专利名称：自排放研磨轮系统及方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造，更具体地涉及在半导体晶片加工系统中所使用的自排放研磨轮。
背景技术：
通常以重复的一系列制造步骤进行半导体晶片的制造操作。例如，一系列制造步骤包括注入、物质沉积、光刻、刻蚀以及平面化。该系列步骤重复进行，直到半导体晶片完全制成。然而，该重复的系列制造步骤可能会产生残留物，该残留物保留在半导体晶片的表面上。残留物包括会污染半导体晶片的金属化线和结构的颗粒及其它不希望的物质。典型的颗粒可包括硅石、硅尘、硅酸盐颗粒、浆残留以及金属碎片等。
为了去除上述残留物，当前的半导体晶片加工系统包括清洁系统，以清洁半导体晶片。具体地，在半导体晶片上施加流体，以弄湿所有残留物。然后，可将流体除去。然而，任何在边缘处支撑晶片的结构都可积聚流体。积聚的流体可导致在边缘及该结构中形成流体的主体。则积聚的流体通过可能再次引入颗粒而再次污染已清洁的半导体晶片。
另一可能的问题是可能由积聚的流体再次弄湿干燥的半导体晶片。具体地，在半导体晶片被干燥之后，在支撑半导体晶片的结构上的任何积聚的流体都可再次将流体施加在干燥的半导体晶片上。因此，可能需要另外的操作以彻底干燥半导体晶片。
鉴于上述问题，需要一种系统和方法，用于在清洁操作中防止晶片支撑结构上积聚的流体转移到半导体晶片上。
发明内容
概括地说，本发明为一种用于在清洁操作中防止积聚的流体转移到半导体晶片上的系统和方法。具体地，流体可积聚在半导体晶片的边缘。在半导体晶片边缘处的流体转移到一结构上，例如支撑半导体晶片边缘的研磨轮。通过将研磨轮构造成将流体排走，并由此防止流体积聚，从而流体不会转移到已清洁的半导体晶片上。能够理解，本发明能够以多种方式实施，例如加工方法、设备、系统或装置。下面描述本发明的几个发明实施例。
在用于加工晶片的方法的实施例中，该方法包括利用多个围绕晶片周边定位的研磨轮支撑晶片。该多个研磨轮能够转动，以使晶片转动。该方法还包括使存在于晶片表面上的流体朝向多个研磨轮运动，以到达在该晶片的边缘和多个研磨轮中每一个的表面之间形成的界面。此外，该方法还包括引导接触多个研磨轮的流体离开该界面，从而使流体的引导设置成防止在界面处形成流体弯月面。
在用于加工晶片的方法的另一实施例中，该方法包括利用多个围绕晶片周边定位的研磨轮支撑晶片。该多个研磨轮能够转动，以使晶片转动。该方法还包括使存在于晶片表面上的流体朝向多个研磨轮运动，以到达在该晶片的边缘和多个研磨轮中每一个的表面之间形成的界面。此外，该方法还包括引导接触多个研磨轮的流体离开该界面，从而将流体的引导设置成防止在界面处形成流体弯月面。该方法还包括从多个研磨轮中的每一个抽吸流体，从而将该抽吸设置成保持多个研磨轮中每一个的底面基本干燥。
在用于加工晶片的研磨轮的实施例中，该研磨轮包括顶部和底部，在顶部和底部之间形成有用于容纳晶片边缘的凹槽。底部被构造成引导流体离开该凹槽，以防止在该凹槽和晶片边缘之间形成流体弯月面。
用于加工晶片的系统的实施例包括多个研磨轮，其用于支撑晶片，该多个研磨轮中的每一个都具有顶部和底部，在顶部和底部之间形成有用于容纳晶片边缘的凹槽。底部被构造成引导流体离开该凹槽，以防止在该凹槽和晶片边缘之间形成流体弯月面。该系统还包括研磨轮干燥器，其设置在该多个研磨轮的附近，该研磨轮干燥器具有多个真空通道，该真空通道被构造成抽吸流体使其离开多个研磨轮中每一个的底部。
在用于加工晶片的方法的实施例中，该方法包括利用围绕晶片周边定位的多个研磨轮支撑晶片。该方法还包括在晶片的表面上施加大量流体，从而使得流体的量足够导致该流体朝向多个研磨轮运动，以到达形成于晶片边缘和多个研磨轮中每一个的表面之间的界面。此外，该方法还包括引导接触多个研磨轮的流体离开该界面，从而使流体的引导设置成防止在界面处形成流体弯月面。
在用于加工晶片的方法的实施例中，该方法包括利用围绕晶片周边定位的多个研磨轮支撑晶片。该方法还包括在晶片的表面上施加大量流体，从而使得流体的量足够导致该流体朝向多个研磨轮运动，以到达形成于晶片边缘和多个研磨轮中每一个的表面之间的界面。此外，该方法还包括引导接触多个研磨轮的流体离开该界面，从而使流体的引导设置成防止在界面处形成流体弯月面。该方法还包括从多个研磨轮中的每一个抽吸流体，从而将该抽吸设置成保持多个研磨轮中每一个的底面基本干燥。
从下面结合附图的描述中，本发明的其它特征将变得清晰，其中附图以示例的方式说明本发明的原理。
通过参照结合附图的描述可更好地理解本发明的实施例，在附图中图1A为说明根据本发明的一个实施例的清洁系统的侧视图；图1B为说明根据本发明的另一个实施例的清洁系统的俯视图；图1C为说明根据本发明的又一实施例的清洁系统的俯视图；图2A为说明根据本发明的实施例的带有内腔的自排放研磨轮的侧视图；图2B为说明根据本发明的实施例的带有内腔的自排放研磨轮的侧视图；图3A为说明根据本发明的实施例的带有切口区域的自排放研磨轮的侧视图；图3B为说明根据本发明的实施例的带有切口区域的自排放研磨轮的仰视图；图4A为说明根据本发明的实施例的带有多个腿的自排放研磨轮的侧视图；图4B为说明根据本发明的实施例的带有多个腿的自排放研磨轮的仰视图；图5A为说明根据本发明的实施例的具有倾斜通道的自排放研磨轮的仰视图；图5B为说明根据本发明的实施例的具有倾斜通道的自排放研磨轮的侧视图；图6为说明根据本发明的另一实施例的自排放研磨轮和流体引导通道的侧视图；以及图7为表示根据本发明的实施例的用于加工晶片的方法的流程图。
具体实施例方式
下面的描述说明用于加工晶片以在清洁操作过程中防止积聚流体转移到晶片上的系统和方法的实施例。具体地，在清洁操作过程中，多个自排放研磨轮支撑晶片。晶片表面上的流体扩散到晶片的边缘。一旦到达晶片的边缘，流体就可以积聚。积聚的流体可接触多个自排放研磨轮并且致使该积聚的流体涂覆多个自排放研磨轮中每个的表面。之后，流体涂层从与晶片边缘的接触点排走。
然后，可将排走的流体抽吸离开多个自排放研磨轮，以使自排放研磨轮基本保持干燥。另外，通过多个自排放研磨轮的自排放特性将排走的流体从多个自排放研磨轮中每一个的表面除去。然而，对本领域中的技术人员显而易见的是，在没有部分或全部这些具体细节的情况下，也可实施本发明。在其它实例中，为了不使本发明徒增晦涩，未详细描述已知的加工操作。
此外，此处描述的实施例为示例性的。应理解，通过阅读说明书和研究附图，本领域的技术人员可进行各种改变、增补、置换及等同替换。因此，本发明旨在使所有这些改变、增补、置换及其等同替换都落在所披露的实施例的真正精神和范围内。
图1A为表示根据本发明的实施例的清洁系统100的侧视图。如图1A所示，定位晶片110以在清洁系统100中进行加工处理。在一些实施例中，该晶片110可具有200mm或300mm的直径。然而，本领域的普通技术人员应认识到，晶片110的尺寸可以改变。在一个实施例中，清洁系统100密闭成一腔室，如图1A所示。然而，其它的实施例未使用密闭的清洁系统用于在晶片110上进行清洁操作。将参考图3C进一步详细描述关于非密闭清洁系统的示例。
清洁系统100包括多个自排放研磨轮(研磨轮)120。如图所示，研磨轮120通过一界面支撑晶片110。具体地，该界面形成在研磨轮120的V形凹槽和晶片110之间。该凹槽使晶片110定位，以允许晶片110和研磨轮120转动。然而，其它具有不同形状的界面也可使晶片110和研磨轮120接合，只要在支撑晶片110时形成其它界面。
研磨轮120可转动，因此允许晶片110转动。当晶片110转动时，在晶片110的底面和顶面上的所有流体都扩散到晶片110的边缘。晶片110的边缘在界面处与各个研磨轮120接触。因此，扩散的流体积聚在晶片110的边缘上和界面上。具体地，可在底面130和顶面135处形成积聚的流体。流体的积聚均可形成弯月面，该弯月面可污染引入到该清洁系统100中的各晶片110。然而，从界面引导流体将防止形成弯月面。
在本发明的另一实施例中，当晶片静止即不转动时，流体可施加在晶片110上。这里，应有足够量的流体施加在晶片110的表面上，从而使流体扩散到晶片的边缘和界面。根据此处所描述的本发明的实施例，到达界面的流体被引导离开。
因为本发明的研磨轮120被构造成从该界面排放流体，因此流体被引导。例如，在具有底部和顶部的研磨轮120的实施例中，可以将底部构造成从界面排放流体。在另一典型实施例中，一个或多个研磨轮干燥器140可通过使用一个或多个真空通道抽吸流体使其离开研磨轮120的底部。然而，应理解，可以使用或不使用研磨轮干燥器140来从研磨轮120抽吸流体。在本发明的至少一个实施例中，研磨轮120被构造成在没有来自研磨轮干燥器140的抽吸的情况下排放流体。
图1B为表示根据本发明的另一实施例的清洁系统100的俯视图。该清洁系统100包括三个研磨轮120，以支撑晶片110。当晶片110沿着方向180转动时，每个研磨轮120均沿着方向190转动。而且，图示的每个研磨轮120都与研磨轮干燥器140接合。然而，普通技术人员应认识到，图1B中包含的任意研磨轮干燥器140都仅仅是未示例性的，因为研磨轮干燥器140可以与或不与研磨轮120一起使用。而且，尽管图示了三个研磨轮干燥器140，但其它实施例也可以包括一个研磨轮干燥器140，用于从所有三个研磨轮120抽吸流体。因此，研磨轮干燥器140和研磨轮120可以为任何结构，只要与至少一个研磨轮120一起使用的任意研磨轮干燥器140从至少一个研磨轮120抽吸流体。
至少一个研磨轮120与机械臂125接合。该机械臂125可以移动研磨轮120，并且如果必要，可使任何接合的研磨轮干燥器140离开晶片110。通过移动研磨轮120，晶片110可移离研磨轮120的凹槽或与其接触。在将晶片110定位在凹槽中之后，机械臂125使研磨轮120移动返回到晶片110处，以固定晶片110。然而，研磨轮120可与任何其它类型的机械附件接合，例如机械臂125，只要该机械附件可使研磨轮120运动。而且，应理解，可以采用任何将晶片110固定在研磨轮120的界面上的方法，只要在允许晶片110转动的同时可将晶片110固定。
图1C为根据本发明的又一实施例的清洁系统的俯视图。在进行清洁操作的本发明典型实施例中，可使用接近清洁系统(proximity cleaningsystem)150来清洁和干燥晶片110。该接近清洁系统150可包括一臂160，该臂160以清洁和干燥的方式使接近清洁系统150运动。在美国专利申请No.10/261,839中公开一种典型的接近清洁系统150，该专利申请的名称为“Method and Apparatus for Drying Semiconductor Wafer SurfacesUsing a Plurality of Inlets and Outlets Held in Close Proximity tothe Wafer Surfaces(利用多个保持在晶片表面附近的进口和出口来干燥半导体晶片表面的方法和装置)”，申请日为2002年9月30日，其公开内容全部在此引用作为参考。本领域的普通技术人员应理解，可以采用接近清洁系统150的任何合适的结构，只要该接近清洁系统150根据本发明的方法在排放的晶片110上施加流体。
图1C的清洁系统示出了与四个研磨轮干燥器140接合的四个研磨轮120。如图所示，机械臂125可沿着方向127离开，以允许晶片110定位。而且，与研磨轮干燥器140接合的另一个机械臂125’可沿着方向147运动。因此，其它实施例可包括任何数量的机械臂，以使任何研磨轮120和研磨轮干燥器140运动。
图2A为根据本发明实施例的带有内腔230的自排放研磨轮的侧视图。研磨轮120在界面处支撑晶片110。当晶片110定位在凹槽中时，界面处的流体被引入研磨轮开口205。研磨轮开口205将流体从界面引导至内腔230。因此，当研磨轮120转动时，研磨轮开口205通过使得流体排入内腔230而防止流体积聚在界面处。从而，没有发生流体从界面转移至随后的用于清洁而定位的晶片110上。
如果使用研磨轮干燥器140从内腔230抽吸流体，则典型的研磨轮干燥器140可包括多个真空通道。例如，上真空通道270可抽吸流体离开凹槽。而且，下真空通道260可从内腔230抽吸流体。具体地，真空端口240可插入到研磨轮120的排放管道220中。该排放管道220在研磨轮120的底部中形成圆形通道，真空端口240插入其中。该真空端口240充分地装配在排放管道220上，以防止流体在将流体抽吸到下真空通道260中的过程中漏出。通过防止流体在下真空通道260施加的抽吸中漏出，研磨轮120的底面基本保持干燥。应理解，可设置任何数量的真空通道。例如，可从研磨轮干燥器140去除上真空通道270。还应理解，如果在一个研磨轮干燥器140中有不止一个真空通道，则可采用任何功能真空通道的组合。例如，下真空通道260可抽吸流体，而上真空通道270保持不作用。
图2B为表示根据本发明实施例的带有内腔的自排放研磨轮的侧视图。研磨轮开口205可具有任何形状和尺寸。尽管在研磨轮120上所示为圆形开口，但研磨轮开口205可具有任何合适的形状。研磨轮开口205还可具有各种尺寸，只要研磨轮开口205的尺寸允许流体排入内腔230中。内腔230包括排放管道，以从研磨轮120去除流体。因此，不使用研磨轮干燥器140，也可以除去引导到内腔230中的流体。
此外，在每个研磨轮开口205之间可有任何数量的具有不同空间的研磨轮开口205。在另一实施例中，研磨轮开口205可以多排定位。例如，可具有两排或多排研磨轮开口205，以允许从由凹槽和晶片110形成的界面引导流体。
图3A为表示根据本发明实施例的具有切口区域310的自排放研磨轮的侧视图。与上述实施例相似，研磨轮干燥器140可以与或不与研磨轮120一起使用。这里，研磨轮120包括顶部320和底部330。顶部320和底部330可由单块材料制成，或由两块单独的材料制成。如果由两块单独的材料制成，则顶部320和底部330可接合在一起，以形成支撑晶片110的界面。该材料可以是聚亚安酯或其它类似的材料。然而，也可以使用任何合适的材料，只要该材料为刚度足够支撑晶片110的材料。而且，该材料不应为在清洁过程中产生可污染晶片110的颗粒的材料。
在选择用于研磨轮120的材料中，可以考虑材料对流体的吸引或排斥的能力。材料吸引或排斥流体的能力的特性分别为材料的亲水性(philicity)和疏水性(phobicity)。例如，流体可能被特定的材料吸引或排斥，该流体可能是水、去离子水(DIW)、化学制剂、化学制剂与DIW的组合、化学制剂与水的组合等。应理解，在晶片处理系统中，可使用任何合适的流体和合适的材料，只要根据本发明的方法对该流体进行排放。因此，当选择材料时，在选择过程中可考虑材料对特定流体的吸引或排斥的特性。
研磨轮120的底部330不具有内腔230，而是具有多个切口区域310。该切口区域310使得流体朝向研磨轮120的底面排放，从而防止在界面处积聚流体。具体地，图3B为表示根据本发明实施例的具有切口区域的自排放研磨轮的仰视图。该切口区域310在研磨轮转动过程中从界面将流体引导至研磨轮120的底面。在转动过程中，研磨轮干燥器140可抽吸朝向研磨轮120的底面排放的流体。尤其是，通过定位下真空通道开口340以包围从界面排放的流体，则可以抽吸流体离开研磨轮120的底面。
图4A为表示根据根发明实施例的具有多个腿的自排放研磨轮的侧视图。另一实施例的研磨轮120包括与多个腿410接合的顶部420。腿410可独立于顶部420制造，并且可通过各种方式安装到顶部420上。例如，腿410可以拧在顶部420的底面中。腿410通过用于流体引导的空间而分离。当研磨轮120转动时，在界面处的流体通过该空间排放至研磨轮120的底面。任何被引导离开界面的流体都离开了研磨轮120的底面，因此使研磨轮120的底面基本保持干燥。
然而，如果研磨轮干燥器140大致邻近研磨轮120定位，则该研磨轮干燥器140可抽吸来自研磨轮120的流体。例如，通过使下真空通道260定位成包围流体研磨轮120甩出的流体而可使下真空通道260定位，以抽吸来自研磨轮120的底面的流体。尽管图示具有一个下真空通道开口430，但下真空通道260可包括另一个下真空通道开口(未示出)。因此，多个下真空通道开口可从研磨轮120的底面的不同位置抽吸流体。
图4B为表示根据本发明实施例的具有多个接合腿的自排放研磨轮的仰视图。在研磨轮干燥器140的另一实施例中(未示出)，下真空通道260可沿着研磨轮120的底面的直径延伸。多个下真空通道开口沿着下真空通道260的长度抽吸流体。或者，具有足够抽吸能力的一个足够大的下真空通道开口能够从研磨轮120的底面抽吸流体。因此，图4B的研磨轮120的实施例可具有相当干燥的底面。
图5A为表示根据本发明实施例的具有倾斜通道520的自排放研磨轮的仰视图。研磨轮120具有底部，该底部构造成具有多个凸起510和倾斜通道520。具体地，凸起510和顶部可由一种材料制成或由不同的材料制成。例如，底部可接合在顶部上，以形成界面。倾斜通道520增强了从界面引导流体。图5B为表示根据本发明实施例的具有倾斜通道520的自排放研磨轮的侧视图。具体地，当流体接触界面时，该倾斜通道520通过提供单个流体排放的点而增强流体流动离开界面。因此，倾斜通道520防止流体在界面处形成弯月面。
在图5B中所示的实施例可以包括或不包括研磨轮干燥器140。如果使用研磨轮干燥器140来从研磨轮120的底面抽吸流体，则本领域中普通技术人员应认识到，研磨轮干燥器140的结构可与上述实施例的结构类似。
图6为表示根据本发明另一实施例的自排放研磨轮和流体引导通道610的侧视图。该流体引导通道610在中心位置(未示出)与研磨轮120底部接合。通过在研磨轮120的底面下方设置空间，从界面引导的流体可沿着流体引导通道610的边缘620流动。具体地，流体引导通道610引导从研磨轮120排出的流体离开研磨轮120的底面。而且，如果研磨轮干燥器140定位成使用下真空通道260抽吸沿着边缘620流动的流体，则流体引导通道610引导任何未由下真空通道260抽吸的流体离开研磨轮120的底面。因此，使研磨轮120的底面保持基本干燥。
图7为表示根据本发明实施例的用于加工晶片的方法的流程图。当机构(例如，机械臂)定位待由研磨轮支撑的晶片时，该方法以操作710开始。具体地，定位晶片，以进行清洁晶片表面的清洁操作。定位晶片包括操纵该研磨轮以使晶片的边缘接触该研磨轮的凹槽。因此，在接触点处形成界面。在典型实施例中，可清洁晶片的一个或两个表面。例如，可在晶片的顶面和底面上施加流体。施加流体的方法的示例包括使用接近清洁系统、喷射机构、以及侵入技术。在另一典型实施例中，不需要对晶片施加流体，因为当为了清洁而定位晶片时在晶片的表面上存在有流体。然后，在操作720中，该方法包括转动晶片的操作。具体地，当晶片转动时，支撑晶片的研磨轮转动。在晶片的旋转过程中，晶片表面上的任何流体都扩散至晶片的边缘。
在本发明的另一实施例中，晶片保持静止，即不旋转。而且研磨轮可保持静止。从而，因为施加的流体量足够覆盖晶片的表面区域，因此施加在静止晶片表面上的流体扩散到晶片的边缘。应理解，在另一实施例中，研磨轮可转动以允许晶片运动。然而，使流体扩散至晶片边缘并不需要转动。
接下来，在操作730中，该方法包括从界面引导流体的操作。具体地，扩散至晶片边缘的流体并未积聚形成具有弯月面的流体主体。为了防止流体积聚，引导流体离开界面。通过研磨轮底部的结构和研磨轮的材料成分的组合进行流体引导。例如，底部结构可包括具有用于排放流体的开口的内腔、切口区域、多个接合腿以及倾斜通道。该结构还包括任何上述实施例的结构。而且，研磨轮的材料成分可考虑材料的亲水性、疏水性和硬度。
之后，在操作740中，该方法包括将研磨轮干燥器定位成大致接近研磨轮，以进行抽吸来从该研磨轮去除流体。应理解，本发明的实施例可包括或不包括研磨轮干燥器。而且研磨轮干燥器可根据上述的实施例来构造。当使用研磨轮干燥器时，定位在该轮底部附近的真空可抽吸从界面引导的流体。因此，使得所述轮的底部基本保持干燥。
对于那些本领域的普通技术人员来说，此处描述的操作以及通过附图的说明都为示例性的。而且，能够以任何顺序进行所述操作，以允许从研磨轮排放流体。因此操作顺序并不限于任何具体的顺序。
尽管为了清晰理解已经详细描述了上述发明，但显而易见的是，在所附权利要求的范围内可实施某些改变和修改。因此，给出的实施例被认为是示例性而非限制性的，而且本发明并不限于此处所给出的细节，而在所附权利要求的范围及等同物内可进行修改。
权利要求
1.一种用于加工晶片的方法，该方法包括利用多个围绕晶片周边定位的研磨轮支撑晶片，所述多个研磨轮能够转动，以使所述晶片转动；使得存在于所述晶片表面上的流体朝向所述多个研磨轮运动，以到达形成在所述晶片的边缘与所述多个研磨轮中每一个的表面之间的界面；以及引导接触所述多个研磨轮的流体离开所述界面，该流体的引导被设置成防止流体在该界面处形成弯月面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述流体的引导还包括利用流体引导通道引导流体离开所述多个研磨轮中每一个的底面。
3.一种用于加工晶片的方法，该方法包括利用多个围绕晶片周边定位的研磨轮支撑晶片，所述多个研磨轮能够转动，以使所述晶片转动；使得存在于所述晶片表面上的流体朝向所述多个研磨轮运动，以到达形成于所述晶片的边缘与所述多个研磨轮中每一个的表面之间的界面；引导接触所述多个研磨轮的流体离开所述界面，该流体的引导被设置成防止流体在该界面处形成弯月面；以及从所述多个研磨轮中的每一个中抽吸流体，该抽吸被设置成使得所述多个研磨轮中每一个的底面保持基本干燥。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述流体的引导还包括通过流体引导通道引导流体离开所述多个研磨轮中每一个的底面。
5.一种用于加工晶片的研磨轮，该研磨轮包括顶部和底部，它们之间形成有用于容纳晶片的边缘的凹槽，该底部被构造成引导流体离开凹槽，以防止在该凹槽和晶片的边缘之间形成流体弯月面。
6.根据权利要求5所述的研磨轮，其特征在于，所述底部包括多个开口，该多个开口构造成向限定在该底部中的内腔排放流体。
7.根据权利要求6所述的研磨轮，其特征在于，所述内腔还包括排放管道。
8.根据权利要求5所述的研磨轮，其特征在于，所述底部包括多个引导流体的腿。
9.根据权利要求5所述的研磨轮，其特征在于，所述底部包括引导流体的倾斜通道。
10.根据权利要求5所述的研磨轮，其特征在于，所述底部包括引导流体的切口区域。
11.根据权利要求5所述的研磨轮，其特征在于，所述底部与流体引导通道接合，该流体引导通道被构造成引导流体离开所述底部的底面。
12.根据权利要求5所述的研磨轮，其特征在于，所述顶部和底部由单块材料制成。
13.根据权利要求5所述的研磨轮，其特征在于，所述顶部和底部由多块单独的材料制成。
14.一种用于加工晶片的系统，该系统包括多个用于支撑晶片的研磨轮，多个研磨轮中每一个都具有顶部和底部，顶部和底部之间形成有容纳晶片边缘的凹槽，该底部被构造成引导流体离开所述凹槽，以防止在所述凹槽和晶片边缘之间形成流体弯月面；以及研磨轮干燥器，其设置在所述多个研磨轮的附近，该研磨轮干燥器具有多个真空通道，所述真空通道构造成抽吸流体离开所述多个研磨轮中每一个的底部。
15.根据权利要求14所述的系统，其特征在于，所述底部包括多个开口，该开口被构造成向限定在所述底部中的内腔排放流体。
16.根据权利要求15所述的系统，其特征在于，所述内腔还包括排放通道。
17.根据权利要求14所述的系统，其特征在于，所述研磨轮的底部包括多个引导流体的腿。
18.根据权利要求14所述的系统，其特征在于，所述研磨轮的底部包括引导流体的倾斜通道。
19.根据权利要求14所述的系统，其特征在于，所述底部具有引导流体的切口区域。
20.根据权利要求14所述的系统，其特征在于，所述研磨轮的底部与流体引导通道接合，该流体引导通道被构造成引导流体离开该底部的底面。
21.一种用于加工晶片的方法，该方法包括利用多个围绕晶片周边定位的研磨轮支撑晶片；在所述晶片的表面上施加大量流体，该流体量足够使流体朝向多个研磨轮运动，以到达形成在该晶片边缘与所述多个研磨轮中每一个的表面之间的界面；以及引导接触所述多个研磨轮的流体离开所述界面，该流体的引导被设置成防止流体在该界面处形成弯月面。
22.一种用于加工晶片的方法，该方法包括利用多个围绕晶片周边定位的研磨轮支撑晶片；在所述晶片的表面上施加大量流体，该流体量足够使流体朝向多个研磨轮运动，以到达形成在该晶片边缘与所述多个研磨轮中每一个的表面之间的界面；引导接触所述多个研磨轮的流体离开所述界面，该流体的引导被设置成防止流体在该界面处形成弯月面；以及从所述多个研磨轮中的每一个抽吸流体，该抽吸被设置成使得所述多个研磨轮中每一个的底面保持基本干燥。
全文摘要
提供了一种用于在清洁操作中防止积聚的流体转移到晶片上的系统和方法。具体地，当通过多个自排放研磨轮固定晶片时，所有接触该自排放研磨轮的流体都朝向每个自排放研磨轮的底面被引导离开晶片。通过制造具有不同结构的自排放研磨轮的底部而进行引导。不同的结构增强了将流体引导离开晶片。为了进一步防止流体弄湿自排放研磨轮的底面，可将研磨轮干燥器大致定位在至少一个自排放研磨轮的附近，以通过使用该研磨轮干燥器的真空通道抽吸流体离开所述底面。
文档编号B08B3/04GK1737992SQ20051008243
公开日2006年2月22日 申请日期2005年6月30日 优先权日2004年6月30日
发明者詹姆斯·P·加西亚, 弗利茨·雷德克 申请人:拉姆研究公司