1.一种制备高含量霍山石斛多糖的方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）选择霍山石斛原球茎做外植体，经前处理，于无菌接种室中接种培养，再诱导增殖培养；
（2）继代生根培养，形成单株；
（3）形成单株后，在植株生长的不同阶段添加不同的生长调节剂，使得植株快速生长，达到预期效果。
2.根据权利要求1所述的制备高含量霍山石斛多糖的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，所述前处理方法为：清洗霍山石斛原球茎并用酒精擦洗，剥去下部叶片及叶鞘，在0.1~0.15%升汞中浸泡5~10min，再在5~10%的次氯酸钠溶液中浸泡10~15min，再用蒸馏水清洗至无异味。
3.根据权利要求1所述的制备高含量霍山石斛多糖的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，原球茎前处理后，将处理好的霍山石斛原球茎，除去外表皮，保留茎尖，并将其接种到培养基中，无菌培养10~20天。
4.根据权利要求1所述的制备高含量霍山石斛多糖的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，诱导培养即将接种培养的茎尖进行诱导培养15~20天。
5.根据权利要求1所述的制备高含量霍山石斛多糖的方法，其特征在于：所述步骤（2）中，所述继代生根培养为将诱导生成的不定芽接入生根培养基中培养，待苗生长至2~4cm，有4~6片叶及4~6条跟时，进行移栽。
6.根据权利要求1所述的制备高含量霍山石斛多糖的方法，其特征在于：所述步骤（3）中，使用的生长调节剂包括生长调节剂A，生长调节剂B，生长调节剂C；所述生长调节剂A包括吲哚丁酸、多效唑和复硝酚钠，移栽后5~7天使用；所述生长调节剂B多效唑、三碘苯甲酸和赤霉素，生长调节剂A使用后15~20天使用；所述生长调节剂C包括酶制剂、增甘膦及皮克斯，在生长调节剂B使用15~20天后使用。