一种基于跟随电路的禽舍自动排气系统的制作方法

文档序号:12084684阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于跟随电路的禽舍自动排气系统,其特征在于,主要由排气扇M,检测电路,放大器P1,放大器P2,负极与放大器P1的正极相连接、正极与检测电路相连接的电容C3,负极与放大器P1的输出端相连接、正极经电阻R4后与电容C3的正极相连接的电容C4,正极与电容C3的正极相连接、负极与放大器P1的负极相连接的电容C2,串接在电容C3的负极和电容C2的负极之间的电阻R5,正极与放大器P1的负极相连接、负极与放大器P1的输出端相连接的电容C5,与电容C5相并联的电阻R6,正极与放大器P1的输出端相连接、负极与放大器P2的正极相连接的电容C6,串接在放大器P2的正极和输出端之间的电阻R7,串接在放大器P2的负极和输出端之间的电阻R8,与放大器P2的输出端相连接的跟随电路,与跟随电路相连接的触发电路,以及与触发电路相连接的开关电路组成;所述放大器P1的负极分别与检测电路和跟随电路相连接、其输出端则与放大器P2的负极相连接;所述跟随电路还与检测电路相连接;所述排气扇M则串接在开关电路和触发电路之间。

2.根据权利要求1所述的一种基于跟随电路的禽舍自动排气系统,其特征在于,所述跟随电路由场效应管MOS,三极管VT2,负极与场效应管MOS的栅极相连接、正极与放大器P2的输出端相连接的电容C10,与电容C10相并联的电阻R14,串接在场效应管MOS的栅极和漏极之间的电阻R15,正极经电阻R16后与场效应管MOS的栅极相连接、负极分别与放大器P1的负极和触发电路相连接的电容C11,串接在三极管VT2的发射极和电容C11的负极之间的电阻R17,N极与三极管VT2的基极相连接、P极与三极管VT2的发射极相连接的二极管D4,串接在三极管VT2的基极和电容C11的负极之间的电阻R18,正极与场效应管MOS的源极相连接、负极经电阻R19后与触发电路相连接的电容C12,以及串接在场效应管MOS的漏极和电容C12的负极之间的电阻R20组成;所述场效应管MOS的漏极分别与检测电路和触发电路相连接、其源极与三极管VT2的集电极相连接;所述三极管VT2的基极与电容C12的负极相连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于跟随电路的禽舍自动排气系统,其特征在于,所述检测电路由气敏传感器B,一端与气敏传感器B的H2管脚相连接、另一端与放大器P1的负极相连接的同时接地的电阻R2,串接在气敏传感器B的a管脚和H1管脚之间的电位器R1,正极与气敏传感器B的b管脚相连接、负极与放大器P1的负极相连接的电容C1,以及与电容C1相并联的电阻R3组成;所述气敏传感器B的b管脚与电容C3的正极相连接、其a管脚则与场效应管MOS的漏极相连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于跟随电路的禽舍自动排气系统,其特征在于,所述触发电路由触发芯片U,三极管VT1,P极经电阻R19后与电容C12的负极相连接、N极与三极管VT1的基极相连接的二极管D1,正极与三极管VT1的发射极相连接、负极与触发芯片U的GND管脚相连接的电容C8,正极与触发芯片U的CONT管脚相连接、负极与电容C8的负极相连接的电容C9,串接在触发芯片U的DIS管脚和TRIG管脚之间的电阻R10,以及正极经电阻R11后与触发芯片U的VCC管脚相连接、负极经电阻R9后与三极管VT1的集电极相连接的电容C7组成;所述电容C7的正极与场效应管MOS的漏极相连接;所述电容C8的负极与电容C11的负极相连接;所述电容C9的负极与电容C7的正极共同形成电源输入端;所述触发芯片U的RE管脚与其VCC管脚相连接、其THRE管脚则与三极管VT1的集电极相连接、其OUT管脚则与开关电路相连接;所述电容C9的负极还与开关电路相连接;排气扇M则串接在电容C7的正极和开关电路之间。

5.根据权利要求4所述的一种基于跟随电路的禽舍自动排气系统,其特征在于,所述开关电路由双向晶闸管D3,N极与双向晶闸管D3的控制端相连接、P极经电阻R12后与触发芯片U的OUT管脚相连接的二极管D2,以及串接在双向晶闸管D3的第二阳极和电容C9的负极之间的电阻R13组成;所述双向晶闸管D3的第一阳极经排气扇M后与电容C7的正极相连接。

6.根据权利要求5所述的一种基于跟随电路的禽舍自动排气系统,其特征在于,所述触发芯片U为NE555集成芯片。

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