玻璃基板的制作方法

专利名称：玻璃基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及适合于液晶显示器(LCD)、电致发光(EL)显示器、等离子体显示板 (PDP)、具有各种电子发射元件的各种形式的场致发光显示器(FED)等平板显示器用基板 的玻璃基板。
背景技术：
薄膜晶体管型有源矩阵IXD(TFT-IXD)等电子器件由于薄且电耗少，因此被用于汽车导航仪、数码相机的取景器、以及电脑的显示屏、电视机等各种用途。通常，作为TFT-IXD用玻璃基板的材质，采用实质上不含碱金属氧化物的铝硼硅 酸玻璃，迄今为止已提出了各种玻璃组成(参照专利文献1 3)。但是，TFT-IXD面板制造者是通过在玻璃制造者加工成形了的玻璃基板(坯板) 上制作多个单元后，再将每个单元分割切断，取得产品，由此来提高生产率、降低成本。近年 来，电脑的显示屏、电视机等的画面尺寸不断变大，为了将这些显示器进行多倒角，需要大 型的玻璃基板。专利文献1 日本专利第2990379号公报专利文献2 日本专利第3465238号公报专利文献3 日本特开2002-29775号公报

发明内容
如上所述，近年来玻璃基板的基板尺寸有变大的趋势，如今正在使用基板尺寸为 2000mmX 2000mm以上的玻璃基板。但是，当玻璃基板的基板尺寸变大时，难以恰当地进行熔 融缺陷检查，很难得到没有熔融缺陷的玻璃基板。具体而言，玻璃基板的熔融缺陷检查通过如下方式来进行从玻璃基板的一侧基 板端面入射光，检测透射至另一侧的基板端面侧(非入射侧)的光来进行熔融缺陷检查。若 采用该方法，当玻璃基板存在熔融缺陷时，由于从一侧基板端面入射的光照射到熔融缺陷 而发生散射，因此从玻璃基板的表面通过肉眼或CCD照相机等观察、测定该散射光，即可检 测出有无熔融缺陷。若限定端面方向导入入射光，则光源的光不易对检测精度带来影响，其 结果是，能高精度化地进行熔融缺陷检查。但是，若玻璃基板的基板尺寸变大，则到达另一 侧的基板端面侧(非入射侧)的路径长度变长，入射的光被玻璃吸收的比例增加，因此透过 玻璃基板的光量下降，其结果是，即使在玻璃基板上存在熔融缺陷，也无法在另一侧的基板 端面侧(非入射侧)得到足够的照度，很难检测出熔融缺陷。该问题在玻璃基板的基板尺 寸为IlOOmmX 1250mm以上、特别是2000mmX2000mm以上时更为显著。对于基板尺寸大的玻璃基板，为了提高熔融缺陷的检测精度，可以设想提高光源 侧的照度的方法，但若光源侧的照度过高，反而会使入射光的基板端面附近过亮，很难检测 出微细的熔融缺陷，终究不是有效的解决方法。为此，本发明的技术课题在于当基板尺寸为IlOOmmX 1250mm以上、特别是2000mmX2000mm以上时，通过对玻璃基板整个面恰当地进行熔融缺陷检查而得到无熔融缺 陷的大型玻璃基板。本发明者等进行了潜心研究，结果发现在玻璃基板的基板尺寸大的情况下，以在 路径长度(厚度)50mm下的波长500 SOOnm的透射率为指标，能评价熔融缺陷检查的检 查精度，并且通过控制在路径长度50mm下的波长500 SOOnm的透射率，能解决上述技术 课题，从而提出本发明。即，本发明的玻璃基板的特征在于，基板尺寸为IlOOmmX 1250mm以 上，且在路径长度50mm下的波长500 SOOnm的透射率为80%以上。这里，“基板尺寸”是 指玻璃基板的表面和背面中一个面的面积。另外，“在路径长度50mm下的波长500 SOOnm 的透射率为80%以上”是指在波 长500 800nm的整个范围内透射率为80%以上。在玻璃基板的基板尺寸为IlOOmmX 1250mm以上的情况下，若将在路径长度50mm 下的波长500 SOOnm的透射率控制在80%以上，则入射到玻璃基板的一侧的基板端面的 光被玻璃吸收的比例变小，即使到达另一侧的基板端面侧(非入射侧)的路径长度变长，也 能抑制透过玻璃基板的光量的下降，即在另一侧的基板端面侧(非入射侧)附近能得到足 够的照度，其结果是能对玻璃基板整个面恰当地检测熔融缺陷。另外，本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，不含25μπι以上的熔融缺 陷。这样的话，能减少由玻璃基板引起的图像缺陷，因而能很好地应对显示器的高精细化、 高性能化。这里，“熔融缺陷”包括未熔解原料、耐火物的混入、脱玻点、气泡等。另外，本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，玻璃组成中含有0.001 0. 03质量％的Fe203。这里，本发明所谓的"Fe2O3”不仅包括以Fe3+的形态存在的氧化铁，还 包括以Fe2+的形态存在的氧化铁。另外，以Fe2+的形态存在的氧化铁换算成Fe2O3来表示。另外，本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，基板端面的平均表面粗糙度 Ra为Iym以下。这里，“基板端面的平均表面粗糙度Ra”是指利用根据JIS B0601 2001 的方法测定的值，是指在评价长度8mm、切断值(cut off) Ac = O. 8mm、切断比λ c/λ s = 100的条件下测定的值。另外，本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，基板表面未经研磨，且波纹 度为0. 1 μ m以下。这里，“基板表面未经研磨”是指除玻璃基板的端面之外的至少玻璃基板 的表面(优选保证面)、优选为玻璃基板的表面背面两个面未研磨。另外，“波纹度”是指使 用触针式的表面形状测定装置测定JIS B-0610中记载的WCA (滤波中心线波纹度)而得到 的值，该测定采用根据SEMI STD D15-1296 “FPD玻璃基板的表面波纹度的测定方法”的方 法来测定，测定时的切断值为0. 8 8mm，并且测定与玻璃基板的拉出方向相垂直的方向上 300mm的长度。本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，通过溢流下拉法(overflow down draw)成形而成。这样的话，能得到未研磨且基板表面平滑的玻璃基板。本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，作为玻璃组成，以下述氧化物换算 的质量％计，含有50 80%的Si02、0 20%的化03、0 15%的Mg0、0 15%的Ca0、0 15% 的 Sr0、0 15% 的 Ba0、0 15% 的 Na20、0 10% 的 K20、0. 001 0. 03% 的 Fe203。本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，作为玻璃组成，含有3 20质量％ 的B2O3，且实质上不含碱金属氧化物(Li20、Na20、K2O)。这里，“实质上不含碱金属氧化物” 是指玻璃组成中的碱金属氧化物的含量为IOOOppm(质量)以下的情况。
本发明的玻璃基板适用于显示器、尤其是液晶显示器和有机EL显示器。另外，本发明者等通过潜心研究发现通过控制在路径长度(厚度)50mm下的波 长550nm的透射率以及路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长 650nm的透射率之差，能解决上述技术课题，从而提出本发明。即，本发明的玻璃基板的特征 在于，基板尺寸为IlOOmmX 1250mm以上，在路径长度50mm下的波长550nm的透射率为85% 以上，并且在路径长度50mm下的波长550nm的透射率与在路径长度50mm下的波长650nm 的透射率之差为3%以下。这里，“基板尺寸”是指玻璃基板的表面背面中一个面的面积。 在玻璃基板的基板尺寸为IlOOmmX 1250mm以上的情况下，若将路径长度50mm下 的波长550nm的透射率控制在85%以上，则入射到玻璃基板的一侧的基板端面的光被玻璃 吸收的比例变小，即使到达另一侧的基板端面侧(非入射侧)的路径长度变长，也能抑制透 过玻璃基板的光量的下降，即在另一侧的基板端面侧(非入射侧)附近能得到足够的照度， 其结果是能对玻璃基板整个面恰当地检测熔融缺陷。本发明者等通过潜心研究发现玻璃组成中的Cr3+使玻璃基板的透射率下降，对 熔融缺陷检查的检查精度有较大影响，因此将Cr3+的影响作为评价指标，控制在路径长度 50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差。即，本发 明的玻璃基板当基板尺寸为IlOOmmX 1250mm以上的情况下，将在路径长度50mm下的波长 550nm的透射率与在路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差控制在3%以下，防止因 Cr3+引起的熔融缺陷检查的检查精度下降的现象。这里，Cr3+的吸收少的波长550nm的透 射率与Cr3+的吸收大的波长650nm的透射率之差越大，意味着Cr3+的影响越大。本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，不含25μπι以上的熔融缺陷。这 样的话，能减少由玻璃基板引起的图像缺陷，因而能很好地应对显示器的高精细化、高性能 化。这里，“熔融缺陷”包括未熔解原料、耐火物的混入、脱玻点、气泡等。本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，玻璃组成中含有0. 0001 0. 002 质量％的Cr2O3。将Cr2O3的含量控制在0. 0001 0. 002质量％，容易防止因Cr3+引起的熔 融缺陷检查的检查精度下降的现象。本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，基板端面的平均表面粗糙度Ra为 1 μ m以下。这里，“基板端面的平均表面粗糙度Ra”遵照上述定义。本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，基板表面未经研磨，且波纹度为 0. Iym以下。这里，“基板表面未经研磨”、“波纹度”遵照上述定义。本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，通过溢流下拉法成形而成。这样的 话，能得到未经研磨且基板表面平滑的玻璃基板。本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，作为玻璃组成，以下述氧化物换算 的质量％计，含有50 80%的Si02、0 20%的化03、0 15%的Mg0、0 15%的Ca0、0 15% 的 Sr0、0 15% 的 Ba0、0 15% 的 Na20、0 10% 的 K20、0. 0001 0. 002% 的 Cr203。本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，作为玻璃组成，含有3 20质量％ 的B2O3，且实质上不含碱金属氧化物(Li20、Na20、K2O)。这里，“实质上不含碱金属氧化物” 是指玻璃组成中的碱金属氧化物的含量为IOOOppm(质量)以下的情况。本发明的玻璃基板的特征在于，适用于显示器、尤其是液晶显示器和有机EL显示
ο
具体实施例方式在第1实施方式的玻璃基板中，基板尺寸为IlOOmmX 1250mm以上，优选为 1500mmX 1800mm以上，进一步优选为1870mmX2200mm以上，更优选为2350X2500mm以上， 特别优选为2400X2800mm以上，最优选为2850X3050mm以上。即，玻璃基板的基板尺寸越
大，本发明的效果越大。由于玻璃基板的基板尺寸越大，熔融缺陷检查所需的路径长度越 长，因此很难得到检查熔融缺陷所需的照度。但是，该实施方式的玻璃基板由于在路径长度 50mm下的波长500 800nm的透射率高，因此即使基板尺寸大，也能切实地检测出玻璃基板 中的熔融缺陷。另外，该实施方式的玻璃基板中，基板尺寸的上限没有特殊限制，但考虑到 玻璃基板的生产率，优选为4000mmX4000mm以下。在该实施方式的玻璃基板中，路径长度50mm下的波长500 800nm的透射率为 80%以上，优选为81 %以上，进一步优选为82%以上，更优选为83%以上。这样的话，在玻 璃基板的基板尺寸大的情况下，能恰当地进行熔融缺陷检查，能切实地检测出存在于玻璃 基板的熔融缺陷。该实施方式的玻璃基板优选不含25 μ m以上(优选为20 μ m以上、进一步优选为 15 μ m以上)的熔融缺陷。若在玻璃基板上存在25 μ m以上的熔融缺陷，则会阻碍显示器的 高精细化、高性能化的实现。本发明的玻璃基板即使基板尺寸大也能恰当地进行熔融缺陷 检查，因此能容易地检测出含有25 μ m以上的熔融缺陷的玻璃基板。Fe2O3是作为杂质在玻璃原料等中含有的成分。在玻璃组成中，氧化铁主要以Fe2+ 和Fe3+这两种形式存在。Fe3+在可见区域 紫外区域(350 450nm附近)、Fe2+在600 IOOOnm的长波长区域产生光的吸收。Fe2+和Fe3+的存在比率因熔融条件(熔融温度、熔融 气氛、熔融时间等)、玻璃原料以及杂质等各种因素而不同。因此，路径长度50mm下的波长 500 SOOnm的透射率不仅仅由玻璃组成中的Fe2O3的含量来决定。但是，若将Fe2O3的含 量控制在0. 03%以下、优选为0. 025%以下、进一步优选为0. 02%以下，则容易将路径长度 50mm下的波长500 800nm的透射率控制在80%以上。若使Fe2O3的含量为0，则能提高在路径长度50mm下的波长500 800的透射率。 但在这种情况下，必须使用高纯度的玻璃原料的同时，严格管理玻璃基板的制造工序，使杂 质Fe2O3的含量为0，因此玻璃基板的制造成本不合理地上升，并不现实。因此，若考虑到玻 璃基板的制造成本，最好将Fe2O3的含量控制在0. 001 %以上(优选为0. 005%以上、进一步 优选为0. 006%以上、更优选为0. 007%以上)。除Fe2O3以外，还优选尽量减少在可见光区域吸收光或在可见光区域增强光吸收 的成分、例如过渡金属氧化物的含量。例如，优选将CeO2的含量控制在0. 以下(优选为 0. 05%以下、进一步优选为0. 01 %以下)。但是，与Fe2O3的情况同样，若考虑到玻璃基板 的制造成本，优选将CeO2的含量控制在0.001%以上。另外，还优选将TiO2的含量控制在 0. 以下(优选为0. 05%以下、进一步优选为0.01%以下)。但若考虑到玻璃基板的制造 成本，优选将TiO2的含量控制在0. 001 %以上。此外，优选将NiO的含量控制在0. 05%以 下(优选为0.01%以下、进一步优选为0.005%以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本， 优选将NiO的含量控制在0. 001 %以上。在该实施方式的玻璃基板中，基板表面优选为未研磨。若基板表面未研磨，则由于省略了研磨工序，因此能大幅降低玻璃基板的制造成本。另外，在该实施方式的玻璃基板 中，波纹度优选为0. 1 μ m以下(优选为0. 05 μ m以下，进一步优选为0. 03 μ m以下，更优选 为0. 01 μ m以下)。若玻璃基板的波纹度大于0. 1 μ m，则在IXD等制造工序中，会导致单元 间隙的偏差，可能会引起显示不均。另外，若在调节制造条件后用溢流下拉法成形成玻璃基 板，则可以得到基板表面为未研磨且波纹度为0. 1 μ m以下的玻璃基板。在该实施方式的玻璃基板中，基板端面的平均表面粗糙度Ra优选为1 μ m以下，进 一步优选为0. 5 μ m以下。关于玻璃基板的熔融缺陷检查，从玻璃基板的一侧的基板端面入 射光，测定到达另一侧的基板端面侧(非入射侧)的光的照度。因此，玻璃基 板的基板断面 的表面状态会对熔融缺陷检查带来很大影响。若基板端面的平均表面粗糙度Ra大于1 μ m, 则光会在基板端面发生散射，熔融缺陷检查的检查精度容易下降。IXD或有机EL显示器中使用的玻璃基板还要求具有以下的特性。(1)具有不会因光刻工序中使用的各种酸、碱等试剂而劣化的耐试剂性。(2)不会在成膜、退火等热处理工序中热收缩。因此要具有高的应变点。(3)玻璃熔融性或成形性优异，不会发生玻璃基板所不希望的熔融缺陷。该实施方式的玻璃基板优选在80°C的10% HCl水溶液中浸渍3小时后肉眼观察 不到表面有白浊、粗糙。另外，该实施方式的玻璃基板还优选在20°C的63BHF溶液(HF :6质 量％，NH4F 30质量％ )中浸渍15分钟后肉眼观察不到表面有白浊、粗糙。在TFT-IXD用 玻璃基板的表面，形成透明导电膜、绝缘膜、半导体膜、金属膜等，还通过光刻形成各种电路 或图案。在这些成膜工序或光刻工序中，对玻璃基板实施各种热处理和试剂处理。通常，在 TFT-Array工序中，反复进行成膜工序一抗蚀图案形成工序一蚀刻工序一抗蚀剂剥离工序 这一系列工序。此时，作为蚀刻液，在Al、Mo类膜的蚀刻中，采用磷酸类溶液，在ITO类膜的 蚀刻中，采用王水(HC1+HN03)类溶液，在SiNx、SiO2膜等的蚀刻中，采用BHF溶液等各种试 剂液，考虑到降低成本，这些试剂液并非用完即仍，而是形成循环的液体流路。若玻璃基板 的耐试剂性低，则在蚀刻时有可能会引起各种问题，诸如试剂液与玻璃基板的反应产物会 导致循环的液体流路的过滤器堵塞，或因不均蚀刻而在玻璃基板表面产生白浊，或因蚀刻 液的成分改变而使蚀刻率变得不稳定等。在该实施方式的玻璃基板中，应变点优选为630°C以上，进一步优选为635°C以 上，更优选为640°C以上，最优选为645°C以上。在TFT-IXD的制造工序中，玻璃基板要进行 高温的热处理。若玻璃基板的应变点不足630°C，则例如玻璃基板在400 600°C下被热处 理时，会产生被称为热收缩的微小的尺寸收缩，这有可能会引起TFT的像素间距的偏移而 导致显示不良。另外，若玻璃基板的应变点不足630°C，则有可能会产生玻璃基板的变形、翘 曲等。这里，“应变点”是指采用根据ASTM C336的方法测定的值。在该实施方式的玻璃基板中，液相温度优选为1200°C以下，进一步优选为1150°C 以下，更优选为1080°C以下，特别优选为1050°C以下，最优选为1030°C以下。通常，溢流下 拉法与浮动法(float method)等其他的成形方法相比，由于玻璃成形时的粘度高，因此若 玻璃的耐失透性差，则成形中会产生脱玻点，很难成形为玻璃基板。具体而言，若液相温度 高于1200°C，则很难用溢流下拉法成形，难以得到表面品质良好的玻璃基板。也就是说，若 液相温度高于1200°C，则会对玻璃基板的成形方法带来不合理的制约，很难成形成具有所 需的表面品质的玻璃基板。这里，关于“液相温度”是指将玻璃粉碎，并通过标准筛30目(500 μ m)，将残留于50目(300 μ m)的玻璃粉末装入钼蒸发皿，在温度梯度炉中保持24小 时后，在玻璃中析出结晶的温度。在该实施方式的玻璃基板中，102 5dPa· s下的温度优选为1575°C以下，进一步优 选为1560°C以下。若将玻璃在高温下长时间熔融，则能减少玻璃中的气泡和异物等熔融缺 陷，但高温范围下的熔融会增加玻璃熔融炉的负担。例如炉所使用的氧化铝或氧化锆等耐 火物，越是高温，熔融玻璃的侵蚀越厉害，炉的生命周期也随之变短。另外，将炉的内部保持 高温的运行成本与低温下熔融的情况相比要高。因此，高温范围下的熔融对于制造玻璃基 板不利。另外，高温粘度102_ 5dPa · s下的熔融玻璃的温度相当于熔融温度。这里“ 102_ 5dPa · s 下的温度”是指用已知的钼上提法测定的值。该实施方式的玻璃基板优选，作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有 50 80% 的 Si02、0 20% 的 B203、0 15% 的 Mg0、0 15% 的 Ca0、0 15% 的 Sr0、0 15% 的 Ba0、0 15% 的 Na20、0 10%的1(20、0. 001 0. 03% 的 Fe2O3，当用于 LCD 或有机EL 显示器时，优选作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50 80%的Si02、3 20%的化03、0 15%的]\%0、3 15% 的 Ca0、0 15% 的 Sr0、0 15%&Ba0、0. 001 0. 03%的Fe2O3，且实质上不含碱金属氧化物。 在该实施方式的玻璃基板中，如上所述那样限定玻璃组成范围的理由如下所述。 另外，以下的％符号除特殊说明外，是指质量％。SiO2是玻璃的网络形成体，是提高玻璃耐热性的成分，具体而言，是具有提高应变 点、减小玻璃基板的热收缩的效果的成分，其含量为50 80%，优选为52 70%，进一步 优选为54 68%。若SiO2的含量多，则玻璃的高温粘性过高，玻璃的熔融性下降，而且容 易析出方石英的脱玻点。另一方面，若SiO2的含量少，则玻璃的耐酸性和应变点存在下降 的倾向。Al2O3是提高玻璃的应变点、抑制方石英的脱玻点的析出、降低玻璃的液相温度的 成分，其含量为5 25 %，优选为7 22 %，进一步优选为9 20 %。若Al2O3的含量多， 则玻璃的耐氢氟酸缓冲液性(耐BHF性)会下降，或玻璃的液相温度上升而难以成形为玻 璃基板。另一方面，若Al2O3的含量少，则玻璃的应变点存在下降的倾向。B2O3是作为熔剂起作用、降低玻璃的粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量为 0 20 %，优选为3 20 %，进一步优选为5 15 %，更优选为6 14 %，特别优选为7 13%。若是玻璃组成中实质上不含碱金属氧化物的无碱玻璃，则B2O3是必须成分，在玻璃组 成中必须含有3%以上、优选为6%以上、进一步优选为7%以上的B203。若B2O3的含量多， 则存在玻璃的应变点下降、或玻璃的耐酸性下降的倾向。另一方面，若B2O3的含量少，则难 以得到作为熔剂的效果。MgO是不降低玻璃的应变点而只降低高温粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量 为0 15%，优选为0 10%，进一步优选为0 7%，更优选为0 0.5%。若MgO的含 量多，则容易产生方石英或顽辉石的脱玻点。另外，若MgO的含量多，则耐BHF性会下降，在 光刻工序中玻璃基板被侵蚀，其反应产物附着于玻璃基板的表面，玻璃基板容易白浊。CaO是不降低玻璃的应变点而只降低高温粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量 为0 15%，优选为0 12%，进一步优选为3 10%。若是无碱玻璃，则CaO为必须成 分，在玻璃组成中必须含有3%以上的CaO。若CaO的含量多，则耐BHF性会下降，而且玻璃的密度和热膨胀系数存在上升的倾向。SrO是提高玻璃的耐试剂性和耐失透性的成分，其含量为0 15%，优选为0 12%，进一步优选为1 10%。若SrO的含量多，则玻璃的密度和热膨胀系数存在上升的倾 向。BaO是提高玻璃的耐试剂性和耐失透性的成分，其含量为0 15%，优选为0 12%,进一步优选为0 10%。若BaO的含量多，则玻璃的密度和热膨胀系数存在上升的倾 向。关于碱土类金属氧化物(MgO、CaO, SrO, BaO)，混合含有它们虽然能提高玻璃的熔 融性和耐失透性，但当这些成分较多时，玻璃的密度存在上升的倾向，玻璃基板的轻量化变 难。关于碱土类氧化物的含量，总计为0 25 %，优选为1 22 %，进一步优选为5 20 %， 更优选为7 18%。Na2O是控制玻璃的热膨胀系数、提高玻璃的熔融性的成分，其含量为0 15%，优 选为0 10%。若Na2O的含量多，则玻璃的应变点存在下降的倾向。K2O是控制玻璃的热 膨胀系数、提高玻璃的熔融性的成分，其含量为0 10%。若K2O的含量多，则玻璃的应变 点存在下降的倾向。另外，当用于LCD或有机EL显示器时，优选实质上不含碱金属氧化物 (Na2O, K2O, Li2O)。这样的话，在TFT的制造工序中，在热处理中，碱金属离子扩散到已成膜 的半导体物质中，无需担心膜特性劣化，不会损害TFT的可靠性。Fe2O3是影响玻璃的透射率的成分，其含量为0.001 0.03%，优选为0.001 0. 025 %，进一步优选为0. 005 0. 02 %，更优选为0. 006 0. 02 %，特别优选为0. 007 0. 02%。若Fe2O3的含量多于0. 03%，则玻璃基板的透射率容易下降。另一方面，若Fe2O3的 含量少于0. 001 %，则必须使用高纯度的玻璃原料，且必须严格管理玻璃基板的制造工序， 因此玻璃基板的制造成本会不合理地上升。该实施方式的玻璃基板的玻璃组成中，除含有上述成分以外还可含有15%以下的 下述成分。ZnO是改善玻璃的耐BHF性且改善玻璃的熔融性的成分，其含量为0 10%，优选 为0 5%，进一步优选为0 3%。若ZnO的含量多，则玻璃容易脱玻，应变点容易下降。ZrO2是改善玻璃的耐试剂性、尤其是耐酸性、提高杨氏模量的成分，其含量为0 10%，优选为0 2%，进一步优选为0 1%。若&02的含量多，则玻璃的液相温度上升， 容易产生锆石的脱玻点。As203、Sb203、Sn02、Cl、F是作为澄清剂起作用的成分，其含量按总计为0 2%，优 选为0 1.5%，进一步优选为0.01 1%。另外，还可以在不影响玻璃基板的透射率的 范围内含有C、S03作为澄清剂。但从环境保护的观点出发，作为澄清剂，优选实质上不含有 As203。这里，“实质上不含有As2O3、”是指玻璃组成中的As2O3的含量为IOOOppm(质量)以 下。另外，从环境保护的观点出发，作为澄清剂，优选实质上不含Sb203。这里“实质上不含 Sb2O/'是指玻璃组成中的Sb2O3的含量为1000ppm(质量)以下。As2O3是影响透射率的成分，若玻璃组成中含有As2O3，则玻璃基板的透射率容易下 降。另一方面，关于SnO2,若在玻璃组成中含有0.01 2%、0.05 1%、特别是0. 1 0. 5%的SnO2，则利用SnO2的还原效果，能提高玻璃的透射率。另外，如上所述，As203、Sb2O3 从环境保护的观点出发，优选实质上不含As203。考虑到上述观点，作为澄清剂，优选含有SnO2作为必须成分，而实质上不含As203、Sb2O30Cr2O3是影响玻璃的透射率的成分，其含量为O 0.001%，优选为0.0001 0. 002 %，进一步优选为0. 0002 0. 0015 %，更优选为0. 0003 0. 001 %。Cr3+由于在波长 范围400 550nm和波长范围550 700nm处吸收光，因此若Cr2O3的含量多于0. 002%, 则熔融缺陷检查的检查精度容易下降。另一方面，若Cr2O3的含量少于0. 0001%，则必须在 使用高纯度的玻璃原料的同时，严格管理玻璃基板的制造工序，因此玻璃基板的制造成本 会不合理地上升。另外，如上所述，优选尽量减少在可见光区域吸收光或在可见光区域增强光吸收的成分、例如过渡金属氧化物的含量。例如，优选将CeO2的含量控制在0. 以下(优选为 0. 05%以下、进一步优选为0. 01 %以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将CeO2的 含量控制在0.001%以上。另外，还优选将TiO2的含量控制在0. 以下(优选为0.05% 以下、进一步优选为0. 01%以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将TiO2的含量 控制在0.001%以上。此外，优选将NiO的含量控制在0.05%以下(优选为0.01%以下、 进一步优选为0. 005%以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将NiO的含量控制在 0. 001% 以上。除上述成分以外，还可以添加在500 SOOnm的波长范围内具有显著吸收的成分， 例如可以含有5%以下的Y203、Nb2O5, La203。这些成分具有提高玻璃的应变点、杨氏模量等 的作用，但若其含量多，则密度存在增大的倾向。该实施方式的玻璃基板可以通过如下方法来制造将按所需的玻璃组成调制而成 的玻璃原料投入连续熔融炉中，将玻璃原料在1450 1650°C下加热熔融，澄清后，提供于 成形装置，将熔融玻璃成形为板状，并缓慢冷却，由此来制造玻璃基板。另外，作为使波长 500 SOOnm下的玻璃基板的透射率为80%以上的方法，可以列举如下方法(1)使用使透 射率下降的杂质少的玻璃原料、特别是Fe2O3少的玻璃原料；(2)避免在玻璃基板的制造工 序中混入Fe2O3等；(3)调节玻璃的熔融条件、例如熔融温度、熔融气氛、熔融时间等。作为熔融槽的材质，优选使用氧化铝质电铸砖等氧化铝耐火物、氧化锆耐火物、锆 石耐火物、石英块等石英耐火物等。这些耐火物不易被熔融玻璃侵蚀，向玻璃中的成分溶出 少，因而优选。该实施方式的玻璃基板优选用溢流下拉法成形而成。若用溢流下拉法成形成玻璃 基板，则能制造未研磨且表面品质良好的玻璃基板。其理由为若采用溢流下拉法，则应成为 玻璃基板的表面的面不会与管状耐火物接触，而在自由表面的状态下成形。这里，溢流下拉 法是指使熔融玻璃从具有耐热性的管状耐火物的两侧溢出，并使溢出的熔融玻璃在管状耐 火物的下流汇合，与此同时，向下方延伸成形来制造玻璃基板。管状耐火物的结构和材质只 要是能实现使玻璃基板的尺寸和表面精度为所需的状态并能在玻璃基板中使用的品质即 可，没有特殊限制。另外，可以用任何方法对玻璃基板施加力以进行下方的延伸成形。例如， 可以采用在使具有足够大的宽度的耐热性辊与玻璃基板接触的状态下旋转延伸的方法，也 可以采用使成多对的耐热性辊仅与玻璃基板的端面附近接触而延伸的方法。另外，若液相 温度为1200°C以下、液相粘度为104_°dPa · s以上，即可用溢流下拉法制造玻璃基板。作为该实施方式的玻璃基板的成形方法，除溢流下拉法以外，还可以采用各种 方法。例如，可以采用浮动法、流孔下引法(slot down drawmethod)、转出法(rolloutmethod)等成形方法。该实施方式的玻璃基板优选用于显示器。该实施方式的玻璃基板由于在路径长度 50mm下的波长500 800nm的透射率高，因此容易检测出熔融缺陷，能够满足近年来的显示 器的高精细化、高功能化的要求。另外，该实施方式的玻璃基板还优选用于LCD或有机EL 显示器。该实施方式的玻璃基板由于基板尺寸大且在路径长度50mm下的波长500 SOOnm 的透射率高，因此容易实现LCD或有机EL显示器的生产率的提高、成本的降低。此外，该实 施方式的玻璃基板由于能够满足LCD或有机EL显示器所需的各种特性，因此优选用于此用 途。 在第2实施方式的玻璃基板中，基板尺寸为IlOOmmX 1250mm以上，优选为 1500mmX 1800mm以上，进一步优选为1870mmX2200mm以上，更优选为2350X2500mm以上， 特别优选为2400X2800mm以上，最优选为2850X3050mm以上。即，玻璃基板的基板尺寸越 大，本发明的效果越大。由于玻璃基板的基板尺寸越大，熔融缺陷检查所需的路径长度越 长，因此很难得到检查熔融缺陷所需的照度。但是，该实施方式的玻璃基板由于在路径长度 50mm下的波长550nm的透射率最高，且路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长 度50mm下的波长650nm的透射率之差小，因此即使基板尺寸大，也能切实地检测出玻璃基 板中的熔融缺陷。另外，该实施方式的玻璃基板中，基板尺寸的上限没有特殊限制，但考虑 到玻璃基板的生产率，优选为4000mmX4000mm以下。在该实施方式的玻璃基板中，路径长度50mm下的波长550nm的透射率为85%以 上，优选为86%以上，进一步优选为87%以上。这样的话，在玻璃基板的基板尺寸大的情况 下，能恰当地进行熔融缺陷检查，能切实地检测出存在于玻璃基板的熔融缺陷。在该实施方式的玻璃基板中，路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度 50mm下的波长650nm的透射率之差为3%以下，优选为2%以下，进一步优选为1. 5%以下， 更优选为以下。这样的话，容易防止因Cr3+引起的熔融缺陷检查的检查精度下降的现 象。该实施方式的玻璃基板出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，优选不含 25 μ m以上(优选为20 μ m以上、进一步优选为15 μ m以上)的熔融缺陷。Cr2O3是作为杂质在玻璃原料等中含有的成分。在玻璃组成中，氧化铬主要以Cr3+ 的形式存在。Cr3+在波长范围400 550nm和波长范围550 700nm下产生光的吸收。波 长550nm是这两个波长范围内存在的Cr3+的吸收较小的波长。波长650nm是在波长范围 550 700nm中Cr3+的吸收较大的波长。因此，可以说路径长度50mm下的波长550nm的透 射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差越小，Cr3+产生的吸收的影响就越小。 若控制该透射率之差，则容易防止因Cr3+引起的熔融缺陷检查的检查精度下降的现象。路 径长度50mm下的波长550nm的透射率和路径长度50mm下的波长650nm的透射率并非仅 由玻璃组成中的Cr2O3的含量来决定，但若将Cr2O3的含量控制在0. 002质量％以下、优选 为0. 0015质量％以下、进一步优选为0. 001质量％以下，则容易将路径长度50mm下的波长 550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差控制在3%以下。若使Cr2O3的含量为0，则容易防止因Cr3+引起的熔融缺陷检查的检查精度下降的 现象。但在这种情况下，必须使用高纯度的玻璃原料，且必须严格管理玻璃基板的制造工序 使杂质Cr2O3的含量为0，因此玻璃基板的制造成本不合理地上升，并不现实。因此，若考虑到玻璃基板的制造成本，最好将Cr2O3的含量控制在0. 0001%以上(优选为0. 0002%以上、进一步优选为0. 0003%以上)。除Cr2O3以外，还优选尽量减少在可见光区域吸收光或在可见光区域增强光吸收 的成分、例如过渡金属氧化物的含量。例如，优选将CeO2的含量控制在0. 以下(优选为 0. 05%以下、进一步优选为0. 01 %以下)。但是，与Cr2O3的情况同样，若考虑到玻璃基板 的制造成本，优选将CeO2的含量控制在0.001%以上。另外，还优选将TiO2的含量控制在 0. 以下(优选为0. 05%以下、进一步优选为0.01%以下)。但若考虑到玻璃基板的制造 成本，优选将TiO2的含量控制在0. 001 %以上。此外，优选将NiO的含量控制在0. 05%以 下(优选为0.01%以下、进一步优选为0.005%以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本， 优选将NiO的含量控制在0. 001%以上。在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，基 板表面优选为未研磨，且波纹度优选为0. 1 μ m以下(优选为0. 05 μ m以下，进一步优选为 0. 03 μ m以下，更优选为0. 01 μ m以下)。在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，基 板端面的平均表面粗糙度Ra优选为1 μ m以下，进一步优选为0. 5 μ m以下。在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，优 选在80°C的10% HCl水溶液中浸渍3小时后肉眼观察不到表面有白浊、粗糙，且在20°C的 63BHF溶液(冊6质量％，朋/:30质量％)中浸渍15分钟后肉眼观察不到表面有白浊、粗 糙。在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，应 变点优选为630°C以上，进一步优选为635°C以上，更优选为640°C以上，最优选为645°C以 上。在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，液 相温度优选为1200°C以下，进一步优选为1150°C以下，更优选为1080°C以下，特别优选为 1050°C以下，最优选为1030°C以下。在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由， 102 5dPa · s下的温度优选为1575°C以下，进一步优选为1560°C以下。该实施方式的玻璃基板优选，作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含 有 50 80% 的 Si02、0 20% 的 B203、0 15% 的 Mg0、0 15% 的 Ca0、0 15% 的 SrO、 0 15% 的 Ba0、0 15% 的 Na20、0 10% 的 K20、0. 0001 0. 002% 的 Cr2O3,当用于 LCD 或有机EL显示器时，优选作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50 80%的 SiO2,3 20% 的 B203、0 15% 的 Mg0、3 15% 的 Ca0、0 15% 的 Sr0、0 15% 的 BaO、 0. 0001 0. 002%的Cr2O3，且实质上不含碱金属氧化物。在该实施方式的玻璃基板中，如上所述那样限定玻璃组成范围的理由如下所述。 另外，以下的％符号除特殊说明外，指质量％。SiO2是玻璃的网络形成体，是提高玻璃耐热性的成分，具体而言，是具有提高应变 点、减小玻璃基板的热收缩的效果的成分，其含量为50 80%，优选为52 70%，进一步 优选为54 68%。若SiO2的含量多，则玻璃的高温粘性过高，玻璃的熔融性下降，而且容 易析出方石英的脱玻点。另一方面，若SiO2的含量少，则玻璃的耐酸性和应变点存在下降的倾向。Al2O3是提高玻璃的应变点、抑制方石英的脱玻点的析出、降低玻璃的液相温度的 成分，其含量为5 25 %，优选为7 22 %，进一步优选为9 20 %。若Al2O3的含量多， 则存在玻璃的耐氢氟酸缓冲液性(耐BHF性)会下降，或玻璃的液相温度上升而难以成形 为玻璃基板的趋势。另一方面，若Al2O3的含量少，则玻璃的应变点存在下降的倾向。 B2O3是作为熔剂起作用、降低玻璃的粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量为 0 20 %，优选为3 20 %，进一步优选为5 15 %，更优选为6 14 %，特别优选为7 13%。若是玻璃组成中实质上不含碱金属氧化物的无碱玻璃，则B2O3是必须成分，在玻璃组 成中必须含有3%以上、优选为6%以上、进一步优选为7%以上的B203。若B2O3的含量多， 则存在玻璃的应变点下降、或玻璃的耐酸性下降的倾向。另一方面，若B2O3的含量少，则难 以得到作为熔剂的效果。MgO是不降低玻璃的应变点而只降低高温粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量 为0 15%，优选为0 10%，进一步优选为0 7%，更优选为0 0.5%。若MgO的含量 多，则容易产生方石英或顽辉石的脱玻点。另外，若MgO的含量多，则耐BHF性会下降，在光 刻工序中玻璃基板会被侵蚀，其反应产物附着于玻璃基板的表面，玻璃基板容易发生白浊。CaO是不降低玻璃的应变点而只降低高温粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量 为0 15%，优选为0 12%，进一步优选为3 10%。若是无碱玻璃，则CaO为必须成 分，在玻璃组成中必须含有3%以上的CaO。若CaO的含量多，则耐BHF性会下降，而且玻璃 的密度和热膨胀系数存在上升的倾向。SrO是提高玻璃的耐试剂性和耐失透性的成分，其含量为0 15%，优选为0 12%，进一步优选为1 10%。若SrO的含量多，则玻璃的密度和热膨胀系数存在上升的倾 向。BaO是提高玻璃的耐试剂性和耐失透性的成分，其含量为0 15%，优选为0 12%,进一步优选为0 10%。若BaO的含量多，则玻璃的密度和热膨胀系数存在上升的倾 向。关于碱土类金属氧化物(MgO、CaO、SrO、BaO)，混合含有它们虽然能提高玻璃的熔 融性和耐失透性，但当这些成分较多时，玻璃的密度存在上升的倾向，玻璃基板的轻量化变 得困难。关于碱土类氧化物的含量，总计为0 25%，优选为1 22%，进一步优选为5 20%，更优选为7 18%。Na2O是控制玻璃的热膨胀系数、提高玻璃的熔融性的成分，其含量为0 15%，优 选为0 10%。若Na2O的含量多，则玻璃的应变点存在下降的倾向。K2O是控制玻璃的热 膨胀系数、提高玻璃的熔融性的成分，其含量为0 10%。若K2O的含量多，则玻璃的应变 点存在下降的倾向。另外，当用于LCD或有机EL显示器时，优选实质上不含碱金属氧化物 (Na2O, K2O, Li2O)。这样的话，在TFT的制造工序中，在热处理中，碱金属离子扩散到已成膜 的半导体物质中，无需担心膜特性劣化，不会损害TFT的可靠性。Cr2O3是影响玻璃的透射率的成分，其含量为0. 0001 0. 002%,优选为0. 0002 0. 0015%，进一步优选为0. 0003 0. 001%。若Cr2O3的含量多于0. 002%，则熔融缺陷检
查的检查精度容易下降。另一方面，若Cr2O3的含量少于0.0001%，则必须使用高纯度的玻 璃原料，且必须严格管理玻璃基板的制造工序，因此玻璃基板的制造成本会不合理地上升。
该实施方式的玻璃基板在玻璃组成中除上述成分以外还可以含有15%以下的下 述成分。ZnO是改善玻璃的耐BHF性且改善玻璃的熔融性的成分，其含量为0 10%，优选 为0 5%，进一步优选为0 3%。若ZnO的含量多，则玻璃容易脱玻，应变点容易下降。ZrO2是改善玻璃的耐试剂性、尤其是耐酸性、提高杨氏模量的成分，其含量为0 10%，优选为0 2%，进一步优选为0 1%。若&02的含量多，则玻璃的液相温度上升， 容易产生锆石的脱玻点。As203、Sb203、Sn02、Cl、F是作为澄清剂起作用的成分，其含量按总计为0 2%，优 选为0 1.5%，进一步优选为0.01 1%。另外，还可以在不影响玻璃基板的透射率的 范围内含有C、S03作为澄清剂。但从环境保护的观点出发，作为澄清剂，优选实质上不含有 As203。这里，“实质上不含有As2O3、”是指玻璃组成中的As2O3的含量为IOOOppm(质量)以 下。另外，从环境保护的观点出发，作为澄清剂，优选实质上不含Sb203。这里“实质上不含 Sb2O/'是指玻璃组成中的Sb2O3的含量为1000ppm(质量)以下。As2O3是影响透射率的成分，若玻璃组成中含有As2O3，则玻璃基板的透射率容易下 降。另 一方面，关于SnO2,若在玻璃组成中含有0. 01 2%、0. 05 1 %、特别是0. 1 0. 5% 的SnO2,则利用SnO2的还原效果，能提高玻璃的透射率。如上所述，As203、Sb2O3从环境保护 的观点出发，优选实质上不含As203。考虑到上述观点，作为澄清剂，优选含有SnCUt为必须 成分，而实质上不含As203、Sb203。Fe2O3是影响玻璃的透射率的成分，其含量为0.001 0.03%，优选为0.001 0. 025 %，进一步优选为0. 005 0. 02 %，更优选为0. 006 0. 02 %，特别优选为0. 007
0.02%。若Fe2O3的含量多于0.03%，则玻璃基板的透射率容易下降。另一方面，若Fe2O3 的含量少于0. 001%，则必须在使用高纯度的玻璃原料，且必须严格管理玻璃基板的制造工 序，因此玻璃基板的制造成本会不合理地上升。另外，如上所述，优选尽量减少在可见光区域吸收光或在可见光区域增强光吸收 的成分、例如过渡金属氧化物的含量。例如，优选将CeO2的含量控制在0. 以下(优选为 0. 05%以下、进一步优选为0. 01 %以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将CeO2的 含量控制在0.001%以上。另外，还优选将TiO2的含量控制在0. 以下(优选为0.05% 以下、进一步优选为0. 01%以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将TiO2的含量 控制在0.001%以上。此外，优选将NiO的含量控制在0.05%以下(优选为0.01%以下、 进一步优选为0. 005 %以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将NiO的含量控制在 0. 001% 以上。除上述成分以外，还可以添加在可见光区域不具有显著吸收的成分，例如可以含 有5%以下的Y203、Nb205、La203。这些成分具有提高玻璃的应变点、杨氏模量等的作用，但若 其含量多，则密度存在增大的倾向。该实施方式的玻璃基板可以通过如下方法来制造将按所需的玻璃组成调制而 成的玻璃原料投入连续熔融炉中，将玻璃原料在1450 1650°C下加热熔融，澄清后，提供 于成形装置，将熔融玻璃成形为板状，缓慢冷却来制造玻璃基板。另外，作为使在路径长度 50mm下的波长550歷的透射率为85%以上且使路径长度50mm下的波长550歷的透射率与 路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差为3%以下的方法，可以列举如下方法(1)使用使透射率下降的杂质少的玻璃原料、特别是Cr2O3少的玻璃原料；(2)避免在玻璃基板的 制造工序中混入Cr2O3等；(3)调节玻璃的熔融条件、例如熔融温度、熔融气氛、熔融时间等。作为熔融槽的材质，优选使用氧化铝质电铸砖等氧化铝耐火物、氧化锆耐火物、锆 石耐火物、石英块等石英耐火物等。这些耐火物不易被熔融玻璃侵蚀，向玻璃中的成分溶出 少，因而优选。在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，优 选用溢流下拉法成形而成。作为该实施方式的玻璃基板的成形方法，除溢流下拉法以外，还可以采用各种方 法。例如，可以采用浮动法、流孔下引法、转出法等成形方法。该实施方式的玻璃基板也优选用于显示器。该实施方式的玻璃基板由于在路径长 度50mm下的波长550nm的透射率高，且路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长 度50mm下的波长650nm的透射率之差小，因此容易检测出熔融缺陷，能够满足近年来的显 示器的高精细化、高功能化的要求。另外，该实施方式的玻璃基板还优选用于LCD或有机EL 显示器。该实施方式的玻璃基板由于基板尺寸大且路径长度50mm下的波长550nm的透射率 高，且路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率 之差小，因此容易实现LCD或有机EL显示器的生产率的提高、成本的降低。此外，该实施方 式的玻璃基板由于能够满足LCD或有机EL显示器所需的各种特性，因此优选用于此用途。实施例1表1、表2所示为本发明的实施例1(样品No. 1 15)，表3所示为本发明的比较 例 1(样品 No. 16、No. 17)。[表1][表1] [表2][表 2] [表 3][表3] 表中的各样品通过如下操作来制作。首先，按表中的玻璃组成调制玻璃原料，将制得的批料装入钼坩埚，在1600°C下熔 融23. 5小时后，流出至碳板上，成形为板状。接着，将成形后的玻璃置于保持在750°C的退 火炉中，缓慢冷却，得到各样品。密度采用公知的阿基米德方法来测定。热膨胀系数通过使用膨胀计在30 380°C的温度范围下进行测定。应变点通过根据ASTM C336的方法来测定。软化点通过根据ASTM C338的方法来测定。高温粘度102 5dPa · s下的温度采用公知的钼球上提法来测定。杨氏模量采用共振法来测定。关于耐BHF性，使用63BHF溶液，在20°C、15分钟的条件下处理各样品，肉眼观察 各样品的表面来进行评价。具体而言，将样品的表面未出现白浊、龟裂以及裂纹的样品评价 为“〇”，将样品的表面有白浊但样品的表面没有产生龟裂和裂纹的样品评价为“ Δ ”，将样品的表面有白浊且样品的表面产生了龟裂或裂纹的样品评价为“ X ”。关于耐酸性，使用10%盐酸水溶液，在80°C、3小时的条件下处理各样品，肉眼观 察各样品的表面来进行评价。具体而言，将样品的表面未出现白浊、龟裂以及裂纹的样品评 价为“〇”，将样品的表面有白浊但样品的表面没有产生龟裂和裂纹的样品评价为“Δ”，将 样品的表面有白浊且样品的表面产生了龟裂或裂纹的样品评价为“ X ”。路径长度50mm下的波长500nm以及800nm的透射率通过如下操作来测定。首先， 将各样品切成50mm厚，将横切面进行镜面研磨，制作厚50mm的测定样品。接着，使用分光 光度计，测定该测定样品的波长500nm以及SOOnm的透射率。路径长度2000mm下的熔融缺陷检查通过如下操作来进行。首先，将各样品进行多 头喷灯(日文—少一)加工，制作长2000mm的圆棒，将两端面进行镜面研磨。接 着，从一侧的端面入射光，在另一侧的端面侧(非入射侧)测定照度。根据照度的测定值， 将能检测出25 μ m的熔融缺陷的样品评价为“〇”，将检测不到25 μ m的熔融缺陷的样品评 价为“ X ”。 表1、表2表明样品No. 1 15的路径长度50mm下的波长500nm以及800nm的 透射率为80%以上，也就是说路径长度50mm下的波长500 800nm的透射率为80%以上， 且路径长度2000mm下的熔融缺陷检查的评价为良好。另一方面，由表3可知样品No. 16虽然Fe2O3的含量为0.020%，但由于添加了还 原剂C而熔融，因此800nm的透射率不足80%，路径长度2000mm下的熔融缺陷检查的评价 为不佳。另外，样品No. 17由于Fe2O3的含量为0.035%，因此800nm的透射率不足80%，路 径长度2000mm下的熔融缺陷检查的评价为不佳。此外，对于样品No. 1 15，在试验熔融炉中熔融，采用溢流下拉法成形，制作基板 表面未经研磨、波纹度为0. Iym以下且基板尺寸为2000mm X 2000mm Χ0. 5mm厚的玻璃基 板，可知路径长度50mm下的波长500 800nm的透射率为80%以上，且路径长度2000mm下 的熔融缺陷检查中检查出25 μ m的熔融缺陷。这里，路径长度50mm下的波长500 800nm 的透射率通过在50mm的玻璃制单元上层叠玻璃基板后进行测定。另外，在测定时，考虑到 表面反射率的影响，使浸液(苄醇)渗透到玻璃基板间。而且，在测定时，将基板端面的平 均表面粗糙度Ra控制在1 μ m以下。实施例2表4、表5所示为本发明的实施例2(样品No. 1 15)，表6所示为本发明的比较 例 2(样品 No. 16、No. 17)。[表 4][表 4] [表 5][表 5] [表 6][表 6]
表中的各样品采用与在实施例1的项目中说明的制造方法相同的制造方法来制作。关于各样品的物性值，采用与在实施例1的项目中说明的测定方法相同的测定方法来 测定。关于耐BHF性和耐酸性，在与实施例1的项目中说明的条件以及评价标准相同的条 件以及评价标准下进行评价。路径长度50mm下的波长550nm以及650nm的透射率通过如下操作来测定。首先， 将各样品切成50mm厚，将切断面进行镜面研磨，制作厚50mm的测定样品。接着，使用分光 光度计，测定该测定样品的波长550nm以及650nm的透射率。路径长度2000mm下的熔融缺陷检查通过如下操作来进行。首先，将各样品进行多 头喷 灯加工，制作长2000mm的圆棒，将两端面进行镜面研磨。接着，从一侧的端面入射光， 在另一侧的端面(非入射侧)测定照度。根据照度的测定值，将能检测出25μπι的熔融缺 陷的样品评价为“〇”，将检测不到25 μ m的熔融缺陷的样品评价为“ X ”。表4、表5表明样品No. 1 15的路径长度50mm下的波长550nm的透射率为85% 以上，且路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射 率之差为3%以下，因此路径长度2000mm下的熔融缺陷检查的评价为良好。另一方面，由表6可知样品No. 16由于Cr2O3的含量为0. 0025%，因此路径长度 50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差大于3%， 路径长度2000mm下的熔融缺陷检查的评价为不佳。另外，样品No. 17由于Cr2O3的含量为 0. 0040%，因此路径长度50mm下的波长550nm的透射率小于85%，且路径长度50mm下的 波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差大于3 %，路径长度 2000mm下的熔融缺陷检查的评价为不佳。此外，对于样品No. 1 15，在试验熔融炉中熔融，采用溢流下拉法成形，制作基 板表面未经研磨、波纹度为0. Iym以下且基板尺寸为2000mm X 2000mm Χ0. 5mm厚的玻璃 基板，可知路径长度50mm下的波长550nm的透射率为85%以上，路径长度50mm下的波长 550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差为3 %以下，且路径长度 2000mm下的熔融缺陷检查中检查出25 μ m的熔融缺陷。这里，路径长度50mm下的波长550 的透射率以及路径长度50mm下的650nm的透射率通过在50mm的玻璃制单元上层叠玻璃基 板后测定。另外，在测定时，考虑到表面反射率的影响，使浸液(苄醇)渗透到玻璃基板间。 而且，在测定时，将基板端面的平均表面粗糙度Ra控制在1 μ m以下。工业上利用的可能性以上的说明表明，本发明的玻璃基板适用于IXD、有机EL显示器、无机EL显示器、 PDP、FED等平板显示器用基板。另外，本发明的玻璃基板还适用于电荷偶合元件(CXD)和 等倍接触型固体摄像元件(CIS)等图像传感器用防护玻璃以及太阳电池用基板。
权利要求
一种玻璃基板，其特征在于，基板尺寸为1100mm×1250mm以上，且在路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率为80％以上。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板，其特征在于， 不含25 iim以上的熔融缺陷。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其特征在于， 在玻璃组成中含有0. 001 0. 03质量％的Fe203。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的玻璃基板，其特征在于， 基板端面的平均表面粗糙度Ra为1 P m以下。
5.根据权利要求1 4中任一项所述的玻璃基板，其特征在于， 基板表面未经研磨，且波纹度为0. lym以下。
6.根据权利要求1 5中任一项所述的玻璃基板，其特征在于， 通过溢流下拉法成形而成。
7.根据权利要求1 6中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50 80%的Si02、0 20%的 B203、0 15% 的 Mg0、0 15% 的 Ca0、0 15% 的 Sr0、0 15% 的 Ba0、0 15% 的 Na20、 0 10% 的 K20、0. 001 0. 03% 的 Fe203。
8.根据权利要求1 7中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，含有3 20质量％的B203，且实质上不含有碱金属氧化物。
9.根据权利要求1 8中任一项所述的玻璃基板，其特征在于， 用于显示器。
10.根据权利要求1 9中任一项所述的玻璃基板，其特征在于， 用于液晶显示器或有机EL显示器。
11.一种玻璃基板，其特征在于，基板尺寸为llOOmmX 1250mm以上，在路径长度50mm下的波长550nm的透射率为85% 以上，并且在路径长度50mm下的波长550nm的透射率与在路径长度50mm下的波长650nm 的透射率之差为3%以下。
12.根据权利要求11所述的玻璃基板，其特征在于， 不含25 iim以上的熔融缺陷。
13.根据权利要求11或12所述的玻璃基板，其特征在于， 在玻璃组成中含有0. 0001 0. 002质量％的Cr203。
14.根据权利要求11 13中任一项所述的玻璃基板，其特征在于， 基板端面的平均表面粗糙度Ra为1 P m以下。
15.根据权利要求11 14中任一项所述的玻璃基板，其特征在于， 基板表面未经研磨，且波纹度为0. lym以下。
16.根据权利要求11 15中任一项所述的玻璃基板，其特征在于， 通过溢流下拉法成形而成。
17.根据权利要求11 16中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50 80%的Si02、0 20%的B203、0 15% 的 Mg0、0 15% 的 Ca0、0 15% 的 Sr0、0 15% 的 Ba0、0 15% 的 Na20、 0 10% 的 K20、0. 0001 0. 002% 的 Cr203o
18.根据权利要求11 17中任一项所述的玻璃基板，其特征在于， 作为玻璃组成，含有3 20质量％的B203，且实质上不含有碱金属氧化物。
19.根据权利要求11 18中任一项所述的玻璃基板，其特征在于， 用于显示器。
20.根据权利要求11 19中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，用于液晶显示器或 有机EL显示器。
全文摘要
本发明的玻璃基板的特征在于，基板尺寸为1100mm×1250mm以上，且在路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率为80％以上。
文档编号G09F9/30GK101848873SQ20088011458
公开日2010年9月29日 申请日期2008年12月17日 优先权日2007年12月19日
发明者三和晋吉, 小森宏师 申请人:日本电气硝子株式会社