在一些实施方式中，控制器可配置成基于一个或多个激发设置是否与具有比预定阈值大的宽度的RF能量吸收峰值相关来选择一个或多个激发设置。
[0052]接下来的附图和详细描述包含根据本发明的很多可选的实例。所公开的每个特征的概述超出该概述章节的目的。对于本发明的示例性方面的更详细的描述，应参考通过引用合并在该概述中的附图、详细描述和权利要求。
【专利附图】

【附图说明】
[0053]在本文中仅作为实例参考附图描述本发明的一些实施方式。现在详细地具体参考附图，强调所示细节仅作为实例且为了本发明的实施方式的例证性讨论的目的。在这方面，使用附图理解的描述使本发明的实施方式可如何被实践对本领域技术人员变得明显。
[0054]图1是根据本发明的一些示例性实施方式的用于将电磁能施加到物体的装置的图形表示；
[0055]图2是根据本发明的一些示例性实施方式的腔的视图；
[0056]图3是根据本发明的一些示例性实施方式的用于将电磁能施加到物体的装置的图形表示；
[0057]图4A和4B是示出根据本发明的一些实施方式的干燥方法的流程图；以及
[0058]图5是根据本发明的一些实施方式的衣物干燥器的图形表示。
【具体实施方式】[0059]在一些方面，本发明可涉及用于施加RF能量的装置和方法。如本文使用，术语“RF能量”包括通过在电磁频谱的RF部分中的电磁辐射可传递的能量，该电磁辐射包括具有在分别相应于3KHz到300GHz的频率的IOOkm到Imm的自由空间中的波长的辐射。在一些实例中，所施加的RF能量可落在10MHZ到100GHz、500MHz到1500MHz之间或在700MHz到1200MHz之间或在800MHz-lGHz之间的频带内。如本文使用的，RF波可以指具有在电磁频谱的RF部分中的频率的电磁波。微波和超高频(UHF)能量例如都在RF范围内。在一些其它实例中，所施加的RF能量可只落在一个或多个ISM频带内，例如在433.05和434.79MHz之间、在902和928MHz之间、在2400和2500MHz之间和/或在5725和5875MHz之间。
[0060]根据本发明的一些实施方式的装置可包括一个或多个能量施加单元。能量施加单元可包括一个或多个福射元件和配置成向福射元件供应RF能量的RF能量源。在一些实施方式中，能量施加单元可包括两个或多个同步RF能量源，其可被控制来给辐射元件馈送具有公共频率的信号。可以在所控制的相位差处、在所控制的振幅差处等馈送信号。在一些实施方式中，可从能量施加单元中的每个单独(例如,逐一地)施加能量,或可选地,可同时从能量施加单元中的两个或多个施加能量。在一些实施方式中，单独地从能量施加单元施加可导致与同时从两个或多个辐射元件施加能量相同或相似的处理效果。因此，类似的讨论可与包括一个能量施加单元的装置和包括多个能量施加单元的装置有关，且本发明可被实现，而不考虑包括在装置中的能量施加单元的数量。
[0061]根据一些实施方式的能量施加单元可以按一个或两个不同的激发设置来施加能量。按不同的激发设置施加能量可导致在能量施加区域中激发不同场模式。激发设置可彼此相差可能影响场模式的参数的一个或多个值，并可被装置的部件控制。这样的参数在本文被称为可控制场影响参数(c-FAP)。在一些实施方式中，可为每个c-FAP选择值，且激发设置可由选定值定义。改变甚至一个c-FAP的选定值改变激发设置，这又可改变在能量施加区域中激发的场模式。
[0062]在一些情况下，改变c-FAP的值可导致所产生的场模式中的明显变化。然而在其它情况中，改变c-FAP的值可产生在所产生的场模式中的很小变化或没有变化(例如，如果c-FAP的两个值之间的变化小)。
[0063]作为类比，激发设置和它可如何关于所公开的实施方式的能量施加单元来被设置可被视为相似或类似于设置包括一组旋钮、拨号盘、开关或其它值选择器的交换台的控制。在交换台情况中，从一种设置到另一设置的切换可通过操纵值选择器中的一个(或多个)来实现。与值选择器相关的每个独特的一组值可导致不同的控制设置。换句话说，所有值选择器的位置可共同(例如，所有旋钮、拨号盘和开关共同地)定义单个控制设置。
[0064]类似地，在本公开的实施方式中，能量施加单元可按一个或多个c-FAP供应RF能量，且能量激发设置可基于一组c-FAP的值来定义。从一种激发设置改变到另一激发设置可通过改变与c-FAP中的一个(或多个)相关的值来实现。每个独特的一组c-FAP值可导致独特的激发设置。在一些实施方式中，能量施加单元可由处理器控制，且可用c-FAP的值可使用微开关、晶体管、电路或任何其它值选择器来设置。
[0065]按特定的激发设置施加能量可在能量施加区域中激发电磁场模式。为了简洁起见，这个激发电磁场模式可被称为激发。因此，每个激发设置可相应于激发；且对激发设置的供应、接收、吸收、泄露等的提及可以指相应激发的供应、接收、吸收、泄露等。因此，例如，给定激发或给定设置在物体中被吸收的说法可意味着与按给定激发设置由能量施加单元激发的电磁场相关的能量在物体中被吸收。
[0066]各种装置可用于控制场影响参数。例如，在一些实施方式中，装置可包括控制器，其控制由能量施加单元施加到能量施加区域的电磁波的频率。在这样的装置中，频率可以用作可控制场影响参数(c-FAP)。在一个实例中，这样的装置可控制频率以具有两个或多个值中的任一个，例如800MHz、800.5MHz等。通过控制频率并从一个频率值改变到另一频率值，激发设置可改变，这又可改变在能量施加区域中激发的电磁场模式。
[0067]在另一实例中，能量施加单元可包括按可控制的相位差发射辐射的两个辐射元件。相位差可被控制为具有两个或多个值，例如0°、90°、180°或270°。在这两个辐射元件所发射的电磁场之间的相位差可以由包括能量施加单元的装置用作c-FAP。
[0068]在另一实例中，在强度(在所述强度处，两个辐射元件发射相同频率的电磁场)之间的差异可被控制，且因此可用作c-FAP。
[0069]在另一实例中，能量施加区域可包括一个或多个传导元件(例如，棒)，其中每个传导元件可被控制为在寄生状态中或连接状态中。每个棒的状态(寄生或连接)的值可影响在能量施加区域中激发的电磁场模式。在具有这样的棒的装置中，每个棒的状态可构成c-FAP。
[0070]在另一实例中，能量施加区域可包括可磁化元件(例如，在能量施加区域的壁处)和可磁化元件附近的电磁体。可磁化元件和电磁体可布置成使得在能量施加区域中激发的场模式可被在电磁体中流动的电流影响。在该电流是可控制的实施方式中，电流的值(例如，1mA、20mA、500mA 等)可用作 c_FAP。
[0071]在另一实例中，能量施加单元可包括多个辐射元件，且每个辐射元件可被开启或关闭。在这样的实施方式中，每个辐射元件的状态(即，开启或关闭)可用作c-FAP。此外或可选地，开启的辐射元件的总数量可构成c-FAP。
[0072]可在一些实施方式中用作可控制场影响参数的参数的其它例子可包括辐射元件的位置、福射元件的方位、在能量施加区域中的传导元件的位置和/或方位、或其值在RF能量施加到该区域时可影响在能量施加区域中激发的场模式的任何其它可控制参数。
[0073]只包括单个c-FAP的激发设置可被称为一维激发设置。包括多个c-FAP的激发设置可被称为多维激发设置。例如，配置成将六个棒中的每个的状态控制为寄生或连接的装置可具有六维激发设置。这样的激发设置的两个例子可以是:(寄生、寄生、寄生、连接、连接、连接)以及(寄生、连接、连接、寄生、寄生、连接)。通常，装置可采用的c-FAP的数量决定了装置可采用的激发设置的维。可由装置激发的所有激发的集合(或装置可采用的所有激发设置的集合)可被称为装置的激发空间。装置的激发空间的维可以与该装置可采用的每个激发设置的维相同。
[0074]在一些实施方式中，能量施加单元可由处理器控制，其配置成根据反馈来控制能量施加。反馈可例如指示物体的温度、重量、位置、体积或任何其它特征。此外或可选地，反馈可包括电磁反馈。
[0075]如本文使用的，EM反馈可包括任何接收到的信号或基于一个或多个接收到的信号计算的任何值，其可指示腔和/或物体对在腔中激发的电磁场的介电响应。例如，EM反馈可包括输入和输出功率水平、网络参数例如S参数、Y参数、反射和透射系数、阻抗等、以及可从它们导出的值。可导出的值的例子可包括耗散比(下面讨论)、上述参数中的任一个的时间或激发设置导数等。EM反馈可以是与激发相关的，例如可包括信号，其值在不同的激发设置上变化。因此，当按各种激发设置施加能量时测量的电磁反馈可用于选择性地控制按各种激发设置进行的能量施加。
[0076]因此，在一些实施方式中，能量施加可被控制，使得在给定激发设置处的能量施加的一个或多个方面(例如，能量的量、能量被施加时的功率水平、能量被施加时的持续时间等)可取决于所接收的电磁(EM)反馈。所接收的EM反馈可与一个激发或多个激发相关，且在一些实施方式中，所接收的EM反馈可与除了引起EM反馈的激发以外的激发相关。
[0077]如本文使用的，如果机器(例如处理器)被描述为配置成执行任务(例如，配置成使预定场模式被施加)，则应理解，机器包括制造能够在操作期间执行所述任务的机器所需的部件或元件(例如，零件、软件等)。在一些实施方式中，机器也可在操作期间执行任务。类似地，当任务被描述为被完成以便建立目标结果(例如，以便增加能量效率)时，这样的讨论使任务与目标结果相关。在一些实施方式中，目标结果可完全或部分地通过执行任务来实现。
[0078]图1是用于将电磁能施加到放置在能量施加区域9中的物体的装置100的图形表示。能量施加区域9可包括电磁能可被施加的任何空处、位置、区或区域。在一些实施方式中，能量施加区域9可包括RF透明室10 (在本文中也被称为旋转室或干燥室)，其可配置成接收待处理(干燥)的物体并在区域9内部旋转。能量施加区域9可包括允许RF波的存在、传播和/或共振的包围区的内部。为了本公开的目的，所有能量施加区域可以可选地被称为腔。
[0079]RF透明室可由RF透明材料制成。RF透明材料可包括能够传送在RF范围内的至少一些EM能量的任何材料。RF透明材料的一些例子可包括:玻璃例如回火的碱石灰玻璃(也称为PYREX)、耐热聚合物例如硅酮等。
[0080]装置100可包括控制器101、包括一个或多个辐射元件的辐射元件102 (例如，天线)的阵列102a、以及能量施加区域9。控制器101可以电耦合到一个或多个辐射元件102。如本文使用的，术语“电耦合”指一个或多个直接或间接电连接。控制器101可包括计算子系统92、接口 130和RF能量施加子系统96。基于计算子系统92的输出，能量施加子系统96可通过产生将被提供到辐射元件102的一个或多个射频信号来作出响应。一个或多个辐射元件102又可将电磁能辐射到能量施加区域9中且更具体地辐射到室10中。在某些实施方式中，该能量可与位于能量施加区域9内(室10内部)的物体11相互作用。
[0081]根据本公开的实施方式，计算子系统92可包括通用或专用计算机。计算子系统92可配置成产生用于经由接口 130控制RF能量施加子系统96的控制信号。计算子系统92还可经由接口 130从电磁能量施加子系统96接收所测量的信号。
[0082]虽然控制器101为了示例性目的而被示为具有三个子部件，控制功能可被合并在较少的部件中，或额外的部件可根据期望功能和/或特定实施方式的设计而被包括。
[0083]图2示出腔14的截面图，腔14是能量施加区域9的一个示例性实施方式。腔14在形状上可以是圆柱形的(或任何其它适当的形状，例如球形、矩形、立方形等)，并可由导体例如铝、不锈钢或任何适当的金属或其它导电材料制成。在一些实施方式中，腔14可包括涂覆和/或覆盖有保护涂层的壁。涂层可例如由对RF能量透明的材料例如金属氧化物等制成。腔14可以在预定的频率范围内(例如，在UHF或微波频率范围内，例如在300MHz和3GHz之间或在400MHz和IGHz之间)是共振的。本发明的一般方法不限于任何特定的腔形状或配置，如早些时候讨论的。图2示出传感器20以及辐射元件16和18 (图1所示的辐射元件102的例子)。
[0084]此外，一个或多个传感器或探测器20可用于感测或探测与物体11和/或能量施加过程和/或能量施加区域有关的信息(例如，信号)。有时，除了传感器20以外或在缺乏传感器20的情况下，一个或多个辐射元件例如辐射元件16或18也可用作传感器。传感器可用于感测任何信息，包括电磁功率、温度、重量、湿度、运动等。所感测的信息可用于任何目的，包括过程控制、验证、自动化、安全等。
[0085]可例如通过基于来自传感器的输出调节RF能量施加的方面来实现自动化。例如，一旦传感器指示某个停止或调节标准被满足，干燥就可被停止或调节。例如，在一些实施方式中，一旦物体周围的湿度水平达到预定的阈值，或一旦物体失去其重量的一个预定部分，通过RF能量的施加进行的干燥就可被停止或调节。
[0086]如图1所示，装置100可包括以至少一个天线的形式的至少一个辐射元件102，用于将电磁能传递到能量施加区域9。一个或多个辐射元件也可配置成从能量施加区域9接收电磁能。换句话说，如本文使用的，辐射元件可以起发射机、接收机或两者的作用，取决于特定的应用和配置。
[0087]如本文使用的，术语“辐射元件”和“天线”可广泛地指任何结构(电磁能可从该结构辐射和/或被接收)，而不考虑该结构是否提供任何额外的功能。例如，辐射元件或天线可包括孔径/缝隙天线，或包括在相同相位处或在被控制的动态相位差处一致地发射的多个终端的天线(例如，相控阵天线)。根据一些示例性实施方式，辐射元件102可包括将RF能量馈送到电磁能施加区域9中的电磁能发射机(在本文中被称为“发射天线”或“发射辐射元件”或“发射机”)、从区域9接收RF能量的电磁能接收机(在本文中被称为“接收天线”或“接收机”)、或发射机和接收机的组合。例如，第一辐射元件可配置成将电磁能传递(施力口)到区域9，而第二辐射元件可配置成从第一辐射元件接收能量。在一些实施方式中，一个或多个辐射元件可每个用作接收机和发射机，。在一些实施方式中，一个或多个辐射元件可提供双重功能，而一个或多个其它辐射元件可提供单个功能。所以，例如，单个天线可配置成将电磁能传递到区域9并从区域9接收电磁能；第一天线可配置成将电磁能传递到区域9，而第二天线可配置成经由区域9接收电磁能；或多个天线可被使用，其中多个天线中的至少一个可配置成将电磁能传递到区域9并经由区域9接收电磁能。有时，除了传递和/或接收能量以外或作为传递和/或接收能量的可选方案，天线也可被调节来影响场模式。例如，天线的各种特性例如位置、地点、方位等可被调节。不同的天线特性设置可导致在能量施加区域内的不同的电磁场模式，从而影响物体内的能量吸收。因此，天线调节可构成可针对能量施加控制而改变的一个或多个变量。
[0088]根据本公开的实施方式，能量可被供应和/或提供到一个或多个发射天线。供应到发射天线的能量可导致由发射天线发射的能量(在本文中被称为“入射能量”)。入射能量可被传递到区域9，并可在量上等于由源供应到发射天线的能量的量。入射能量的一部分可在物体中被耗散或被物体吸收(在本文被称为“耗散能量”或“吸收能量”)。另一部分可被反射回到发射天线(在本文中被称为“反射能量”)。反射能量可包括例如由于物体和/或能量施加区域所引起的失配例如阻抗失配而反射回到发射天线的能量。反射能量还可包括由发射天线的端口保留的能量(例如，由天线发射但不流到区域中的能量)。除了发射能量和消耗能量以外的入射能量的其余部分可耦合到除了发射天线以外的一个或多个接收天线(在本文中被称为“耦合能量”)。因此，被供应到发射天线的入射能量(“I”)可包括所有的耗散能量(“D”)、反射能量(“R”)和耦合能量(“C”)，并可根据下列关系式来表示:
[0089]I=D+R+C0
[0090]根据本发明的某些方面，一个或多个发射天线可将电磁能传递到区域9中。由发射天线传递到区域9中的能量(在本文中被称为“传递能量”或“d”)可包括天线所发射的入射能量减去在同一天线处的反射能量。也就是说，传递能量可以是从发射天线流到该区域的净能量，即，d=1-R。可选地，传递能量也可被表示为耗散能量和耦合能量的和，即，d=D+C(其中 C= Σ CiX
[0091]在某些实施方式中，电磁能的施加可经由一个或多个功率馈电而出现。馈电可包括用于将电磁能施加到区域的一个或多个波导和/或一个或多个辐射元件(例如，辐射元件102)。这样的辐射元件可包括例如贴片天线、偶极子天线、环天线、慢波天线、漏泄波天线或能够发射和/或接收电磁能的任何其它结构。
[0092]在某些实施方式中，可能提供至少一个处理器。如本文所使用的，术语“处理器”可包括对一个或多个输入执行逻辑操作的电路。例如，这样的处理器可包括一个或多个集成电路、微芯片、微控制器、微处理器、中央处理单元(CPU)的全部或部分、图形处理单元(GPU)、数字信号处理器(DSP)、现场可编程门阵列(FPGA)或适合于执行指令或执行逻辑操作的其它电路。至少一个处理器可与控制器101的部分一致或可以是控制器101的部分。
[0093]由处理器执行的指令可例如被预装入到处理器中或可存储在单独的存储器单元例如RAM、ROM、硬盘、光盘、磁性介质、闪存、其它永久、固定或易失性存储器、或能够为处理器存储指令的任何其它机构中。处理器可被定制成用于特定的用途，或可配置成用于通用的用途，并可通过执行不同的软件来执行不同的功能。
[0094]如果使用多于一个处理器，则所有处理器可具有类似的结构，或它们可具有不同的结构。此外，处理器可以电连接在一起，或它们可彼此电隔离。它们可彼此分离，或可集成在一起。当多于一个处理器被使用时，它们可配置成独立地或协作地操作。它们可电气地、磁性地、光学地、声学地、机械地或通过允许它们交互作用的其它装置来耦合。
[0095]至少一个处理器可配置成经由一个或多个辐射元件例如横跨一系列激发设置使电磁能量施加到区域9，以便按每个这样的激发设置将电磁能量施加到物体11。例如，至少一个处理器可配置成调节控制器101的一个或多个部件，以便使能量被施加。
[0096]在某些实施方式中，至少一个处理器可配置成确定表示在多个激发设置的每个处由物体可吸收的能量的值，其在本文中可被称为RF能量吸收水平。这可例如通过测试能量施加区域中的物体以确定其吸收能量特征而产生。进行这样的测试的一个示例性方法是通过扫描。
[0097]如本文使用的，扫描可包括例如按两个或多个激发设置随着时间的过去而发射能量。例如，扫描可包括在一个或多个连续激发设置频带中的多个激发设置处的能量的连续发射；在多于一个非连续激发设置频带中的多个激发设置处的能量的连续发射；在单独的非连续激发设置处的能量的连续发射；和/或具有期望频带/功率频谱内容的合成脉冲(例如，在时间上的合成脉冲)的发射。激发设置频带可以是连续的或非连续的。激发设置或激发设置频带可被认为是连续的，如果它们沿着一个或多个c-FAP是连续的。例如，如果频带中的连续激发设置的频率值具有连续的值，则只由频率值组成的一维激发设置的频带可被认为是连续的。如果频带中的连续激发设置的频率值具有连续的值，和/或如果频带中的连续激发设置的相位值具有连续的值，则由频率值和相位值组成的二维激发设置的频带可被认为是连续的。因此，在激发设置扫描过程期间，至少一个处理器可调节被供应到至少一个天线的能量以按各种激发设置将电磁能量连续地传递到区域9，并接收用作由物体11可吸收的能量的指示器的反馈。虽然本发明不限于指示在物体中可吸收的能量的反馈的任何特定度量，下面讨论各种示例性指示值。
[0098]在扫描过程期间，电磁能施加子系统96可被调节以接收在辐射元件102处反射和/或耦合的电磁能量，并经由接口 130将测量能量信息(例如，属于和/或关于和/或相关于测量能量的信息)传递回到计算子系统92，如图1所示。计算子系统92可接着被调节以基于所接收的信息确定表示在多个激发设置中的每个处物体11可吸收的能量的值。根据一些本公开的实施方式，表示可吸收能量的值可包括与多个激发设置中的每个相关的耗散比(在本文中被称为“DR”)。如本文所提到的，“耗散比”(或“吸收效率”或“功率效率”)可被定义为在能量施加区域9 (其中有物体11)中吸收的电磁能量与被供应到辐射元件的电磁能量之间的比。在一些实施方式中，耗散比可被定义为在能量施加区域9 (其中有物体11)中吸收的电磁能量与被传递到区域9的电磁能量之间的比。传递能量可被定义为被供应到辐射元件的能量与反射回到辐射元件的能量之间的差异。
[0099]可由包括物体的能量施加区域消耗或吸收的能量在本文中被称为“可吸收能量”或“吸收能量”。可吸收能量可以是物体吸收能量的能力或装置使能量在给定物体中耗散的能力或所施加的RF能量可在室中被吸收的程度的指示器。表示在物体中可吸收的能量的值也可被认为表示在物体中吸收的能量。
[0100]在一些本公开的实施方式中，可吸收能量可被计算为供应到至少一个辐射元件的入射能量与耗散比的乘积。反射能量(例如，未吸收或耦合的能量)可例如是表示物体所吸收的能量的值。作为另一例子，处理器可基于入射能量的被反射的部分和被耦合的部分来计算或估计可吸收能量。该估计或计算可用作表示吸收和/或可吸收能量的值。
[0101]在激发设置扫描期间，例如至少一个处理器可配置成控制电磁能量源，使得能量按一系列激发设置连续地施加到物体。至少一个处理器可接着接收表示在每个激发设置处反射的能量的信号，以及可选地还有表示在每个激发设置处耦合到其它辐射元件的能量的信号。使用在每个激发设置处供应到辐射元件的已知或所测量的量的入射能量并测量在每个激发设置处反射和/或耦合的能量的量，可计算或估计表示物体中可吸收的能量的值。
[0102]可吸收能量还可包括可由物体所位于的能量施加区域的结构(例如，腔壁)耗散的能量或在腔和其门之间的界面处的能量的泄漏。因为金属或导电材料(例如，腔壁或腔内的元件，例如待干燥的衣服内的金属元件，例如纽扣、拉链、硬币等)中的吸收由大的品质因子(也称为“Q因子”)表征，与具有大的Q因子(例如，大于200)的吸收峰值相关的激发设置可被识别为与能量施加区域的部分相关，且有时可作出不在这样的激发设置处传输能量的选择。在那种情况下，在腔壁中吸收的电磁能量的量可能实质上很小，且因此在物体中吸收的电磁能量的量可实质上等于可吸收能量的量。[0103]在一些本公开的实施方式中，可使用方程(I)来计算耗散比:
[0104]DR=Pabs/Pin (1)
[0105]其中Pabs是在容纳物体的腔内吸收的功率，而Pin是入射功率。
[0106]耗散功率可等于入射功率与在腔中或周围由传感器探测到的功率之间的差异。如果这些传感器仅仅是辐射元件，则方程(I)可相当于方程(Ia):
[0107]DR= (Pin-Prf-Pcp)/Pin (1a)
[0108]其中Pin表示被供应到发射辐射元件102的电磁能量和/或功率，Prf表示在发射辐射元件处反射/返回的电磁能量和/或功率，而Pct表示在起接收机作用的那些辐射元件处耦合的电磁能量和/或功率。分子(Pin-Prt-Pep)可被称为“未探测到的功率”，因为该功率未被探测到离开能量施加区域，而是被已知进入。可选地或此外，分子可被称为“吸收功率”，因为它可提供对吸收功率的良好估计；如果没有功率由于除了被物体吸收以外的任何机制(例如，腔壁)而失去，则估计可能是准确的。术语“未探测到的能量”和“吸收能量”可类似地用于指一方面入射能量和另一方面反射能量和耦合能量的和之间的差异。DR可以是0和I之间的无单位值，且因此可由百分数表示。
[0109]可选地或此外，可使用方程(2a)来计算另一种类的耗散比:
[0110]Δ ρ=Pabs/(Pin-Pref) (2a)
[0111]如上面完成的，使用(Pin-Prt-Pcp)代替Pabs可导致对Δρ的方程(2b):
[0112]Δρ= (Pin-Prf-Pcp) / (Pin-Prf)................(2b)
[0113]该耗散比可测量耗散功率(或未探测到的功率)的量作为传递功率的一部分，也就是说，被发射且不返回到发射辐射元件的功率。注意，入射、反射和耦合功率也可表示相应的能量。该耗散比可能对识别物体吸收被传递到能量施加区域的能量的相当大一部分时的频率是有用的，即使例如由于差的匹配，所供应的能量的仅仅一小部分被传递到该区域，且所供应的能量的大部分被反射回到或保留在发射辐射元件处。A p的使用可被限制到经由两个或多个辐射元件提供能量的装置，因为如果只存在一个辐射元件，则没有能量可从一个辐射元件耦合到另一辐射元件，且A p按照定义可等于I。
[0114]例如，根据为三个天线1、2和3设计的实施方式，计算子系统92可配置成确定输入反射系数S11、s22和S33,且基于在扫描期间的测量功率和/或能量信息，传输系数(其也可被称为发射系数)可以是S12=s21、S13=S31和S23=S32。因此，根据公式(3)，可基于上面提到的反射和发射系数来确定相应于天线I的耗散比DR:
[0115]DR1=1-(IS11|2+IS12|2+IS13|2)(3)
[0116]类似地，根据公式(3a)，可基于上面提到的反射和发射系数来确定相应于天线I的耗散比Δρ:
[0117]Δρ1= [1- (IS11|2+IS12|2+IS13|2) ] / (1-|S11|2) =DR1/ (1-|S11|2) (3a)
[0118]在一些实施方式中，可对两个辐射元件定义公共DR:
[0119]DR1+2=Pabs/(Pin1+Pin2)
[0120]DR1+2= [ (Pin1+Pin2) - (Pout1+Pout2) ] / (Pin1+Pin2)
[0121]其中Pin1和Pin2分别是在辐射元件I和2处入射的功率(或能量)；且Pout^Pout2分别是在辐射元件I和2处从能量施加区域接收的功率(或能量)。
[0122]因为可吸收能量可基于很多因素一包括区域9内的物体位置一而改变，在一些实施方式中，定期地更新可吸收能量值并基于所更新的可吸收能量来调节能量施加可能是有益的。这些更新可一秒出现多次，或可每几秒或更长时间出现，取决于室的旋转频率。在一些实施方式中，以高于室10的旋转频率的改变频率，可吸收能量值被更新且能量施加被更新。
[0123]现在参考图3，其提供根据本发明的一些实施方式的用于将电磁能量施加到物体的示例性装置100的图形表示。在一些实施方式中，装置100可包括可调节由调制器2014执行的调制的处理器2030。处理器2030可构成图1所示的控制器101的部分。在一些实施方式中，调制器2014可包括配置成修改电源2012所产生的AC波形的相位、频率和/或振幅的相位调制器、频率调制器和/或振幅调制器中的至少一个。处理器2030可以可选地或此外例如使用电机设备调节每个辐射元件2018的位置、方位和配置中的至少一个。这样的电机设备可包括用于旋转、枢轴转动、移动、滑动或以另外方式改变一个或多个辐射元件2018的方位和/或位置的电动机或其它可移动结构。
[0124]在一些实施方式中，装置100可涉及配置成将电磁能量传递到能量施加区域的至少一个源2010的使用。作为例子且如图3所示，源2010可包括配置成产生传送电磁能量的电磁波的一个或多个RF电源2012。例如，RF电源2012可包括配置成产生高功率微波的磁控管。磁控管可配置成供应在预定波长或频率处的RF功率。在一些实施方式中，一个或多个磁控管可用于供应在多个频率和/或相位处的能量。例如，可通过改变灯丝电流和/或阳极电压来控制由磁控管供应的频率。在一些实施方式中，RF电源2012可包括配置成产生具有不变的或变化的频率的AC波形(例如，AC电压或电流)的半导体振荡器，例如电压控制振荡器。AC波形可包括正弦波、方波、脉冲波、三角波或具有交替的极性的另一类型的波形。可选地，源2010可包括任何其它RF电源，例如电磁场发生器、电磁通量发生器、固态放大器或用于产生振动电子的任何机构。在一些实施方式中，装置100可包括一个或多个探测器2040 (例如，与辐射元件相关或连接到辐射元件)。探测器2040可包括配置成区分开前向(发射)和后向(接收)能量的一个或多个I禹合器(例如，双向I禹合器，未不出)或可与一个或多个稱合器相关。
[0125]在一些实施方式中，装置100可包括相位调制器(其可被包括在例如调制器2014中)，其可被控制来对AC波形执行预定序列的时间延迟，使得AC波形的相位在一系列时间段的每个内增加很多度(例如，10度)，例如以实现相位扫描。在一些实施方式中，相位调制器可从处理器2030接收目标相位，并调制从RF电源2012接收的信号以具有目标相位。在一些实施方式中，处理器2030可动态地和/或适应性地基于来自能量施加区域的反馈来调节调制。例如，处理器2030可配置成从探测器2040接收例如以模拟或数字反馈信号的形式的EM反馈，指示从腔14接收的电磁能量的量，且处理器2030可基于所接收的反馈信号在下一时间段内动态地确定相位调制器处的时间延迟。
[0126]在一些实施方式中，装置100可包括频率调制器(其可被包括在调制器2014中)。频率调制器可包括配置成产生在预定频率处振荡的AC波形的半导体振荡器。预定频率可与输入电压、电流和/或其它信号(例如，模拟或数字信号)相关。例如，电压控制振荡器可配置成产生与输入电压成比例的频率处的波形。
[0127]处理器2030可配置成调节振荡器(未示出)以连续地产生在一个或多个预定频带内的不同频率处振荡的AC波形。在一些实施方式中，预定频带可包括工作频带，且处理器可配置成使能量在工作频带的子部分内的频率处传输。工作频带可包括选定频率的集合，因为从整体上它们全部实现期望目标，且存在对使用频带中的其它频率的减小的需要，如果该子部分实现该目标的话。一旦工作频带(或其子集或子部分)被识别出，处理器就可在工作频带(或其子集或子部分)中的每个频率处连续地施加功率。该连续过程可被称为“频率扫描”。在一些实施方式中，基于由探测器2040提供的反馈信号，处理器2030可配置成从频带中选择一个或多个频率，并调节振荡器以连续地产生在那些选定频率处的AC波形。
[0128]可选地或此外，处理器2030还可配置成调节放大器2016以基于反馈信号来调节被供应到福射元件2018的能量的量(或能量被供应到福射元件时的功率水平)。
[0129]在一些实施方式中，装置可包括多于一个RF能量源。例如，多于一个振荡器可用于产生不同频率的AC波形。分开地产生的AC波形可由一个或多个放大器放大。因此，在任何给定的时间，可使辐射元件2018将在例如两个不同的频率处的电磁波同时发射到腔14。
[0130]处理器2030可配置成调节相位调制器，以便改变(例如通过两个或多个辐射元件)被供应到能量施加区域的两个或多个电磁波之间的相位差。在一些实施方式中，电磁能量源可配置成供应在多个相位处的电磁能量，且处理器可配置成使能量在多个相位的子集处传输。作为例子，相位调制器可包括移相器。移相器可配置成以可控制的方式在腔14内引起AC波形中的时间延迟，使AC波形的相位延迟了 0-360度间的任何量。
[0131]在一些实施方式中，可在装置100中提供分离器(未示出)以将例如由振荡器产生的AC信号分成两个AC信号(例如，分离信号)。处理器2030可配置成调节移相器以连续地引起各种时间延迟，使得两个分离信号之间的相位差可随着时间的过去而变化。该连续过程可被称为“相位扫描”。与上面描述的频率扫描类似，相位扫描可涉及被选择来实现期望能量施加目标的相位的工作子集。
[0132]处理器可配置成调节振幅调制器，以便改变被传输(施加)到能量施加区域的至少一个电磁波的振幅。在一些实施方式中，电磁能量源可配置成将以多个振幅的电磁能量供应到辐射元件，且处理器可配置成使能量在多个振幅的子集处发射。在一些实施方式中，装置可配置成将电磁能供应到多个辐射元件，且处理器可配置成使具有不同的振幅的能量供应到至少两个辐射元件。
[0133]虽然图2和图3示出包括两个辐射元件(例如，辐射元件16、18或2018)的系统，应注意，可使用任何数量的辐射元件，且电路可通过辐射元件的选择性使用来选择激发设置的组合。仅作为例子，在具有三个辐射元件A、B和C的装置中，可使用辐射元件A和B来执行振幅调制，使用辐射元件B和C来执行相位调制，并使用辐射元件A和C来执行频率调制。在一些实施方式中，振幅可保持不变，且可通过在辐射元件和/或辐射元件的子集之间切换来引起场变化。
[0134]本发明的一些实施方式的方面可包括用于通过RF能量来处理物体的方法和装置。该处理可包括干燥，在这种情况下，物体可以是任何湿物体，例如湿衣服、湿亚麻制品、垃圾、水果或蔬菜。
[0135]如本文使用的，干燥物体可包括减少与物体相关的湿气或潮湿的量(例如，减少由物体保持的水或与物体相关的水的量)的任何行动。例如，物体可包括一件湿衣服，且干燥可包括减少这件衣服的湿气的量。在另一例子中，物体可包括大堆水果，且干燥可包括减少这堆的水含量。在很多情况中，由于水的损失，干燥引起湿物体的重量减少。在一些实施方式中，干燥物体可包括干燥到剩余湿气的预定量或百分比。例如，干燥可包括将剩余湿气减少到70%、60%、50%、40%，或湿气的原始量的任何其它部分，其与在干燥开始之前的物体相关。
[0136]在一些实施方式中，方法可包括将RF能量施加到配置成容纳物体的室例如室10内部。RF能量可按多个激发设置来施加。室10可由允许RF能量穿过其透射的材料制成，且在一些情况下吸收很少或不吸收所施加的RF能量。这样的材料在本文中可被称为RF透明的。对于一些实施方式，RF透明的材料可包括能够传输在RF范围内的至少一些EM能量的任何材料。室10可包括配置成在室中翻滚衣物的叶片(未示出)。室10还可包括开口(未示出)，其例如用于允许湿气离开室和/或允许热的干空气进入室内以便于水从物体蒸发。在本公开中，空气可被认为是干燥的，如果它不充满水蒸汽，所以它可从衣物吸收水。在一些实施方式中，干空气可包括高达空气中的水的饱和浓度的70%、50%或30%的水蒸汽。类似地，如果空气的温度高于衣物温度，则空气可被认为是热的。热空气的一些示例性温度可包括在50° C、70° C或80° C处(或在大于50° C的范围内)的空气。
[0137]在一些实施方式中，干燥还可包括使空气穿过干燥室以从室移除水蒸汽。空气可以是热的，以增加其吸收水蒸汽的能力。在一些实施方式中，可使用电源、放大器或可在RF能量施加期间提供热的装置的任何其它部分来加热空气。例如，在一些实施方式中，装置可包括配置成吸收从能量施加区域反射的RF能量以例如保护装置的其它部分免于被该能量损坏的虚载荷。在一些实施方式中，在空气被泵送到干燥室内以收集水蒸汽之前，来自虚载荷的热可被传递到空气。在一些实施方式中，放大器(例如，放大器2016)可在其正常操作期间发热，且该热可用于加热空气。
[0138]将RF能量施加到室内部可包括经由辐射元件施加RF能量，所述辐射元件在室内部，面对室内部，或以另外方式配置成向室内部提供RF能量。注意，将RF能量施加到室内部可导致某个量的能量施加在室外部。例如，室可以是RF透明的，且施加到其内部的能量可穿过室的壁扩展到室外部。在一些实施方式中，室可设置在RF反射腔(例如，腔14)内部，RF反射腔将从室发出的大部分能量反射回到室内部。然而，一些能量可例如通过经由腔中的门泄漏或通过在腔壁中或在虚载荷中被吸收或通过任何其它方式而在腔外部找到它的路，虚载荷被提供来保护放大器免于接收从室或从腔反射的能量。
[0139]室(例如，室10)可配置成容纳物体。例如，室可具有一尺寸和开口，该开口具有允许湿物体插入室内并被保留在室内的尺寸。在一些实施方式中，室可被依尺寸制造成使得当物体在室内时室的相当大一部分保持是空的，例如，当湿物体在室内时，室内部的空间的1/20、1/10或1/3可保持是未占用的。这可便于干燥空气被泵送到室内、在待干燥的物体上并从室出来而将水移除。物体尺寸和室尺寸之间的适当比也可便于通过离心力将物体压向室的内壁，当室旋转时，离心力可被施加在物体上。这样的按压可便于水移除。
[0140]在一些实施方式中，装置可以按照可用激发设置上的预定的平均DR (或表示在物体中可吸收的能量的其它值)操作。在一些实施方式中，例如可使用0.6或0.5或更小的低平均DR。平均DR可取决于存在于室——包括物体——中的水的量。例如，对于某些实施方式，当室中的水的量较低例如小于一升的大约一半或更少时，0.6或更小的平均DR可出现。水的量可能低的一些情况包括在很多水被移除之后的最终的干燥阶段；以及干燥小物体，例如干燥重量为干燥器被设计用于的衣物的重量的一半或更少的衣物。例如，干燥被设计成干燥6Kg衣物的衣物干燥器中的3Kg衣物可导致低平均DR。
[0141]在一些实施方式中，只在很好地吸收的激发设置处(例如，只在具有高于90%的DR值的激发设置处或只在具有最高可用DR值的激发设置处)施加能量并在按室旋转一次，多次更新能量被施加时的激发设置，可导致高度有效的干燥，即使平均DR小。这可能在干燥小物体(例如，小于干燥器被设计成针对的尺寸的一半)时是有利的。这可能在最后干燥阶段中也是有利的，其中由于在将能量靶向到水中时的困难，大部分其它干燥器变得效率低。例如，热空气干燥器在使热空气与几乎干燥的衣物中的少量和分散量的水接触时有困难，且不以足够的速率更新所施加的激发设置的基于RF的干燥器可能发现使用沿着干燥时间的相当大一部分有效地被吸收的激发设置很难。
[0142]室可配置成与内部的物体一起旋转。这可能需要室安装在轴上，并且还可包括经由齿轮将室连接到电动机。齿轮可配置成允许以预定的旋转频率(例如，每分钟20、25、30、35或40圈(RPM))来旋转室，或可配置成以可调节的旋转频率来旋转室。例如，旋转频率可根据物体的重量、湿气的量或根据在干燥过程中的阶段来改变(例如，可由控制器控制和改变)。注意，室可至少部分地由RF透明的材料制成或部分地由RF透明的材料制成(例如，一个或多个RF透明的窗口可设置在室壁中)，使得由放置在室外部的辐射元件施加的RF能量可渗透到室内部。辐射元件可以是静止的，并可容纳在RF反射腔中，使得腔防止被施加到室的RF能量(或该RF能量的至少大部分)逸出腔外部，并在辐射元件静止时允许室旋转。
[0143]在一些实施方式中，该方法可包括以高于旋转频率的改变频率改变RF能量施加的一个或多个方面。RF能量施加的一个或多个方面可包括激发设置、能量被施加时的功率水平、能量被施加时的时间段、所施加的能量的量、其任何组合、或能量施加的任何其它方面。改变RF能量施加的方面可包括改变所改变的方面的值。例如，将RF辐射的频率从一个值(例如，820MHz)改变到另一值(例如，825MHz)、改变功率水平(例如，从100W到500W)等。在一些实施方式中，改变频率可相应于RF能量施加的一个或多个方面每时间单位(例如，分钟、半分钟等)改变的次数。例如，如果改变RF能量施加的一个或多个方面由改变被供应到两个辐射元件的RF波之间的相位差组成，则改变频率可以是在一分钟干燥期间相位差改变的次数。
[0144]在一些实施方式中，室旋转可以是间歇的，例如，室可以在一个方向(例如，顺时针)上旋转，暂停，并接着在相反的方向(例如，逆时针)上旋转。在一些实施方式中，旋转频率可相应于在包括一个或多个暂停的时间段期间旋转的次数。在其它实施方式中，旋转频率可相应于在两次暂停之间的时间段期间旋转的次数。在一些实施方式中，能量施加可主要或只在室在运动中时改变，且当室暂停时，能量施加可较不频繁地或根本不改变。在一些实施方式中，能量可在改变之前在多个激发设置处被施加，且该改变可包括选择一个或多个激发设置用于另一能量施加。此外或可选地，该改变可包括改变一个或激发设置被施加时的功率水平、持续时间或任何其它方面。
[0145]在一些实施方式中，该方法可包括例如通过改变RF能量施加的一个或多个方面来调节物体所吸收的RF能量的量。例如，激发设置可被改变以增加或最大化能量施加区域中的能量吸收。改变所施加的激发设置以最大化能量吸收可导致至少在改变之后的时刻将物体所吸收的RF能量的量调节到最大。因此，在一些实施方式中，RF能量施加的一个或多个方面可被改变，使得在室内部的能量吸收在改变之后的发生的水平高于在改变之前在室内部的能量吸收水平。在两次改变之间，例如由于在室中的物体的运动以及在物体和在室中激发的RF场模式之间的重叠中的改变，能量吸收的比率可改变(例如，下降)。在一些实施方式中，在改变之后吸收能量的比率可被监测，并可与预定的阈值比较。当这样的阈值被跨越时(例如，如果能量吸收比率落在阈值之下)，则可采取步骤来识别提供较高(或最大)能量吸收比率的新激发设置。最小阈值可相应于某个DR值(例如，0.9、0.85、0.8等)。在一些实施方式中，最小阈值可以是相对的，并可例如相应于大于10%、15%、20%等的DR中的观察到的下降。
[0146]可基于表示物体可吸收的能量的值例如上面讨论的DR和/或A p来估计在室中(或在物体中)吸收的能量的量。在室内部吸收的能量的量可包括在物体中、在物体内部的水中、在物体周围的湿气中或在室内部或室外部的任何其它方式吸收的能量。在一些实施方式中，在所有这些地方中吸收的能量的量可被共同称为在室内部吸收的能量的量。
[0147]在一些实施方式中，RF能量施加的一个或多个方面可以以高于室的旋转频率的改变频率而改变。例如，在一些实施方式中，室可以按大约20和大约60RPM之间的旋转频率旋转，且RF能量施加的方面可以以IOOms的间隔(即，以每分钟600次的频率)改变。在本例中，改变频率比旋转频率大在大约30 (如果室以大约20RPM的速度旋转)和大约10 (如果室以大约60RPM的速度旋转)之间的倍数。
[0148]在没有束缚到理论的情况下，在本文中建议在从物体蒸发水时RF能量施加的有效性可取决于例如所施加的电磁场与物体之间的重叠。因为室旋转，物体移动，在这个运动之后更新激发场可增加干燥过程的能量效率。因此，当改变频率与旋转频率相关时，例如当改变频率比旋转频率大至少2倍时，能量吸收效率可增加。在一些实施方式中，RF能量施加的一个或多个特征可以以比旋转频率大10、15、20或100倍的频率改变。
[0149]如所提到的，在一些实施方式中，与改变之前的能量吸收的比率比较，改变RF能量施加的特征可增加物体中的能量吸收的比率。此外或可选地，与使用等于旋转频率的改变频率实现的能量吸收效率比较，以高于室的旋转频率的改变频率改变RF能量施加的一个或多个特征可将干燥过程的能量吸收效率增加20%或更多。在一些实施方式中，可使用比旋转频率高大约10和大约20之间的倍数的改变频率。
[0150]干燥效率中的这样的增加可出现在例如当RF能量施加到室出现在一个或多个激发设置处时；且能量施加的一个或多个特征的改变包括将这些激发设置中的至少一个改变到例如提供能量吸收或吸收效率的较高比率的激发设置。例如，在一些实施方式中，能量可被施加在单个激发设置处，且所施加的激发设置可以以改变频率改变，使得至少在改变之后的每个周期开始时，所施加的激发设置可以以比预定阈值大例如大70%、80%、90%或99%的效率被最有效地吸收。在另一实例中，至少在改变之后的每个周期的开始时，所施加的激发设置可以比装置可采用的任何其它激发设置(或大部分激发设置)更有效地被吸收。
[0151]在一些实施方式中，RF能量的施加可包括在两个或多个引导激发设置处的RF能量施加。可按相对低的功率水平施加引导激发设置，例如按至少足以允许响应于引导激发设置的施加而能够接收到电磁(RF)反馈的功率水平施加引导激发设置。引导激发设置可被施加，用于收集反馈而没有加热。可在每激发设置相对短的平均时间内例如允许在每个激发设置处接收反馈的最小长度内施加引导激发设置。缩短在引导激发设置上花费的时间可允许加长在加热上花费的时间。因此，在一些实施方式中，可在比RF能量在引导激发设置处被施加时的总持续时间大的总持续时间内在选定激发设置处施加RF能量。在例如用于加热的选定激发设置处花费的总持续时间可以比施加引导激发设置所花费的持续时间大
5、10、20倍或任何更大或中间数字的倍数。在一些实施方式中，按引导激发设置的能量施加的平均持续时间比按选定激发设置的能量施加的平均持续时间短例如10、20、50或100倍。
[0152]引导激发设置可以在每激发设置的第一平均持续时间内被施加(用于允许在每个激发设置处接收反馈)，且选定激发设置可以在每激发设置的第二平均持续时间内被施加，其中第二平均持续时间高于第一平均持续时间，且一个或多个选定激发设置包括一个或多个引导激发设置。
[0153]在一些实施方式中，在给定激发设置处的能量施加的一个或多个方面(例如，能量的量、能量被施加时的功率水平等)可取决于在同一激发设置处、在不同的激发设置处或在多个激发设置上接收的电磁(EM)反馈。
[0154]在一些实施方式中，弓丨导激发设置可仅用于感测。在一些实施方式中，引导激发设置也可用于从物体蒸发水。然而，使用引导激发设置来蒸发水可影响能量效率，因为引导激发设置被吸收的程度平均说来可低于选定激发设置(例如，展示高于平均能量吸收特性的设置)可被吸收的程度，特别是如果该选择基于能量在引导激发设置处被吸收的程度。在一些实施方式中，引导激发设置与其它激发设置的区别可在于，响应于引导激发设置的施加的电磁反馈可被收集并用于确定能量施加特征的一个或多个方面。
[0155]在一些实施方式中，在引导激发设置上的平均DR可以比在选定激发设置上小。这同样可适用于表示在物体中可吸收的能量的其它值。这可能是例如当激发设置根据其DR值来选择时的情况。例如，当与最高DR值相关的激发设置被选择时，当与高于阈值的DR值相关的激发设置被选择时，以及当只在与具有某个预定范围的Q因子的吸收峰值相关的激发设置当中进行这样的选择时，如本文讨论的，在引导激发设置上的平均DR可以比在选定激发设置上小。
[0156]在引导激发设置处施加能量之后，在选定激发设置处的能量施加可开始。可基于例如引导激发设置的能量吸收特征从引导激发设置当中选择激发设置。能量吸收特征可包括例如表示在物体中可吸收的能量的值、与激发设置相关的吸收峰值的Q因子、或可表征在各种激发设置处的能量吸收的任何其它值。此外或可选地，可在比用在引导激发设置上的功率水平高的功率水平处施加选定激发设置。例如，在一些实施方式中，在选定激发设置处施加的能量可在装置可采用的最高功率处被施加，以最大化干燥过程的时间效率。在其它实例中，可在选定激发设置处施加小于最大可用功率的功率。此外或可选地，可在比用在引导激发设置上的持续时间长例如5、10被或更多倍的持续时间内时间施加选定激发设置。
[0157]在一些实施方式中，选定激发设置被施加时的功率水平比引导激发设置被施加时的功率水平高2倍或更多倍，例如大约5倍或更多倍。在一些实施方式中，从引导激发设置移动到选定激发设置可被认为构成RF能量施加的一个或多个方面的改变，并因此可以以比室的旋转频率大的速率(频率)出现。
[0158]在一些实施方式中，可从引导激发设置当中选择选定激发设置，使得选定设置比其它引导激发设置更有效地吸收能量。例如，可能有一个选定激发设置，且它可以是能量吸收比在装置可采用的其它引导激发设置的任一个中的或在一组引导激发设置(对该组引导激发设置产生或评估反馈)内的能量吸收高时的引导激发设置。在其它实施方式中，可使用多个选定激发设置，且多个选定激发设置中的每个可展示比不在选定激发设置(例如，未被选择为用作选定激发设置的那些引导激发设置)当中的引导激发设置高的能量吸收水平/
比率/效率。
[0159]在一些实施方式中，选定激发设置可与具有小于预定阈值例如小于200的Q因子的RF能量吸收峰值相关。Q因子可相应于峰值的宽度的度量，较宽的峰值具有较小的Q因子。在本公开的上下文中，术语“Q因子”可以指吸收峰值的宽度，而不考虑c-FAP，吸收沿着该c-FAP改变。例如，峰值可以沿着频率c-FAP，沿着相位c-FAP，或沿着其它c-FAP。在一些实施方式中，Q因子可等于峰值的中央c-FAP值与在峰值的最大值的一半处的峰值的宽度之间的比。例如，在一些实施方式中，Q因子可等于峰值的中央频率值与在峰值的最大值的一半处的峰值的宽度(沿着频率c-FAP)之间的比。在一些实施方式中，Q因子可等于例如在DR与相位的关系曲线中的峰值的中央相位与沿着在峰值的最大值的一半处的相位c-FAP的峰值的宽度之间的比。
[0160]当尖锐的峰值(例如，具有大于200或其它预定阈值的Q因子的峰值)可与在室或其它金属结构周围的腔中吸收且不一定在物体处吸收的能量相关时，这样的实施方式可能是有利的。当确实是这种情况时，在与这样的尖锐峰值相关的激发设置处施加能量可只将所施加的能量的一小部分(如果有的话)传输到物体。在一些实施方式中，选定激发设置包括与最强的能量吸收和与具有小于阈值的Q因子的吸收峰值相关的激发设置相关。
[0161]本发明的一些实施方式的方面可包括处理方法，其包括激发设置选择和在选定激发设置处的RF能量的施加。该方法可包括在干燥室的单次旋转期间以两次或多次的速率施加能量和选择激发设置。在单次旋转期间选择和施加两次可确保在旋转期间，该方法将至少一次允许所施加的激发设置的改变。每次室旋转期间，较大数量的选择和施加可允许在所施加的激发设置中的更频繁的变化。每当作出选择时，选定激发设置可不同于在选择之前施加的激发设置，且因此激发设置的变化可出现。通常，选择越频繁，能量施加就可能更有效。
[0162]尽管如此，在单次旋转期间实现的选择和施加的次数存在可取的上限。例如，在某个阶段，在两次选择之间室内部的物体的运动可能太小而不能证明所施加的激发设置的调节遵循这样的小运动合理。在另一实例中，当选择基于反馈时，收集反馈可能花费时间，且在一些实施方式中，选择以允许在收集反馈上花费的时间比在用于加热的能量施加上花费的时间短的频率发生。在一些实施方式中，加热时间可以比反馈收集时间长例如2、5、10、20倍等。这可设置对在单次旋转期间选择和施加的次数的上限。例如，如果单次旋转花费两秒，反馈收集花费10ms，且在反馈收集和能量施加之间的期望比是1:10，则在单次旋转期间大约20次选择和施加可构成对在一次旋转期间可能出现的选择/施加的次数的实际上限。这是如此，因为每次选择和施加可能花费至少0.11秒，且2/0.11为大约20。
[0163]在一些实施方式中，选择和施加可在包括在干燥过程中的一些室旋转期间重复两次或更多次。例如，两次或更多次选择和施加可在室的每次旋转期间、在室的每两次旋转期间、在室的旋转的至少一半的期间等实现。
[0164]该方法还可包括从室接收电磁(EM)反馈。在这样的实施方式中，一个或多个激发设置的选择可基于EM反馈。[0165]在一些实施方式中，选择一个或多个激发设置可包括按两个或多个引导激发设置施加RF能量；从室接收EM反馈；以及基于EM反馈从引导激发设置当中选择一个或多个激发设置。
[0166]在一些实施方式中，也可响应于选定激发设置的使用来接收反馈，且每当能量吸收降低了至少预定的因数例如至少10%时改变可出现。例如，可选择激发设置，且接着可按选定激发设置施加高功率的能量。在高功率处的能量施加期间，可接收反馈，且当在选定激发设置处的吸收效率下降到预定值之下时，能量施加可例如在低功率处切换到引导激发设置，用于从多个引导激发设置选择新的激发设置。
[0167]本发明的一些实施方式的方面可包括配置成实现一个或多个上述方法的装置。例如，根据本发明的一些实施方式，用于干燥物体的装置可包括RF能量源；以及控制器(例如，控制器101或处理器2030)。控制器可配置成使RF能量源将RF能量施加到室；以及以高于旋转频率的改变频率来改变对室的RF能量施加的一个或多个方面。室可配置成容纳待干燥的物体并以旋转频率旋转。改变RF能量施加的一个或多个方面可包括例如通过按不同的功率水平、在不同的持续时间内或在这两者施加能量来将在每个激发设置处施加的能量的平均量改变至少两倍。可基于所施加的能量的量的和来计算(可选地，除以所施加的激发设置的数量)在每个激发设置处施加的能量的平均量，且该改变可使得所施加的能量的量的和在改变之后改变至少两倍。例如，在改变之前，可在每个激发设置处将IOW施加Ims ;且在改变之后，可在每个激发设置处将300W施加15ms，使得在每个激发设置处施加的能量的平均量增加450倍。
[0168]现在参考图4A，其为在根据本发明的一些实施方式的处理物体的方法450中的步骤的流程图。在步骤452中，可选择将被施加到干燥室内部的RF能量的一个或多个方面。室可包括例如图1、2或3的室10，或配置成容纳待处理的物体的另一室。可从可用的方面选择所述一个或多个方面。例如，选定的方面可包括从干燥器可采用的激发设置选择的激发设置。在另一实例中，选定的方面可以是从可用功率水平选择的、RF能量被施加时的功率水平。在另一实例中，选定的方面可以是持续时间，在该持续时间内RF能量在每个激发设置处被施加。
[0169]在步骤454中，可根据在步骤452中选择的方面例如按步骤452中选择的激发设置、持续时间和/或功率水平施加能量。
[0170]在步骤456中，可检查一个或多个停止标准以确定是否停止该过程。如果满足，则干燥过程可在步骤458结束。否则，干燥过程可例如通过返回到步骤452来继续。在一些实施方式中，停止标准可包括预定干燥时期，且在预定时期到时间之后，干燥可停止。在一些实施方式中，室中的湿度可被测量，且该过程可在湿度降低到预定阈值之下例如在干燥过程开始时的湿度的50%、40%或30%之下时停止。在一些实施方式中，停止标准可与在干燥器可采用的所有或一些激发设置上的平均DR有关。例如，在一些实施方式中，干燥可在平均DR降低到0.35之下时停止。在一些实施方式中，停止标准可包括从装置外部例如从用户接收停止信号。用户可例如通过按下停止按钮来发送停止信号。
[0171]在停止标准被满足之前，步骤452和452可重复很多次。这些步骤重复的速率可被称为能量施加的一个或多个方面从一个有效的能量施加事件(454)改变到另一能量施加事件的重复速率。[0172]当室旋转时，步骤452和454可发生。在一些实施方式中，室的旋转频率低于改变率。例如，改变率可以比重复速率大了大于I的任何倍数，例如1.5、2、10、20或50倍。在一些实施方式中，重复速率可以大于室的旋转速率。在一些实施方式中，改变率和重复速率都可大于室的旋转速率；在一些实施方式中，只有重复速率大于旋转速率。
[0173]在步骤454的连续重复中，RF能量可被施加到干燥室内部，RF能量施加的一个或多个方面相对于在步骤454的前一重复中的能量施加而改变。例如，在第一次重复中，可在第一激发设置处施加能量，而在第二次重复中，可在第二激发设置处施加能量。然而，一些重复可以不伴随有变化，因为可能发生:在步骤452的两次连续重复中，RF能量施加的相同方面被选择。在一些实施方式中，室可以以旋转频率旋转，且所施加的RF能量的一个或多个方面的改变的速率可大于旋转频率。例如，室可以以25RPM、30RPM、40RPM、50RPM或任何中间旋转频率旋转，且所施加的RF能量的一个或多个方面可以以每分钟100、200、400、600、1000次变化或任何中间数量的变化的速率而改变。每次室旋转中变化的次数可以是大于I的数字，例如1.5、10、20、50或任何中间数字。
[0174]在一些实施方式中，在所施加的RF能量的至少一个方面中的变化可以使得所吸收的RF能量的比率改变(例如，增加)。例如，图4B是根据本发明的一些实施方式的RF能量施加的方法460的流程图。方法460类似于方法450，但在选择步骤452的每次重复之前，可能有特征化步骤462，其中可确定表示在两个或多个引导激发设置中的腔处的能量吸收的值。接着，在步骤452，可基于特征化来选择能量施加方面。例如，在一些实施方式中，在步骤452中，能量施加的方面可被选择，使得能量按特征化步骤中找到的将被更多或最有效地吸收的激发设置来施加。特征化步骤462可包括在引导激发设置处施加比在步骤454施加的能量的量少的能量。所施加的能量的量可以更小2倍或更多，例如小2、4、10、50、100或1000倍。这可能是对在所有引导激发设置处施加的总能量的情况——与在用于加热的所有激发设置处施加的总能量比较。在一些实施方式中，这可能是在每个激发设置处施加的能量的情况，且在一些实施方式中，这可能是对与步骤454比较在步骤462中每激发设置施加的能量的平均量的情况。可通过在比在能量施加步骤454中使用的功率水平低例如2倍或更多的功率水平处施加能量和/或通过在较短的持续时间内施加能量来施加较低量的能量。在方法460中，在步骤454的每次重复时，能量可按在一个或多个在前面的特征化步骤462期间被更有效或最有效地吸收的激发设置被施加。因此，在一些实施方式中，改变在步骤452的两次连续的重复之间的RF能量施加的一个或多个方面可导致与在改变之前室内部的能量吸收比较在改变之后室内部的能量吸收的增加。
[0175]实例
[0176]图5提供衣物干燥器400的图形表示。为了使用干燥器400干燥衣物，用户可打开门402，将湿衣服401放在室404中，关闭门，并按下“开始”按钮406，就像在常规家用衣物干燥器中一样。室404可以在腔408内部。
[0177]类似于在常规干燥器中出现的现象，当“开始”按钮被按下时，电动机开始旋转室404，且干燥的空气穿过室404。在它穿过室期间，干燥的空气使水蒸发并在湿度上增加。此夕卜，室的旋转使衣物移动以将其不同的部分暴露于干燥的空气。
[0178]大约在同时，源2010 (图3)可以开始将在不同的引导频率处的RF能量供应到辐射元件2018。为了附图的简单起见，图5没有示出连接到辐射元件的装置部件。然而这样的部件在图3中示出。引导频率可包括在4MHz步长在800MHz和IOOOMHz之间的频率。在本例中，可使用51个引导频率。RF能量在引导频率处被施加时的功率水平可能相对低，例如100W或更小。在51个频率上扫描可能花费10ms，允许每频率大约0.2ms能量施加。
[0179]处理器2030可经由辐射元件2018和探测器2040接收表示RF能量施加在每个引导频率处对湿衣物的影响的反馈，其例如以DR值相对于频率的表的形式。
[0180]处理器2030可选择(例如从表中)与最大的DR值相关的频率，并可使源2010在相对高的功率例如500W处供应在选定频率处的能量，并将它供应给辐射元件2018。在选定频率处的能量施加可持续大约90ms。在本例中，在加热循环期间供应的能量为500WX0.09sec=45焦耳，而在特征化循环期间供应的能量为100W X0.0lsec=I焦耳。45的因子包括在能量施加持续时间中的因子9和在功率水平中的因子5。
[0181]接着，处理器2030可使源2010开始在较低功率处在引导频率处供应能量，接收每个频率处的反馈，根据响应于该能量施加而接收的反馈来选择频率，并使源在大约90ms的另一时期内以每秒10次的重复速率(IOHz)供应在选定频率处在高功率处等的能量。如果在每个周期选择不同的频率，则改变频率也是IOHz。
[0182]在室中，由于以大约30RPM (S卩，0.5Hz)的旋转频率的室旋转，衣物移动。为了最佳结果，改变频率可以比旋转频率大例如大约20倍，如在本例中的。
[0183]在示例性实施方式的前面描述中，各种特征为了简化本公开的目的而在单个实施方式中被集合在一起。公开的这个方法不应被解释为反映所主张的发明需要比在每个权利要求中明确陈述的多的特征的发明。更确切地，如下面的权利要求反映的，创造性方面在于单个前面公开的实施方式的少于全部的特征。因此，下面的权利要求特此被合并到本申请的详细描述中，每个权利要求依靠自己作为本发明的单独实施方式。
[0184]而且，从本公开的说明书和实践的考虑中，对于本领域中的技术人员将明显，可对所公开的系统和方法进行各种修改和变更，而不偏离如所主张的本发明的范围。例如，方法的一个或多个步骤和/或装置或设备的一个或多个部件可被省略、改变、或代替，而不偏离本发明的范围。因此，意图是说明书和实例被认为仅仅是示例性的，本公开的真实范围由下面的权利要求及其等效形式指示。
【权利要求】
1.一种用于通过以多个激发设置施加的RF能量来处理物体的装置，所述装置包括: 控制器、一个或多个辐射元件和能量施加区域； 其中，所述控制器电耦合到所述一个或多个辐射元件，所述一个或多个辐射元件将RF能量辐射到所述能量施加区域并且辐射到旋转室； 并且其中，所述控制器配置成从多个引导激发设置当中选择一个或多个激发设置，用于将RF能量施加到所述旋转室；以及 使RF能量源按一个或多个选定激发设置施加RF能量，其中所述控制器配置成选择所述一个或多个激发设置而且使所述RF能量源在所述旋转室的单次旋转期间按所述一个或多个选定激发设置施加RF能量至少两次。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器配置成选择所述一个或多个激发设置并使所述RF能量源在所述旋转室的旋转的至少一半的期间按所述一个或多个选定激发设置施加RF能量至少两次。
3.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器配置成选择所述一个或多个激发设置并使所述RF能量源在所述旋转室的单次旋转期间按所述一个或多个选定激发设置施加RF能量至少10次。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器配置成选择所述一个或多个激发设置并使所述RF能量源在所述旋转室的旋转的至少一半的期间按所述一个或多个选定激发设置施加RF能量至少10次。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器还配置成从所述旋转室接收电磁(EM)反馈并基于所述EM反馈选择所述`一个或多个激发设置。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器配置成基于与所述多个激发设置相关的RF能量吸收特征来选择所述一个或多个激发设置。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个选定激发设置每个与比所述多个引导激发设置的其它激发设置的RF能量吸收水平高的RF能量吸收水平相关，所述其它激发设置不在所述一个或多个选定激发设置中。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器配置成: 使RF能量按两个或多个引导激发设置来施加； 从所述旋转室接收EM反馈；以及 基于所述EM反馈从所述引导激发设置当中选择所述一个或多个选定激发设置。
9.如权利要求8所述的装置，其中所述控制器配置成使RF能量以小于第一功率水平的功率水平按所述两个或多个引导激发设置来施加，以及使RF能量以高于所述第一功率水平的第二功率水平按所述一个或多个选定激发设置来施加。
10.如权利要求5所述的装置，其中所述反馈表示按所述多个引导激发设置所施加的RF能量能够在所述旋转室中被吸收的程度。
11.如权利要求8所述的装置，其中所述控制器配置成基于所述一个或多个激发设置是否与具有大于预定阈值的宽度的RF能量吸收峰值相关来选择所述一个或多个激发设置。
12.如权利要求1所述的装置，还包括所述RF能量源。
13.如权利要求1所述的装置，其中所述装置是干燥器。
14.如权利要求1所述的装置，其中所述引导激发设置包括在两个辐射元件的发射之间的相位差上彼此不同的激发设置。
15.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器配置成在比RF能量按所述引导激发设置施加时的总持续时间大至少5倍的总持续时间内使RF能量按所述选定激发设置来施加。
16.如权利要求1所述的装置，其中按引导激发设置的能量施加的平均持续时间比按选定激发设置的能量施加的平均持续时间短至少10倍。
17.如权利要求1所述的装·置，其中所施加的RF能量只落在一个或多个ISM频带内。
【文档编号】H05B6/46GK203387711SQ201320076948
【公开日】2014年1月8日 申请日期:2013年2月19日 优先权日:2012年2月24日
【发明者】史蒂芬·R·罗杰斯, 本·齐克尔, 阿夫纳·李伯曼 申请人:高知有限公司