本发明一种Ag-TIO2复合型抗菌剂涉及用于纺织材料上的银抗菌剂，尤其是非纳米级别的银抗菌剂。本发明还涉及一种制备Ag-TIO2复合型抗菌剂的方法。
背景技术：
抗菌剂是指能够在一定时间内，使某些微生物(细菌、真菌、酵母菌、藻类及病毒等)的生长或繁殖保持在必要水平以下的化学物质。材料的抗菌作用，一般说是在某种材料对微生物的生命活力所产生的不良影响和后果，这些不良影响和后果，最集中的表现就是影响微生物的生长、繁殖以致死亡。
银制剂，我们可以看作是一种抗菌材料或者物质。现有的用于纺织上的银抗菌剂多数为纳米级别的，经过长期的使用以及试验验证表明纳米银抗菌剂用于衣物上后会在人体内沉积，对人体产生不良的影响。
现有的用于纺织上的银抗菌剂多数为碱性体系，本发明提供的银抗菌剂为独特的酸性体系
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种非纳米级别的复合型银抗菌剂，可以有效干扰细胞壁的合成，使细胞膜受损伤、破坏，导致细菌死亡，而对人畜无任何伤害和不良影响。本发明的另一目的是提供一种制备该复合型银抗菌剂的方法。
本发明的技术方案一种Ag-TIO2复合型抗菌剂，其特征在于按质量分数包括以下组分：
所述钛酸酯为异丙基钛酸酯、钛酸四丁酯、钛酸正丁酯之一
所述银化物制剂为0.2mol/L的硝酸银或氯化银溶液。
所述酸制剂为柠檬酸、乙酸、碳酸、丙烯酸、乳酸、甲酸、硝酸、苹果酸之一或混合物。
所述醇制剂为乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、乙二醇之一或混合物。上述的一种Ag-TIO2复合型抗菌剂的制备方法：
一、将钛酸酯置于酸制剂溶液中在60℃的温度下进行水解，制备出稳定的纳米二氧化钛溶胶；
二、将银化物制剂置于醇制剂溶液中将银离子制剂还原成银单质；
三、将上述一和二反应后的混合物混合，并在60℃的反应温度下反应3小时以将单质Ag掺杂到纳米二氧化钛中，形成非纳米结构的Ag-TIO2复合抗菌剂。
上述技术方案的复合型银抗菌剂反应体系PH值为酸性，形成的非纳米结构的Ag-TIO2复合抗菌剂可有效干扰细胞壁的合成，抑制多糖链与四肽交联连结，从而使细胞壁失去完整性，失去了对渗透压的保护作用，损害菌体而死亡，还可使细胞膜受损伤、破坏，将导致细菌死亡；亦可抑制蛋白质的合成，使蛋白质的合成过程变更、停止、使细菌死亡；更可干扰核酸的合成。而对人畜无任何伤害和不良影响。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步详述。
实施例一：按质量分数计算
一、将5g的异丙基钛酸酯置于质量35g乙酸制剂溶液中在60℃的温度下进行水解，制备出稳定的纳米二氧化钛溶胶；
二、将0.8g浓度为0.2mol/L的硝酸银制剂置于20g异丙醇制剂溶液中将银离子制剂还原成银单质；
三、将上述一和二反应后的混合物混合，并在60℃的反应温度下反应3小时以将单质Ag掺杂到纳米二氧化钛溶胶中，形成非纳米结构的Ag-TIO2复合抗菌剂。
实施例二：按质量分数计算
一、将3.5g的异丙基钛酸酯置于30g乙酸制剂溶液中在60℃的温度下进行水解，制备出稳定的纳米二氧化钛溶胶；
二、将1g浓度为0.2mol/L的硝酸银制剂置于20g异丙醇制剂溶液中将银离子制剂还原成银单质；
三、将上述一和二反应后的混合物混合，并在60℃的反应温度下反应3小时以将单质Ag掺杂到纳米二氧化钛中，形成非纳米结构的Ag-TIO2复合抗菌剂。
实施例三：按质量分数计算
一、将5g的异丙基钛酸酯置于35g乙酸制剂溶液中在60℃的温度下进行水解，制备出稳定的纳米二氧化钛溶胶；
二、将0.7g浓度为0.2mol/L的硝酸银制剂置于20g异丙醇制剂溶液中将银离子制剂还原成银单质；
三、将上述一和二反应后的混合物混合，并在60℃的反应温度下反应3小时以将单质Ag掺杂到纳米二氧化钛溶胶中，形成非纳米结构的Ag-TIO2复合抗菌剂。
实施例四：按质量分数计算
一、将3.5g的钛酸正丁酯置于30g甲酸制剂溶液中在60℃的温度下进行水解，制备出稳定的纳米二氧化钛溶胶；
二、将0.8g浓度为0.2mol/L的氯化银制剂置于20g乙醇制剂溶液中将银离子制剂还原成银单质；
三、将上述一和二反应后的混合物混合，并在60℃的反应温度下反应3小时以将单质Ag掺杂到纳米二氧化钛溶胶中，形成非纳米结构的Ag-TIO2复合抗菌剂。
实施例五：按质量分数计算
一、将3.5g的钛酸四丁酯、钛酸正丁酯混合物置于30g甲酸制剂溶液中在60℃的温度下进行水解，制备出稳定的纳米二氧化钛溶胶；
二、将0.8g浓度为0.2mol/L的氯化银制剂置于20g乙醇制剂溶液中将银离子制剂还原成银单质；
三、将上述一和二反应后的混合物混合，并在60℃的反应温度下反应3小时以将单质Ag掺杂到纳米二氧化钛溶胶中，形成非纳米结构的Ag-TIO2复合抗菌剂。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。