专利名称：一种热释电材料(k的制作方法
技术领域：
本发明属于红外热释电材料。
现有的红外热释电材料主要有TGS、TGFb、Li2SO4、LiNbO3、LiTaO3等晶体(见表1)。较好的热释电材料是TGS、和TGFb。TGS在育晶过程中，晶体容易生长，但其优值比(P/ε)只有1.1，故不太理想;TGFb的优值比虽然较高，但其晶体生长困难，因此在实际应用中也受到限制。
本发明的目的是寻找一种热释电性能好、晶体生长容易的红外热释电单晶体。
我们在对K2ZnCl4的电性能进行研究时，首次发现了K2ZnCl4单晶体具有很好的热释电性能(见表1)。
表1一些热释电晶体材料的物理性能晶体 居里 介电常数 热释电系数(P) 优值比 晶体点(℃)(ε) ×10-8库/厘米2.度 ×10-9性能库/厘米2.度TGS 49 30 3.5 1.1 易生长TGFb 73 14-16 1.9-2.4 1.4 生长困难Li2SO4无 10 1.0 1.0 机械加工困难LiNbO31190- 30 0.40 0.13 优值比低1210LiTaO3620- 43 0.60 0.14 优值比低650K2ZnCl4124 3.8 1.3 3.4 易生长K2ZnCl4的制备方法是先把KCl和ZnCl2(摩尔比为2∶1)两种试剂进行化合，其反应式如下
然后把得到的K2ZnCl4用去离子水溶解，并置于蒸发育晶槽中，采用蒸发法生长晶体，先升温至50-65℃，然后缓慢降温至饱和点。所用去离子水的重量为育晶液总重量的10-20%，溶剂的蒸发速度为10-30毫升/昼夜。经30天后即可生长出大尺寸的K2ZnCl4单晶体。
从表1可以看出，K2ZnCl4的热释电性能与目前所应用的TGS、TGFb晶体相比，具有更高的居里温度和较低的介电常数。虽然K2ZnCl4的热释电系数(P)不到TGS的二分之一，但是K2ZnCl4的优值比(P/ε)却是TGS的三倍多，而且在育晶时，K2ZnCl4和TGS一样，都很容易生长出大尺寸的单晶体，其机械加工性能也好。
权利要求
1.一种红外热释电单晶体(结构式为K2ZnCl4)的制备方法，其特征是把KCl和ZnCl2按摩尔比2∶1进行化合(反应式为2KCl+ZnCl2=K2ZnCl4)，然后把得到的K2ZnCl4用去离子水溶解，并置于蒸发槽中，采用蒸发法生长晶体，所用去离子水的重量为育晶液总重量的10-20%。
2.按权利要求1所说的红外热释电单晶体(结构式为K2ZnCl4)的制备方法，其特征在于育晶时，先把育晶液升温于50-65℃，然后缓慢降温至其饱和点进行晶体生长，育晶时溶剂的蒸发速度为10-30毫升/昼夜，经30天后即可生长出大尺寸的K2ZnCl4单晶体。
全文摘要
本发明属于红外热释电材料。K
文档编号C30B7/04GK1049689SQ8910660
公开日1991年3月6日 申请日期1989年8月24日 优先权日1989年8月24日
发明者郑吉民, 车云霞, 申泮文 申请人:南开大学