专利名称：春石斛兰嫩茎段离体培养方法
技术领域：
本发明涉及一种石斛兰嫩茎段离体快速培养方法，利用抽生的长度IOcm左右的新枝经清洗消毒后诱导丛生芽，再经过培养后获得完整的试管苗，属于石斛兰培养方法技术领域。
背景技术：
石斛兰是一种喜温喜湿高档名贵热带兰，其中的春石斛兰是主要种类之一，适应性较强，花色繁多艳丽，花期长达数月，观赏价值高，其种苗靠扦插繁殖，繁殖率低并且易带病毒，无法满足生产用种苗之需。
发明内容
本发明的目的是提供一种繁殖速度快、繁殖率高的春石斛兰种苗培养方法。为达到上述目的，本发明提供了一种春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，具体步骤为第一步选取新抽生的长度为5 15厘米的嫩枝，剥去叶片及叶鞘，用洗洁精清洗，在超净工作台上先用75vol%的乙醇溶液浸泡消毒O. 5 I. 5min，再用洁尔敏溶液浸泡消毒15min，所述的洁尔敏溶液中洁尔敏和水的体积比为I : 50，最后用O. Ivol %的升汞溶液浸泡消毒15min，用无菌水冲洗，用无菌滤纸吸干水份；第二步将第一步得到的嫩枝切成O. 5 I. 5cm长的茎段，每个茎段带I个茎节，
接种于第一培养基中诱导腋芽萌发生长；第三步切下第二步得到的新芽，接种到第二培养基中诱导丛生芽生长；第四步将丛生芽切成单芽后，接种到第三培养基上进行生根培养，得到生根的试
管苗；第五步将生根的试管苗移入苔藓基质中，装入塑料穴盘中育成“苔藓穴盘苗”，移栽后浇足水，第二天开始叶面喷洒清水，每天2次，半月后追施营养液，每月二次，经三个月以上培养后，移入花盆中作盆花培养或作塑料大棚大苗培养。优选地，所述的第二步中的第一培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到，第一培养基中细胞分裂素的浓度为lmg/L,赤霉素的浓度为O. 2mg/L,萘乙酸的浓度为O. lmg/L,香蕉泥的浓度为50g/L。优选地，所述第三步中的第二培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到，第二培养基中细胞分裂素的浓度为l_2mg/L，赤霉素的浓度为
O.2mg/L，萘乙酸的浓度为O. 1-0. 2mg/L，香蕉泥的浓度为50g/L。优选地，所述第四步中的第三培养基由在1/2MS培养基中添加吲哚丁酸和萘乙酸得到，第三培养基中吲哚丁酸的浓度为O. 5mg/L，萘乙酸浓度为O. lmg/L。优选地，所述第五步中的营养液的成分是含有O. 1V01%磷酸二氢钾和O. Ivol%硝酸铵的水溶液。
与现有技术相比，本发明的优点是所得到的春石斛兰种苗繁殖速度快、繁殖率闻。
具体实施例方式下面结合实施例来具体说明本发明。实施例一种春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，具体步骤为·第一步选取新抽生的长度为10厘米的嫩枝，剥去叶片及叶鞘，用洗洁精清洗二遍，在超净工作台上先用75vol%的乙醇溶液浸泡消毒Imin,再用洁尔敏溶液浸泡消毒15min，所述的洁尔敏溶液中洁尔敏和水的体积比为I : 50，最后用O. lVol%的升汞溶液浸泡消毒15min,用无菌水冲洗三遍,用无菌滤纸吸干水份；第二步将第一步得到的嫩枝切成Icm长的茎段，每个茎段带I个茎节，接种于第一培养基中诱导腋芽萌发生长；第一培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到，第一培养基中细胞分裂素的浓度为lmg/L，赤霉素的浓度为O. 2mg/L,萘乙酸的浓度为O. lmg/L，香蕉泥的浓度为50g/L ；第三步切下第二步得到的新芽，接种到第二培养基中诱导丛生芽生长；第二培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到，第二培养基中细胞分裂素的浓度为I. 5mg/L,赤霉素的浓度为O. 2mg/L,萘乙酸的浓度为O. 15mg/L,香蕉泥的浓度为50g/L ；第四步将丛生芽切成单芽后，接种到第三培养基上进行生根培养，得到生根的试管苗；第三培养基由在1/2MS培养基中添加吲哚丁酸和萘乙酸得到，第三培养基中吲哚丁酸的浓度为O. 5mg/L，萘乙酸浓度为O. lmg/L ;培养室温度23°C，每天12小时光照，光照强度 3000LX。第五步将生根的试管苗移入苔藓基质中，装入塑料穴盘(72孔)中育成“苔藓穴盘苗”，移栽后浇足水，第二天开始叶面喷洒清水，每天2次，半月后追施营养液，每月二次，经三个月以上培养后，移入花盆中作盆花培养。营养液的成分是含有O. Ivol %磷酸二氢钾和O. Ivol %硝酸铵的水溶液，施加量为每个塑料穴盘(72孔)1000ml。其中，第三步诱导丛生芽生长，每35-45天增殖一次，每次增殖系数I : 3_5，以年增殖10次计算，I个丛生芽I年可得到50000-60000个单芽(扣除微生物污染率5%左右)，即转入第四步生根培养时可得到55000株试管苗(生根率96% )，充分说明本发明的优越性。
权利要求
1.ー种春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，具体步骤为 第一歩选取新抽生的长度为5 15厘米的嫩枝，剥去叶片及叶鞘，用洗洁精清洗，在超净工作台上先用75vol%的こ醇溶液浸泡消毒0. 5 I. 5min,再用洁尔敏溶液浸泡消毒15min，所述的洁尔敏溶液中洁尔敏和水的体积比为I : 50，最后用0. lVol%的升汞溶液浸泡消毒15min,用无菌水冲洗,用无菌滤纸吸干水份； 第二步将第一歩得到的嫩枝切成0. 5 I. 5cm长的茎段，每个茎段带I个茎节，接种于第一培养基中诱导腋芽萌发生长； 第三步切下第二步得到的新芽，接种到第二培养基中诱导丛生芽生长； 第四歩将丛生芽切成单芽后，接种到第三培养基上进行生根培养，得到生根的试管苗； 第五步将生根的试管苗移入苔藓基质中，装入塑料穴盘中育成“苔藓穴盘苗”，移栽后浇足水，第二天开始叶面喷洒清水，每天2次，半月后追施营养液，毎月二次，经三个月以上培养后，移入花盆中作盆花培养或作塑料大棚大苗培养。
2.如权利要求I所述的春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，所述的第ニ步中的第一培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘こ酸和香蕉泥得到，第一培养基中细胞分裂素的浓度为lmg/L,赤霉素的浓度为0. 2mg/L,萘こ酸的浓度为0. Img/L,香蕉泥的浓度为50g/L。
3.如权利要求I所述的春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在干，所述第三步中的第二培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘こ酸和香蕉泥得到，第二培养基中细胞分裂素的浓度为l_2mg/L,赤霉素的浓度为0. 2mg/L,萘こ酸的浓度为0.1-0. 2mg/L,香蕉泥的浓度为50g/L。
4.如权利要求I所述的春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，所述第四步中的第三培养基由在1/2MS培养基中添加吲哚丁酸和萘こ酸得到，第三培养基中吲哚丁酸的浓度为0. 5mg/L，萘こ酸浓度为0. lmg/L。
5.如权利要求I所述的春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，所述第五步中的营养液的成分是含有0. Ivol %磷酸ニ氢钾和0. Ivol %硝酸铵的水溶液。
全文摘要
本发明提供了一种春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，具体步骤为第一步选取新抽生的嫩枝，剥去叶片及叶鞘，清洗，消毒，用无菌水冲洗，用无菌滤纸吸干水份；第二步将第一步得到的嫩枝切成茎段，诱导腋芽萌发生长；第三步切下第二步得到的新芽，诱导丛生芽生长；第四步将丛生芽切成单芽后，接种到第三培养基上进行生根培养，得到生根的试管苗；第五步将生根的试管苗移入苔藓基质中，装入塑料穴盘中育成“苔藓穴盘苗”，移栽后浇足水，第二天开始叶面喷洒清水，半月后追施营养液，经三个月以上培养后，移入花盆中作盆花培养或作塑料大棚大苗培养。本发明所得到的春石斛兰种苗繁殖速度快、繁殖率高。
文档编号A01H4/00GK102657097SQ20121017990
公开日2012年9月12日 申请日期2012年6月2日 优先权日2012年6月2日
发明者吴永兰, 吴穷, 张媁, 汤桂钧, 胡海峰, 蒋建平 申请人:上海市闵行区农业科学研究所