专利名称：一种用于直拉单晶硅的石墨坩埚的制作方法
技术领域：
—种用于直拉单晶硅的石墨坩埚技术领域[0001]本实用新型涉及一种用于直拉单晶硅用高使用寿命的石墨坩埚。
背景技术：
[0002]石墨坩埚在使用一定时间后，拉晶体过程中经常出现坩埚R处破裂的异常现象，造成巨大损失。石墨坩埚破裂的原因除与石墨材质本身的因素外，主要与石墨坩埚的本身的结构设计有关。一方面，石墨坩埚在拉晶过程中不断存在加热-冷却-加热一冷却——的循环过程，这样导致坩埚在使用过程中不断的承受内应力的变化；另一方面，在拉晶体过程中产生的大量的氧化物，如不及时排除，在高温下易沉积在R处与石墨反应，使R处石墨减薄，强度下降。实用新型内容[0003]本实用新型提供一种用于直拉单晶硅的石墨坩埚，该石墨坩埚外壁R处圆弧半径为60mm，在石墨坩埚底部增加三个V形排气缺口。这种结构使得壁厚过度比由99.5%降到82%，减少了 R处内应力，延长坩埚的使用寿命，使拉晶体过程产生的氧化物气体易从排气口及时排处，减少对坩埚的腐蚀。
[0004]图1是坩锅局部立体图。[0005]I，坩锅外壁R处；2，排气缺口。
具体实施方式
[0006]用于直拉单晶娃的石墨樹祸，该石墨樹祸外壁R处(I)的圆弧半径由传统的25mm增加到60mm，使得壁厚过度比由99.5%降到82%，减少了 R处内应力，延长坩埚的使用寿命。在石墨坩埚底部增加三个V形排气缺口(2)，使拉晶体过程产生的氧化物气体易从排气口及时排处，减少对坩埚的腐蚀。[0007]通过增加外壁R半径，减少坩埚R壁厚的不均型，降低了拉晶过程中的内应力；底部的V形排气缺口有利于氧化物气体的排除，减少了氧化对石墨坩埚的腐蚀。该技术使得石墨坩埚使用寿命比普通石墨坩埚多10-15炉，延长了 50%的寿命，对于降低拉晶成本，节约石墨材料有着重要的作用。
权利要求1.一种用于直拉单晶硅的石墨坩埚，其特征在于，该石墨坩埚外壁R处圆弧半径为60mm,在石墨相■祸底部 增加三个V形排气缺口。
专利摘要本实用新型提供一种用于直拉单晶硅的石墨坩埚，该石墨坩埚外壁R处圆弧半径为60mm，在石墨坩埚底部增加三个排气缺口。这种结构使得壁厚过度比由99.5％降到82％，减少了R处内应力，延长坩埚的使用寿命，使拉晶体过程产生的氧化物气体易从排气口及时排处，减少对坩埚的腐蚀。
文档编号C30B15/10GK203065629SQ201320109490
公开日2013年7月17日 申请日期2013年2月20日 优先权日2013年2月20日
发明者张忠安, 张忠华 申请人:江西豪安能源科技有限公司