1.一种用于溅射沉积的沉积源(10、100、200、300、420)，其特征在于，所述沉积源包括：
至少一个可旋转阴极(30)；
RF功率布置(20)；以及
功率输送组件(40、140)，将所述RF功率布置与所述可旋转阴极连接，其中所述功率输送组件包括第一电源连接器(42、142、342、442)和第二电源连接器(44、144、344、444)，以用于在两个间隔开的位置(32、34)处同时向所述可旋转阴极提供来自所述RF功率布置的RF能量，其中所述RF功率布置包括匹配盒(21)，其中所述功率输送组件包括：
第一电连接件(146、246)，连接所述匹配盒与所述第一电源连接器；以及
第二电连接件(148、248)，连接所述匹配盒与所述第二电源连接器，
其中所述匹配盒(21)包括输出端子(25)，所述输出端子沿着所述第一电连接件(246)和所述第二电连接件(248)中的至少一个可移动地安装。
2.根据权利要求1所述的沉积源，其中所述第一电源连接器(42、142、342)和所述第二电源连接器(44、144、344)相对于与所述可旋转阴极(30)中心相交的截面平面基本对称地布置。
3.根据权利要求1所述的沉积源，其中所述可旋转阴极(30)具有圆柱形形式，具有第一轴向端(132、332)和与所述第一轴向端相对的第二轴向端部(134、334)，并且其中所述第一电源连接器(142、342)安装在所述第一轴向端处，且所述第二电源连接器(144、344)安装在所述第二轴向端处。
4.根据权利要求2所述的沉积源，其中所述可旋转阴极(30)具有圆柱形形式，具有第一轴向端(132、332)和与所述第一轴向端相对的第二轴向端部(134、334)，并且其中所述第一电源连接器(142、342)安装在所述第一轴向端处，且所述第二电源连接器(144、344)安装在所述第二轴向端处。
5.根据权利要求1所述的沉积源，其中所述第一电源连接器(342)和所述第二电源连接器(344)中的至少一个通过电容耦合或电感耦合提供到所述可旋转阴极(30)的RF能量传输。
6.根据权利要求2所述的沉积源，其中所述第一电源连接器(342)和所述第二电源连接器(344)中的至少一个通过电容耦合或电感耦合提供到所述可旋转阴极(30)的RF能量传输。
7.根据权利要求3所述的沉积源，其中所述第一电源连接器(342)和所述第二电源连接器(344)中的至少一个通过电容耦合或电感耦合提供到所述可旋转阴极(30)的RF能量传输。
8.根据权利要求4所述的沉积源，其中所述第一电源连接器(342)和所述第二电源连接器(344)中的至少一个通过电容耦合或电感耦合提供到所述可旋转阴极(30)的RF能量传输。
9.根据权利要求1所述的沉积源，其中所述第一电连接件的第一阻抗和所述第二电连接件的第二阻抗相差小于10％。
10.根据权利要求9所述的沉积源，其中所述第一阻抗和所述第二阻抗基本相同。
11.根据权利要求1所述的沉积源，其中所述第一电连接件的第一电阻和所述第二电连接件的第二电阻相差小于10％。
12.根据权利要求11所述的沉积源，其中所述第一电阻和所述第二电阻基本相同。
13.根据权利要求1所述的沉积源，包括调节装置(226)以用于调节所述第一电连接件的第一电性质和/或所述第二电连接件的第二电性质。
14.根据权利要求13所述的沉积源，其中所述调节装置(226)通过改变所述第一电连接件和/或所述第二电连接件的长度来调节所述第一电连接件的第一电性质和/或所述第二电连接件的第二电性质。
15.根据权利要求1所述的沉积源，其中所述第一电连接件和所述第二电连接件由导电棒(249)提供，所述导电棒连接在所述第一电源连接器(142)和所述第二电源连接器(144)之间，所述匹配盒(21)经安装以在所述导电棒上移动。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的沉积源，其中所述第一电源连接器和所述第二电源连接器中的至少一个包括阴极支撑件(236)，所述阴极支撑件(236)能够相对于所述可旋转阴极(30)从用于溅射操作的操作位置移动到用于拆卸所述可旋转阴极的安装位置。
17.根据权利要求16所述的沉积源，其中所述阴极支撑件(236)在远离所述可旋转阴极(30)的轴向方向上是能够移动的。
18.一种溅射装置(400)，其特征在于，所述溅射装置包括：
真空腔室(410)；以及
根据权利要求1至14中任一项所述的沉积源(420)，其中所述可旋转阴极(30)位于所述真空腔室(410)的内部，
其中所述第一电源连接器和所述第二电源连接器中的至少一个包括馈通(152)，以用于将来自所述RF功率布置的所述RF能量传输到所述真空腔室中。
19.根据权利要求18所述的溅射装置，其中所述馈通(152)是真空旋转馈通。