1.一种壳体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将陶瓷板置于热弯模具中，在1000℃～1200℃下进行预弯；及
升温至1300℃～1500℃，在1300℃～1500℃下对预弯后的所述陶瓷板进行热弯，得到壳体。
2.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，预弯的温度为1050℃～1150℃。
3.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，热弯的温度为1350℃～1450℃。
4.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，热弯后的所述陶瓷板的边缘的弯折角度在90°以下，且不为0。
5.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述在1300℃～1500℃下对预弯后的所述陶瓷板进行热弯的步骤包括：在1300℃～1500℃下对预弯后的所述陶瓷板施加热弯压力，以使预弯后的所述陶瓷板热弯，所述热弯压力为1n～100n。
6.根据权利要求5所述的壳体的制备方法，其特征在于，预弯后的所述陶瓷板的厚度为0.15mm～0.20mm，所述热弯压力为5n～20n，热弯后的所述陶瓷板的边缘的弯折角度在90°以下，且不为0；
或者，预弯后的所述陶瓷板的厚度为0.3mm～0.4mm，所述热弯压力为30n～50n，热弯后的所述陶瓷板的边缘的弯折角度在90°以下，且不为0；
或者，预弯后的所述陶瓷板的厚度为0.6mm～0.7mm，所述热弯压力为70n～90n，热弯后的所述陶瓷板的边缘的弯折角度在90°以下，且不为0。
7.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，热弯的时间为10min～60min。
8.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述升温至1300℃～1500℃的步骤中，升温的速率为5℃/min～20℃/min。
9.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述在1300℃～1500℃下对预弯后的所述陶瓷板进行热弯的步骤之后，还包括如下步骤：将热弯后的所述陶瓷板以5℃/min～20℃/min的速率降温至1000℃～1200℃，再随炉冷却。
10.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述在1300℃～1500℃下对预弯后的所述陶瓷板进行热弯的步骤之后，还包括对热弯后的所述陶瓷板进行精加工的步骤。
11.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述在1000℃～1200℃下进行预弯的步骤包括：在1000℃～1200℃下对所述陶瓷板施加预弯压力，以使所述陶瓷板预弯，所述预弯压力为1n～100n。
12.根据权利要求11所述的壳体的制备方法，其特征在于，预弯的时间为1h～3h。
13.根据权利要求1～12任一项所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述陶瓷板的致密度大于99.5％。
14.根据权利要求13所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述陶瓷板的材料为氧化锆陶瓷材料。
15.根据权利要求14所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述陶瓷板中，单斜相的氧化锆的质量百分含量小于25％。
16.根据权利要求14所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述陶瓷板中，氧化锆晶粒的平均直径小于600nm。
17.根据权利要求13所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述陶瓷板的厚度为0.15mm～0.8mm。
18.根据权利要求1～12任一项所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述壳体的厚度为0.1mm～0.65mm。
19.一种壳体，其特征在于，由权利要求1～18任一项所述的壳体的制备方法制备得到。
20.一种电子设备，其特征在于，包括：
权利要求19所述的壳体；
显示组件，与所述壳体连接，所述显示组件和所述壳体之间限定出安装空间；及
电路板，设置在所述安装空间内且与所述显示组件电连接。