一种集成电路引线框架用复合材料及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于复合材料技术领域，特别涉及一种集成电路引线框架用复合材料及其 制造方法。
【背景技术】
[0002] 引线框架材料是现代电子工业不可缺少的材料。引线框架材料的发展大致经历 了 Fe-Ni-Co可伐合金到FeNi42合金，再到铜合金的三个阶段，三种材料的优缺点见表1。 随着信息技术的发展，集成电路向小型化、微型化和薄片化方向发展，这对引线框架材料 的性能提出了更高的要求。即在具有高的强度、高的导电性，良好的导热性以及与硅芯片 (3.5X10_7°C)良好的匹配性。
[0003] 表1三种引线框架材料比较
【主权项】
1. 一种集成电路引线框架用复合材料，其特征在于，包括三个组元层，成三明治结构， 第一组元层和第三组元层为铁镍合金FeNi42,第二组元层为铜合金；按体积百分比分配 为：第一组元层占12?18%，第二组元层占64?76%，第三组元层占12?18%。
2. 根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述的体积百分比为：第一组元层占 15%，第二组元层占70%，第三组元层占15%。
3. -种权利要求1所述的复合材料的制备方法，具体步骤及参数如下： 1) 准备体积比为12?18%的第一组元层，64?76%的第二组元层和12?18%的第 三组元层的材料坯料； 2) 将坯料通过复合轧机进行复合，复合压下量为50?80% ; 3) 用罩式炉或连续退火炉进行扩散退火； 4) 将复合带材进行精轧； 5) 将复合材料成品进行拉矫，按照实际要求对带材进行分剪后包装。
4. 根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤3)中罩式炉退火工艺为， 在真空或者保护气氛下加热到700?900°C，保温1?4h，炉冷到小于200°C出炉。
5. 根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤3)中连续退火炉退火工 艺为在保护气氛下，退火温度为800°C?KKKTC，退火速度为0. 5?2m/min。
【专利摘要】一种集成电路引线框架用复合材料及其制造方法，属于复合材料技术领域。包括三个组元层，成三明治结构，第一组元层和第三组元层为铁镍合金，即FeNi42，第二组元层为铜合金。按体积百分比分配为：第一组元层占12～18％，第二组元层占64～76％，第三组元层占12～18％。优点在于，具有同硅芯片相匹配的膨胀系数，抗拉强度；成本比使用FeNi42合金降低了15％以上；具有较高的强度和较高的延伸率。
【IPC分类】H01L23-495, B32B15-01, B32B7-08
【公开号】CN104527157
【申请号】CN201410851968
【发明人】彭伟锋, 张 荣, 张静, 蔡凯洪, 于敏, 谢东辉, 李占青, 张乐
【申请人】北京北冶功能材料有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月31日