一种提高纳米印章抗粘性能的方法
【专利摘要】本发明公开了一种提高纳米印章抗粘性能的方法，包括如下步骤：（1）将纳米印章放入清洗溶液中清洁，然后吹干，转移到干燥环境中；（2）用异丙醇冲洗纳米印章5～10分钟；（3）将纳米印章放入无水异辛烷中5～10分钟；（4）在步骤（3）得到的纳米印章旋涂上抗粘层；（5）清洗纳米印章，然后用氮气吹干。本发明提供的提高纳米印章抗粘性能的方法操作步骤简单，能大大降低模板的自由能，缩短脱模时间，延长纳米印章的使用寿命。
【专利说明】一种提高纳米印章抗粘性能的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及微加工领域，具体涉及一种提高纳米印章抗粘性能的方法。
【背景技术】
[0002]纳米印章表面凸起或凹陷结构越多，意味着与聚合物接触的表面越多，越容易引起聚合物和印章间的粘连。这些表面对印章的寿命有着非常重要的影响，直接决定了压印技术能否在工业界大量应用。
【发明内容】
[0003]发明目的:为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供的提高纳米印章抗粘性能的方法，工艺简单、效率高，适合推广应用。
[0004]技术方案:为解决上述技术问题，本发明的采用的技术方案为:一种提高纳米印章抗粘性能的方法，包括如下步骤:
[0005](I)将纳米印章放入清洗溶液中清洁，然后吹干，转移到干燥环境中；
[0006](2)用异丙醇冲洗纳米印章5?10分钟；
[0007](3)将纳米印章放入无水异辛烷中5?10分钟；
[0008](4)在步骤(3)得到的纳米印章旋涂上抗粘层；
[0009](5)清洗纳米印章，然后用氮气吹干。
[0010]优选地，所述步骤(I)中采用的清洗溶液为混合比例为1:1:4的NH4OH: H2O2: H2O。
[0011]优选地，所述的抗粘层为道康宁DC系列。
[0012]优选地，所述步骤(4)旋涂时匀胶机转速设为2500?3000转，旋转时间为I?1.5分钟。
[0013]优选地，所述步骤(5)中清洗印章包括丙醇超声4?5分钟，去离子水超声2?3分钟。
[0014]有益效果:本发明提供的提高纳米印章抗粘性能的方法操作步骤简单，能大大降低模板的自由能，缩短脱模时间，延长纳米印章的使用寿命。
【具体实施方式】
[0015]实施例1:
[0016]一种提高纳米印章抗粘性能的方法，包括如下步骤:
[0017](I)将纳米印章放入清洗溶液中清洁，然后吹干，转移到干燥环境中，；
[0018](2)用异丙醇冲洗纳米印章5分钟；
[0019](3)将纳米印章放入无水异辛烷中5分钟；
[0020](4)在步骤(3)得到的纳米印章旋涂上道康宁的DC20抗粘层，旋涂时匀胶机转速设为2500转，旋转时间为1.5分钟；
[0021](5)通过丙醇超声4分钟，去离子水超声2分钟清洗纳米印章，然后用氮气吹干。[0022]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出:对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种提高纳米印章抗粘性能的方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)将纳米印章放入清洗溶液中清洁，然后吹干，转移到干燥环境中，； (2)用异丙醇冲洗纳米印章5?10分钟； (3)将纳米印章放入无水异辛烷中5?10分钟； (4)在步骤(3)得到的纳米印章旋涂上抗粘层； (5)清洗纳米印章，然后用氮气吹干。
2.根据权利要求1所述的提高纳米印章抗粘性能的方法，其特征在于:所述步骤(I)中采用的清洗溶液为混合比例为1:1:4的NH4OH = H2O2:H2O。
3.根据权利要求1所述的提高纳米印章抗粘性能的方法，其特征在于:优选地，所述的抗粘层为道康宁DC系列。
4.根据权利要求1所述的提高纳米印章抗粘性能的方法，其特征在于:所述步骤(4)旋涂时匀胶机转速设为2500?3000转，旋转时间为I?1.5分钟。
5.根据权利要求1所述的提高纳米印章抗粘性能的方法，其特征在于:所述步骤(5)中清洗印章包括丙醇超声4?5分钟，去离子水超声2?3分钟。
【文档编号】B08B3/12GK103586229SQ201310553840
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2013年11月8日 优先权日:2013年11月8日
【发明者】王晶 申请人:无锡英普林纳米科技有限公司