专利名称：掺钕、铽和铈的钇铝石榴石激光晶体及其制备技术的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种新的激光晶体，具体地说，是掺钕、铽和铈的激光晶体[(Nd，Tb，Ce)YAG]。还涉及这种晶体的制备技术，其中包括晶体生长、退火和加工技术，特别是涉及这种晶体的引上生长技术。本发明的(Nd，Tb，Ce)YAG晶体可以作为固体激光器的激光工作物质，也可作为荧光材料，窗口材料或其它一些光学元件的材料。
由于NdYAG具有优良的物化特性，而且价格低廉，它现在仍然是固体激光器领域内应用最多和最普遍的激光晶体[1]。但NdYAG也有不令人满意之处，其最大缺点是激光效率不够高和阈值不够低。这些缺点使它在风冷条件下的应用受到很大限制。多年来人们一直在为提高其效率而努力。提高NdYAG激光效率的一个有效途径是在晶体中再掺入敏化离子，利用它到Nd3+的能量转移来提高泵浦光的利用率从而使效率提高。如所周知，Cr3+就是一个较好的敏化离子[2]。但在YAG中，Cr3+→Nd3+的能量转移效率不高，敏化作用不够理想。Holloway[3]、KoBaJIeBa[4]、Mares[5]和Kvapil[6]等人的研究指出，在YAG中有Ce3+到Nd3+的辐射能量转移，也存在无辐射能量转移，而且转移效率较高。但这些研究也指出，由于Ce3+的离子半径太大，利用Ce3+来敏化NdYAG会严重损害晶体的光学质量。因此，他们认为，从总体效果看，利用大量Ce3+敏化NdYAG是不利的，只能掺入微量的Ce3+来改进NdYAG的激光性能。
本申请人在另一项已授权专利[7]中成功地解决了上述掺大量Ce3+带来的问题，既充分利用了Ce3+的敏化作用，又避免或消除了大量Ce3+对光学均匀性的损害。生长出了脉冲激光效率比NdYAG高70%，光学均匀性良好，可在风冷重复频率下应用而且价格低廉的(Nd，Ce)YAG晶体。但这种晶体在使用过程中，暴露出了新问题。突出表现在激光束的束散过大，特别是在与水冷条件相比，冷却不够的风冷条件下束散度过大，而且随着激光重复频率的提高，束散度迅速增加。在一般平-平激光腔的使用情况下，激光束的能量分布也随重复频率的提高而变差。这表明(Nd，Ce)YAG的热效应较大。虽然如[7]所述，它可在较高环境温度下使用，但对激光棒内的温度不均匀性比较敏感。显然，这些缺点对风冷重复频率下的应用是很不利的。
本发明的目的就是给出一种即具有[7]所述的(Nd，Ce)YAG的优点，而热效应比(Nd，Ce)YAG低，在风冷重复频率使用条件下，激光束的束散度比(Nd，Ce)YAG小的新激光晶体及其制备技术。
本发明是一种掺钕、铽和铈的钇铝石榴石[(Nd，Tb，Ce)YAG]激光晶体，其特征在于它是由Nd，Tb，Ce，Y，Al和O等元素组成，化学式为Y3-a-b-cNdaTbbCecAl5O12，其中a＝1.0×10-4～7.5×10-2，b＝1.0×10-4，c＝大于0～4.5×10-2，该晶体属立方晶系，空间群为O10h-Ia3d晶格常数随a，b和c的值而稍有改变，大致在12.02
附近。
本发明的另一内容是(Nd，Tb，Ce)YAG晶体的制备方法，包括晶体的生长、后处理和光学加工。其特征在于采用电阻或感应加热的引上法生长，其中包括粉料的灼烧、按化学式Y3-x-y-zNdxTbyCezAl5O12配料、其中x＝5×10-4～0.375，y＝1.1×10-4～1.5，z＝大于0～0.36，配制的粉料经研磨混合和预压成形后置于坩锅中加热至熔、下籽晶进行旋转引上生长，其主要生长条件是晶体转速为8～150r/min;提拉速度为0.3～2.5mm/h;保护气氛为还原性或中性气氛;籽晶可为任何方向，但优先用<111>，<110>或<211>方向;晶体等径部分的直径与坩锅内直径的比小于1/2。
本发明的(Nd，Tb，Ce)YAG晶体也可用Bridgman方法、熔盐法或火焰法生长，其后处理技术可按本申请人的另一项已授权专利[8]进行，但在退火温度，保温时间及升降温速度方面需作适当调整。晶体的光学加工按通常NdYAG的加工标准及使用要求进行，这是本领域技术人员所熟知的。
本发明的(Nd，Tb，Ce)YAG晶体可以用作激光工作物质、荧光材料、窗口或其它一些光学元件的材料。
兹将本发明详述如下如前所述，(Nd，Ce)YAG虽然有效率高、阈值低等优点，但它在冷却不充分或风冷条件下使用时，其光束束散度较大，而且还随激光重复频率的增加而迅速加大。与此同时，光束的能量分布也变坏。我们认为产生这些问题的原因可能在于(Nd，Ce)YAG的热效应过大，虽然它可以在较高的环境温度下使用，但在冷却不够充分时，激光棒内的温度是不均匀的，而(Nd，Ce)YAG晶体对这种温度不均匀性可能比较敏感，从而导致较严重的热畸变。事实上，敏化型的激光晶体都有可能具有较严重的热效应，因为，敏化离子所吸收的光能如不能全部转移给激活离子，则最终将会以热的形式释出，从而加重晶体的热畸变效应。很显然，在敏化离子附近，特别是在敏化离子较集中的微区附近，这种热效应更为严重。而另一方面，由于Ce3+离子半径比Y3+大很多，在Ce3+附近，特别是Ce3+离子较集中的微区附近，本来就有较严重的晶格畸变。不均匀的热效应必然加重晶格的微区畸变，我们认为，这可能是(Nd，Ce)YAG具有严重热畸变的原因。再者，不均匀的热效应使晶格的微区畸变加重，可能使畸变区的晶场有些改变。因此，这种热效应不仅在宏观上表现出热透镜效应的加重，还有可能影响激光的输出特性。
基于以上分析，我们认为解决上述问题的一个可能途径是寻找热效应较弱的新敏化离子。另一可能途径是在(Nd，Ce)YAG中，掺入其它离子来改善其热效应。从原理上看，在晶体中掺入某种掺杂离子，有可能在一定程度上改变晶体的热胀系数、导热系数、折射率和折射率的温度系数。因此，在(Nd，Ce)YAG中再掺入某种离子，有可能改善其热效应。我们经过多年的大量实验，终于找到一种新的离子Tb3+，这是现有技术文献中从未有过的.本发明是用Tb3+部分或全部取代(Nd，Ce)YAG中的Ce3+，而成为(Nd，Tb，Ce)YAG。
TbYAG和(Tb，Ce)YAG可以作为荧光材料，已有不少人对其光谱和荧光特性进行了较详细的研究[9-11]。Tb3+的吸收峰在273，325，357和380nm处。前两个较强吸收峰属4f→5d跃迁，后两个弱吸收峰属f-f跃迁。而其荧光为一些较尖锐的峰，可分为两组，其中一组对应于5D3→7F跃迁，分布在380～470nm间，另一组对应于5D4→7F跃迁，分布在490～630nm之间。最强的荧光为545nm与YAG中Ce3+的荧光峰相近。而在490～630nm波段内，有大量Nd3+的吸收峰，因此，我们估计在YAG中有Tb3+→Nd3+共振辐射能量转移或借助于声子的非共振转移是完全可能的。上述的工作还指出，在YAG中有Tb3+()/() Ce3+的能量转移存在，但据这些报导，Tb3+()/() Ce3+的能量转移，加强了Tb3+的5D4→7F荧光和Ce3+的黄绿光区。显然，这一相互转移过程对能量通过辐射转移至Nd3+是有利的。再者，在配位数为8时，Tb3+的离子半径为1.04
(引自卡明斯基著《激光晶体》)，与Y3+(1.02
)非常接近。因此Tb3+的掺入不会引起严重的晶格畸变。我们出乎意料地发现，铽的掺入能在一定程度上改变晶体的热膨胀系数、热导率、折射率和折射率的温度系数，这就有可能使晶体的热畸变效应得到改善。总之，我们认为，可能有Tb3+→Nd3+的能量转移和Tb3+的掺入改进(Nd，Ce)YAG晶体的热畸变效应。这些就是本发明的基本构思，至今尚未看到有关这一构思的报导。
很显然，本发明的Y3-a-b-cNdaTbbCecAl5O12激光晶体中各掺杂离子的浓度对晶体的各种特性是有影响的，例如Nd3+的浓度对激光效率、阈值、晶体中Nd3+的荧光寿命及晶体光学质量等都有严重影响，这是大家所熟知的。在[7]中论述了Ce3+浓度对(Nd，Ce)YAG晶体影响，在本发明的(Nd，Tb，Ce)YAG中，Ce3+的浓度也有相同的影响。同样Tb3+的浓度对晶体的激光输出及热效应等也会有明显的影响。
本发明的另一部分是(Nd，Tb，Ce)YAG的制备技术，其中包括晶体的生长、后处理和光加工等环节。本发明的(Nd，Tb，Ce)YAG晶体，可以采用引上法，也可用Bridgman法、火焰法或熔盐法进行生长。本发明优先选用引上法。但无论采用什么方法，都必须注意原料的纯度，纯度不够将严重影响晶体的激光性能。本发明所用各种原料的纯度为4N～6N。再者，由于Ce和Tb都是易变价元素，它们在氧化气氛中是四价态，而本发明要求Tb和Ce是三价态，因此，生长时的保护气氛必须是还原性或中性气氛。生长后的(Nd，Tb，Ce)YAG晶体，必须进行退火处理，以消除在还原气氛中生长时晶体中形成的色心[6]。(Nd，Tb，Ce)YAG晶体的这种后处理可以参照本申请人的另一份专利[8]，但在退火温度和保温时间以及升降温速度方面，要作适当调整。如所周知，激光晶体的光学加工质量对激光输出有严重影响，在有些使用中，还对激光晶体的加工有些特殊要求。本发明的(Nd，Tb，Ce)YAG晶体的光学加工，可按一般NdYAG的加工方法或根据使用要求进行加工。
本发明优先选用引上法生长(Nd，Tb，Ce)YAG晶体，在配料前各种氧化物原料均需经过充分灼烧以除去所吸附的水分，以保证准确配料和去掉吸附的挥发性杂质，灼烧温度为800～1300℃，保温时间为4～20小时。然后按化学式Y3-x-y-zNdxTbyCezAl5O12进行配料。应该指出，要使晶体中含有所希望的各掺杂离子浓度(a，b，c)，必须考虑各掺杂离子在结晶时的分凝系数。由所希望的晶体中的浓度(a，b，c)和实测或文献报导的分凝系数[7]来决定配料化学式中的x，y和z。本发明所用的x＝5×10-4～0.375，y＝1.1×10-4～1.5，z＝大于0～0.36。粉料配制完成后，要进行充分的研磨和混合，使各种原料混合均匀。然后预压成形，再经1100～1600℃灼烧(也可不灼烧)。应该强调指出，在配料、研磨混合及成形等各过程中，必须严防混入其它杂质，特别是铁等有害杂质。
在引上法生长(Nd，Tb，Ce)YAG晶体时，可以利用石墨或钨等电阻加热，坩锅用钼或钨坩锅，也可利用中频或高频感应加热，而此时坩锅用铱坩锅。在使用电阻加热时，其热场结构示意图如附
图1所示。图中1是籽晶杆，2是籽晶，3是晶体，4是熔体，5，6，7是钼上保温屏，8是坩锅，9是坩锅托，10，11，12是钼侧保温屏，13是内屏蔽筒，14是电阻加热器，15是托盘，16是电极板，17是钼台罩，18是连接片，19是氧化铝垫片。在用感应加热时，其热场结构图的示意图如附图2。其中1是籽晶杆，2是拉晶孔，3是籽晶，4是二氧化锆保温罩，5是晶体，6是观察孔，7是熔体，8是铱坩锅，9是感应线圈，10是二氧化锆保温沙，11是保温筒，12是托盘。
将预压成形的原料装入坩锅，然后置于上述热场中，关闭炉门按一般引上生长NdYAG的要求和方法进行抽真空，充保护气氛。然后逐渐加热，待熔体充分熔解后，逐渐下降籽晶。籽晶接触熔体并稳定后，开始提拉生长。在下籽晶到开始提拉生长的过程中，需要适当调整温度。可以用任何方向的籽晶来生长(Nd，Tb，Ce)YAG晶体，本发明优先选用<111>，<110>和<211>方向，但最好是用<111>±5°的籽晶。在生长的最初阶段和一般生长NdYAG一样，需要收颈和放肩过程。等径生长时的晶体直径应小于坩锅内直径的1/2。晶体直径与坩锅内直径的比优选为1/2.5～1/4。前面已经说明，生长(Nd，Tb，Ce)YAG晶体的保温气氛必须是还原性或中性气氛，本发明使用的保护气氛是纯度为4N的Ar，也可用N2或Ar+H2，N2+H2和Ar+N2.再者，温度精度对晶体生长是很重要的，本发明要求控温精度不低于±0.5℃。
如所周知，在生长系统包括热场和控温系统选定后，生长参数的选择对晶体质量的好坏是至关重要的。例如晶体的转速就是一个重要生长参数。因为，转速的大小将影响生长界面的形状及界面前沿扩散层的厚度，而转速的稳定性也会影响晶体的光学均匀性。在转速低于液流状态转变的临界转速时，界面凸向熔体，高于临界转速时，界面是平的或凹的。而临界转速的大小与坩锅的大小和形状、熔体的高度以及晶体的直径有关。这些都是大家所熟知的。因此，如要以凸界面生长，则应根据上述因素，把晶体转速调整到低于临界转速。反之，如要以平界面生长，则需把晶体转速调整到高于临界转速。本发明所用的转速范围为8～150r/min，具体数值根据生长时的上述因素决定。在平界面生长时，转速的稳定性影响较大，其瞬时起伏不得超过±0.5r/min。
另一个重要生长参数是晶体的提拉速度。拉速过大会产生组份过冷，特别是对于生长(Nd，Tb，Ce)YAG来说，掺杂离子多而且Ce3+和Nd3+的离子半径太大，分凝系数很小，提拉速度更不能过大。拉速过小则可能使晶体在过于频繁的生长-回熔-再生长过程中生长，这将会使生长条纹应力加重而且浪费时间和能源。可根据使用的热场，掺杂离子浓度和晶体直径的大小等因素选择提拉速度，一般说来，浓度高或晶体直径大，拉速应小，反之，拉速可适当加快。本发明所用的拉速在凸介面生长时为0.3～1.5mm/h，在平界面生长时为0.5～2.5mm/h。
本发明的(Nd，Tb，Ce)YAG晶体也可采用Bridgman法，熔盐法或火焰法进行生长。如晶体生长工作者所熟知，在用Bridgman法生长时，是将配好预压成形的料装在坩锅中，然后置于具有一定温度梯度的热场中，通过缓慢下降坩锅，或缓慢上升加热器，或缓慢下降温度的方法进行生长。坩锅可以加以适当的旋转，也可不旋转，坩锅材料可用铱、钼或钨，其形状为园筒形、或带有锥状底的园筒形或其它形状。使用熔盐法生长时，首先是选取一定的助熔剂。常用的助熔剂有PbO、PbF2、KF、B2O3及其混合物等。然后将助熔剂和(Nd，Tb，Ce)YAG晶体的原料按一定比例配制。配好的原料经充分研磨和混合后装入铂或铂铑坩锅中，置于具有一定温度分布的热场中加热至熔，充分熔解后再缓慢下降温度进行生长。坩锅形状可以是园筒形，也可是带尖底的园筒或其它形状，在生长过程中，为使晶体在坩锅底部成核和生长，可对坩锅底部进行适当的冷却。这些均与用熔盐法生长NdYAG或其它石榴石晶体相似。也可用火焰法生长(Nd，Tb，Ce)YAG晶体，其方法与用火焰法生长兰宝石或NdYAG相似。
实例1把经过灼烧的各氧化物(Al2O3，Ce2O3，Tb2O3，Nd2O3)原料按化学式Y3-x-y-zNdxTbyCezAl5O12称配，其中x＝0.120，y＝0.012，z＝0.006.原料总重为600克。称配好的原料在研磨机中混合研磨24小时后装入特制乳胶袋内(共用四层)，置于油压机内预压成形。成形的料块装入钼片冲压的Φ80×40mm坩锅中。然后将坩锅放在附图1所示的热场内。封闭炉门，按通常生长NdYAG的方法抽真空，充Ar气。利用石墨加热器(附图1中的14)逐渐加热至完全熔化。逐渐下降籽晶。籽晶方向为<111>±5°。在籽晶接触液面时，停止下降并调整熔体温度使其达到适于引上生长的温度。再稳定1小时，然后开始提拉生长。晶体的转速为80r/min，提拉速度为2mm/h。晶体等径部分的直径控制在28～31mm。控温精度不低于±0.5℃。在结束生长时，人工提起晶体使其刚好脱离液面，然后停止提拉并缓慢降温至600℃时断电，这一降温过程的时间为12小时。断电后随炉冷却至室温以结束整个生长过程。
实例2组分、原料的称配及预压成形过程与实例1相同，所不同的是原料总重为1.5kg，使用Φ90×90mm铱坩锅和附图2所示的装置和利用中频感应加热。晶体转速为15r/min，提拉速度为1.0mm/h。其它生长过程也与实例1相同。
本发明的其它生长实例的组分、加热方式、坩锅及主要生长参数均列于表1中。其它过程与方法和实例1或实例2相同。
表1.本发明的其它实例
各实施例所得(Nd，Tb，Ce)YAG晶体，在光学均匀性方面可完全满足实用要求。Φ5×70～80mm激光棒的消光比绝大部分超过25dB;干涉图一般可达0.2～0.5条/英寸。这种晶体不仅具有效率高、阈值低及(Nd，Ce)YAG的其它优点，与(Nd，Ce)YAG相比，它在热畸变效应方面有明显改善。在激光输出的稳定性、热焦距、最大连续输出功率、风冷重复频率下光束的束散度、光束的能量分布等方面均优于[7]的(Nd，Ce)YAG。因此，它比(Nd，Ce)YAG更适于风冷重复频率下的应用，特别是较高重复频率下的应用。显然，这种晶体具有广泛而且显著的应用价值。
附图3给出的是热焦距的测试结果，图中曲线1，2是不同组份的(Nd，Tb，Ce)YAG晶体，曲线3是常用的(Nd，Ce)YAG晶体，晶体尺寸均为Φ5×80mm。测量方法是将晶体置于聚光腔内，用氪灯照射，使晶体产生热透镜效应。用微孔光栏和He-Ne光测出焦距。图中横坐标是输入功率，纵坐标是测得的热焦距。从此图可以看到(Nd，Tb，Ce)YAG明显优于(Nd，Ce)YAG。与此相应的在连续输出方面也有同样的结果。(Nd，Ce)YAG的输出功率随输入功率加大而下降的现象出现得早，(Nd，Tb，Ce)YAG的下降现象出现得晚，最大输出功率也要提高30%。
附图4是用距输出镜4.5米处的微孔沿连续输出光斑的中线扫描得到的功率的分布曲线。为便于和脉冲重复频率光斑进行对照，这种测试是在低功率下进行的。附图4A的输入功率为0.7KW，附图4B的输入功率为1.4KW。两图中的曲线1是(Nd，Tb，Ce)YAG，曲线2是(Nd，Ce)YAG。由图可见，无论是全光束的直径还是功率下降到最高功率的l/e处时的光束直径，(Nd，Tb，Ce)YAG晶体均明显小于(Nd，Ce)YAG。
显然，上述光斑直径的对比直接反应出了束散角的差异。在能量分布方面，当输入功率较高时，(Nd，Tb，Ce)YAG的优点也是非常明显的。显然，它的这种近似高斯分布对实际应用是非常有利的。重复频率风冷下的激光光斑的对比也有类似规律。
附图4A反应出(Nd，Tb，Ce)YAG在效率方面比(Nd，Ce)YAG差，但这并不说明Tb3+无敏化效果，从Tb3+荧光光谱和544nm荧光的寿命测试看，在有Nd3+的晶体中，Tb3+的5D4→7F峰明显降低，荧光寿命也由无Nd3+时的3.5ms降为2.37ms，虽然可能由于所用样品或测试装置不同，所测Tb3+的荧光寿命较文献报导的高，但变化趋势是肯定的。这些光谱测试结果证实在YAG中有Tb3+→Nd3+的能量转移。而图4A所反应的效率低可能主要是所用氪灯的发射谱与Tb3+的吸收谱严重失配所致。总之，从上述热效应方面的测量结果和Tb3+荧光测试结果看，前述本发明关于可能有Tb3+→Nd3+的能量转移及掺入Tb3+可能改善(Nd，Ce)YAG晶体的热效应的基本思想得到了肯定和证实。
本发明的(Nd，Tb，Ce)YAG晶体可以作为激光工作物质、荧光材料、窗口或其它光学元件的材料。它特别适于较高重复频率工作的脉冲激光器，尤其是风冷激光器。附图5是我们用(Nd，Tb，Ce)YAG晶体制成的激光器示意图，图中1为全反镜，2为聚光腔，3为泵浦光源，4为(Nd，Tb，Ce)YAG棒，5为冷却装置，6为输出镜，7为电源。该激光器在风冷重复频率为20pps下可给出满意的实用效果。
本文所援引的参考文献全部在此文中结合参照。
参考文献[1]D.Kales，Laser focus，V24，pp88-102，(1988)[2]G.Blass et al.，J.Chem.Phys.，V47，p1920(1967)[3]W.W.Holloway et al.，J.Opt.Soc.Am.，V59，p60(1969)[4]H.C.KoBaлeBa и дp.，ж.пpиk.Cпekт.T27，546(1977)[5]J.A.Mares，Czech，J.Phys.B35，883(1985);
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权利要求
1.一种掺钕、铽和铈的钇铝石榴石[(Nd，Tb，Ce)YAG]激光晶体，其特征在于它是由Nd，Tb，Ce，Y，Al和O等元素组成，化学式为Y3-a-b-cNdaTbbCecAl5O12，其中a=1.0×10-4～7.5×10-2，b=1.0×10-4～1.4，c=大于0～4.5×10-2，该晶体属立方晶系，空间群为O10h-Ia3d晶格常数随a，b和c的值而稍有改变，但大致在12.02
附近。
2.根据权利要求1的晶体，其特征在于化学式Y3-a-b-cNdaTbbCecAl5O12中的a＝1.2×10-2～6.0×10-2，b＝1.2×10-3～6.0×10-2，c＝大于0～3.0×10-3。
3.一种(Nd，Tb，Ce)YAG晶体的制备方法，包括晶体的生长、后处理和光学加工;其特征在于采用电阻或感应加热的引上生长，其中包括粉料的灼烧、按化学式Y3-x-y-zNdxTbyCezAl5O12配料，其中x＝5×10-4～0.375，y＝1.1×10-4～1.5，z＝大于0～0.36，配制的粉料经研磨，混合和预压成形后置于坩锅中加热至熔，下籽晶进行旋转引上生长;其主要生长条件是晶体转速为8～150r/min;提拉速度为0.3～2.5mm/h;保护气氛为还原性或中性气氛;籽晶可为任何方向，但优先选用<111>、<110>或<211>方向;晶体等径部分的直径与坩锅内直径的比小于1/2。
4.根据权利要求3所述方法，其特征在于采用石墨电阻加热;坩锅用钼或钨坩锅;晶体转速调到适于以凸界面生长;提拉速度为0.5～1.4mm/h。
5.根据权利要求3和4所述方法，其特征在于晶体转速调到适于平界面生长;提拉速度为0.8～2.2mm/h。
6.根据权利要求3所述方法，其特征在于采用感应加热和铱坩锅;晶体转速调到适于凸界面生长，提拉速度为0.3～1.3mm/h。
7.根据权利要求3和6所述方法，其特征在于晶体转速调到适于平界面生长;提拉速度为0.7～2.0mm/h。
8.根据权利要求4所述方法，其特征在于采用钨电阻加热。
9.根据权利要求5所述方法，其特征在于采用钨电阻加热。
10.一种激光器，包括泵浦光源、聚光腔、全反镜、输出镜和电源，其特征在于其激光工作物质是权利要求1或2所述的晶体制成的器件。
全文摘要
本发明涉及掺钕、铽和铈的钇铝石榴石(Nd，Tb，Ce):YAG激光晶体及其制备方法，包括晶体组分及晶体的生长，后处理和加工等技术。还涉及用引用于重复频率较高时的风冷中小能量脉冲激光器。上法生长该晶体时原料的配制，加热方式及生长参数的选择等方面。本发明的晶体具有(Nd，Ce):YAG
文档编号C30B29/28GK1088635SQ93121298
公开日1994年6月29日 申请日期1993年12月29日 优先权日1993年12月29日
发明者翟清永, 孙洪健, 应佐庆, 梁泽荣, 石金洲, 吕长青, 张生秀, 吕玉才, 邓永华, 黄永忠, 陈朝元, 肖宗朝 申请人:西南技术物理研究所