专利名称：低介电常数低损耗的浸润料及其应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及复合材料领域，尤其涉及一种低介电常数(low dielectricconstant)低损耗(low loss)浸润料、用于其制备的组合物、基于上述浸润料制备的介质基板、介质基板应用电磁波通讯领域的层压制件的芯片载体及类似应用。
背景技术：
在通讯系统中，低介电常数低损耗介质基板、PCB板及类似应用件必须的满足很多物理和电性能标准，尤其需要考虑低介电常数、低损耗、优良耐热性、尺寸的稳定性、机械性能以及粘结性及类似性能。鉴于对此类材料成品件的高要求和广泛应用，除了满足上述工作电磁特性之外，同时也是期望此类材料相对低价的原材料、实用容易升级的低成本工艺制备。例如，目前最常用的浸润料、组合物、介质基板、芯片载体及类似应用件是采用玻璃纤维布作为增强材料，环氧树脂作为基体原材料。然而基于上述组合物加工成的应用件的介电常数一般4. 5左右，介电损耗在O. 025左右。 然而上述介质基板、芯片载体及类似应用件的参数指标提升不能满足现在快速发展的电子信息产业的要求，尤其上述介质基板、芯片载体及类似应用件的介电常数性能和介电损耗等方面的性能指标。
发明内容
基于此，为了提升现有介质基板、芯片载体及类似应用件的参数指标的技术问题，因此提供一种生产用于介质基板、芯片载体及类似应用件的低介电常数、低损耗的组合物。一种低介电常数低损耗的组合物包括玻纤布；第一组份，包含环氧树脂 '及第二组份，包含与所述环氧树脂发生交联反应的化合物。进一步地，所述组合物在IGHz频率下工作，具有彡4. O的标称介电常数和彡O. 01的电损耗正切量。进一步地，所述化合物包含极性高分子与非极性高分子化合的共聚物。进一步地，所述共聚物包含苯乙烯马来酸酐共聚物，其分子式如下
权利要求
1.一种低介电常数低损耗的浸润料，其特征在于，包括 第一组分，包含环氧树脂； 第二组分，包含与所述环氧树脂发生交联反应的化合物 '及 一种或者多种溶剂。
2.根据权利要求I所述的浸润料，其特征在于所述化合物包含由极性高分子与非极性高分子化合的共聚物。
3.根据权利要求2所述的低损耗浸润料，其特征在于所述共聚物包含苯乙烯马来酸酐共聚物，其分子式如下
4.根据权利要求I所述的浸润料，其特征在于所述化合物包含氰酸酯预聚体。
5.根据权利要求I所述的浸润料，其特征在于所述化合物包含氰酸酯预聚体和由极性高分子与非极性高分子化合的共聚物。
6.根据权利要求5所述的低损耗浸润料，其特征在于所述共聚物包含苯乙烯马来酸酐共聚物，其分子式如下
7.根据权利要求2或5所述的浸润料，其特征在于所述环氧树脂与共聚物按照官能值的比例进行配制。
8.根据权利要求3或6所述的浸润料，其特征在于所述环氧树脂与苯乙烯马来酸酐共聚物按照官能值的比例进行配制。
9.根据权利要求I所述的浸润料，其特征在于所述苯乙烯马来酸酐共聚物与氰酸酯预聚体按照任意比例混合。
10.根据权利要求I所述的浸润料，其特征在于所述一种或者多种溶剂选用丙酮、丁酮、N，N-二甲基甲酰胺、乙二醇甲醚、甲苯中任意一种或上述两种以上溶剂之间混合形成的混合溶剂。
11.根据权利要求I所述的浸润料，其特征在于所述第一组分与第二组分胶化过程中还加入促进剂。
12.根据权利要求11所述的浸润料，其特征在于所述促进剂促进第一组分与第二组分胶化时间在260秒左右。
13.根据权利要求12所述的浸润料，其特征在于所述促进剂可选用叔胺类，咪唑类以及三氟化硼单乙胺中的任意一类或他们之间混合物。
14.一种层压片，通过将玻纤布浸入如权利要求1-13任意所述的浸润料并烘干制成。
15.根据权利要求14所述的层压片，其特征在于所述层压片在IGHz频率下工作，具有< 4. O的标称介电常数和< 0. 01的电损耗正切量。
16.一种介质基板，通过将如权利要求14或15所述层压片与导电箔在压合制得。
17.根据权利要求16所述的层压片，其特征在于所述导电箔采用铜、银、金、铝或上述材料合金材料等制得。
18.一种多层层压板，通过将多层如权利要求14或15所述层压片相互压合制得。
全文摘要
本发明涉及一种低介电常数低损耗的浸润料及其应用，所述浸润料包括第一组分，包含环氧树脂；第二组分，包含与所述环氧树脂发生交联反应的化合物；及一种或者多种溶剂。本发明还涉及层压片、介质基板以及多层层压板。与相对现有技术相比，通过引入极性与非极性高分子共聚物或相类似的化合物来降低上述制件的介电常数以及介电损耗。
文档编号B32B17/04GK102775730SQ20121005050
公开日2012年11月14日 申请日期2012年2月29日 优先权日2012年2月29日
发明者刘若鹏, 徐冠雄, 胡侃, 金曦 申请人:深圳光启创新技术有限公司