玻璃基板的制作方法

玻璃基板的制作方法
【专利摘要】本发明的玻璃基板的特征在于，该玻璃基板含有下述玻璃组成，该玻璃组成以摩尔％表示具有SiO2：58％～74％、Al2O3：0％～5％、B2O3：0％～5％、Li2O：0％～3％、Na2O：0.1％～6％、K2O：3％～9％、MgO：2％～10％、CaO：8％～18％、ZnO：0％～5％、TiO2：0％～5％、ZrO2：1％～8％的含量范围，并且满足0.01＜ZrO2/(SiO2+Al2O3+B2O3)＜0.15的条件。
【专利说明】玻璃基板

【技术领域】
[0001] 本发明涉及玻璃基板。

【背景技术】
[0002] 近年来，随着HDD (硬盘驱动器）的存储容量飞跃性地增大，必不可少地需要减小 1比特所使用的介质的记录面积。并且，为了减小记录面积而进行高密度化，需要使头与盘 的距离更稳定而进行记录的读写。
[0003] 但是，为此需要降低作为盘的基板的玻璃基板的表面粗糙度Ra，但是目前所提出 的表面粗糙度Ra为3A左右（日本特开2008-097821号公报（专利文献1))，要求进一步降 低表面粗糙度Ra (算术平均粗糙度）。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1 :日本特开2008-097821号公报


【发明内容】

[0007] 发明要解决的课题
[0008] 如上所述为了降低玻璃基板的表面粗糙度Ra，需要高精度的抛光技术，然而在这 样的抛光技术中使用的氧化铈等抛光材料的成本高涨，因此必须抑制其用量。
[0009] 但是，为了在抑制氧化铈等抛光材料的用量的抛光条件下获得具有低表面粗糙度 Ra的玻璃基板，要求化学耐久性优异并使表面状态高度稳定化、以及具有适度的强度特性， 但是尚未提供具有这样的特性的玻璃基板。
[0010] 本发明是鉴于这样的状况而进行的，其目的在于提供一种玻璃基板，该玻璃基板 的化学耐久性优异并能够使表面状态高度稳定化，同时在维氏硬度、杨氏模量、断裂韧性等 方面具有适度的强度特性，由此可以在具有适宜的物性值的同时以高抛光速率（单位时间 的抛光量）实现低表面粗糙度Ra。
[0011] 用于解决课题的方案
[0012] 本发明的玻璃基板的特征在于，该玻璃基板含有下述玻璃组成，该玻璃组成以摩 尔％表不具有
[0013] Si02 : 58%?74%、
[0014] A1203:0%?5%、
[0015] B203:0%?5%、
[0016] Li20:0%?3%、
[0017] Na20 :0· 1%?6%、
[0018] Κ20:3%?9%、
[0019] Mg0:2% ?10%、
[0020] Ca0:8% ?18%、
[0021] Ζη0:0%?5%、
[0022] Ti02:0%?5%、
[0023] Zr02 :1%?8%的含量范围，
[0024] 并且满足 0· 01〈Zr(V(Si02+Al203+B20 3)〈0· 15 的条件。
[0025] 此处，上述玻璃基板优选为HDD用玻璃基板，另外反转式抛光工序后的表面粗糙 度Ra在Ιμ--ΧΙμπι的范围优选为1.8A以下。
[0026] 另外，本发明的玻璃基板优选含有下述玻璃组成，该玻璃组成以摩尔％表示具有
[0027] Si02:61%?71%
[0028] A1203:0%?3%
[0029] B203:0%?3%
[0030] Li20:0%?2%
[0031] Na20:l%?5%
[0032] Κ20:4%?8%
[0033] Mg0:4%?9%
[0034] Ca0:9% ?16%
[0035] Ζη0:0%?3%
[0036] Ti02:0%?3%
[0037] Zr02 :2%?7%的含量范围，
[0038] 并且满足 0· 02〈Zr(V(Si02+Al203+B20 3)〈0· 12 的条件。
[0039] 另外，上述玻璃组成优选不含有BaO,优选经由化学强化工序进行制造。
[0040] 发明的效果
[0041] 本发明的玻璃基板通过具有上述构成而显示出以下优异的效果：可以在具有适宜 的物性值的同时以高抛光速率实现低表面粗糙度Ra。

【具体实施方式】
[0042] 下面，对本发明进行更详细的说明。
[0043] 〈玻璃基板〉
[0044] 本发明的玻璃基板的特征在于，该玻璃基板含有下述玻璃组成，该玻璃组成以摩 尔％ (mol% )表示具有
[0045] Si02 : 58% ?74%、
[0046] A1203 :0%?5%、
[0047] B203:0%?5%、
[0048] Li20:0%?3%、
[0049] Na20 :0· 1%?6%、
[0050] Κ20:3%?9%、
[0051] Mg0:2% ?10%、
[0052] Ca0:8% ?18%、
[0053] ZnO : 0 % ?5 %、
[0054] Ti02:0%?5%、
[0055] 21〇2:1%?8%的含量范围，
[0056] 并且满足0. 01〈Zr(V(Si02+Al203+B20 3)〈0. 15的条件。需要说明的是，本发明中， 示出玻璃组成的" ％ "表示只要不特别声明则表示"摩尔％ "。另外，"Si02+Al203+B20 3"表示 Si02、Al20jP B203 的总量。
[0057] 通过具有上述构成，本发明的玻璃基板显示出下述优异的效果：化学耐久性优异 并能够使表面状态高度稳定化，同时在维氏硬度、杨氏模量、断裂韧性等方面具有适度的强 度特性，由此可以在具有适宜的物性值的同时以高抛光速率实现低表面粗糙度Ra。这种优 异的效果可通过构成该玻璃组成的各成分的以下所说明的作用相乘地发挥来实现。
[0058] 需要说明的是，该玻璃组成优选除不可避免的杂质外仅由上述所示的成分构成。 在这点上，本发明的玻璃组成的特征之一在于不含有BaO。这是因为，若含有BaO,则会使化 学耐久性大幅降低，进而耐热性也降低。
[0059] 具有上述特征的本发明的玻璃基板可以作为例如有机EL(电致发光）或TFT(薄 膜晶体管）液晶显示屏等的玻璃基板无特别限定地使用，特别适宜用作HDD (硬盘驱动器） 用玻璃基板。另外，本发明的玻璃基板还可以制成除了上述特性外还具有玻璃化转变温度 Tg为650°C以上的高耐热性的玻璃基板，因此，还适合用于作为下一代高密度记录技术受 到瞩目的、面向热辅助记录的HDD用玻璃基板。
[0060] 需要说明的是，本发明的玻璃基板优选具有圆盘状的形状，由此适合于组装在 HDD中。需要说明的是，在制成圆盘状的形状时，对其尺寸没有特别限定，例如可以为3. 5 英寸、2. 5英寸、1. 8英寸、或这以下的小径盘，而且也可以制成其厚度为2mm、lmm、0· 8mm、 0. 635mm、或这些厚度以下的薄型盘。
[0061] 〈玻璃组成〉
[0062] 下面，对构成本发明的玻璃组成的各构成成分进行说明。
[0063] 构成本发明的玻璃组成的Si02是形成玻璃的网眼结构的重要成分。本发明的玻 璃组成中，以58%?74% (本发明中这种数值范围的表示是指下限值和上限值包含在该范 围内。由此,"58%?74%"表示"58%以上74%以下"。）的范围含有这样的Si0 2。
[0064] Si02的含量若小于58%，则难以形成玻璃，化学耐久性有可能恶化。相反地，若超 过74%，则熔融温度变得过高。Si0 2的更优选的含量范围为61 %?71%。
[0065] A1203是与Si02 -同形成网眼结构的成分，具有提高离子交换性能的作用，但是由 于显示出降低抛光速率的倾向，因此根据需要含有A1203。A120 3的含量若超过5%，则抛光 速率大幅降低，进而因液相温度的上升而使耐失透性恶化，同时因熔融温度的上升而使成 型性降低。因此，需要使A120 3的含量为0%?5%的范围。其中优选为0%?3%的范围。 [0066] B203是与Si02 -同形成网眼结构的成分，具有降低熔融温度的作用，因此根据需 要含有B203。其含量若超过5%，则作为耐热性的指标的Tg(玻璃化转变温度）降低。因 此，需要使B203的含量范围为0%?5%的范围。其中优选为0%?3%的范围。
[0067] Li20是为了提高杨氏模量、进而利用离子交换实施化学强化处理所需要的成分， 因此根据需要含有Li20。在化学强化处理中，玻璃组成中的Li+离子与化学强化处理液中 的Na+离子或K+离子进行离子交换，由此玻璃基板被强化。Li 20的含量若超过3%，则会招 致化学耐久性的恶化和Tg的降低。因此，需要使Li20的含量范围为0%?3%的范围。其 中优选为〇%?2%的范围。
[0068] Na20是为了利用离子交换实施化学强化处理所需要的成分。化学强化处理中，玻 璃组成中的Na+离子与化学强化处理液中的K+离子进行离子交换，由此玻璃基板被强化。 Na20的含量若少于0. 1 %，则该离子交换性能降低，同时熔融性和耐失透性恶化。相反地， 若超过6%，则化学耐久性降低。因此，需要使Na20的含量范围为0.1%?6%的范围。其 中优选为1 %?5%的范围。
[0069] K20具有不降低玻璃化转变温度Tg而改善熔融性的效果。K20的含量若小于3%， 则无法得到改善熔融性的效果；相反地，若超过9%，则无法避免Tg的降低。因此，使Κ20的 含量范围为3%?9%的范围。其中优选为4%?8%的范围。
[0070] MgO具有提高杨氏模量、同时改善熔融性的效果。MgO的含量若小于2%，则无法得 到提高杨氏模量的效果和改善熔融性的效果；相反地，若含量超过10%，则玻璃结构不稳 定、耐失透性恶化。因此，使MgO的含量范围为2%?10%的范围。其中优选为4%?9% 的范围。
[0071] CaO具有提高线性热膨胀系数和杨氏模量、同时改善熔融性的效果。CaO的含量 若小于8%，则无法充分得到提高线性热膨胀系数和杨氏模量的效果；相反地，若含量超过 18%，则玻璃结构不稳定，耐失透性恶化。因此，使CaO的含量范围为8%?18%的范围。其 中优选为9%?16%的范围。
[0072] ZnO具有提高杨氏模量、同时改善熔融性的效果，因此根据需要含有ZnCLZnO的含 量若超过5%，则玻璃结构不稳定，耐失透性恶化。因此，使ZnO的含量范围为0%?5%的 范围。其中优选为〇%?3%的范围。
[0073] Ti02具有软化高温粘性、同时提高刚性的效果，因此根据需要含有Ti02。但是，Ti0 2 的含量若超过5%，则耐失透性恶化。因此，使Ti02的含量范围为0%?5%的范围。其中 优选为0%?3%的范围。
[0074] Zr02具有通过大幅提高化学耐久性而使抛光速率稳定、提高表面平滑性的效果。 Zr02的含量若小于1%，则无法充分得到提高化学耐久性的效果；若超过8%，则因耐失透 性恶化而使成型性恶化。因此，使21〇 2的含量为1 %?8%的范围。其中优选为2%?7% 的范围。
[0075] 另夕卜，本发明中，使Zr02相对于Si02、A1A和B 203的总量之比（Zr02/ (Si02+Al 203+B203))为超过 0· 01 且小于 0· 15 的范围（0· 01〈Zr(V(Si02+Al203+B20 3)〈0· 15) 很重要。该比表示提高玻璃的化学耐久性和耐热性的成分相对于玻璃的骨架成分之比，该 比若为0. 01以下，则无法得到充分的化学耐久性和耐热性。另外，该比若为0. 15以上，则 玻璃结构不稳定化，会招致化学耐久性或断裂韧性的降低。该比更优选为超过〇. 02且小于 〇· 12 的范围（0· 02〈Zr(V(Si02+Al203+B20 3)〈0· 12)。
[0076] 由上述各构成成分的说明可知，本发明的玻璃组成通过使各构成成分的含量范围 在特定范围且使其中的特定构成成分的含有比例在特定范围，从而能够提供下述玻璃基 板，该玻璃基板的化学耐久性优异并能够使表面状态高度稳定化，同时具有适度的强度，由 此可以在具有适宜的物性值的同时以高抛光速率实现低表面粗糙度Ra。
[0077] 〈适宜的组成〉
[0078] 如上述说明所示，本发明的玻璃基板优选含有下述玻璃组成，该玻璃组成以摩 尔％表不具有
[0079] Si02:61%?71%
[0080] A1203:0%?3%
[0081] B203:0%?3%
[0082] Li20:0%?2%
[0083] Na20 :1 % ?5 %
[0084] Κ20:4%?8%
[0085] Mg0:4%?9%
[0086] Ca0:9% ?16%
[0087] Zn0:0%?3%
[0088] Ti02:0%?3%
[0089] Zr02 :2%?7%的含量范围，
[0090] 并且满足0· 02〈Zr〇y(Si02+Al203+B20 3)〈0. 12的条件，上述玻璃基板可以作为本发 明的优选实施方式。
[0091] 〈物性值〉
[0092] 通过具有上述构成，本发明的玻璃基板显示出下述优异的效果：化学耐久性优异 并能够使表面状态高度稳定化，同时在维氏硬度、杨氏模量、断裂韧性等方面具有适度的强 度特性，由此可以在具有适宜的物性值的同时以高抛光速率实现低表面粗糙度Ra。
[0093] 此处，作为本发明的玻璃基板的维氏硬度，优选为550kg/mm2?650kg/mm 2。这是 因为，若小于550kg/mm2,则制造工序中的瑕疵缺陷增加，进而在装载于HDD时与头的接触导 致的瑕疵产生增加；另外若超过650kg/mm 2,则抛光速率降低，加工成本上升。
[0094] 另外，作为杨氏模量，优选为75GPa?90GPa。这是因为，若小于75GPa，则用主轴 马达旋转盘时的颤振特性恶化，读写错误增加；另外若超过90GPa，则抛光速率降低，加工 成本上升。
[0095] 另外，作为断裂韧性，优选为0. 55MPa.m1/2?0. 95MPa.m1/2。这是因为，若小于 0. 55MPa · m1/2,则玻璃基板的破裂发生增加；若超过0. 95MPa · m1/2,则因裂纹无进展而使抛 光速率降低，加工成本上升。
[0096] 另外，除了这些物性值以外，还优选例如Si溶出量为120ppb以下。这是因为，若 超过120ppb，则难以稳定地得到表面平滑性高的基板。另外，玻璃化转变温度优选为650°C 以上。这是因为，若为650°C以下，则在热辅助记录介质所需要的磁各向异性能高的磁性材 料的成膜时玻璃基板有可能变形。
[0097] 另外，本发明的玻璃基板优选具有后述的反转式抛光工序后的表面粗糙度Ra在 1 μ mX 1 μ m的范围为1.8A以下的表面粗糙度Ra，由此在装载于HDD中时可显示出下述优异 的效果：使头与盘的距离稳定，能够顺利地进行记录的读写。另外，这种优异的表面粗糙度 Ra即使在抑制了抛光材料的用量的条件下也可通过高抛光速率实现，其构成了本发明的最 大特征。
[0098] 〈制造方法〉
[0099] 本发明的玻璃基板的制造方法可以无特别限定地使用现有公知的制造方法。例 如，作为构成玻璃基板的玻璃组成的各成分的原料，各自使用相当的氧化物、碳酸盐、硝酸 盐、氢氧化物等，以所期望的比例进行称量，以粉末的形式充分混合，制成调合原料。
[0100] 其后，该调合原料被投入例如加热至1300°C?1550°C的电炉中的钼坩锅等中，熔 融澄清后，进行搅拌均质化并浇铸至预先加热的铸模中，缓慢冷却而形成玻璃块。接着，以 玻璃化转变温度附近的温度保持1小时?3小时，其后缓慢冷却而进行应力消除。
[0101] 接下来，将该得到的玻璃块切成圆盘形状，使内周和外周为同心圆并使用空心钻 切出。或者，对熔融玻璃进行模压成型而成型为圆盘状。其后，对于如此得到的圆盘状的玻 璃基板，进一步对其两面进行粗抛光和精密抛光，之后利用水、酸、碱中的至少1种液体进 行清洗，形成最终的玻璃基板。
[0102] 需要说明的是，上述过程中，在对两面进行粗抛光和精密抛光后浸渍于硝酸钾 (50wt% )和硝酸钠（50wt% )的混合溶液中，由此可以对玻璃基板的表面进行化学强化。 或者，也可以在粗抛光或精密抛光之前进行化学强化，其后在任一个抛光过程中除去离子 交换层（但是该情况下端面也继续残存离子交换层）。
[0103] 这样在包含碱的溶液中浸渍玻璃基板（前体）的操作一般被称为化学强化工序， 指的是将玻璃基板前体所含有的锂离子或钠离子等碱金属离子置换成离子半径更大的钾 离子等碱金属离子的离子交换工序。由于因离子半径的差异产生的应变，以进行了离子交 换的区域为中心产生压缩应力，在该区域中玻璃基板前体的表面得以强化。作为这样的化 学强化处理液，例如可以举出上述的包含硝酸盐的溶液。
[0104] 本发明的玻璃基板优选经由这样的化学强化工序进行制造。需要说明的是，在上 述说明中，化学强化工序是在粗抛光和精密抛光工序之前或之后进行的，但是对在制造工 序的哪个阶段进行化学强化工序并没有特别限定。另外，如上所述通过化学强化工序形成 的离子交换层可以残存于最终的玻璃基板上，也可以被除去。在离子交换层残存的情况下， 能够发生该层的组成与本发明的玻璃组成不同的情况，但是本发明的玻璃组成是以离子交 换层以外的部分为基准的。
[0105] 另一方面，本发明的玻璃基板的制造方法中，抛光工序（如上例那样抛光工序分 为粗抛光和精密抛光的情况下，是指在粗抛光工序中。）优选采用反转式抛光方法。此处， 反转式抛光方法是指下述方法：利用两面抛光装置，使用硬质聚氨基甲酸酯作为抛光垫、使 用氧化铈作为抛光材料而对玻璃基板的两表面进行抛光，此时每隔特定时间（例如每1分 钟）将抛光垫的旋转方向变换为反方向，同时进行玻璃基板的抛光。另外，本发明中，也将 这样使用反转式抛光方法的抛光工序称为反转式抛光工序。
[0106] 本发明的玻璃基板优选经由这样的反转式抛光工序进行制造，由此表面粗糙度Ra 降低且抛光速率提高。该现象的详细机理尚未阐明，但是认为可能为下述机理：通过使抛光 垫反转，该反转前倒下而处于闭塞状态的抛光垫的拉绒（于〃 7)(在抛光垫表面存在的褶 皱状微小凹部）坚起，积存于拉绒内的抛光材料流出，由此发挥抛光作用，从而使抛光速率 提高。需要说明的是，在这样的反转式抛光工序中，抛光材料与玻璃基板的接触增加，因此 可预测虽然抛光速率自身提高、但该抛光速率不稳定，然而本发明的玻璃基板的化学耐久 性高，所以不存在这种抛光速率的不稳定化。
[0107] 因此，本发明的玻璃基板不存在抛光速率不稳定化，能够实现反转式抛光工序后 的表面粗糙度Ra在1 μ mX 1 μ m的范围为1.8A以下的极低的表面粗糙度Ra。
[0108] 需要说明的是，在将本发明的玻璃基板制成HDD用玻璃基板的情况下，利用上述 制造方法进行制造后，形成作为记录层的磁性层（磁性膜），制得信息记录介质（磁记录介 质）。该信息记录介质可以组装到HDD中使用。
[0109] 实施例
[0110] 下面，举出实施例来更详细地说明本发明，但是本发明并不限于这些实施例。
[0111] 〈实施例1?10和比较例1?5>
[0112] 如下述表1和表2中记载的玻璃组成那样，在钼坩埚中称量预定量的原料粉末，进 行混合后，在电炉中于1550°C熔解。原料充分熔解后，将钼制的搅拌叶片插入玻璃熔液中， 搅拌1小时。
[0113] 其后，取出搅拌叶片，静置30分钟后，向夹具中流入该玻璃熔液，由此得到玻璃 块。其后，将玻璃块在各玻璃的玻璃化转变温度（Tg)附近保持2小时，之后缓慢冷却而进 行应力消除。
[0114] 接着，将如此得到的玻璃块切成厚约1. 5mm的2. 5英寸的圆盘形状，使内周、夕卜周 为同心圆并利用切割器切出。其后，使用两面抛光装置，通过利用氧化铈作为抛光材料并利 用硬质聚氨基甲酸酯作为抛光垫的反转式抛光方法（改变旋转方向的时间间隔为每1分 钟）对两面进行抛光，其后进行清洗，由此制作实施例和比较例的玻璃基板。需要说明的 是，比较例的玻璃基板不具有本发明的玻璃组成。
[0115] 对于如此制作的玻璃基板进行下述物性评价。将它们的结果示于下述表1和表2 中。
[0116] 〈溶出试验〉
[0117] 清洗各实施例和各比较例的玻璃基板的表面，在80°C的反渗透水50ml中浸渍24 小时后，利用ICP发射光谱分析装置（商品名："SPS7800"、Seiko Instruments Inc.，制 造）对溶出液进行分析，由此计算出Si溶出量。
[0118] Si溶出量优选为120ppb以下。若超过120ppb，则难以稳定地得到表面平滑性高 的玻璃基板。
[0119] 〈维氏硬度〉
[0120] 使用维氏硬度试验机（商品名："HM-112"、Mitutoyo社制造），在负荷100g、负荷 时间15秒的条件下测定维氏硬度Hv。
[0121] 维氏硬度Ην优选为550kg/mm2?650kg/mm2。若小于550kg/mm 2,则制造工序中的 瑕疵缺陷增加，进而在装载于HDD时与头的接触导致的瑕疵产生增加。若超过650kg/mm 2， 则抛光速率降低，加工成本上升。
[0122] 〈杨氏模量〉
[0123] 根据JIS R 1602精细陶瓷的弹性试验方法的动态弹性模量试验方法测定杨氏模 量E。
[0124] 杨氏模量E优选为75GPa?90GPa。若小于75GPa，则用主轴马达旋转盘时的颤振 特性恶化，读写错误增加。若超过90GPa，则抛光速率降低，加工成本上升。
[0125] 〈断裂韧性〉
[0126] 使用JIS R 1607精细陶瓷的断裂韧性试验法测定维氏硬度、压痕的裂纹长，由此 测定断裂韧性值Kc。
[0127] 断裂韧性优选为0. 55MPa · m1/2?0. 95MPa · m1/2。若小于0. 55MPa · m1/2,则玻璃基 板的破裂发生增加。若超过0. 95MPa ·πι1/2,则因裂纹无进展而使抛光速率降低，加工成本上 升。
[0128] 〈玻璃化转变温度〉
[0129] 使用差热测定装置（商品名："EXSTAR6000"、Seiko Instruments Inc.，制造）， 在室温?900°C的温度范围以10°C /分钟的升温速度对调整为粉末状的玻璃试样进行加热 并进行测定，由此测定玻璃化转变温度（Tg)。
[0130] 玻璃化转变温度优选为650°C以上。若为650°C以下，则在热辅助记录介质所需要 的磁各向异性能高的磁性材料的成膜时玻璃基板有可能变形。
[0131] 〈表面粗糙度Ra>
[0132] 如上所述利用反转式抛光方法进行抛光（抛光量为从表面起100 μ m的厚度）后， 在湿润状态下用纯水对各玻璃基板进行超声清洗。其后，利用AFM(原子力显微镜、商品名： "D3100系统"、Digital Instrument社制造）对各玻璃基板表面进行观察，测定了抛光后的 表面粗糙度Ra。测定区域为1 μ mX 1 μ m的视野，测定点数为每1个样品5点，计算出其平 均值。
[0133] 并且，将表面粗糙度Ra为1.8A以下的情况评价为"A"，将超过1.8A且小于2.5A的 情况评价为"B"，将为2.5A以上的情况评价为"C"。表面粗糙度Ra的数值越低则表示越平 滑。
[0134] 〈抛光速率〉
[0135] 将基于上述反转式抛光方法的抛光量（上述两面抛光装置中的设定抛光量为 10〇ym)除以抛光所需要的时间（抛光时间），由此求出抛光速率。需要说明的是，关于抛 光速率，对玻璃基板的板厚进行5点测定，将其平均值除以抛光时间，由此计算出抛光速 率。需要说明的是，抛光前后的玻璃基板的板厚通过利用千分尺（商品名："MDC-25MJ"、 Mitutoyo社制造）进行测定而确认。
[0136] 并且，将抛光速率为2. 0 μ m/分钟以上的情况评价为"A"，将超过1. 5 μ m/分钟且 小于2. 0 μ m/分钟的情况评价为"B"，将为1. 5 μ m/分钟以下的情况评价为"C"。抛光速率 的数值越大则表示抛光速率越优异。
[0137]

【权利要求】
1. 一种玻璃基板，该玻璃基板含有下述玻璃组成，该玻璃组成以摩尔％表示具有 Si02 : 58%?74%、 A1203 :0%?5%、 B203 :0%?5%、 Li20 :0%?3%、 Na20 :0· 1%?6%、 K20 :3%?9%、 MgO :2%?10%、 CaO :8%?18%、 ZnO :0%?5%、 Ti02 :0%?5%、 Zr02 :1%?8%的含量范围， 并且满足 〇· 01〈Zr(V(Si02+Al203+B20 3)〈0· I5 的条件。
2. 如权利要求1所述的玻璃基板，其中，所述玻璃基板为HDD用玻璃基板。
3. 如权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，所述玻璃基板的反转式抛光工序后的表面 粗糙度Ra在1 μ mX 1 μ m的范围为1.8A以下。
4. 如权利要求1?3的任一项所述的玻璃基板，其中，该玻璃基板含有下述玻璃组成， 该玻璃组成以摩尔％表示具有 Si02 :61%?71% A1203 :0%?3% B203 :0%?3% Li20 :0%?2% Na20 :1%?5% K20 :4%?8% MgO :4%?9% CaO :9%?16% ZnO :0%?3% Ti02 :0%?3% Zr02 :2%?7%的含量范围， 并且满足 〇· 02〈21〇2八5102+六1203+8 203)〈0· 12 的条件。
5. 如权利要求1?4的任一项所述的玻璃基板，其中，所述玻璃组成不含有BaO。
6. 如权利要求1?5的任一项所述的玻璃基板，其中，所述玻璃基板经由化学强化工序 进行制造。
【文档编号】C03C3/089GK104159859SQ201280062496
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2012年12月10日 优先权日:2011年12月20日
【发明者】梶田大士 申请人:Hoya株式会社