放射线图像转换面板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种放射线图像转换面板。
【背景技术】
[0002] 以计算机X线摄影（CR:computedradiography)或平板探测器（FPD:flatpanel detector)等为代表的数字方式放射线图像检测器直接得到数字的放射线图像，可以在阴 极管或液晶面板等图像显示装置中直接显示图像，因此，在医院及诊所等中的图像诊断中 广泛地被使用。最近，组合使用薄膜晶体管（TFT:thin-filmtransistor)或电荷親合元件 (CCD:charge_coupleddevice)的FPD正在普及。
[0003] 上述FPD由二维地配置有TFT或C⑶等受光元件的传感器面板（平面受光元件） 和在支持体上形成了用于将放射线在受光元件上转换为可检测的光的荧光体层的放射线 图像转换面板构成。最近，尝试了通过将荧光体层进行多层结构化而进一步高性能化。
[0004]例如，在专利文献1中记载了一种放射线图像转换面板，其为由传感器面板和在 该传感器面板上所形成的荧光体层构成的放射线图像转换面板，其中，该荧光体层具有由 荧光体成长为柱状而成的柱状晶体群形成的柱状部和非柱状部，该非柱状部与传感器面板 密合，在其上沿着晶体生长方向形成有柱状部。
[0005] 在专利文献2中记载了一种放射线图像转换面板，其由支持体和形成在该支持体 上的荧光体层构成，其中，该荧光体层由荧光体的晶体叠层为柱状而成的的多个柱状晶体 构成，该柱状晶体在固定于支持体的根源侧具有柱状结构，在其上具有形成了螺旋结构的 结构。
[0006] 在专利文献3中记载了一种放射线图像转换面板，其包含支持体和在该支持体上 由荧光体柱状晶体构成的荧光体层，其中，该荧光体柱状晶体的面指数（200)通过X射线衍 射法测定的取向度为80~100%。
[0007] 专利文献1及2是对荧光体层的下层赋予了扩散反射层的作用的实例，但得知：一 部分进行非晶质化等而导致亮度降低，或对继续成长的上层的柱状晶体的结晶性或晶体径 分布产生影响。
[0008]另一方面，在专利文献3中记载了通过使X射线衍射测定的面指数在膜厚方向的 任何位置都沿着（200)进行了取向的实例，但关于对亮度、MTF等特性以及特别是对膜附着 性产生很大影响的晶体生长极初期的晶体状态没有提及。试样的有效厚度比较大，通过X 射线衍射对厚度方向10μπι左右的位置测定的平均值得到的评价结果中，不能充分地把握 重要的晶体生长极初期的状态。控制该晶体生长极初期的部分的技术是重要的，其必要性 升尚。
[0009] 现有技术文献
[0010] 专利文献
[0011] 专利文献1 :日本专利第5286437号公报
[0012] 专利文献2 :日本特开2011-27569号公报
[0013] 专利文献3 :国际公开第2011/89946号公报
【发明内容】
[0014] 发明所要解决的技术问题
[0015] 本发明的技术问题在于，提供一种维持良好的膜附着性、并且兼备亮度、清晰性等 特性的放射线图像转换面板。
[0016] 用于解决技术问题的技术方案
[0017] 本发明包含以下的方案。
[0018] 本发明的放射线图像转换面板具有支持体和荧光体层，所述荧光体层通过气相沉 积法设置并以碱金属卤化物为主要成分，其中，该荧光体层含有多个由荧光体柱状晶体构 成的晶畴，该晶畴为具有大致相同的晶体取向的单独的荧光体柱状晶体或荧光体柱状晶体 的集合，且具有〇. 2~10μm的平均直径，该荧光体柱状晶体从晶体生长开始的根部就是晶 体物质。
[0019] 所述荧光体层中，优选从荧光体柱状晶体的晶体生长开始的根部直至50μπι的膜 厚范围内所述晶畴的平均直径为0. 3~3μπι，变异系数为50%以下。
[0020] 所述荧光体层中，在从荧光体柱状晶体的晶体生长开始的根部直至50μπι的膜厚 范围内，在与晶体生长方向垂直的截面上的荧光体总投影面积的60%以上中，优选通过使 用了电子背散射图案（EBSP，ElectronBackScatteringPattern)的晶体取向分析得到的 (200)晶体取向为10°以内。
[0021 ] 所述碱金属卤化物优选为立方晶系碱金属卤化物。
[0022] 所述立方晶系碱金属卤化物优选为碘化铯。
[0023] 所述荧光体柱状晶体优选还含有作为活化剂的铊化合物。
[0024] 优选在所述支持体和荧光体层之间还具有衬底层。
[0025] 发明效果
[0026] 本发明的放射线图像转换面板具有从柱状晶体的根部起就是晶体物质的荧光体 层，可以良好地维持荧光体等与支持体的密合性、即膜附着性。
[0027]因此，根据本发明，可以提供一种亮度及清晰性优异的放射线图像转换面板。
【附图说明】
[0028] 图1是表示用于本发明的蒸镀装置的一例的概略结构的截面图。
[0029] 图2是表示本发明的放射线图像转换面板的一个实施方式的截面图。
[0030] 图3是表示形成于蒸镀用基板上的荧光体柱状晶体的形状的示意图。
[0031] 图4是表示与荧光体层晶体生长方向平行的截面的EBSP测定结果（Image Qualitymap)的图。
[0032] 图5是与荧光体层晶体生长方向垂直的截面的EBSP测定结果（ImageQuality map) 〇
[0033] 图6是与焚光体层晶体生长方向垂直的截面的EBSP测定结果（InversePole Figuremap：ND)〇
[0034] 图7是表示基于与荧光体层晶体生长方向垂直的截面的EBSP测定结果得到的晶 畴分布的坐标图。
[0035] 图8是与焚光体层晶体生长方向垂直的截面的EBSP测定结果InversePole Figuremap：RD)〇
[0036] 标记说明
[0037] 1蒸镀装置
[0038] 2真空容器
[0039] 3真空栗 [0040]4蒸镀用基板
[0041] 5支持体保持架
[0042] 6支持体旋转机构
[0043] 7支持体旋转轴
[0044] 8a、8b蒸发源
[0045] 9遮蔽片
[0046] 1A电路板
[0047] 2A传感器面板
[0048]3A保护膜
[0049] 4A荧光体层
[0050] 5A衬底层
[0051]6A光反射层
[0052]7A支持体
[0053]1B蒸镀用基板
[0054]2B荧光体柱状晶体
【具体实施方式】
[0055] 对本发明的放射线图像转换面板具体地进行说明。需要说明的是，本说明书中，放 射线图像转换面板也称为"闪烁器面板（scintillatorpanel)"。
[0056] <支持体>
[0057] 本发明中，支持体是指：在放射线图像转换面板的构成要素中，为了保持荧光体层 而起到支撑作用的部件。
[0058] 对于所述支持体而言，只要可以使X射线等放射线透过，并可以担载荧光体层，就 没有特别限制，可以使用各种材料。
[0059] 作为构成本发明的支持体的所述材料，可以使用例如：（1)碳纤维强化塑料 (CFRP:carbonfiberreinforcedplastics)、（2)碳（非晶碳、将木炭及纸进行碳化处理 而固结的碳等）、⑶塑料、（4)玻璃、（5)金属、（6)复合材料、及（7)将该⑴~（6)的材 料薄薄地形成并用发泡树脂进行夹层而得到的材料等。这些材料可以单独使用，也可以叠 层而使用。
[0060]在本发明中，其中，优选使用作为所述（3)的塑料的树脂膜。通过使用树脂膜， 可以：（i)将后述的其它层、例如反射层、导电层及易粘接层等功能层以卷到卷（rollto roll)的方式进行加工，（ii)在蒸镀荧光体之前、或蒸镀了荧光体之后，可以容易地裁切为 产品尺寸，（iii)将闪烁器面板和传感器面板（平面受光元件）进行耦合时，由于具有柔软 性，因此，具有与传感器面板的密合性优异等优点。
[0061] 所述树脂膜可以列举例如：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、纤维素 乙酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、双马来酰亚胺树脂、氟树 月旨、丙烯酸树脂、聚氨酯、芳族聚酰胺、尼龙、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚砜、聚砜、聚醚醚酮、 液晶聚合物及碳纤维强化树脂等片材等。这些聚合物或树脂既可以单独使用，也可以叠层 多种而使用，但为了在支持体上将荧光体进行蒸镀时，支持体不会因为热而变形，优选支持 体的玻璃化转变温度为l〇〇°C以上，因此，特别优选聚酰亚胺。
[0062] 支持体的膜厚通常为20μm~3mm，优选为20~1000μm，更优选为50~750μm。 支持体的膜厚为所述范围内时，在将传感器面板和闪烁器面板进行接合时，可以与荧光体 层的膜厚分布相配合地将支持体柔软地弯曲，可以使传感器面板和荧光体层密合。特别是 通过使支持体的膜厚为20μm以上，形成荧光体层之后的操作性变得良好。另外，通过将 支持体的膜厚设为3mm以下，可以容易地对反射层、导电层及易粘接层等功能层以卷到卷 (rolltoroll)的形式进行加工，从生产率提高的观点出发，是非常有用的。
[0063] 本发明中使用的支持体通常具有挠性。"挠性"是指可以折弯、或具有弯曲的性质， "具有挠性的支持体"是指弹性模量为〇. 1~20GPa的支持体。
[0064] 需要说明的是，本发明中"弹性模量"如下求出：使用拉伸试验机、在根据JIS C 2318制成的试验片的标线表示的变形和与其对应的应力显示直线关系的区域中求出应力 相对于变形量的斜率。这是被称为扬氏模量的值，在本发明中，只要没有特别限定，将该扬 氏模量定义为弹性模量。
[0065]另外，本说明书中，将"具有挠性的支持体"中的lOGPa以上的材料称为刚性板。刚 性板可列举例如金属、玻璃、碳及复合材料等。
[0066] 所述支持体可以没有特别制约地使用。
[0067]〈荧光体层〉
[0068] 在本发明中，可使用以碱金属卤化物为主要成分的荧光体层。"以碱金属卤化物为 主要成分"是指将碱金属卤化物设为荧光体母体化合物。
[0069]作为碱金属卤化物，可列举例如碘化铯（Csl)及溴化铯（CsBr)等卤化铯。其中， 由于从X射线向可见光线的转变率比较高，可以通过蒸镀容易地将荧光体材料形成为柱状 晶体结构，利用光导向效果抑制晶体内的发出的光的散射，可以使荧光体层的膜厚增大，因 此，优选碘化铯。
[0070] 但是，仅使用碘化铯的话，发光效率低，因此，在荧光体材料中，除作为荧光体母体 化合物的碘化铯之外，还要添加各种活化剂。例如，在日本特公昭54-35060号公报中记载 了将碘化铯和碘化钠（Nal)以任意的摩尔比混合成的材料。另外，在日本特开2001-59899 号公报中，记载了将碘化铯与铊（T1)、铕（Eu)、铟（In)、锂（Li)、钾（K)、铷（Rb)及钠（Na) 等活化剂一起进行蒸镀而得到的材料。需要说明的是，作为荧光体母体化合物，使用溴化铯 等的荧光放射增强型荧光体的情况下，可以使用铕（Eu)等作为活化剂。本发明中，作为活 化剂，特别优选铊（T1)。
[0071] 作为活化剂的铊化合物，是具有+1或+III的氧化价的化合物，具体而言，可列举： 碘化铊（T1I)、溴铊（TIBr)、氯化铊（T1C1)、氟化铊（